本發(fā)明屬于屬于半導體設(shè)備零件清洗
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種用于去除半導體蝕刻腔體陶瓷涂層零件污染物的清洗劑及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：半導體集成電路制造工藝技術(shù)持續(xù)快速發(fā)展，新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)帶動芯片集成度迅速提高，28納米已經(jīng)成為主流制程工藝，同時新技術(shù)再向16納米、8納米的線寬發(fā)展。其中的等離子體刻蝕及等離子體清潔已經(jīng)成為其半導體制程工藝最關(guān)鍵的流程之一。隨著進入到高制程設(shè)備，蝕刻腔體等離子功率越來越大，等離子體對刻蝕工藝腔壁的損傷帶來的粒子污染問題也越來越大，為了使由等離子體蝕刻工藝引進的粒子污染最小化，目前市場上已開發(fā)了很多耐等離子體轟擊的腔室材料，這些等離子體材料包括由Al2O3、AlN、SiC、Y2O3等組成的陶瓷噴涂層，這類陶瓷噴涂零件在蝕刻腔體內(nèi)運行一段時間后，其表面吸附了大量的CF化產(chǎn)物，如不對其定期拆卸清洗，就會產(chǎn)生大量污染離子，影響產(chǎn)品良率。傳統(tǒng)的清洗方法存在附著產(chǎn)物清洗不徹底形成粒子污染、部件基體(一般為陽極氧化鋁)腐蝕造成陶瓷噴涂層脫落等問題。因此，研發(fā)一種有效的清洗劑配方，既能將污染物徹底去除，又對基材(一般為陽極氧化鋁)很好的保護尤為重要。而到目前為止，尚未見關(guān)于此類清洗劑的相關(guān)文獻報道。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于去除半導體蝕刻腔體陶瓷涂層零件污染物的清洗劑及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的清洗劑既能將污染物徹底去除，確保了該類設(shè)備完全清洗干凈，無粒子帶入污染蝕刻腔體，又保證了基體材質(zhì)不受損害，從而減少陶瓷涂層脫落的風險。本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：本發(fā)明的第一目的在于提供一種用于去除半導體蝕刻腔體陶瓷涂層零件污染物的清洗劑，以重量份計，包括如下組分：其中，所述酸洗緩沖液選自羥基乙酸、甲酸、乙酸中的一種或幾種；所述氟化物選自氟化銨、氟硼酸的一種或兩種的混合；所述胺類有機溶劑選自一乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基甲酰胺、三乙烯四胺中的一種或幾種；所述酯類有機溶劑選自乙酸乙酯、乙酸丁酯中的一種或兩種的混合；所述酮類有機溶劑選自環(huán)已酮、N-甲基吡咯烷酮中的一種或兩種的混合。進一步的，所述清洗劑，以重量份計，包括如下組分：進一步的，所述清洗劑，以重量份計，包括如下組分：進一步的，所述清洗劑，以重量份計，包括如下組分：本發(fā)明的第二目的在于提供一種用于去除半導體蝕刻腔體陶瓷涂層零件污染物的清洗劑的制備方法，包括：按上述重量份，將各組分混合，于常溫攪拌30min，制得半導體蝕刻腔體陶瓷涂層零件污染物的清洗劑。本發(fā)明的第三目的在于提供一種用于去除半導體蝕刻腔體陶瓷涂層零件污染物的清洗劑的應(yīng)用，包括：將含陶瓷涂層的蝕刻零件放入所述清洗劑中，清洗劑溫度保持在30～40℃，同時超聲波清洗頻率為25～48KHZ，超聲波功率密度1～10W/inch2，進行超聲波清洗30min，再將蝕刻零件取出純水沖洗3～5min，將其陶瓷涂層上附著的污染物完全去除。進一步的，所述超聲波清洗頻率為45～48KHZ，超聲波功率密度5～10W/inch2。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的積極效果如下：本發(fā)明的清洗劑既能將污染物徹底去除，確保了該類設(shè)備完全清洗干凈，無粒子帶入污染蝕刻腔體，又保證了基體材質(zhì)不受損害，從而減少陶瓷涂層脫落的風險。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。以下實施例所使用的原料均通過市售獲得。實施例1按如下重量份的原料，配置清洗劑：將以上各組份原料依次加入燒瓶中，機械攪拌30min，得到粘稠、不分層的透明液體，即為清洗劑。含陶瓷涂層的蝕刻零件放入該混合的清洗劑中，清洗槽溫度清洗液溫度保持在40℃，同時在清洗槽內(nèi)施以48KHZ頻率超聲波，超聲波功率密度5～10W/inch2，在此環(huán)境下進行30min的超聲波清洗，再將其取出純水沖洗5min，清洗效果評價見表1。實施例2按如下重量份的原料，配置清洗劑：將以上各組份原料依次加入燒瓶中，機械攪拌30min，得到粘稠、不分層的透明液體，即為清洗劑。含陶瓷涂層的蝕刻零件放入該混合的清洗劑中，清洗槽溫度清洗液溫度保持在30℃，同時在清洗槽內(nèi)施以48KHZ頻率超聲波，超聲波功率密度5～10W/inch2，在此環(huán)境下進行30min的超聲波清洗，再將其取出純水沖洗5min，清洗效果評價見表1。實施例3按如下重量份的原料，配置清洗劑：將以上各組份原料依次加入燒瓶中，機械攪拌30min，得到粘稠、不分層的透明液體，即為清洗劑。含陶瓷涂層的蝕刻零件放入該混合的清洗劑中，清洗槽溫度清洗液溫度保持在30℃，同時在清洗槽內(nèi)施以48KHZ頻率超聲波，超聲波功率密度5～10W/inch2，在此環(huán)境下進行30min的超聲波清洗，再將其取出純水沖洗5min，清洗效果評價見表1。對比實施例1使用市售SKT-01清洗劑，百德化工公司提供，于30℃，超聲波功率密度5W/inch2，在此環(huán)境下進行30min的超聲波清洗，對比清洗效果。表1清洗劑清洗效果評價表評價參數(shù)實施例1實施例2實施例3對比例1膜去除率100％100％100％99％殘膠量無殘膠無殘膠無殘膠少量殘留陶瓷涂層脫落情況無脫落無脫落無脫落有少量脫落基材損壞情況無損壞無損壞無損壞有少量腐蝕以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。當前第1頁1 2 3