本發(fā)明涉及清洗的
技術領域：
，特別涉及一種led芯片清洗劑。
背景技術：
：led芯片制造過程中需要清洗芯片表面的光刻膠、成膜劑、無極雜質、金屬粒子等，因此清洗時led芯片制造過程中不可或缺的步驟，因此，開發(fā)一種性價比高的led芯片清洗劑成了行業(yè)內亟待解決的問題。技術實現要素：本發(fā)明的目的是提供一種led芯片清洗劑，解決上述現有技術問題中的一個或者多個。本發(fā)明提供一種led芯片清洗劑包括以下組分：重量百分比為0.3-0.5％的異丙醇胺，重量百分比為1-2％的ht-95，重量百分比為2.5-3％的甘油，重量百分比為1-2％的三聚磷酸鈉，重量百分比為0.1-0.2％的edta，重量百分比為0.2-0.3％的氨三乙酸三鈉，其余為去離子水。在一些實施方式中，包括以下組分：重量百分比為0.4％的異丙醇胺，重量百分比為1.5％的ht-95，重量百分比為2.8％的甘油，重量百分比為1.5％的三聚磷酸鈉，重量百分比為0.15％的edta，重量百分比為0.25％的氨三乙酸三鈉，其余為去離子水。具體實施方式下面的實施案例，對本發(fā)明進行進一步詳細的說明。實施案例1：將重量百分比為0.3％的異丙醇胺，重量百分比為1％的ht-95，重量百分比為2.5％的甘油，重量百分比為1％的三聚磷酸鈉，重量百分比為0.1％的edta，重量百分比為0.2％的氨三乙酸三鈉依次溶于去離子水，使用攪拌棒進行攪拌，得到清洗劑a。實施案例2：重量百分比為0.5％的異丙醇胺，重量百分比為2％的ht-95，重量百分比為3％的甘油，重量百分比為2％的三聚磷酸鈉，重量百分比為0.2％的edta，重量百分比為0.3％的氨三乙酸三鈉，依次溶于去離子水，使用攪拌棒進行攪拌，得到清洗劑b。。實施案例3：重量百分比為0.4％的異丙醇胺，重量百分比為1.5％的ht-95，重量百分比為2.8％的甘油，重量百分比為1.5％的三聚磷酸鈉，重量百分比為0.15％的edta，重量百分比為0.25％的氨三乙酸三鈉，依次溶于去離子水，使用攪拌棒進行攪拌，得到清洗劑c。。下表為實施案例的清洗劑對led芯片進行清洗，使用aoi進行顆粒度的檢測：樣品清洗前aoi清洗后aoia13310b1585c1362本發(fā)明提供的實施方案，對led芯片進行清洗，清洗完之后，芯片表面的顆粒度明顯下降，且該清洗劑成本低。以上表述僅為本發(fā)明的優(yōu)選方式，應當指出，對本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些也應視為發(fā)明的保護范圍之內。技術特征：技術總結本發(fā)明公開一種LED芯片清洗劑，包括以下組分：重量百分比為0.3?0.5％的異丙醇胺，重量百分比為1?2％的HT?95，重量百分比為2.5?3％的甘油，重量百分比為1?2％的三聚磷酸鈉，重量百分比為0.1?0.2％的EDTA，重量百分比為0.2?0.3％的氨三乙酸三鈉，其余為去離子水。該清洗劑對LED芯片進行清洗，清洗完之后，芯片表面的顆粒度明顯下降，且該清洗劑成本低。技術研發(fā)人員：沈錦輝受保護的技術使用者：沈錦輝技術研發(fā)日：2017.04.17技術公布日：2017.07.14