技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及導(dǎo)熱材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種吸波導(dǎo)熱絕緣墊片。

背景技術(shù)：

隨著集成技術(shù)和微電子的組裝愈來愈密集化的發(fā)展 ,電子設(shè)備所產(chǎn)生的熱量迅速積累、增加。電子元器件溫度每升高2℃，其可靠性下降 10%，因此及時散熱成為影響其使用壽命的重要因素。為保證電子元器件在使用環(huán)境溫度下仍能高可靠性地正常工作,需要開發(fā)導(dǎo)熱絕緣高分子復(fù)合材料替代傳統(tǒng)高分子材料,作為導(dǎo)熱界面材料,迅速將發(fā)熱元件熱量傳遞給散熱設(shè)備,保障電子設(shè)備正常運(yùn)行。目前市場上主要提供的是導(dǎo)熱絕緣墊片，然而有些特殊場合，即需要散熱、絕緣還需要吸收電磁波已達(dá)到屏蔽效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種能夠解決上述問題的吸波導(dǎo)熱絕緣墊片。

本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種吸波導(dǎo)熱絕緣墊片，包括以下的組份和質(zhì)量百分比：

有機(jī)硅聚合物 12%-18%

導(dǎo)熱粉體 50%-60%

吸波粉體 25%-35%

助劑 余量。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的有機(jī)硅聚合物是指乙烯基聚硅氧烷、苯烯基聚硅氧烷、甲基苯烯酸硅氧烷、甲基乙烯基聚硅氧烷中的一種或二種以上的混合物。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的導(dǎo)熱粉體是指氧化鋁、氧化鋅、氧化硅、氮化鋁、氮化硼中的一種或2種以上的混合物。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的吸波粉體是指銅粉、鐵粉、鋁粉其中的一種或2種以上的混合物。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的助劑是指偶聯(lián)劑、阻燃劑。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述導(dǎo)熱粉體與吸波粉體由大、中、小三種粒徑粉體混合而成，三種粒徑粉體按照1：2：3的質(zhì)量比組成，大粒徑約20-50μm，中粒徑4-20μm，小粒徑為05-4μm。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的吸波導(dǎo)熱絕緣墊片同時具有導(dǎo)熱、絕緣、吸波的特性，解決了某些特殊場所需求導(dǎo)熱、絕緣、吸波的特性，有著單純導(dǎo)熱絕緣墊片一般的所有特性，制備簡單易行，安全可靠。

具體實施方式

為了加深對本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述，該實施例僅用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。

實施例

1.準(zhǔn)備以下的原材料：

a.有機(jī)硅聚合物

a1.乙烯基聚硅氧烷 a2.甲基乙烯基聚硅氧烷

b.導(dǎo)熱粉體

b1.氧化鋁粉末（D50=0.9μm） b2.氧化鋁粉末（D50=35μm）

b3.氧化鋁粉末（D50=4.7μm）

c.吸波粉體

c1.羥基鐵粉（D50=6μm）c2.鋁粉（D50=10μm）

d.助劑

鈦酸酯偶聯(lián)劑KR-TTS

將上述導(dǎo)熱粉體干燥后，按照下表1表示的比例進(jìn)行配比，采用濕法對配比后的粉體進(jìn)行表面處理，使其粉體表面包裹一層偶聯(lián)劑。在放入行星攪拌機(jī)攪拌抽真空后，上三輥延壓機(jī)加溫成型即得吸波導(dǎo)熱絕緣墊片

表1 實施例 3種搭配

表一

為了驗證本發(fā)明產(chǎn)品的性能，做了以下的測試(2.0mm為標(biāo)準(zhǔn))：

一、導(dǎo)熱系數(shù)測試

將實施例3種制的吸波導(dǎo)熱絕緣墊片在DR-3型熱流法導(dǎo)熱測試儀，厚度控制在2.0mm測的導(dǎo)熱系數(shù)，結(jié)果表明表2.

二、擊穿電壓測試

將實施例3種制的吸波導(dǎo)熱絕緣墊片在50KV交流絕緣耐壓測試，厚度控制在2.0mm測的擊穿電壓，結(jié)果表明表2.

三、吸波性能測試

將實施例3種制的吸波導(dǎo)熱絕緣墊片吸波屏蔽測試 儀上測試透磁率，厚度控制在2.0mm測的，結(jié)果表明表2.

表2本發(fā)明的吸波導(dǎo)熱絕緣墊片測試數(shù)據(jù)結(jié)果表

由上述數(shù)據(jù)可知，羥基鐵粉在導(dǎo)熱材料上的應(yīng)用，相對與氧化鋁具有導(dǎo)熱且吸波的性能，可滿足對導(dǎo)熱吸波同時需求的應(yīng)用場景進(jìn)行使用。