本發(fā)明涉及有機(jī)光電材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光取出材料及使用該光取出材料的有機(jī)發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
OLED具有全固態(tài)、主動發(fā)光、高對比度、超薄、可柔性顯示、低功耗、寬視角、響應(yīng)速度快、溫度工作范圍寬、易于實(shí)現(xiàn)3D顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，將成為未來最具發(fā)展?jié)摿Φ男滦惋@示技術(shù)。同時(shí)，由于OLED具有可大面積成膜、功耗低以及其它優(yōu)良特性，因此還是一種理想的平面光源，在未來的節(jié)能環(huán)保型照明領(lǐng)域也具有廣泛的應(yīng)用前景。
有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)誕生以來已經(jīng)有了長足的發(fā)展，在信息顯示領(lǐng)域已經(jīng)有了一定規(guī)模的應(yīng)用，在固態(tài)照明領(lǐng)域也已步入了實(shí)用化的進(jìn)程中。目前OLED仍舊是有機(jī)電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。無論是OLED的新材料開發(fā)還是器件過程的機(jī)理研究都吸引著眾多研究力量。目前OLED材料的發(fā)展已經(jīng)到了一個(gè)比較成熟的階段，國內(nèi)外的材料公司提供著數(shù)以百計(jì)的創(chuàng)新材料供以選用。在這其中，空穴傳輸層、電子傳輸層、主體材料、熒光發(fā)光材料以及磷光發(fā)光材料已經(jīng)發(fā)展的很成熟，但是如光取出材料(Capping Layer)的發(fā)展卻一直不被大家所關(guān)注。
光取出層在OLED中是一層非常重要的功能層，具體為一層折射率較高的有機(jī)或無機(jī)透明材料，在可見光范圍內(nèi)基本沒有吸收范圍。加入光取出層的發(fā)光器件可以改善出光模式，使原本被限制在器件內(nèi)部的光線能夠射出器件，表現(xiàn)出了更高的光取出效率。在同樣的器件結(jié)構(gòu)下，使用光取出層的OLED器件最高可以提高30％～50％的出光，并降低操作電壓。但目前光取出材料的種類較為單一，效果不盡理想。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種光取出材料及使用該光取出材料的有機(jī)發(fā)光器件，本發(fā)明光取出材料以苯環(huán)作為核，稠合3個(gè)6元環(huán)來得到更高的材料穩(wěn)定性，并且折射率高、合成簡單，應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光器件的光取出層可以顯著提高器件的發(fā)光效率。
本發(fā)明首先提供了一種光取出材料，具有如式(I)所述的結(jié)構(gòu)式：
其中，X1-X6各自獨(dú)立地為硫或取代或未取代的氮。
優(yōu)選的，所述的光取出材料，具有如式(Ⅱ)所述的結(jié)構(gòu)式：
其中，Z1選自氫、C1-C20的烷基、硅烷基、取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C4-C50的雜芳基、或取代或未取代的C6-C50的芳香胺基中的任意一種。
優(yōu)選的，Z1選自氫、C1-C10的烷基、四苯基硅烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基、或取代或未取代的C6-C30的芳香胺基中的任意一種。
優(yōu)選的，Z1選自如下結(jié)構(gòu)中的任意一種：
其中，R1、R2獨(dú)立的選自氫、C1-C4的烷基、C6-C30的芳基或C4-C10的雜芳基。
優(yōu)選的，所述的光取出材料，如下化合物BS1-BS20中的任意一種所示：
本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括所述的光取出材料。
優(yōu)選的，所述有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、第二電極、位于所述第一電極與第二電極之間的若干個(gè)有機(jī)功能層、以及光取出層，所述光取出層中含有所述的光取出材料。
本發(fā)明的有益效果：
本發(fā)明提供的光取出材料，以苯環(huán)作為核，稠合3個(gè)6元環(huán)來得到更高的材料穩(wěn)定性，通過改變連接的基團(tuán)，可進(jìn)一步改善其物理特性，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光特性；本發(fā)明光取出材料還具有較高的折射率，折射率可達(dá)到1.77～1.85，可作為光取出層材料應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光器件中。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，使用本發(fā)明提供的光取出材料作為光取出層制備有機(jī)發(fā)光器件，具有較高的發(fā)光效率，發(fā)光效率可達(dá)到33～41cd/A，是一種優(yōu)異的OLED材料。
具體實(shí)施方式
為了進(jìn)一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些描述只是為進(jìn)一步說明本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，而不是對本發(fā)明權(quán)利要求的限制。
需要說明的是，除非另有規(guī)定，本發(fā)明所使用的科技術(shù)語的含義與本領(lǐng)域技術(shù)人員通常所理解的含義相同。
本發(fā)明所述烷基是指烷烴分子中少掉一個(gè)氫原子而成的烴基，其可以為直鏈烷基或支鏈烷基，例如可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基或己基等，但不限于此。
本發(fā)明所述芳基是指芳烴分子的芳核碳上去掉一個(gè)氫原子后，剩下一價(jià)基團(tuán)的總稱，其可以為單環(huán)芳基或稠環(huán)芳基，例如可選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本發(fā)明所述雜芳基是指芳基中的一個(gè)或多個(gè)芳核碳被雜原子替代得到的基團(tuán)的總稱，所述雜原子包括但不限于氧、硫和氮原子，所述雜芳基可以為單環(huán)雜芳基或稠環(huán)雜芳基，例如可選自吡啶基、喹啉基、咔唑基、噻吩基、苯并噻吩基、嘧啶基、苯并嘧啶基、咪唑基或苯并咪唑基等，但不限于此。
本發(fā)明首先提供一種光取出材料，具有如式(I)所述的結(jié)構(gòu)式：
其中，X1-X6各自獨(dú)立地為硫或取代或未取代的氮。本發(fā)明光取出材料優(yōu)選具有如式(Ⅱ)所述的結(jié)構(gòu)式：
其中，Z1選自氫、C1-C20的烷基、硅烷基、取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C4-C50的雜芳基、或取代或未取代的C6-C50的芳香胺基中的任意一種。優(yōu)選Z1選自氫、C1-C10的烷基、四苯基硅烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基、或取代或未取代的C6-C30的芳香胺基中的任意一種。
按照本發(fā)明，所述取代的芳基、取代的雜芳基、取代的芳香胺基中，所述取代基優(yōu)選自鹵素、氰基、C1-C10的烷基、C6-C30的芳基或C4-C30的雜環(huán)基中的一種或幾種，更優(yōu)選為氰基、C1-C6的烷基、C6-C30的芳基或C4-C30的雜環(huán)基中的一種或幾種，這些取代基可任選地進(jìn)一步被選自這類基團(tuán)的取代基取代。
更優(yōu)選Z1選自如下結(jié)構(gòu)中的任意一種：
其中，R1、R2獨(dú)立的選自氫、C1-C4的烷基、C6-C30的芳基或C4-C10的雜芳基，例如可選自氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基等，但不限于此。
按照本發(fā)明，所述光取出材料，沒有特別限定，優(yōu)選如下所示：
以上列舉了本發(fā)明所述光取出材料的一些具體的結(jié)構(gòu)形式，但本發(fā)明所述光取出材料并不局限于所列的這些化學(xué)結(jié)構(gòu)，凡是以式(I)所示結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，X1-X6為如上所限定的基團(tuán)都應(yīng)該包含在內(nèi)。
本發(fā)明所述光取出材料以苯環(huán)作為核，稠合3個(gè)6元環(huán)來得到更高的材料穩(wěn)定性，并且折射率高，通過改變連接的基團(tuán)，可進(jìn)一步改善其物理特性，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光特性。
本發(fā)明式(I)所示光取出材料的制備方法，以式(Ⅱ)化合物為例，包括將式A所示的化合物和式B所示的化合物以DMF為溶劑，以FeSO4·7H2O和1，10-林菲羅啉為催化劑和叔丁醇鉀進(jìn)行反應(yīng)得到式Ⅲ所示的化合物，將式Ⅲ所示的化合物與含有Z1取代基的溴代物進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)得到式(Ⅱ)所示的化合物。
本發(fā)明對上述各類反應(yīng)的反應(yīng)條件沒有特殊要求，以本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的此類反應(yīng)的常規(guī)條件即可。本發(fā)明對上述各類反應(yīng)中所采用的原料的來源沒有特別的限制，可以為市售產(chǎn)品或采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的制備方法制備得到。其中，所述Z1的選擇同上所述，在此不再贅述。
本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光器件，包括所述光取出材料。所述有機(jī)發(fā)光器件為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的有機(jī)發(fā)光器件即可，本發(fā)明所述有機(jī)發(fā)光器件優(yōu)選包括第一電極、第二電極、位于所述第一電極與第二電極之間的若干個(gè)有機(jī)功能層、以及光取出層，所述光取出層中含有本發(fā)明光取出材料。所述有機(jī)功能層優(yōu)選包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層與電子注入層中的至少一層。其中，光取出層的制備可以為真空蒸鍍、旋涂法、氣相沉積、刮涂法、激光熱轉(zhuǎn)印、電噴涂布法、狹縫式涂布法、條狀涂布法、浸沾式涂布法、滾筒式涂布法、噴墨印刷法、噴嘴印刷法或凸板印刷法中的任意一種，在本發(fā)明中優(yōu)選采用真空蒸鍍的方法。
本發(fā)明對以下實(shí)施例中所采用的原料的來源沒有特別的限制，可以為市售產(chǎn)品或采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的制備方法制備得到。
實(shí)施例1：中間體Ⅲ的制備
將0.3mol化合物B，0.06mol七水硫酸鐵，0.06mol 1，10-林菲羅啉和1.2mol叔丁醇鉀放入高壓釜中，Ar氣置換三次，再加入0.15mol化合物A和DMF 2L，再次Ar氣置換三次，反應(yīng)釜加熱到135℃反應(yīng)24h。反應(yīng)完成后，將混合物降溫到室溫，用去離子水稀釋，用乙醚萃取。有機(jī)相用食鹽水洗滌后用無水硫酸鈉干燥，通過柱層析提純(展開劑為EA：PE＝1:80)，得到中間體Ⅲ。
實(shí)施例2：化合物BS1的合成
將441mg(1mmol)的中間體Ⅲ,308g(1mmol)化合物(1)，和30mg(0.03mmol)的四(三苯基膦)鈀和1.1g(11mmol)叔丁醇鉀混合物加入20ml去除空氣的甲苯中，在N2保護(hù)下，將體系加熱到沸騰，攪拌24小時(shí)。等待反應(yīng)結(jié)束后冷卻到室溫，用水和有機(jī)相萃取三次，經(jīng)Na2SO4干燥后旋干。經(jīng)硅膠柱分離，得到化合物BS1，產(chǎn)率為72％。質(zhì)譜m/z：1124.9(計(jì)算值：1125.45)。理論元素含量(％)C78H51N3S3：C,83.17；H,4.56；N,3.73；S,8.54。實(shí)測元素含量(％)：C,83.00；H,4.45；N,3.67；S,8.76。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例3：化合物BS2的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(2)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS2。質(zhì)譜m/z：1018.98(計(jì)算值：1018.36)。理論元素含量(％)C69H51N3S3：C,81.38；H,5.05；N,4.13；S,9.54。實(shí)測元素含量(％)：C,81.10；H,5.13；N,4.66；S,9.07。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例4：化合物BS3的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(3)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS3。質(zhì)譜m/z：820.77(計(jì)算值：820.05)。理論元素含量(％)C54H33N3S3：C,79.09；H,4.06；N,5.12；S,11.33。實(shí)測元素含量(％)：C,80.03；H,4.01；N,5.08；S,11.00。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例5：化合物BS4的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(4)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS4。質(zhì)譜m/z：1283.90(計(jì)算值：1284.64)。理論元素含量(％)C87H60N6S3：C,81.28；H,4.70；N,6.54；S,7.48。實(shí)測元素含量(％)：C,81.66；H,4.83；N,6.49；S,7.32。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例6：化合物BS5的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(5)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS5。質(zhì)譜m/z：1398.98(計(jì)算值：1399.79)。理論元素含量(％)C96H66N6S3：C,82.37；H,4.75；N,6.00；S,6.87。實(shí)測元素含量(％)：C,82.48；H,4.70；N,6.02；S,6.88。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例7：化合物BS6的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(6)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS6。質(zhì)譜m/z：1061.10(計(jì)算值：1060.32)。理論元素含量(％)C66H45N9S3：C,74.76；H,4.28；N,11.89；S,9.07。實(shí)測元素含量(％)：C,74.82；H,4.19；N,11.80；S,9.00。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例8：化合物BS7的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(7)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS7。質(zhì)譜m/z：988.13(計(jì)算值：988.31)。理論元素含量(％)C60H33N3S6：C,72.92；H,3.37；N,4.25；S,19.47。實(shí)測元素含量(％)：C,72.98；H,3.39；N,4.35；S,19.54。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例9：化合物BS8的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(8)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS8。質(zhì)譜m/z：1283.13(計(jì)算值：1282.56)。理論元素含量(％)C84H51N9S3：C,78.66；H,4.01；N,9.83；S,7.50。實(shí)測元素含量(％)：C,78.78；H,3.92；N,9.77；S,7.47。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例10：化合物BS9的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(9)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS9。質(zhì)譜m/z：1401.34(計(jì)算值：1400.77)。理論元素含量(％)C100H61N3S3：C,85.74；H,4.39；N,3.00；S,6.87。實(shí)測元素含量(％)：C,85.89；H,4.34；N,3.07；S,6.80。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例11：化合物BS10的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(10)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS10。質(zhì)譜m/z：1132.39(計(jì)算值：1132.38)。理論元素含量(％)C72H45N9S3：C,76.37；H,4.01；N,11.13；S,8.49。實(shí)測元素含量(％)：C,76.73；H,4.34；N,11.00；S,8.34。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例12：化合物BS11的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(11)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS11。質(zhì)譜m/z：1045.48(計(jì)算值：1044.31)。理論元素含量(％)C72H41N3S3：C,82.81；H,3.96；N,4.02；S,9.21。實(shí)測元素含量(％)：C,83.00；H,4.04；N,4.01；S,9.20。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例13：化合物BS12的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(12)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS12。質(zhì)譜m/z：1121.87(計(jì)算值：1120.41)。理論元素含量(％)C78H45N3S3：C,83.62；H,4.05；N,3.75；S,8.59。實(shí)測元素含量(％)：C,83.80；H,4.00；N,3.60；S,8.62。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例14：化合物BS13的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(13)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS13。質(zhì)譜m/z：976.99(計(jì)算值：976.16)。理論元素含量(％)C60H33N9S3：C,73.82；H,3.41；N,12.91；S,9.85。實(shí)測元素含量(％)：C,74.03；H,3.30；N,12.82；S,9.75。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例15：化合物BS14的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(14)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS14。質(zhì)譜m/z：1445.78(計(jì)算值：1445.05)。理論元素含量(％)C96H69N3S3Si3：C,79.79；H,4.81；N,2.91；S,6.66；Si,5.83。實(shí)測元素含量(％)：C,79.86；H,4.71；N,2.99；S,6.58；Si,5.63。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例16：化合物BS15的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(15)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS15,產(chǎn)率為55.9％。質(zhì)譜m/z：898.10(計(jì)算值：898.17)。理論元素含量(％)C60H39N3S3：C,80.23；H,4.38；N,4.68；S,10.71。實(shí)測元素含量(％)：C,80.93；H,4.28；N,4.58；S,10.61。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例17：化合物BS16的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(16)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS16。質(zhì)譜m/z：1275,99(計(jì)算值：1276.63)。理論元素含量(％)C90H57N3S3：C,84.67；H,4.50；N,3.29；S,7.54。實(shí)測元素含量(％)：C,84.87；H,4.40；N,3.19；S,7.54。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例18：化合物BS17的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(17)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS17。質(zhì)譜m/z：1145.02(計(jì)算值：1144.54)。理論元素含量(％)C72H45N3S6：C,75.56；H,3.96；N,3.67；S,16.81。實(shí)測元素含量(％)：C,75.86；H,3.86；N,3.57；S,16.71。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例19：化合物BS18的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(18)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS18。質(zhì)譜m/z：1145.10(計(jì)算值：1445.90)。理論元素含量(％)C96H58N3S6：C,79.74；H,4.04；N,2.91；S,13.31。實(shí)測元素含量(％)：C,79.94；H,4.14；N,2.71；S,13.21。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例20：化合物BS19的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(19)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS19。質(zhì)譜m/z：1674.98(計(jì)算值：1674.19)。理論元素含量(％)C114H70N3S6：C,81.78；H,4.21；N,2.51；S,11.49。實(shí)測元素含量(％)：C,81.98；H,4.11；N,2.41；S,11.49。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例21：化合物BS20的合成
將實(shí)施例2中的化合物(1)替換為化合物(20)，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物BS20。質(zhì)譜m/z：1737.43(計(jì)算值：1736.17)。理論元素含量(％)C123H78N6S3：C,85.09；H,4.53；N,4.84；S,5.54。實(shí)測元素含量(％)：C,85.49；H,4.53；N,4.73；S,5.44。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。
實(shí)施例22：折射率的測定
將本發(fā)明的化合物BS1、BS8、BS16、BS20分別在有機(jī)硅板上蒸鍍形成60nm厚的膜，使用橢偏儀測定其在633nm的折射率，測定結(jié)果為BS1：1.80，BS8:1.77，BS16:1.85，BS20:1.79。
實(shí)施例23：發(fā)光器件1的制備
選取ITO透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為13wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍BS1化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為34cd/A。
實(shí)施例24：發(fā)光器件2的制備
選取ITO透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為13wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍BS8化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為33cd/A。
實(shí)施例25：發(fā)光器件3的制備
選取ITO透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為13wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍BS16化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為41cd/A。
實(shí)施例26：發(fā)光器件4的制備
選取ITO透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為13wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍BS20化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為38cd/A。
對比實(shí)施例：發(fā)光器件5的制備
選取ITO透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為13wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。最后在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為28cd/A。
可以看出，使用本發(fā)明提供的光取出材料制備的有機(jī)發(fā)光器件，具有較高的發(fā)光效率，是一種優(yōu)異的OLED材料。
顯然，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于所述技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。