相關(guān)申請的引證
本申請請求在2016年3月23日于韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2016-0034769號的優(yōu)先權(quán)和利益,其全部內(nèi)容通過引證并入本文中。
本發(fā)明公開了有機(jī)化合物、有機(jī)光電裝置和顯示裝置。
背景技術(shù):
有機(jī)光電裝置是將電能轉(zhuǎn)化成光能的裝置,反之亦然。
有機(jī)光電裝置根據(jù)其驅(qū)動原理可以分類如下。一種是光電裝置,其中由光能產(chǎn)生激子,分離成電子和空穴,并傳輸?shù)讲煌碾姌O以產(chǎn)生電能,并且另一種是發(fā)光裝置,其中將電壓或電流供應(yīng)到電極以由電能產(chǎn)生光能。
有機(jī)光電裝置的實(shí)例可以是有機(jī)光電子裝置,有機(jī)發(fā)光二極管,有機(jī)太陽能電池和有機(jī)感光鼓。
其中,有機(jī)發(fā)光二極管(oled)最近由于對于平板顯示器的需求增加而獲得關(guān)注。有機(jī)發(fā)光二極管通過將電流施加到有機(jī)發(fā)光材料而將電能轉(zhuǎn)化成光,并具有其中有機(jī)層插入在陽極和陰極之間的結(jié)構(gòu)。
有機(jī)發(fā)光二極管的性能可以受到有機(jī)層的特性影響,并且其中可以主要受有機(jī)層的有機(jī)材料的特性影響。特別地,需要開發(fā)能夠增加空穴和電子遷移率并且同時增加電化學(xué)穩(wěn)定性的有機(jī)材料,使得有機(jī)發(fā)光二極管可應(yīng)用于大尺寸平板顯示器。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
一個實(shí)施方式提供了能夠?qū)崿F(xiàn)具有高效率和長壽命的有機(jī)光電裝置的有機(jī)化合物。
另一個實(shí)施方式提供了包含該有機(jī)化合物的有機(jī)光電裝置。
又一個實(shí)施方式提供了包括該有機(jī)光電裝置的顯示裝置。
根據(jù)一個實(shí)施方式,提供由化學(xué)式1表示的有機(jī)化合物。
[化學(xué)式1]
其中,在化學(xué)式1中,
x是o或s,l1是單鍵、取代或未取代的c6至c30亞芳基基團(tuán)或取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán),
r1和r2獨(dú)立地是取代或未取代的c1至c20烷基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基團(tuán)或它們的組合,并且
r3至r13獨(dú)立地是氫、氘、鹵素、氰基基團(tuán)、羥基基團(tuán)、氨基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20胺基團(tuán)、硝基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20烷基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c20芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基團(tuán)或它們的組合。
另一個實(shí)施方式提供一種有機(jī)光電裝置,其包括彼此面對的陽極和陰極以及在陽極和陰極之間的至少一個有機(jī)層,其中有機(jī)層包含該有機(jī)化合物。
又一個實(shí)施方式提供包括該有機(jī)光電裝置的顯示裝置。
可以實(shí)現(xiàn)具有高效率和長壽命的有機(jī)光電裝置。
附圖說明
圖1至3是顯示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的截面圖。
<標(biāo)號說明>
100、200、300:有機(jī)發(fā)光二極管
105:有機(jī)層
110:陰極
120:陽極
130:發(fā)射層
140:空穴傳輸層
141:第一空穴傳輸層
142:第二空穴傳輸層
具體實(shí)施方式
下文中詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。然而,這些實(shí)施方式是示例性的,本發(fā)明不限于此,并且本發(fā)明由權(quán)利要求的范圍限定。
在本說明書中,當(dāng)沒有另外提供定義時,“取代的”指由氘、鹵素、羥基基團(tuán)、氨基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c30胺基團(tuán)、硝基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c40甲硅烷基基團(tuán)、c1至c30烷基基團(tuán)、c1至c10烷基甲硅烷基基團(tuán)、c3至c30環(huán)烷基基團(tuán)、c3至c30雜環(huán)烷基基團(tuán)、c6至c30芳基基團(tuán)、c6至c30雜環(huán)基團(tuán)、c1至c20烷氧基基團(tuán)、氟基團(tuán)、c1至c10三氟烷基基團(tuán)如三氟甲基基團(tuán)或氰基基團(tuán)取代,代替取代基或化合物的至少一個氫。
另外,取代的鹵素、羥基基團(tuán)、氨基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20胺基團(tuán)、硝基基團(tuán)、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基團(tuán)、c1至c30烷基基團(tuán)、c1至c10烷基甲硅烷基基團(tuán)、c3至c30環(huán)烷基基團(tuán)、c3至c30雜環(huán)烷基基團(tuán)、c6至c30芳基基團(tuán)、c6至c30雜環(huán)基團(tuán)、c1至c20烷氧基基團(tuán)、氟基團(tuán)、c1至c10三氟烷基基團(tuán)如三氟甲基基團(tuán)等或氰基基團(tuán)中的兩個相鄰取代基可以彼此稠合以形成環(huán)。例如,取代的c6至c30芳基基團(tuán)可以與另一個相鄰的取代的c6至c30芳基基團(tuán)稠合以形成取代或未取代的芴環(huán)。
在本說明書中,當(dāng)沒有另外提供特別定義時,“雜”指在一個官能團(tuán)中包括至少一個選自由n、o、s、p和si組成的組的雜原子和其余的碳。
在本說明書中,“芳基基團(tuán)”指具有至少一個烴環(huán)分析族部分的基團(tuán),并且廣義地,由單鍵和包含直接或間接稠合的烴環(huán)芳香族部分的非芳香族稠環(huán)連接的烴環(huán)芳香族部分。芳基基團(tuán)可以是單環(huán)、多環(huán)或稠環(huán)多環(huán)(即共有相鄰的碳原子對的環(huán))的官能團(tuán)。
在本說明書中,“雜環(huán)基團(tuán)”包括雜芳基基團(tuán),以及包含至少一個選自n、o、s、p和si的雜原子代替環(huán)狀化合物如芳基基團(tuán)、環(huán)烷基基團(tuán)、稠環(huán)或它們的組合的碳(c)的環(huán)狀基團(tuán)。當(dāng)雜環(huán)基團(tuán)是稠環(huán)時,雜環(huán)基團(tuán)的每個或全部環(huán)可以包含至少一個雜原子。
更具體地,取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)和/或取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)指取代或未取代的苯基基團(tuán)、取代或未取代的萘基基團(tuán)、取代或未取代的蒽基基團(tuán)、取代或未取代的菲基基團(tuán)、取代或未取代的并四苯基基團(tuán)、取代或未取代的芘基基團(tuán)、取代或未取代的聯(lián)苯基團(tuán)、取代或未取代的對三聯(lián)苯基團(tuán)、取代或未取代的間三聯(lián)苯基團(tuán)、取代或未取代的屈基基團(tuán)、取代或未取代的三亞苯基基團(tuán)、取代或未取代的苝基基團(tuán)、取代或未取代的茚基基團(tuán)、取代或未取代的呋喃基基團(tuán)、取代或未取代的噻吩基基團(tuán)、取代或未取代的吡咯基基團(tuán)、取代或未取代的吡唑基基團(tuán)、取代或未取代的咪唑基基團(tuán)、取代或未取代的三唑基基團(tuán)、取代或未取代的噁唑基基團(tuán)、取代或未取代的噻唑基基團(tuán)、取代或未取代的噁二唑基基團(tuán)、取代或未取代的噻二唑基基團(tuán)、取代或未取代的吡啶基基團(tuán)、取代或未取代的嘧啶基基團(tuán)、取代或未取代的吡嗪基基團(tuán)、取代或未取代的三嗪基基團(tuán)、取代或未取代的苯并呋喃基基團(tuán)、取代或未取代的苯并噻吩基基團(tuán)、取代或未取代的苯并咪唑基基團(tuán)、取代或未取代的吲哚基基團(tuán)、取代或未取代的喹啉基基團(tuán)、取代或未取代的異喹啉基基團(tuán)、取代或未取代的喹唑啉基基團(tuán)、取代或未取代的喹喔啉基基團(tuán)、取代或未取代的萘啶基基團(tuán)、取代或未取代的苯并噁嗪基基團(tuán)、取代或未取代的苯并噻嗪基基團(tuán)、取代或未取代的吖啶基基團(tuán)、取代或未取代的吩嗪基基團(tuán)、取代或未取代的吩噻嗪基基團(tuán)、取代或未取代的吩噁嗪基基團(tuán)、取代或未取代的芴基基團(tuán)、取代或未取代的二苯并呋喃基基團(tuán)、取代或未取代的二苯并噻吩基基團(tuán)、取代或未取代的咔唑基團(tuán)、它們的組合或上述基團(tuán)的組合的稠環(huán),但不限于此。
在本說明書中,取代或未取代的亞芳基基團(tuán)或取代或未取代的雜亞芳基基團(tuán)是指如上定義的并具有兩個連接點(diǎn)的取代或未取代的芳基基團(tuán)或取代或未取代的雜芳基基團(tuán),例如取代或未取代的亞苯基基團(tuán)、取代或未取代的亞萘基基團(tuán)、取代或未取代的亞蒽基基團(tuán)、取代或未取代的亞菲基基團(tuán)、取代或未取代的亞并四苯基基團(tuán)、取代或未取代的亞芘基基團(tuán)、取代或未取代的亞聯(lián)苯基基團(tuán)、取代或未取代的亞三聯(lián)苯基基團(tuán)、取代或未取代的亞四聯(lián)苯基基團(tuán)、取代或未取代的亞屈基基團(tuán)、取代或未取代的亞三亞苯基基團(tuán)、取代或未取代的亞苝基基團(tuán)、取代或未取代的亞茚基基團(tuán)、取代或未取代的亞呋喃基基團(tuán)、取代或未取代的亞噻吩基基團(tuán)、取代或未取代的亞吡咯基基團(tuán)、取代或未取代的亞吡唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞咪唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞三唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞噁唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞噻唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞噁二唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞噻二唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞吡啶基基團(tuán)、取代或未取代的亞嘧啶基基團(tuán)、取代或未取代的亞吡嗪基基團(tuán)、取代或未取代的亞三嗪基基團(tuán)、取代或未取代的亞苯并呋喃基基團(tuán)、取代或未取代的亞苯并噻吩基基團(tuán)、取代或未取代的亞苯并咪唑基基團(tuán)、取代或未取代的亞吲哚基基團(tuán)、取代或未取代的亞喹啉基基團(tuán)、取代或未取代的亞異喹啉基基團(tuán)、取代或未取代的亞喹唑啉基基團(tuán)、取代或未取代的亞喹喔啉基基團(tuán)、取代或未取代的亞萘啶基基團(tuán)、取代或未取代的亞苯并噁嗪基基團(tuán)、取代或未取代的亞苯并噻嗪基基團(tuán)、取代或未取代的亞吖啶基基團(tuán)、取代或未取代的亞吩嗪基基團(tuán)、取代或未取代的亞吩噻嗪基基團(tuán)、取代或未取代的亞吩噁嗪基基團(tuán)、取代或未取代的亞芴基基團(tuán)、取代或未取代的亞二苯并呋喃基基團(tuán)、取代或未取代的亞二苯并噻吩基基團(tuán)、取代或未取代的亞咔唑基團(tuán)、它們的組合或上述基團(tuán)的組合的稠環(huán),但不限于此。
在本說明書中,空穴特性是指當(dāng)施加電場時提供電子以形成空穴,并且由于根據(jù)最高已占分子軌道(homo)水平的傳導(dǎo)特性,在陽極中形成的空穴可以易于注入到發(fā)光層中,且發(fā)光層中形成的空穴可以易于傳輸?shù)疥枠O中,并在發(fā)光層中傳輸?shù)哪芰Α?/p>
另外,電子特性指當(dāng)施加電場時接受電子,并且由于根據(jù)最低未占分子軌道(lumo)水平的傳導(dǎo)特性,在陰極中形成的電子可以易于注入到發(fā)光層中,且發(fā)光層中形成的電子可以易于傳輸?shù)疥帢O中,并且在發(fā)光層中傳輸?shù)哪芰Α?/p>
在本說明書中,有機(jī)光電裝置或有機(jī)光電顯示裝置是指具有與有機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器相同的含義。
下文中,描述了根據(jù)一個實(shí)施方式的有機(jī)化合物。
根據(jù)一個實(shí)施方式的有機(jī)化合物由化學(xué)式1表示。
[化學(xué)式1]
在化學(xué)式1中,
x是o或s,
l1是單鍵、取代或未取代的c6至c30亞芳基基團(tuán)或取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán),
r1和r2獨(dú)立地是取代或未取代的c1至c20烷基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基團(tuán)或它們的組合,并且
r3至r13獨(dú)立地是氫、氘、鹵素、氰基基團(tuán)、羥基基團(tuán)、氨基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20胺基團(tuán)、硝基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20烷基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c20芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基團(tuán)或它們的組合。
由化學(xué)式1表示的有機(jī)化合物是被具有雜原子的稠環(huán)取代的胺化合物,并且胺化合物在最靠近具有雜原子的稠環(huán)的環(huán)的鄰位鍵合。
在有機(jī)發(fā)光二極管中,鄰近發(fā)射層的層(空穴傳輸層(htl),電子傳輸層(etl))應(yīng)當(dāng)具有比發(fā)射層更高的s1能級以增加發(fā)光效率和壽命,并且特別地,空穴傳輸層(htl)應(yīng)當(dāng)具有高lumo能級以有效地阻擋從電子傳輸層(etl)傳輸通過發(fā)射層的電子。由化學(xué)式1表示的有機(jī)化合物是在最靠近稠環(huán)的環(huán)的鄰位處鍵合的胺化合物,并且因此具有比在稠環(huán)的其它位置處鍵合的胺化合物更高的s1能級和lumo能級,并且因此,可以增加有機(jī)發(fā)光二極管的效率和壽命。另外,有機(jī)化合物具有稠環(huán)基團(tuán)并且保持平面分子結(jié)構(gòu),因而可以對增加薄膜的穩(wěn)定性具有較大作用,并且因此增加了壽命。
另外,與由化學(xué)式a表示的稠環(huán)相比,由化學(xué)式1表示的有機(jī)化合物的稠環(huán)具有在r'和r”位置處稠合的一個另外的環(huán),因而可以進(jìn)一步增加分子平面度并在有機(jī)沉積膜的形成過程中保持穩(wěn)定的薄膜狀態(tài),并且因此對于實(shí)現(xiàn)在低驅(qū)動電壓下具有高效和長壽命,且同時具有電化學(xué)和熱穩(wěn)定性的有機(jī)發(fā)光二極管具有較大影響。
[化學(xué)式a]
由化學(xué)式1表示的有機(jī)化合物可以例如由選自化學(xué)式2-1至化學(xué)式2-4中的一種表示。
在化學(xué)式2-1至化學(xué)式2-4中,
x是o或s,
r1至r13獨(dú)立地是氫、氘、鹵素、氰基基團(tuán)、羥基基團(tuán)、氨基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20胺基團(tuán)、硝基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20烷基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)、取代或未取代的c1至c20烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c20芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基團(tuán)或它們的組合。
r1和r2可以獨(dú)立地是取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)或取代或未取代的(一價)c3至c12雜環(huán)基團(tuán)。
例如,r1和r2獨(dú)立地是取代或未取代的苯基基團(tuán)、取代或未取代的聯(lián)苯基團(tuán)、取代或未取代的三亞苯基團(tuán)、取代或未取代的三聯(lián)苯基團(tuán)、取代或未取代的芴基團(tuán)、取代或未取代的雙芴基團(tuán)、取代或未取代的萘基基團(tuán)、取代或未取代的異屈基團(tuán)、取代或未取代的蒽基團(tuán)、取代或未取代的二苯并呋喃基團(tuán)、取代或未取代的二苯并噻吩基基團(tuán)、它們的組合或它們的組合的稠環(huán)。
例如,r1和r2可獨(dú)立地是組1的基團(tuán)中的一種,但不限于此。
[組1]
由化學(xué)式1表示的有機(jī)化合物可以選自化學(xué)式(cf)a-1至化學(xué)式(cf)a-9、化學(xué)式(cf)b-1至化學(xué)式(cf)b-93、化學(xué)式(cf)c-1至化學(xué)式(cf)c-12、化學(xué)式(cf)d-1至化學(xué)式(cf)d-9和化學(xué)式(cf)e-1至化學(xué)式(cf)e-9,但不限于此。下文中,“cf”指化學(xué)式。
該有機(jī)化合物可以應(yīng)用于有機(jī)光電裝置。
該有機(jī)化合物可單獨(dú)或與其它有機(jī)化合物一起應(yīng)用于有機(jī)光電裝置。該有機(jī)化合物可以組合物形式與其它有機(jī)化合物一起應(yīng)用。
下文中,描述了包含該有機(jī)化合物的有機(jī)光電裝置。
有機(jī)光電裝置可以是將電能轉(zhuǎn)化成光能的任何裝置,反之亦然,沒有特別限制,并且可以例如是有機(jī)光電二極管,有機(jī)發(fā)光二極管,有機(jī)太陽能電池和有機(jī)感光鼓。
有機(jī)光電裝置可包括彼此面對的陽極和陰極、在陽極和陰極之間的至少一個有機(jī)層,并且有機(jī)層包含該有機(jī)化合物。
本文中,參照附圖描述了有機(jī)發(fā)光二極管作為有機(jī)光電裝置的一個實(shí)例。
圖1至3是顯示根據(jù)每個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的截面圖。
參照圖1,根據(jù)一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管100包括陽極120和陰極110以及陽極120和陰極110之間的有機(jī)層105。
陽極120可以由具有較大功函數(shù)的導(dǎo)體制成以有助于空穴注入,并且可以例如是金屬,金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陽極120可以例如是金屬鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、金等或它們的合金;金屬氧化物如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)等;金屬和氧化物的組合如zno和al或者sno2和sb;導(dǎo)電聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-亞乙基-1,2-二氧基)噻吩)(pedt)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。
陰極110可以由具有較小功函數(shù)的導(dǎo)體制成以有助于電子注入,并且可以例如是金屬,金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔铩j帢O110可以例如是金屬如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇等,或它們的合金;多層結(jié)構(gòu)材料如lif/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca,但不限于此。
有機(jī)層105包含該有機(jī)化合物。
參照圖2,根據(jù)一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管200包括彼此面對的陽極120和陰極110,以及陽極120和陰極110之間的有機(jī)層105,并且有機(jī)層105包括發(fā)射層130和空穴傳輸層140。
空穴傳輸層140布置在陽極120和發(fā)射層130之間,并且包含該有機(jī)化合物。
參照圖3,根據(jù)一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管300包括彼此面對的陽極120和陰極110,以及陽極120和陰極110之間的有機(jī)層105。
有機(jī)層105包括發(fā)射層130和空穴傳輸層140,且空穴傳輸層140包括鄰近陽極120的第一空穴傳輸層141和鄰近發(fā)射層130的第二空穴傳輸層142。
鄰近發(fā)射層130的第二空穴傳輸層142中可以包含該有機(jī)化合物。
第一空穴傳輸層141可以包含例如由化學(xué)式3表示的有機(jī)化合物。
[化學(xué)式3]
在化學(xué)式3中,
r71至r74獨(dú)立地是氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)或它們的組合,
r71和r72獨(dú)立地存在或形成稠環(huán),
r73和r74獨(dú)立地存在或形成稠環(huán),
ar4至ar6獨(dú)立地是取代或未取代的c6至c30芳基基團(tuán)或取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán),并且
l4至l7獨(dú)立地是單鍵、取代或未取代的c2至c10亞烷基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c10亞烯基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c10亞炔基基團(tuán)、取代或未取代的c6至c30亞芳基基團(tuán)、取代或未取代的c2至c30雜環(huán)基團(tuán)或它們的組合。
例如,化學(xué)式3的ar4可以是取代或未取代的苯基基團(tuán)或取代或未取代的聯(lián)苯基團(tuán),且化學(xué)式3的ar5和ar6可以獨(dú)立地是取代或未取代的苯基基團(tuán)、取代或未取代的聯(lián)苯基團(tuán)、取代或未取代的芴基團(tuán)、取代或未取代的雙芴基團(tuán)、取代或未取代的三亞苯基團(tuán)、取代或未取代的蒽基團(tuán)、取代或未取代的三聯(lián)苯基團(tuán)、取代或未取代的二苯并呋喃基團(tuán)或取代或未取代的二苯并噻吩基基團(tuán)。
由化學(xué)式3表示的化合物可以例如是由化學(xué)式j(luò)-1至化學(xué)式j(luò)-144表示的化合物中的一種,但不限于此。
在圖1至3中,有機(jī)層105除了發(fā)射層130和空穴傳輸層140外,可進(jìn)一步包括空穴注入層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和/或空穴阻擋層。
有機(jī)發(fā)光二極管100、200和300可通過以下制造:在基板上形成陽極或陰極,使用干式成膜法如真空沉積法(蒸發(fā))、濺射、等離子鍍和離子鍍形成有機(jī)層,以及在其上形成陰極或陽極。
有機(jī)發(fā)光二極管可應(yīng)用于顯示裝置,例如有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器。
下文中參照實(shí)施例更詳細(xì)地說明實(shí)施方式。然而這些實(shí)施例不在任何意義上被解釋為限制本發(fā)明的范圍。
下文中,只要沒有特別說明,在實(shí)施例和合成實(shí)施例中使用起始物料和反應(yīng)物購自sigma-aldrichco.ltd.或tciinc.
中間體的合成
合成實(shí)施例1:中間體a的合成
在圓底燒瓶中將37.81g(178.36mmol)的4-二苯并呋喃硼酸、30g(162.14mmol)的2-溴苯甲醛、5.62g(4.86mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)和44.82g(324.29mmol)的碳酸鉀懸浮在500ml甲苯和250ml蒸餾水中,然后回流并攪拌12小時。在完成該反應(yīng)后,將產(chǎn)物冷卻至室溫并然后萃取。隨后,將其中的有機(jī)層硅膠過濾并濃縮,向其中添加甲醇以產(chǎn)生固體,并將該固體過濾和洗滌以獲得中間體a(39.87g,82%)
lc-mass(理論值:272.30g/mol,測量值:m+=272g/mol)
合成實(shí)施例2:中間體b的合成
在圓底燒瓶中將39.87g(146.42mmol)根據(jù)合成實(shí)施例1的中間體a和55.21g(161.06mmol)的(甲氧基甲基)三苯基氯化鏻懸浮在500ml四氫呋喃中,和然后保持在0℃下。隨后,在0℃下向其中緩慢添加19.72g(175.70mmol)的叔丁醇鉀,并將獲得的混合物在室溫下攪拌12小時。在完成反應(yīng)后,添加600ml蒸餾水用于萃取,將萃取的溶液濃縮,懸浮在500ml二氯甲烷中,用硫酸鎂干燥,用硅膠過濾,并再次濃縮。將濃縮的反應(yīng)溶液溶解在200ml二氯甲烷中,向其中緩慢添加15g甲磺酸,并將該混合物在室溫下攪拌12小時。在完成反應(yīng)后,將其中產(chǎn)生的固體過濾,用200ml蒸餾水和200ml甲醇洗滌,并干燥以獲得中間體b(24.34g,62%)。
lc-mass(理論值:272.30g/mol,測量值:m+=272g/mol)
合成實(shí)施例3:中間體c的合成
在圓底燒瓶中將24.34g(90.72mmol)根據(jù)合成實(shí)施例2的中間體b溶解在250ml的thf中,并將其冷卻至-78℃。以逐滴方式向其中添加43.5ml(108.86mmol)的n-buli(在hex中2.5m),并將獲得的混合物在室溫下攪拌16小時。在冷卻至-78℃后,向其中添加25ml(108.86mmol)的硼酸三異丙酯,并將該混合物在室溫下攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,向其中添加1nhcl,將該混合物攪拌一小時,將其中產(chǎn)生的固體過濾并用蒸餾水和丙酮洗滌以獲得中間體c(22g,78%)。
lc-mass(理論值:312.13g/mol,測量值:m+=312g/mol)
合成實(shí)施例4:中間體d的合成
在圓底燒瓶中將15g(117.58mmol)的4-氯苯胺、65.78g(282.20mmol)的3-溴聯(lián)苯、3.38g(5.88mmol)的pd(dba)2、2.38g(11.76mmol)的p(t-bu)3和33.9g的nao(t-bu)懸浮在500ml甲苯中,然后回流和攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,向其中添加蒸餾水,將混合物攪拌并萃取30分鐘,并僅將其中的有機(jī)層硅膠柱分離(己烷/二氯甲烷=9:1(v/v))以獲得中間體d(31g,61%)。
lc-mass(理論值:431.96g/mol,測量值:m+=431g/mol)
合成實(shí)施例5:中間體e的合成
在圓底燒瓶中將20g(476.41mmol)的n-(4-溴苯基)-n,n-雙(1,1'-聯(lián)苯-4-基)胺、1.03g(1.26mmol)的pd(dppf)cl2、12.8g(50.38mmol)的雙(頻哪醇合)二硼和12.36g(125.94mmol)的乙酸鉀懸浮在210ml甲苯中,然后回流和攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,將產(chǎn)物冷卻至室溫并過濾,并將過濾的溶液硅膠過濾和濃縮。將濃縮的產(chǎn)物用丙酮重結(jié)晶以獲得中間體e(17g,77%)。
合成實(shí)施例6:中間體f的合成
通過以下獲得中間體f(24g,41%):除了使用40.7g(178.36mmol)4-二苯并噻吩硼酸替代合成實(shí)施例1中的4-二苯并呋喃硼酸作為初始物料,依次實(shí)施合成實(shí)施例1至3。
有機(jī)化合物的合成
實(shí)施例1:由化學(xué)式b-2表示的化合物的合成
在圓底燒瓶中將10g(32.04mmol)根據(jù)合成實(shí)施例3的中間體c、14.11g(35.24mmol)的n-(4-溴苯基)-n-苯基聯(lián)苯-4-胺、1.11g(0.93mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)和8.86g的碳酸鉀懸浮在150ml甲苯和70ml蒸餾水中,然后回流并攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,將產(chǎn)物萃取、硅膠過濾和濃縮,然后在丙酮中重結(jié)晶以獲得化合物b-2(14.2g,75.5%)。
lc-mass(理論值:587.71g/mol,測量值:m+=587g/mol)
實(shí)施例2:由化學(xué)式b-3表示的化合物的合成
在圓底燒瓶中將10g(32.04mmol)根據(jù)合成實(shí)施例3的中間體c、16.79g(35.24mmol)根據(jù)合成實(shí)施例5的中間體e、1.11g(0.93mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)和8.86g的碳酸鉀懸浮在150ml甲苯和70ml蒸餾水中,然后回流并攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,將產(chǎn)物萃取、硅膠過濾、濃縮和在丙酮中重結(jié)晶以獲得化合物b-3(15.6g,73.6%)。
lc-mass(理論值:663.80g/mol,測量值:m+=663g/mol)
實(shí)施例3:由化學(xué)式b-75表示的化合物的合成
在圓底燒瓶中將6g(19.22mmol)根據(jù)合成實(shí)施例3的中間體c、8.30g(19.22mmol)根據(jù)合成實(shí)施例4的中間體d、1.11g(0.93mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)和8.86g的碳酸鉀懸浮在150ml甲苯和70ml蒸餾水中,并然后回流和攪拌12小時。在完成該反應(yīng)后,向其中添加蒸餾水,并將獲得的混合物攪拌30分鐘。然后將產(chǎn)物用二氯甲烷萃取,并進(jìn)行硅膠柱分離以獲得化合物b-75(6.3g,49.4%)。
lc-mass(理論值:663.80g/mol,測量值:m+=663g/mol)
實(shí)施例4:由化學(xué)式b-77代表的化合物的合成
除了在圓底燒瓶中使用10g(30.47mmol)根據(jù)合成實(shí)施例6的中間體f代替根據(jù)合成實(shí)施例3的中間體c,根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法獲得化合物b-77(12.7g,69%)
lc-mass(理論值:603.77g/mol,測量值:m+=603g/mol)
有機(jī)發(fā)光二極管的制造
裝置實(shí)施例1
在玻璃基板上涂覆ito(氧化銦錫)至
然后在發(fā)射層上真空沉積alq3以形成
裝置實(shí)施例2
除了使用實(shí)施例2的化合物(化學(xué)式b-3)代替實(shí)施例1的化合物(化學(xué)式b-2)以形成第二空穴傳輸層(htl),根據(jù)與裝置實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。
裝置實(shí)施例3
除了使用實(shí)施例3的化合物(化學(xué)式b-76)代替實(shí)施例1的化合物(化學(xué)式b-2)以形成第二空穴傳輸層(htl),根據(jù)與裝置實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。
裝置實(shí)施例4
除了使用實(shí)施例4的化合物(化學(xué)式b-78)代替實(shí)施例1的化合物(化學(xué)式b-2)以形成第二空穴傳輸層(htl),根據(jù)與裝置實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。
裝置比較實(shí)施例1
除了形成第一空穴傳輸層(htl)至
評估
測量根據(jù)裝置實(shí)施例1至裝置實(shí)施例4和裝置比較實(shí)施例1的每種有機(jī)發(fā)光二極管的取決于電壓的電流密度變化、亮度變化和發(fā)光效率。
具體測量方法如下,并且結(jié)果示于表1中。
(1)取決于電壓變化的電流密度變化的測量
對所獲得的有機(jī)發(fā)光二極管,使用電流-電壓計(keithley2400),在將電壓從0v增加至10v的同時,測量在元器件中流動的電流值,并將測量的電流值除以面積以提供結(jié)果。
(2)取決于電壓變化的亮度變化的測量
在將有機(jī)發(fā)光二極管的電壓從0v增加至10v的同時,通過使用亮度計(minoltacs-1000a)測量亮度。
(3)電流效率的測量
通過使用來自項(xiàng)目(1)和(2)的亮度、電流密度和電壓(v)來計算在相同電流密度(10ma/cm2)下的電流效率(cd/a)。
(4)homo能級的測量
通過使用gaussian程序的dft方法,通過在b3lyp/6-31g(d,p)水平中結(jié)構(gòu)上優(yōu)化來獲得homo能級。
[表1]
電流密度:10ma/cm2
參照表1,根據(jù)裝置實(shí)施例1至裝置實(shí)施例4的有機(jī)發(fā)光二極管與根據(jù)裝置比較實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光二極管相比,顯示出更低的驅(qū)動電壓以及改善的效率和壽命特性。
盡管已經(jīng)關(guān)于目前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施方式描述了本發(fā)明,但應(yīng)理解的是,本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施方式,而是相反,本發(fā)明旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同設(shè)置。因此,上述的實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)被理解為是示例性的,而不以任何方式限制本發(fā)明。