本申請是申請日為2009年02月13日、申請?zhí)枮?00980104874.9、發(fā)明名稱為“共軛聚合物、不溶性聚合物、有機場致發(fā)光元件材料、有機場致發(fā)光元件用組合物、聚合物的制造方法、有機場致發(fā)光元件、有機el顯示器、以及有機el照明”的申請的分案申請。本發(fā)明涉及特別是作為有機場致發(fā)光元件的空穴注入層及空穴傳輸層有用的共軛聚合物、含有該共軛聚合物的有機場致發(fā)光元件用組合物、對該聚合物進行不溶化而得到的不溶性聚合物、含有該共軛聚合物的有機場致發(fā)光元件材料、具有包含該不溶性聚合物的層的有機場致發(fā)光元件、以及具備該有機場致發(fā)光元件的有機el顯示器及有機el照明。本發(fā)明還涉及聚合物的制造方法以及利用該制造方法得到的聚合物。
背景技術(shù)：
：近年來，正在進行使用有機材料代替zns等無機材料的場致發(fā)光元件(有機場致發(fā)光元件)的開發(fā)。為了實現(xiàn)場致發(fā)光元件的高效化及長壽命化，通常會在陽極與發(fā)光層之間設(shè)置空穴傳輸層。專利文獻1及2中公開了具有下述式(1)表示的重復(fù)單元的聚合物，專利文獻3中提出了一種有機場致發(fā)光元件，在該有機場致發(fā)光元件的空穴注入層中，使用了具有下述式(1)表示的重復(fù)單元的聚合物。但該文獻中所記載的有機場致發(fā)光元件的驅(qū)動電壓高、也無法獲得充分的發(fā)光效率。[化學(xué)式1](式中，ar1及ar2彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團)。此外，在專利文獻4及5中，分別公開了具有下式表示的重復(fù)單元的高分子化合物，但在使用這些化合物制作元件時，存在無法獲得平坦的膜、或者得到的元件的驅(qū)動壽命短的問題。[化學(xué)式2]此外，專利文獻6中公開了具有下式表示的重復(fù)單元的高分子化合物，但在使用這些化合物制作元件時，存在電荷傳輸能力小、所得元件的驅(qū)動電壓高的問題。[化學(xué)式3]專利文獻1：美國專利6034206號說明書專利文獻2：日本特開2005-285749號公報專利文獻3：國際公開第2004/014985號小冊子專利文獻4：國際公開第2008/038747號小冊子專利文獻5：國際公開第2005/053056號小冊子專利文獻6：國際公開第2002/010129號小冊子技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題本發(fā)明的課題在于，提供一種空穴傳輸能力高、溶解性及成膜性優(yōu)異的共軛聚合物。此外，本發(fā)明的另一個課題在于，提供一種可進行低電壓驅(qū)動、發(fā)光效率高、驅(qū)動壽命長的有機場致發(fā)光元件。解決問題的方法本發(fā)明人等經(jīng)過深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在利用濕式成膜法將重均分子量小的聚合物或分散度大的共軛聚合物進行成膜時，由于環(huán)狀低聚物等低分子量成分會發(fā)生結(jié)晶等，有時無法獲得平坦的膜。而如果將不平坦的膜用于有機場致發(fā)光元件的發(fā)光層和/或電荷傳輸層，則無法獲得均勻的發(fā)光面。此外，當(dāng)重均分子量小的化合物或分散度大的聚合物中包含環(huán)狀低聚物等低分子量成分時，這樣的成分可能會成為電荷的捕集器而導(dǎo)致電荷傳輸能力降低。而如果將電荷傳輸能力低的發(fā)光層和/或電荷傳輸層用于有機場致發(fā)光元件，則會對驅(qū)動電壓、發(fā)光效率、驅(qū)動穩(wěn)定性帶來不良影響。于是，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，對于下述的具有特定重復(fù)單元的共軛聚合物，通過將重均分子量和分散度設(shè)定為特定值，可獲得高空穴傳輸能力、對于溶劑的優(yōu)異的溶解性及優(yōu)異的成膜性。并且還發(fā)現(xiàn)，通過使用該共軛聚合物，可實現(xiàn)低電壓驅(qū)動，獲得發(fā)光效率高、驅(qū)動壽命長的有機場致發(fā)光元件。即，本發(fā)明的要點如下。本發(fā)明提供一種共軛聚合物，該聚合物包含下述式(i)表示的重復(fù)單元，其中，該共軛聚合物包含不溶化基作為取代基，且該聚合物的重均分子量(mw)為20,000以上，分散度(mw/mn：其中，mn代表數(shù)均分子量)為2.40以下(以下，稱其為“本發(fā)明的共軛聚合物(i)”)。[化學(xué)式4](式中，m代表0～3的整數(shù)，ar11及ar12彼此獨立地代表直接鍵、任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團，ar13～ar15彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。并且，ar11及ar12不同時為直接鍵。需要說明的是，該共軛聚合物的每1分子中包含具有至少一個不溶化基的基團作為其取代基)。在本發(fā)明的共軛聚合物中，上述不溶化基優(yōu)選為交聯(lián)性基團或離解基團。在本發(fā)明的共軛聚合物中，交聯(lián)性基團優(yōu)選在下述交聯(lián)性基團組t中選擇。<交聯(lián)性基團組t>[化學(xué)式5](式中，r1～r5彼此獨立地代表氫原子或烷基。ar31代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。其中，苯并環(huán)丁烯環(huán)任選具有取代基，并且，取代基之間還可以相互鍵合而形成環(huán))。在本發(fā)明的共軛聚合物中，上述交聯(lián)性基團優(yōu)選為下述式(ii)表示的基團。[化學(xué)式6](式(ii)中的苯并環(huán)丁烯環(huán)任選具有取代基。并且，取代基之間還可以相互鍵合而形成環(huán))。本發(fā)明還提供一種共軛聚合物，該聚合物包含下述式(i’)表示的重復(fù)單元，其中，共軛聚合物具有包含下述式(ii)表示的基團的基團作為取代基，且該聚合物的重均分子量(mw)為20,000以上，分散度(mw/mn：其中，mn代表數(shù)均分子量)為2.40以下(以下，稱其為“本發(fā)明的共軛聚合物(i’)”)。[化學(xué)式7](式中，n代表0～3的整數(shù)，ar21及ar22彼此獨立地代表直接鍵、任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團，ar23～ar25彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。并且，ar21及ar22不同時為直接鍵。需要說明的是，該共軛聚合物的每1分子中包含具有至少一個下述式(ii)的基團作為其取代基)。[化學(xué)式8](式(ii)中的苯并環(huán)丁烯環(huán)任選具有取代基。并且，取代基之間還可以相互鍵合而形成環(huán))。以下，提及“本發(fā)明的共軛聚合物”時，是指“本發(fā)明的共軛聚合物(i)”及“本發(fā)明的共軛聚合物(i’)”這兩者。此外，本發(fā)明提供如下所述的使用本發(fā)明的共軛聚合物而形成的有機場致發(fā)光元件用組合物、有機場致發(fā)光元件、及有機el顯示器。本發(fā)明提供一種不溶性聚合物，該聚合物通過對本發(fā)明的共軛聚合物進行不溶化而得到。本發(fā)明提供一種有機場致發(fā)光元件材料，該材料包含本發(fā)明的共軛聚合物。本發(fā)明提供一種有機場致發(fā)光元件用組合物，該組合物含有本發(fā)明的共軛聚合物。在本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中，優(yōu)選進一步含有電子接受性化合物。本發(fā)明提供一種有機場致發(fā)光元件，其是在基板上具有陽極、陰極、以及在該陽極與該陰極之間的1層或2層以上的有機層的有機場致發(fā)光元件，在該有機場致發(fā)光元件中，該有機層的至少1層中含有本發(fā)明的不溶性聚合物。在本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件中，含有該不溶性聚合物的有機層優(yōu)選為空穴注入層或空穴傳輸層。在本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件中，具有空穴注入層、空穴傳輸層及發(fā)光層作為其有機層，并且在該有機場致發(fā)光元件中，空穴注入層、空穴傳輸層及發(fā)光層均利用濕式成膜法形成。本發(fā)明提供一種有機el顯示器，該有機el顯示器具備本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件。本發(fā)明提供一種有機el照明，該有機el照明具備本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件。本發(fā)明提供一種聚合物的制造方法，該制造方法包含下述步驟：使下述式(i-1)表示的芳香胺類的一部分和下述式(i-2)表示的芳香族類在鈀化合物、膦化合物、及堿的存在下進行縮合反應(yīng)的步驟；以及，追加下述式(i-2)表示的芳香族類，使其進一步進行聚合反應(yīng)的步驟。[化學(xué)式9]ar1-nh2(i-1)x-ar2-x(i-2)(式中，ar1及ar2彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。x代表離去基團)。在本發(fā)明的聚合物的制造方法中，優(yōu)選在使用相對于該芳香胺類為20～75摩爾％量的該芳香族類進行縮合反應(yīng)之后，再追加該芳香族類，并使該芳香族類為該芳香胺類的80～110％。本發(fā)明提供一種聚合物，該聚合物采用本發(fā)明的聚合物的制造方法制造而得。本發(fā)明所涉及的本發(fā)明的共軛聚合物采用本發(fā)明的聚合物的制造方法制造而得。此外，本發(fā)明提供一種共軛聚合物，該聚合物具有選自下述重復(fù)單元組a中的至少一種重復(fù)單元和選自下述重復(fù)單元組b中的至少一種重復(fù)單元，并且，該共軛聚合物的重均分子量(mw)為20,000以上，分散度(mw/mn：其中，mn代表數(shù)均分子量)為2.40以下。<重復(fù)單元組a>[化學(xué)式10]<重復(fù)單元組b>[化學(xué)式11]此外，本發(fā)明提供使用了下述聚合物而形成的有機場致發(fā)光元件材料、有機場致發(fā)光元件用組合物、有機場致發(fā)光元件、以及有機el顯示器及有機el照明，其中，所述聚合物是采用本發(fā)明的聚合物的制造方法制造而得的。發(fā)明的效果本發(fā)明的共軛聚合物的空穴傳輸能力高，對溶劑顯示出充分的溶解性，可提高成膜時的表面平坦性。因此，具有含有對本發(fā)明的共軛聚合物進行不溶化而得到的不溶性聚合物的層的有機場致發(fā)光元件能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動、具有高發(fā)光效率、耐熱性高、驅(qū)動壽命長。因此，作為具有含有對本發(fā)明的共軛聚合物進行不溶化而得到的不溶性聚合物的層(以下，也稱“不溶性層”)的有機場致發(fā)光元件，可考慮將其用于光源(例如，復(fù)印機的光源、液晶顯示器或計量儀器類的背光源)、顯示板、標(biāo)識燈中，而用于光源時利用的是有機場致發(fā)光元件作為平板顯示器(例如，oa計算機用或壁掛式電視)、面發(fā)光體時的特性，可見，上述有機場致發(fā)光元件具有高技術(shù)價值。此外，從本質(zhì)上講，由于本發(fā)明的共軛聚合物對于溶劑具有優(yōu)異的溶解性、并具有電化學(xué)耐久性，因此，不僅可應(yīng)用于有機場致發(fā)光元件，除此之外，還能夠有效用于電子照相感光體、光電轉(zhuǎn)換元件、有機太陽能電池、有機整流元件等。此外，根據(jù)本發(fā)明的聚合物的制造方法，能夠制造出性能穩(wěn)定的、分子量分布較窄的聚合物。附圖說明圖1是模式性地示出本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的一例的截面圖。符號說明1基板2陽極3空穴注入層4空穴傳輸層5發(fā)光層6空穴阻擋層7電子傳輸層8電子注入層9陰極具體實施方式對下述記載的構(gòu)成要件的說明是本發(fā)明實施方式的一例(代表例)，本發(fā)明并不限定于這些內(nèi)容。<1.共軛聚合物(i)>本發(fā)明的共軛聚合物(i)是含有下述式(i)表示的重復(fù)單元的共軛聚合物，該共軛聚合物中含有不溶化基作為其取代基，并且該聚合物的重均分子量(mw)為20,000以上，分散度(mw/mn：其中，mn代表數(shù)均分子量)為2.40以下。[化學(xué)式12](式中，m代表0～3的整數(shù)，ar11及ar12彼此獨立地代表直接鍵、任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團，ar13～ar15彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。但是，ar11及ar12不同時為直接鍵。需要指出的是，該共軛聚合物的每1分子中包含具有至少1個不溶化基的基團作為其取代基)。[1-1.結(jié)構(gòu)上的特征]如式(i)表示的重復(fù)單元所示，由于本發(fā)明的共軛聚合物(i)包含具有共軛類結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元，因此其具有充分的電荷傳輸能力，并且對溶劑顯示出充分的溶解性。此外，由于在不溶化基存在下會使不溶性聚合物的形成變得容易，因此可推測其在成膜時能夠保持表面平坦性。本發(fā)明的共軛聚合物(i)是包含2種以上式(i)表示的重復(fù)單元的聚合物。[1-2.ar11～ar15]式(i)中，ar11及ar12彼此獨立地代表直接鍵、任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團，ar13～ar15彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。其中，ar11、ar12及ar14為2價基團，ar13及ar15為1價基團。作為任選具有取代基的芳香族烴基，可列舉來源于例如苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、菲環(huán)、苝環(huán)、并四苯環(huán)、芘環(huán)、苯并芘環(huán)、環(huán)、苯并菲環(huán)、苊環(huán)、熒蒽環(huán)、芴環(huán)等6元環(huán)的單環(huán)或2～5稠環(huán)的基團。作為任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團，可列舉來源于例如呋喃環(huán)、苯并呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、苯并噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、二唑環(huán)、吲哚環(huán)、咔唑環(huán)、吡咯并咪唑環(huán)、吡咯并吡唑環(huán)、吡咯并吡咯環(huán)、噻吩并吡咯環(huán)、噻吩并噻吩環(huán)、呋喃并吡咯環(huán)、呋喃并呋喃環(huán)、噻吩并呋喃環(huán)、苯并異唑環(huán)、苯并異噻唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、噠嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、噌啉(cinnoline)環(huán)、喹喔啉環(huán)、菲啶環(huán)、苯并咪唑環(huán)、啶環(huán)、喹唑啉環(huán)、喹唑啉酮環(huán)、薁環(huán)等5或6元環(huán)的單環(huán)或2～4稠環(huán)的基團。從對于溶劑的溶解性及耐熱性的觀點考慮，ar11～ar15優(yōu)選彼此獨立地為選自來源于下組中的環(huán)的基團：苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、菲環(huán)、苯并菲環(huán)、芘環(huán)、噻吩環(huán)、吡啶環(huán)、芴環(huán)。此外，作為ar11、ar12及ar14，還優(yōu)選選自上組中的1種或2種以上的環(huán)經(jīng)直接鍵合、或通過―ch＝ch―基團連結(jié)而成的2價基團，更優(yōu)選亞聯(lián)苯基及亞三聯(lián)苯基。作為ar11～ar15中的芳香族烴基及芳香族雜環(huán)基上任選具有的除了后述的不溶化基以外的其它取代基，并無特殊限制，可列舉例如選自下述[取代基組z]中的1種或2種以上。[取代基組z]甲基、乙基等優(yōu)選碳原子數(shù)為1～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～12的烷基；乙烯基等優(yōu)選碳原子數(shù)為2～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為2～12的鏈烯基；乙炔基等優(yōu)選碳原子數(shù)為2～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為2～12的炔基；甲氧基、乙氧基等優(yōu)選碳原子數(shù)為1～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～12的烷氧基；苯氧基、萘氧基、吡啶氧基等優(yōu)選碳原子數(shù)為4～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為5～24的芳氧基；甲氧羰基、乙氧羰基等優(yōu)選碳原子數(shù)為2～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為2～12的烷氧羰基；二甲基氨基、二乙基氨基等優(yōu)選碳原子數(shù)為2～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為2～12的二烷基氨基；二苯基氨基、二甲苯基氨基、n-咔唑基等優(yōu)選碳原子數(shù)為10～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為12～24的二芳基氨基；苯基甲基氨基等優(yōu)選碳原子數(shù)為6～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為7～24的芳基烷基氨基；乙?；⒈郊柞；葍?yōu)選碳原子數(shù)為2～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為2～12的?；环?、氯原子等鹵原子；三氟甲基等優(yōu)選碳原子數(shù)為1～12、更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～6的鹵代烷基；甲硫基、乙硫基等優(yōu)選碳原子數(shù)為1～24、更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～12的烷硫基；苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等優(yōu)選碳原子數(shù)為4～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為5～24的芳硫基；三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等優(yōu)選碳原子數(shù)為2～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為3～24的甲硅烷基；三甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基等優(yōu)選碳原子數(shù)為2～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為3～24的甲硅烷氧基；氰基；苯基、萘基等優(yōu)選碳原子數(shù)為6～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為6～24的芳香族烴基；噻吩基、吡啶基等優(yōu)選碳原子數(shù)為3～36、更優(yōu)選碳原子數(shù)為4～24的芳香族雜環(huán)基團；上述各取代基還可以進一步具有取代基，作為進一步具有的取代基的實例，可列舉在上述取代基組z中例示的基團。作為ar11～ar15中的芳香族烴基及芳香族雜環(huán)基團上任選具有的除了后述的不溶化基以外的其它取代基的分子量，優(yōu)選包括取代的基團在內(nèi)為500以下、更優(yōu)選為250以下。從溶解性方面考慮，作為ar11～ar15中的芳香族烴基及芳香族雜環(huán)基團上任選具有的取代基，彼此獨立地優(yōu)選碳原子數(shù)為1～12的烷基及碳原子數(shù)為1～12的烷氧基。需要指出的是，當(dāng)m為2以上時，上述式(i)所表示的重復(fù)單元具有2個以上的ar14及ar15。此時，各個ar14之間及ar15之間可以彼此相同，也可以互不相同。此外，各個ar14之間、ar15之間還可以直接相互鍵合或通過連接基團鍵合而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。[1-3.m的說明]在上述式(i)中，m代表0～3的整數(shù)。m通常為0以上，且通常為3以下、優(yōu)選為2以下。當(dāng)m為2以下時，作為原料的單體容易合成。[1-4.重復(fù)單元的比例等]本發(fā)明的共軛聚合物(i)是含有1種或2種以上式(i)表示的重復(fù)單元的聚合物。對于本發(fā)明的共軛聚合物(i)中具有2種以上重復(fù)單元的情況，可列舉無規(guī)共聚物、交替共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物。考慮到對于溶劑的溶解性，優(yōu)選為無規(guī)共聚物。而從進一步提高電荷傳輸能力的觀點出發(fā)，則優(yōu)選交替共聚物。[1-5.不溶化基]本發(fā)明的共軛聚合物(i)具有包含不溶化基的基團作為其取代基。所述不溶化基，是指在熱和/或活化能量射線照射下發(fā)生反應(yīng)的基團，是具有如下效果的基團：與反應(yīng)前相比，反應(yīng)后在有機溶劑及水中的溶解性得以降低。在本發(fā)明中，不溶化基優(yōu)選為離解基團或交聯(lián)性基團。共軛聚合物(i)具有包含不溶化基的基團作為其取代基，其具有不溶化基的位置可以在式(i)表示的重復(fù)單元中，也可以在式(i)表示的重復(fù)單元以外的其它部分、例如在末端基團上具有不溶化基。(1-5-1.離解基團：dissociablegroup)本發(fā)明中的共軛聚合物(i)具有離解基團作為其不溶化基時，經(jīng)過不溶化之后(離解反應(yīng)之后)的電荷傳輸能力優(yōu)異，故優(yōu)選。這里所說的離解基團是指：在70℃以上會從所鍵合的芳香族烴環(huán)上離解、并對溶劑顯示可溶性的基團。這里所說的對溶劑顯示可溶性是指，化合物在熱和/或活化能量射線照射下進行反應(yīng)之前的狀態(tài)下，常溫下在甲苯中溶解0.1重量％以上的性質(zhì)，化合物在甲苯中的溶解性優(yōu)選為0.5重量％以上、更優(yōu)選為1重量％以上。作為這樣的離解基團，優(yōu)選在芳香族烴環(huán)側(cè)不形成極性基團而發(fā)生熱裂解的基團，更優(yōu)選通過逆狄爾斯-阿爾德反應(yīng)而發(fā)生熱裂解的基團。此外，還優(yōu)選在100℃以上發(fā)生熱裂解的基團，更優(yōu)選在300℃以下發(fā)生熱裂解的基團。離解基團的具體例如下所示，但本發(fā)明并不限于這些具體例。作為離解基團為2價基團的情況的具體實例，如下述的<2價離解基團組a>所述。<2價離解基團組a>[化學(xué)式13]作為離解基團為1價基團的情況的具體實例，如下述的<1價離解基團組b>所述。<1價離解基團組b>[化學(xué)式14](離解基團的位置和比例)在本發(fā)明中，1個聚合物鏈中所含有的離解基團優(yōu)選平均為5個以上、更優(yōu)選平均為10個以上、進一步優(yōu)選平均為50個以上。如果低于該下限值，則可能導(dǎo)致在加熱前該高分子化合物在涂布溶劑中的溶解性低，此外，還可能減弱加熱后化合物在溶劑中的溶解性降低效果。此外，相對于聚合物的每1000分子量，本發(fā)明的共軛聚合物(i)所具有的離解基團的個數(shù)通常為0.01個以上、優(yōu)選為0.1個以上、更優(yōu)選為0.2個以上，且通常為10個以下、優(yōu)選為5個以下。離解基團的個數(shù)在上述范圍內(nèi)時，能夠在不溶化(離解反應(yīng))前后獲得適當(dāng)?shù)娜芙舛炔睿蕛?yōu)選。上述相對于聚合物的每1000分子量的共軛聚合物(i)所具有的離解基團的個數(shù)的計算方法與后述對(1-5-2.交聯(lián)性基團)的(交聯(lián)性基團的比例)說明部分中相對于聚合物的每1000分子量的交聯(lián)性基團數(shù)的計算方法相同。(1-5-2.交聯(lián)性基團)此外，本發(fā)明的共軛聚合物(i)具有交聯(lián)性基團作為其不溶化基時，在由熱和/或活化能量射線照射引起的反應(yīng)(不溶化反應(yīng))前后，對溶劑的溶解性能夠產(chǎn)生較大差異，故優(yōu)選。這里所說的交聯(lián)性基團是指：在熱和/或活化能量射線照射下會與位于附近的其它分子中的相同或不同基團反應(yīng)而生成新型化學(xué)鍵的基團。作為交聯(lián)性基團，考慮到易于進行不溶化這一方面，可列舉例如在交聯(lián)性基團組t中示出的基團。[交聯(lián)性基團組t][化學(xué)式15](式中，r1～r5彼此獨立地代表氫原子或烷基。ar31代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團)。環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁基等環(huán)狀醚基、乙烯基醚基等通過陽離子聚合會發(fā)生不溶化反應(yīng)的基團由于反應(yīng)性高、易于進行不溶化，因此優(yōu)選。其中，從易于控制陽離子聚合速度的觀點考慮，尤其優(yōu)選氧雜環(huán)丁基，而考慮到在進行陽離子聚合時不易生成可能會引起元件劣化的羥基的觀點考慮，優(yōu)選乙烯基醚基。肉桂?；确蓟蚁┗驶?、來源于苯并環(huán)丁烯環(huán)的基團等進行環(huán)化加成反應(yīng)的基團由于可使電化學(xué)穩(wěn)定性進一步提高，故優(yōu)選。此外，在交聯(lián)性基團中，由于來源于苯并環(huán)丁烯環(huán)的基團在不溶化之后其結(jié)構(gòu)特別穩(wěn)定，因此特別優(yōu)選。具體而言，優(yōu)選下述式(ii)表示的基團。[化學(xué)式16](式(ii)中的苯并環(huán)丁烯環(huán)任選具有取代基。并且，取代基之間還可以相互鍵合而形成環(huán))。交聯(lián)性基團可以直接鍵合在分子內(nèi)的芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基團上，也可以通過2價基團鍵合。作為該2價基團，優(yōu)選通過以任意順序連接1～30個選自-o-基、-c(＝o)-基或(任選具有取代基的)-ch2-基中的基團而形成的2價基團鍵合在芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基團上。通過這些2價基團實現(xiàn)連接的交聯(lián)性基團、即包含交聯(lián)性基團的基團的具體實例如下述<包含交聯(lián)性基團的基團組t’>所示，但本發(fā)明并不限于這些基團。<包含交聯(lián)性基團的基團組t’>[化學(xué)式17][化學(xué)式18](交聯(lián)性基團的比例)對于本發(fā)明的共軛聚合物(i)而言，每1個聚合物鏈中具有的交聯(lián)性基團優(yōu)選平均為1以上、更優(yōu)選平均為2以上，且優(yōu)選為200以下、更優(yōu)選為100以下。此外，本發(fā)明的共軛聚合物(i)所具有的交聯(lián)性基團的個數(shù)可以用每1000分子量對應(yīng)的個數(shù)表示。用每1000分子量對應(yīng)的個數(shù)來表示本發(fā)明的共軛聚合物(i)所具有的交聯(lián)性基團的個數(shù)時，相對于每1000分子量通常為3.0個以下、優(yōu)選為2.0個以下、更優(yōu)選為1.0個以下，且通常為0.01個以上、優(yōu)選為0.05個以上。如果高于該上限值，則可能會發(fā)生裂紋而無法獲得平坦的膜，或者導(dǎo)致交聯(lián)密度過大，引起交聯(lián)層中未反應(yīng)的以式(1)表示的基團增多，對所得元件的壽命帶來不良影響。另一方面，如果低于該下限值，則可能引起交聯(lián)層的不溶化不充分，無法利用濕式成膜法形成多層疊層結(jié)構(gòu)。這里，共軛聚合物的每1000分子量對應(yīng)的交聯(lián)性基團的個數(shù)可通過從共軛聚合物中除去其末端基團，由合成時進料單體的摩爾比及結(jié)構(gòu)式算出。例如，針對在后述合成例18中合成目標(biāo)物18的情況進行說明。[化學(xué)式19]在目標(biāo)物18中，除末端基團以外的重復(fù)單元的平均分子量為362.33，且每個重復(fù)單元對應(yīng)的交聯(lián)性基團平均為0.05個。單純由比例計算交聯(lián)性基團個數(shù)時，計算出的每1000分子量對應(yīng)的交聯(lián)性基團個數(shù)為0.138個。[1-6.共軛聚合物(i)的分子量等]本發(fā)明的共軛聚合物(i)的重均分子量(mw)通常為20000以上、優(yōu)選為40000以上，且通常為2000000以下、優(yōu)選為1000000以下。此外，數(shù)均分子量(mn)通常為1000000以下、優(yōu)選為800000以下、更優(yōu)選為500000以下，且通常為5000以上、優(yōu)選為10000以上、更優(yōu)選為20000以上。如果重均分子量超過該上限值，則可能因雜質(zhì)的高分子量化而導(dǎo)致純化變得困難，另外，如果重均分子量低于該下限值，則會引起玻璃化轉(zhuǎn)變溫度及熔點、氣化溫度等降低，可能會對耐熱性造成顯著影響。此外，本發(fā)明的共軛聚合物的分散度(mw/mn：mw代表重均分子量，mn代表數(shù)均分子量)通常為2.40以下、優(yōu)選為2.10以下、更優(yōu)選為2.00以下，且優(yōu)選為1.00以上、更優(yōu)選為1.10以上、尤其優(yōu)選為1.20以上。如果分散度超過該上限值，則會導(dǎo)致純化變得困難、對溶劑的溶劑性降低、電荷傳輸能力降低等，進而無法取得本發(fā)明的效果。重均分子量及數(shù)均分子量通常通過sec(尺寸排阻色譜法)測定來確定。在sec測定中，越是高分子量成分溶出時間越短，越是低分子量成分溶出時間越長，可通過采用由分子量已知的聚苯乙烯(標(biāo)準(zhǔn)試樣)的溶出時間得出的校正曲線將樣品的溶出時間換算為分子量，從而求出重均分子量及數(shù)均分子量。以下，示出了sec測定條件。作為色譜柱，使用2根下述色譜柱、并使柱溫為40℃，其中所述色譜柱為tskgelgmhxl(東曹公司制造)或與其具有同等以上分離能力的色譜柱，即，粒徑：9mm柱尺寸：7.8mm內(nèi)徑×30cm長度保證理論板數(shù)：14000tp/30cm左右。作為流動相，從四氫呋喃、氯仿中選擇對填充材料無吸附的溶劑，并使流量為1.0ml/分鐘。使注射濃度為0.1重量％、注射量為0.10ml。并使用ri作為檢測器。通過采用由分子量已知的聚苯乙烯(標(biāo)準(zhǔn)試樣)的溶出時間得出的校正曲線將樣品的溶出時間換算為分子量，可確定分子量分布。需要說明的是，在sec測定中，越是高分子量成分溶出時間越短，越是低分子量成分溶出時間越長。其中，作為用于測定本發(fā)明的重均分子量(mw)及分散度(mw/mn)的測定儀器，只要能夠進行與上述相同的測定則并不限于上述測定儀器，也可以使用其它測定儀器，但優(yōu)選使用上述的測定儀器。[1-7.ar11～ar15的具體實例]以下，示出了作為本發(fā)明的ar11～ar15的優(yōu)選具體實例，但本發(fā)明并不限于這些基團。式中，t代表任意不溶化基，z代表取代基。當(dāng)一個ar11～ar15上存在多個t或z時，多個t或z可以相同也可以不同。<ar11、ar12及ar14的具體實例>[化學(xué)式20][化學(xué)式21]<ar13及ar15的具體實例>[化學(xué)式22][化學(xué)式23][化學(xué)式24]此外，作為本發(fā)明的共軛聚合物(i)具有的重復(fù)單元，以下示出特別優(yōu)選的具體實例，但本發(fā)明并不限于這些實例。作為本發(fā)明的共軛聚合物(i)所具有的重復(fù)單元，其不具有不溶化基時的具體實例如下述<重復(fù)單元組c>所示，但本發(fā)明并不限于這些實例。<重復(fù)單元組c>[化學(xué)式25][化學(xué)式26]作為本發(fā)明的共軛聚合物(i)所具有的重復(fù)單元，其具有不溶化基時的具體實例如下述<重復(fù)單元組d>所示，但本發(fā)明并不限于這些實例。<重復(fù)單元組d>[化學(xué)式27]此外，作為本發(fā)明的共軛聚合物(i)的具體實例，可列舉在后述[實施例](合成例)部分中記載的聚合物，但本發(fā)明并不限于這些實例。[1-8.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、其它物性]本發(fā)明的共軛聚合物(i)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度通常為50℃以上，而考慮到包括有機場致發(fā)光元件的耐熱性在內(nèi)的驅(qū)動穩(wěn)定性方面，優(yōu)選為80℃以上、更優(yōu)選為100℃以上，且通常為300℃以下。為了獲得優(yōu)異的電荷傳輸能力，本發(fā)明的共軛聚合物(i)的電離電位通常為4.5ev以上、優(yōu)選為4.8ev以上，且通常為6.0ev以下、優(yōu)選為5.7ev以下。[2.共軛聚合物(i’)]本發(fā)明的共軛聚合物(i’)是包含以下述式(i’)表示的重復(fù)單元的共軛聚合物，該共軛聚合物具有包含下述式(ii)表示的基團的基團作為其取代基，并且其重均分子量(mw)為20,000以上，分散度(mw/mn：其中，mn代表數(shù)均分子量)為2.40以下。[化學(xué)式28](式中，n代表0～3的整數(shù)，ar21及ar22彼此獨立地代表直接鍵、任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團，ar23～ar25彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。其中，ar21及ar22不同時為直接鍵。需要說明的是，該共軛聚合物每1分子中至少具有一個包含下述式(ii)的基團作為其取代基)。[化學(xué)式29](式(ii)中的苯并環(huán)丁烯環(huán)任選具有取代基，并且，取代基之間還可以相互鍵合而形成環(huán))。[2-1.結(jié)構(gòu)上的特征]由于本發(fā)明的共軛聚合物(i’)包含式(i’)表示的重復(fù)單元，因此其電荷傳輸能力高、氧化還原穩(wěn)定性優(yōu)異。此外，本發(fā)明的共軛聚合物(i’)由于具有包含式(ii)表示的基團的基團作為其取代基，因而可降低其在有機溶劑中的溶解性，而不會導(dǎo)致氧化還原穩(wěn)定性降低。[2-2.ar21～ar25]式(i’)中，ar21及ar22彼此獨立地代表直接鍵、任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團，ar23～ar25彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。這里，ar21、ar22及ar24為2價基團，ar23及ar25為1價基團。ar21～ar25中任選具有取代基的芳香族烴基及任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團的具體實例與上述[1-2.ar11～ar15]部分中記載的實例相同。并且，優(yōu)選的實例也相同。[2-3.式(ii)]本發(fā)明的共軛聚合物(i’)具有包含下述式(ii)表示的基團的基團作為其取代基。[化學(xué)式30](式(ii)中的苯并環(huán)丁烯環(huán)任選具有取代基。并且，取代基之間還可以相互鍵合而形成環(huán))。式(ii)的苯并環(huán)丁烯環(huán)任選具有取代基，作為該取代基的具體實例，可列舉在上述[取代基組z]部分記載的基團。其中的優(yōu)選例也相同。本發(fā)明的共軛聚合物(i’)也可以隔著上述[1-5-2.交聯(lián)性基團]部分記載的2價基團具有上述式(ii)。[2-4.n的說明]在上述式(i’)中，n代表0～3的整數(shù)。該m與[1-3.m的說明]部分記載的m相同。并且，其優(yōu)選情況也相同。[2-5.共軛聚合物(i’)的分子量]本發(fā)明的共軛聚合物(i’)的重均分子量(mw)、數(shù)均分子量(mn)及分散度(mw/mn)與上述[1-6.共軛聚合物(i)的分子量]部分記載的內(nèi)容相同，并且其范圍也相同。此外，其優(yōu)選范圍也相同。[2-6.重復(fù)單元的比例等]本發(fā)明的共軛聚合物(i’)只要是至少具有1種式(i’)表示的重復(fù)單元的聚合物即可。本發(fā)明的共軛聚合物(i’)可包含2種以上的不同重復(fù)單元。所述可包含2種以上的重復(fù)單元的含義為：可包含2種以上式(i’)表示的重復(fù)單元，另外，也可以包含除了式(i’)表示的重復(fù)單元以外的其它重復(fù)單元。以進料摩爾比計，本發(fā)明的共軛聚合物(i’)中包含的式(i’)表示的重復(fù)單元通常為0.1以上、優(yōu)選為0.3以上、更優(yōu)選為0.5以上，且通常為1以下。重復(fù)單元在上述范圍內(nèi)時，電荷傳輸能力高、氧化還原穩(wěn)定性優(yōu)異，因此優(yōu)選。作為在式(i’)表示的重復(fù)單元的具體實例中，重復(fù)單元中具有包含式(ii)表示的基團的基團的具體實例，可列舉下述<重復(fù)單元組e>，但本發(fā)明并不限于這些基團。<重復(fù)單元組e>[化學(xué)式31]此外，作為在式(i’)表示的重復(fù)單元的具體實例中，重復(fù)單元中不具有包含式(ii)表示的基團的基團的具體實例，與上述<重復(fù)單元組c>部分記載的基團相同。本發(fā)明的共軛聚合物(i’)具有2種以上重復(fù)單元時，可列舉無規(guī)共聚物、交替共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物。如果考慮到在溶劑中的溶解性，則優(yōu)選無規(guī)共聚物。為了進一步提高電荷傳輸能力，本發(fā)明的共軛聚合物(i’)優(yōu)選為交替共聚物。此外，作為本發(fā)明的共軛聚合物(i’)的具體實例，可列舉在后述[實施例](合成例)部分中記載的聚合物，但本發(fā)明并不限于這些實例。[2-7.式(ii)表示的基團的含有比例]本發(fā)明的共軛聚合物(i’)的1個聚合物鏈中所具有的式(ii)表示的基團與上述[1-5-2.交聯(lián)性基團](交聯(lián)性基團的比例)部分中以式(ii)表示的基團作為交聯(lián)性基團的情況相同。其優(yōu)選范圍也相同。此外，用每1000分子量對應(yīng)的個數(shù)表示本發(fā)明的共軛聚合物(i’)所具有的包含式(ii)表示的基團的基團的個數(shù)時，其個數(shù)也與上述[1-5-2.交聯(lián)性基團](交聯(lián)性基團的比例)部分中以式(ii)表示的基團作為交聯(lián)性基團的情況相同。其優(yōu)選范圍也相同。[2-8.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、其它物性]本發(fā)明的共軛聚合物(i’)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度及電離電位與上述[1-8.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、其它物性]部分中記載的情況相同。并且，其優(yōu)選范圍也相同。<3.特別優(yōu)選的共軛聚合物>從電荷傳輸能力高、氧化還原穩(wěn)定性優(yōu)異方面考慮，本發(fā)明的共軛聚合物優(yōu)選為下述共軛聚合物：該共軛聚合物具有選自下述重復(fù)單元組a中的至少一種重復(fù)單元及選自下述重復(fù)單元組b中的至少一種重復(fù)單元，其重均分子量(mw)在20,000以上，分散度(mw/mn)為2.40以下。<重復(fù)單元組a>[化學(xué)式32]<重復(fù)單元組b>[化學(xué)式33]<4.本發(fā)明的共軛聚合物的合成方法>本發(fā)明的共軛聚合物可根據(jù)目標(biāo)化合物的結(jié)構(gòu)選擇原料，并采用公知的方法合成，從易于控制分子量分布的觀點出發(fā)，優(yōu)選利用下述<5.聚合物的制造方法>部分中記載的方法進行合成。<5.聚合物的制造方法>使下述式(i-1)表示的芳香胺類的一部分與下述式(i-2)表示的芳香族類在鈀化合物、膦化合物及堿存在下進行縮合反應(yīng)的步驟；以及，追加下述式(i-2)表示的芳香族類，使其進一步進行聚合反應(yīng)的步驟。[化學(xué)式34]ar1-nh2(i-1)x-ar2-x(i-2)(式中，ar1及ar2彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團；x代表離去基團)。采用本發(fā)明的聚合物的制造方法，可制造性能穩(wěn)定的分子量分布窄的聚合物。式(i-1)表示的芳香胺類及式(i-2)表示的芳香族類分別可以使用1種進行聚合，也可以使用2種以上進行聚合。[5-1.ar1及ar2]ar1及ar2彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。作為ar1的優(yōu)選具體實例，可列舉在上述<ar13及ar15的具體實例>部分中記載的基團。此外，作為ar2的優(yōu)選具體實例，可列舉在上述<ar11、ar12及ar14的具體實例>部分中記載的基團。[5-2.式(i-2)表示的芳香族類的初期添加量(初期存在量)]式(i-2)表示的芳香族類的初期添加可以與式(i-1)表示的芳香胺類在同一時期添加，也可以在與催化劑等混合后添加。從式(i-2)表示的芳香族類的初期添加量能夠確實地發(fā)揮作用這點來看，優(yōu)選與芳香胺類在同一時期添加。作為式(i-2)表示的芳香族類在反應(yīng)開始時的添加量，相對于式(i-1)表示的芳香胺類，通常為75摩爾％以下、優(yōu)選為65摩爾％以下、更優(yōu)選為55摩爾％以下；且通常為20摩爾％以上、優(yōu)選為30摩爾％以上、更優(yōu)選為40摩爾％以上。如果式(i-2)表示的芳香族類的添加量超過該上限值，則可能導(dǎo)致重均分子量偏離上述范圍；此外，如果式(i-2)表示的芳香族類的添加量低于該下限值，則可能會導(dǎo)致單體殘留量增加。[5-3.式(i-2)表示的芳香族類的添加方法]追加式(i-2)表示的芳香族類時，優(yōu)選在確認(rèn)聚合反應(yīng)的進行的同時少量多次地分批添加，直到其達到后述規(guī)定量(總添加量)。分批添加時，每次添加的式(i-2)表示的芳香族類的量視聚合的進行程度而定，但通常為48摩爾％以下、優(yōu)選為45摩爾％以下，且通常為1摩爾％以上。相對于式(i-1)表示的芳香胺類的添加量，式(i-2)表示的芳香族類的規(guī)定量(總添加量)通常為80摩爾％以上，且通常為110摩爾％以下。[5-4.可獲得本發(fā)明效果的理由]這里，針對為何能夠根據(jù)本發(fā)明的制造方法取得與傳統(tǒng)制造方法不同的本發(fā)明的效果，以上述式(i)表示的重復(fù)單元為例進行說明。首先，通過添加20～75摩爾％的式(i-2)表示的芳香族類來確實地形成式(i)表示的重復(fù)單元中的芳香胺部位，然后再通過添加式(i-2)表示的芳香族類來引發(fā)聚合反應(yīng)。通過進行該添加方法，可使聚合反應(yīng)順利進行，例如，能夠以2.40以下的分散度形成重均分子量(mw)為20,000以上的聚合物。另外，還可以利用本發(fā)明的聚合物的制造方法對聚合物中含有的不溶化基的比例進行調(diào)整。通過使重均分子量(mw)為上述范圍，能夠使聚合物鏈中含有不溶化基的概率增加，從而能夠進行結(jié)果良好的成膜。另外，如果重均分子量(mw)偏離上述范圍，則推測聚合物鏈中含有不溶化基的概率降低，進而不溶化率降低。[5-5.離去基團：eliminationgroup]在式(i-2)中，x代表離去基團。本發(fā)明中所說的離去基團是指在消去反應(yīng)或縮合反應(yīng)中放出的原子或原子團。對于離去基團，并無特殊限制，可列舉例如鹵素、磷酸酯類、磺酸酯類、羧酸酯類等酯類，優(yōu)選鹵素、磺酸酯類，而從具有適當(dāng)反應(yīng)性的觀點出發(fā)，更優(yōu)選鹵素。[5-6.催化劑]作為在本發(fā)明的聚合物的制造方法中使用的催化劑，可列舉鈀化合物和膦化合物。作為鈀化合物，可列舉例如：六氯鈀(iv)酸鈉四水合物、六氯鈀(iv)酸鉀等4價鈀化合物，氯化鈀(ii)、溴化鈀(ii)、乙酸鈀(ii)、乙酰乙酸鈀(ii)、二氯二芐腈合鈀(ii)、二氯二乙腈合鈀(ii)、二氯二(三苯基膦)合鈀(ii)、二氯二(三鄰甲苯基膦)合鈀(ii)、二氯二(環(huán)辛-1,5-二烯)合鈀(ii)、三氟乙酸鈀(ii)等2價鈀，三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)、三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)-氯仿絡(luò)合物、四(三苯基膦)合鈀(0)等0價鈀等。而從反應(yīng)活性高方面考慮，優(yōu)選0價鈀。作為在本發(fā)明的聚合物的制造方法中使用的鈀化合物的用量，相對于式(i-2)的芳香胺類，換算為鈀時通常為0.01摩爾％以上、優(yōu)選為0.02摩爾％以上，且通常為20摩爾％以下、優(yōu)選為5摩爾％以下。作為在本發(fā)明的聚合物的制造方法中使用的膦化合物，可列舉三烷基膦化合物，可列舉例如三乙基膦、三環(huán)己基膦、三異丙基膦、三正丁基膦、三異丁基膦、三叔丁基膦等，尤其優(yōu)選三叔丁基膦。作為膦化合物的用量，相對于上述鈀化合物，優(yōu)選為0.1倍摩爾量以上，并且優(yōu)選為10倍摩爾量以下。[5-7.堿]作為在本發(fā)明的聚合物的制造方法中使用的堿，并無特殊限制，可列舉鈉、鉀、銫等的碳酸鹽，鋰、鈉、鉀等堿金屬的醇鹽(alkoxide)，優(yōu)選堿金屬醇鹽。相對于式(i-2)表示的芳香族類，堿的用量通常為0.5倍摩爾量以上、優(yōu)選為1倍摩爾量以上，且通常為10倍摩爾量以下。[5-8.溶劑]作為在本發(fā)明的聚合物的制造方法中使用的溶劑，通?？梢允菍Ψ磻?yīng)不活潑的溶劑、也可以是不對本反應(yīng)造成阻礙的溶劑?？闪信e例如，甲苯、二甲苯等芳香族烴類溶劑，四氫呋喃、二烷等醚類溶劑，乙腈、二甲基甲酰胺、二甲亞砜等，優(yōu)選甲苯、二甲苯等芳香族烴類溶劑。本發(fā)明的聚合物的制造方法中的反應(yīng)溫度只要是能夠制造聚合物的溫度，則沒有特殊限制，但通常為20℃以上、優(yōu)選為50℃以上，且通常為300℃以下、優(yōu)選為200℃以下。作為所得聚合物的純化方法，可采用以《分離純化技術(shù)手冊》(1993年，(財)日本化學(xué)會編)、《利用化學(xué)轉(zhuǎn)換法對微量成分及難純化物質(zhì)的高度分離》(1988年，(株)ipc發(fā)行)、或《實驗化學(xué)講座(第4版)1》(1990年，(財)日本化學(xué)會編)的“分離與純化”部分中記載的方法為代表的公知技術(shù)。具體可列舉提取(抽出)(包括懸浮洗滌、煮沸洗滌、超聲波洗滌、酸堿洗滌)、吸附、吸留、熔化、結(jié)晶析出(包括從溶劑中重結(jié)晶、再沉淀)、蒸餾(常壓蒸餾、減壓蒸餾)、蒸發(fā)、升華(常壓升華、減壓升華)、離子交換、透析、過濾、超濾、反滲透、壓力滲透、區(qū)域溶解、電泳、離心分離、漂浮分離、沉降分離、磁分離、各種色譜法(形狀分類：柱、紙、薄層、毛細(xì)管；流動相分類：氣體、液體、膠束、超臨界流體；分離機理：吸附、分配、離子交換、分子篩、螯合、凝膠過濾、排除、親和)等。作為產(chǎn)物的確認(rèn)及純度的分析方法，根據(jù)需要，可采用下述方法：氣相色譜法(gc)、高效液相色譜法(hplc)、高速氨基酸分析計(有機化合物)、毛細(xì)管電泳測定(ce)、尺寸排阻色譜法(sec)、凝膠浸透色譜法(gpc)、交叉分級色譜法(cfc)、質(zhì)量分析(ms、lc/ms、gc/ms、ms/ms)、核磁共振裝置(nmr(1hnmr、13cnmr))、傅里葉變換紅外分光光度計(ft-ir)、紫外可見近紅外分光光度計(uv、vis、nir)、電子自旋共振裝置(esr)、透射型電子顯微鏡(tem-edx)、電子探針顯微分析儀(epma)、金屬元素分析(離子色譜、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(icp-aes)、原子吸收分光光度分析(aas)、熒光x射線分析裝置(xrf))、非金屬元素分析、微量成分分析(icp-ms、gf-aas、gd-ms)等。[5-9.利用本發(fā)明的聚合物的制造方法制造的聚合物和用途等]利用本發(fā)明的聚合物的制造方法制造的聚合物(以下，也簡稱為“由本發(fā)明得到的聚合物”)的重均分子量(mw)大、且分散度(mw/mn)小。因此，由本發(fā)明得到的聚合物在溶劑中的溶解性優(yōu)異，并且電荷傳輸能力高，適于作為有機場致發(fā)光元件材料使用。另外，作為利用本發(fā)明的聚合物的制造方法制造的聚合物所具有的重復(fù)單元，可列舉在上述<重復(fù)單元組c>及<重復(fù)單元組d>部分中記載的重復(fù)單元。此外，還可以列舉下述的<其它重復(fù)單元組k>，但本發(fā)明并不限于這些重復(fù)單元。<重復(fù)單元組k>[化學(xué)式35][5-10.本發(fā)明的共軛聚合物的合成]下面針對本發(fā)明的聚合物的制造方法中用來制造本發(fā)明的共軛聚合物(i)的方法進行說明。例如，m為1時，式(i-2)中的ar2如下所示。[化學(xué)式36]此外，同樣，例如當(dāng)m為2時，式(i-2)中的ar2如下所示。[化學(xué)式37]<6.共軛聚合物的用途>本發(fā)明的共軛聚合物優(yōu)選用作電荷傳輸材料，尤其優(yōu)選用作有機場致發(fā)光元件材料。用作有機場致發(fā)光元件材料時，優(yōu)選作為有機場致發(fā)光元件中的空穴注入層和/或空穴傳輸層的電荷傳輸材料使用。此外，由于能夠簡便地制造有機場致發(fā)光元件，因而優(yōu)選將本發(fā)明的共軛聚合物用于利用濕式成膜法形成的有機層。<7.不溶性聚合物>正如在下述有機場致發(fā)光元件用組合物部分中記載的那樣，本發(fā)明的共軛聚合物、即分子內(nèi)具有不溶化基或上述式(ii)表示的基團的聚合物在加熱和/或光等活化能照射下，可引發(fā)不溶化反應(yīng)而形成不溶性聚合物。如下所述，不溶性聚合物優(yōu)選作為空穴注入層和/或空穴傳輸層使用。利用下述[不溶化率的測定方法]部分中記載的方法對本發(fā)明的不溶性聚合物的不溶化率進行測定時，所述不溶化率通常為70％以上、優(yōu)選為80％以上，且通常為120％以下、優(yōu)選為110％以下。不溶化率在上述范圍內(nèi)時，含有不溶性聚合物的層與利用濕式成膜法在該有機層上形成的層之間不相混合，不會影響所得元件的特性，因此優(yōu)選。[7-1.不溶化率的測定方法]本發(fā)明中的不溶化率是利用下述方法分別測定膜厚l1及l(fā)2后求出的l2/l1的值。[7-1-1.成膜方法及膜厚l1的測定方法]利用超純水對尺寸為25mm×37.5mm的玻璃基板進行洗滌，并用干燥氮氣進行干燥、進行uv/臭氧洗滌。將測定樣品(通常指配制的溶液，其中，使待測定化合物的固體成分濃度為1重量％)旋涂于上述玻璃基板上來形成膜。旋涂條件如下所述。[旋涂條件]氣溫：23℃相對濕度：60％旋轉(zhuǎn)器轉(zhuǎn)速：1500rpm旋轉(zhuǎn)器的旋轉(zhuǎn)時間：30秒。涂布后，在80℃進行1分鐘的加熱干燥，然后，再在230℃進行60分鐘的加熱干燥。從所得膜上割下約1mm寬度，利用膜厚計(tencorp-15，kla-tencor公司制造)測定其膜厚l1(nm)。[7-1-3.膜厚l2的測定方法]將測定膜厚l1后的基板設(shè)置在旋轉(zhuǎn)器上，并將與用于測定樣品的溶劑相同的溶劑滴至測定膜厚的部位，10秒鐘后，按照與上述“旋涂條件”相同的方法進行旋涂。接著，再對同一部位的膜厚l2(nm)進行測定，并計算不溶化率l2/l1。<8.有機場致發(fā)光元件用組合物>本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物是至少包含1種本發(fā)明的共軛聚合物的組合物。在具有設(shè)置在陽極與陰極之間的有機層的有機場致發(fā)光元件中，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物通常被用作利用濕式成膜法形成該有機層時的涂布液。本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物優(yōu)選被用于形成該有機層中的空穴傳輸層。需要指出的是，這里，在有機場致發(fā)光元件中的陽極-發(fā)光層之間具有1層時，稱其為“空穴傳輸層”；具有2層以上時，將與陽極相連的層稱為“空穴注入層”，將除此之外的其它層統(tǒng)稱為“空穴傳輸層”。并且，將設(shè)置在陽極-發(fā)光層之間的層統(tǒng)稱為“空穴注入/傳輸層”。本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物的特征是含有上述本發(fā)明的共軛聚合物，通常還含有溶劑。該溶劑優(yōu)選為可溶解本發(fā)明的共軛聚合物的溶劑，通常是在常溫下溶解0.05重量％以上的共軛聚合物的溶劑，優(yōu)選溶解0.5重量％以上的共軛聚合物的溶劑，更優(yōu)選溶解1重量％以上的共軛聚合物的溶劑。需要說明的是，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中可以僅含有1種本發(fā)明的共軛聚合物，也可以包含2種以上。本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中通常含有0.01重量％以上的本發(fā)明的共軛聚合物、優(yōu)選含有0.05重量％以上、更優(yōu)選含有0.1重量％以上，且通常含有50重量％以下、優(yōu)選含有20重量％以下、更優(yōu)選含有10重量％以下的本發(fā)明的共軛聚合物。此外，根據(jù)需要，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中還可以含有電子接受性化合物。還可以含有用來促進不溶化反應(yīng)的各種添加物等添加劑，所述不溶化反應(yīng)可使利用上述組合物而形成的層的溶解性降低，進而將其它層涂布在空穴傳輸層上。此時，作為溶劑，優(yōu)選使用對于本發(fā)明的共軛聚合物和添加劑這兩者的溶解性為0.05重量％以上、優(yōu)選為0.5重量％以上、更優(yōu)選為1重量％以上的溶劑。作為本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中含有的用來促進本發(fā)明的共軛聚合物的不溶化反應(yīng)的添加物，可列舉烷基苯基酮化合物、?；趸⒒衔铩⒔饘倜衔?、肟酯化合物、偶氮化合物、鎓鹽等聚合引發(fā)劑或聚合促進劑、稠合多環(huán)烴、卟啉化合物、二芳基酮化合物等光增敏劑等。上述添加物可單獨使用1種，也可以將2種以上組合使用。本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物用于形成空穴注入層時，從低電阻化的角度考慮，優(yōu)選進一步含有電子接受性化合物。作為電子接受性化合物，優(yōu)選具有氧化能力、且具有從上述空穴傳輸性化合物接受一個電子的能力的化合物。具體而言，優(yōu)選電子親和力為4ev以上的化合物，更優(yōu)選電子親和力為5ev以上的化合物。作為電子接受性化合物的實例，可列舉例如：4-異丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽等被有機基團取代的鎓鹽、氯化鐵(iii)(日本特開平11-251067號公報)、過氧二硫酸銨等高原子價的無機化合物、四氰基乙烯等氰基化合物、三(五氟苯基)硼烷(日本特開2003-31365號公報)等芳香族硼化物、富勒烯衍生物、碘等。在上述化合物中，從具有強氧化能力這一點考慮，優(yōu)選被有機基團取代的鎓鹽、高原子價的無機化合物等。此外，從在各種溶劑中的溶解性高、可適用于利用濕式成膜法形成膜的觀點考慮，優(yōu)選被有機基團取代的鎓鹽、氰基化合物、芳香族硼化物等。作為適于用作電子接受性化合物的被有機基團取代的鎓鹽、氰基化合物、芳香族硼化物的具體實例，可列舉國際公開第2005/089024號小冊子中記載的化合物，其優(yōu)選實例也相同。例如，可列舉以下述結(jié)構(gòu)式表示的化合物，但并不限于這些化合物。[化學(xué)式38]需要說明的是，電子接受性化合物可單獨使用1種，也可以以任意組合及比例將2種以上組合使用。作為本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中所含的溶劑，并無特殊限制，但由于必須要使本發(fā)明的共軛聚合物溶解，因此優(yōu)選下述有機溶劑：甲苯、二甲苯、均三甲苯、環(huán)己基苯等芳香族化合物；1,2-二氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等含鹵溶劑；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-單甲醚乙酸酯(pgmea)等脂肪族醚，1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚等醚類溶劑；乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸異丙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等酯類溶劑等。上述溶劑可單獨使用1種，也可以將2種以上組合使用。本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中所含的溶劑在組合物中的濃度通常為10重量％以上、優(yōu)選為50重量％以上、更優(yōu)選為80重量％以上。需要指出的是，水分的存在可能會導(dǎo)致有機場致發(fā)光元件的性能劣化、其中尤其是可能會加速在連續(xù)驅(qū)動時的亮度降低，這已被廣泛公知，因此，為了盡可能減少涂膜中殘留的水分，在上述溶劑中，優(yōu)選在25℃下水的溶解度為1重量％以下的溶劑，更優(yōu)選水的溶解度為0.1重量％以下的溶劑。作為本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中含有的溶劑，可列舉在20℃下的表面張力低于40dyn/cm、優(yōu)選為36dyn/cm以下、更優(yōu)選為33dyn/cm以下的溶劑。即，利用濕式成膜法形成本發(fā)明中的不溶性層時，與基底之間的親和性是重要因素。由于膜質(zhì)的均勻性會對有機場致發(fā)光元件的發(fā)光均勻性、穩(wěn)定性造成顯著影響，因此，要求用于濕式成膜法的涂布液的表面張力低，以形成流平性高且均勻的涂膜。通過使用這類溶劑，可均勻地形成本發(fā)明的不溶性層。作為這樣的低表面張力的溶劑的具體實例，可列舉上述的甲苯、二甲苯、均三甲苯、環(huán)己基苯等芳香族類溶劑，苯甲酸乙酯等酯類溶劑，苯甲醚等醚類溶劑，三氟甲氧基苯甲醚、五氟甲氧基苯、3-(三氟甲基)苯甲醚、乙基(五氟苯甲酸酯)等。這些溶劑在組合物中的濃度通常為10重量％以上、優(yōu)選為30重量％以上、更優(yōu)選為50重量％以上。作為在本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中所含的溶劑，還可列舉在25℃下的蒸氣壓為10mmhg以下、優(yōu)選為5mmhg以下、且通常為0.1mmhg以上的溶劑。通過使用這樣的溶劑，可制備適于利用濕式成膜法制造有機場致發(fā)光元件的工藝、且適于本發(fā)明的共軛聚合物的性質(zhì)的組合物。作為這樣的溶劑的具體實例，可列舉上述的甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族類溶劑、醚類溶劑及酯類溶劑。這些溶劑在組合物中的濃度通常為10重量％以上、優(yōu)選為30重量％以上、更優(yōu)選為50重量％以上。作為本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中所含的溶劑，可列舉在25℃下的蒸氣壓為2mmhg以上、優(yōu)選為3mmhg以上、更優(yōu)選為4mmhg以上(其上限優(yōu)選為10mmhg以下)的溶劑與在25℃下的蒸氣壓低于2mmhg、優(yōu)選為1mmhg以下、更優(yōu)選為0.5mmhg以下的溶劑的混合溶劑。通過使用上述混合溶劑，可利用濕式成膜法形成含有本發(fā)明的共軛聚合物、并含有電子接受性化合物的均質(zhì)的層。這些混合溶劑在組合物中的濃度通常為10重量％以上、優(yōu)選為30重量％以上、更優(yōu)選為50重量％以上。由于有機場致發(fā)光元件通過疊層多層包含有機化合物的層而形成，因此膜質(zhì)均勻這一點非常重要。利用濕式成膜法形成層時，根據(jù)其材料、基底性質(zhì)的不同，可采用旋涂法、噴射法等涂布法或噴墨法、網(wǎng)版印刷法等印刷法等公知的成膜方法。例如，采用噴射法時，由于能夠在具有凹凸的面上有效形成均勻膜，因此對于在經(jīng)過圖案化的電極、像素間存在由隔板(隔壁)引起的凹凸的面上設(shè)置包含有機化合物的層的情況而言，優(yōu)選采用噴射法。利用噴射法進行涂布時，從噴嘴噴射至涂布面的涂布液的液滴盡可能小時，可獲得均勻的膜質(zhì)，因此優(yōu)選。因此，優(yōu)選通過在涂布液中混合蒸氣壓高的溶劑，使溶劑的一部分在涂布?xì)怏w氛圍中從噴射后的涂布液滴中揮發(fā)，以使其在即將附著在基板上之前處于將生成微細(xì)液滴的狀態(tài)。此外，為了獲得更為均勻的膜質(zhì)，必須要確保涂布剛結(jié)束時在基板上生成的液膜的流平時間，而為了實現(xiàn)該目的，可采用下述方法：一定程度地含有干燥更慢的溶劑、即蒸氣壓低的溶劑。作為具體實例，作為在25℃下的蒸氣壓為2mmhg～10mmhg的溶劑，可列舉例如二甲苯、苯甲醚、環(huán)己酮、甲苯等有機溶劑。而作為在25℃下的蒸氣壓低于2mmhg的溶劑，可列舉苯甲酸乙酯、苯甲酸甲酯、四氫化萘、苯乙醚等。作為混合溶劑的比例，在25℃下的蒸氣壓為2mmhg以上的溶劑在混合溶劑總量中為5重量％以上、優(yōu)選為25重量％以上，且低于50重量％；在25℃下的蒸氣壓低于2mmhg的溶劑在混合溶劑總量中為30重量％以上、優(yōu)選為50重量％以上、尤其優(yōu)選為75重量％以上，且低于95重量％。需要說明的是，由于有機場致發(fā)光元件由多個包含有機化合物的層疊層而形成，因而要求每一層均為均勻的層。利用濕式成膜法形成層時，如果在用于形成層的溶液(組合物)中混入水分，可能會導(dǎo)致涂膜中混入水分，破壞膜的均勻性，因此優(yōu)選溶液中的水分含量盡可能低。具體而言，有機場致發(fā)光元件組合物中所含的水分量優(yōu)選為1重量％以下、更優(yōu)選為0.1重量％以下、進一步優(yōu)選為0.05重量％以下。此外，由于有機場致發(fā)光元件所使用的多為會在陰極等的水分存在下顯著劣化的材料，因此，考慮到元件的劣化，優(yōu)選不存在水分。作為降低溶液中的水分量的方法，可列舉例如：氮氣密封、使用干燥劑、預(yù)先將溶劑脫水、使用水的溶解度低的溶劑等。其中，使用水的溶解度低的溶劑時，在涂布工序中能夠防止溶液涂膜因吸收大氣中的水分而發(fā)生白化的現(xiàn)象，因此優(yōu)選。根據(jù)上述觀點，在本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中，優(yōu)選含有10重量％以上的例如在25℃下水的溶解度為1重量％以下(優(yōu)選為0.1重量％以下)的溶劑。其中，滿足上述溶解度條件的溶劑更優(yōu)選為30重量％以上，尤其優(yōu)選為50重量％以上。需要說明的是，作為本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中所含的溶劑，除了上述溶劑以外，還可以根據(jù)需要含有各種其它溶劑。作為所述其它溶劑，包括例如n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺等酰胺類；二甲亞砜等。此外，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物中還可以含有流平劑、消泡劑等涂布性改良劑等各種添加劑。[成膜方法]如上所述，由于有機場致發(fā)光元件由多個包含有機化合物的層疊層而形成，因此膜質(zhì)均勻尤為重要。在利用濕式成膜法形成層時，可根據(jù)其材料、基底的性質(zhì)而采用旋涂法、噴射法等涂布法，噴墨法、網(wǎng)版印刷法等印刷法等公知的成膜方法。采用濕式成膜法時，將本發(fā)明的共軛聚合物及根據(jù)需要而使用的其它成分(電子接受性化合物、促進不溶化反應(yīng)的添加物及涂布性改良劑等)溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲?，制備上述有機場致發(fā)光元件用組合物。并通過用旋涂法、浸涂法等方法將該組合物涂布在相當(dāng)于待形成的層的下層的層上，進行干燥之后，實施不溶化，從而形成本發(fā)明的不溶性層。通過使本發(fā)明的共軛聚合物發(fā)生不溶化反應(yīng)來獲得不溶性聚合物時，通常要進行加熱。對于加熱方法并無特殊限制，作為實例，可列舉加熱干燥等。作為進行加熱干燥時的條件，通常要將利用本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物而形成的層加熱至120℃以上、優(yōu)選加熱至400℃以下。就加熱時間而言，通常為1分鐘以上、優(yōu)選為24小時以下。作為加熱方法，并無特殊限制，可采用將具有形成的層的疊層體放置在熱板上、或在烘箱內(nèi)進行加熱等方法。例如，可采用下述條件：在熱板上、120℃以上進行1分鐘以上的加熱等。對于加熱方法并無特殊限制，而作為進行加熱干燥時的條件，對使用有機場致發(fā)光元件用組合物而形成的層進行加熱的溫度通常為100℃以上、優(yōu)選為120℃以上、更優(yōu)選為150℃以上，且通常為400℃以下、優(yōu)選為350℃以下、更優(yōu)選為300℃以下。作為加熱時間，通常為1分鐘以上、優(yōu)選為24小時以下。對于加熱方法，并無特殊限制，可采用將具有形成的層的疊層體放置在熱板上、或在烘箱內(nèi)進行加熱等方法。例如，可采用下述條件：在熱板上、120℃以上進行1分鐘以上加熱等。對于利用光等活化能照射的情況，可列舉下述方法：直接使用超高壓水銀燈、高壓水銀燈、鹵素?zé)?、紅外燈等紫外/可見/紅外光源進行照射的方法，或使用內(nèi)置上述光源的掩模對準(zhǔn)機、輸送機型光照射裝置進行照射的方法等。對于利用光以外的其它活化能照射的情況，可列舉例如采用照射由磁控管產(chǎn)生的微波的裝置、所謂微波爐進行照射的方法。作為照射時間，優(yōu)選設(shè)定可使不溶化反應(yīng)充分發(fā)生的必要條件，但通常照射0.1秒鐘以上、優(yōu)選照射10小時以下。加熱及光等活化能照射可以分別獨立地進行，也可以組合進行。組合進行時，對于實施順序并無特殊限制。為了降低實施后層中所含的水分和/或表面所吸附的水分量，加熱及光等活化能照射優(yōu)選在氮氣氛圍等不含水分的氣體氛圍中進行。出于同樣目的，對于組合進行加熱和/或光等活化能照射的情況，特別優(yōu)選至少使即將形成發(fā)光層之前的工序在氮氣氛圍等不含水分的氣體氛圍中進行。<9.有機場致發(fā)光元件>本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件是在基板上具有陽極、陰極、以及設(shè)置在該陽極與該陰極之間的1層或2層以上的有機層的有機場致發(fā)光元件，在該有機場致發(fā)光元件中，所述有機層的至少1層中含有本發(fā)明的不溶性聚合物。另外，在本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件中，本發(fā)明中的含有不溶性聚合物的有機層(不溶性層)優(yōu)選為空穴注入層和/或空穴傳輸層。本發(fā)明的不溶性層優(yōu)選利用濕式成膜法并使用上述本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物而形成。此外，該空穴傳輸層的陰極側(cè)優(yōu)選具有利用濕式成膜法形成的發(fā)光層，另外，該空穴傳輸層的陽極側(cè)優(yōu)選具有利用濕式成膜法形成的空穴注入層。即，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件中的空穴注入層、空穴傳輸層及發(fā)光層優(yōu)選全部利用濕式成膜法形成。特別優(yōu)選其中的利用濕式成膜法形成的發(fā)光層為包含低分子材料的層。圖1為示意性地示出本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的一例的截面圖。圖1所示的有機場致發(fā)光元件通過在基板上依次疊層陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子注入層及陰極而構(gòu)成。采取該結(jié)構(gòu)時，空穴傳輸層通常相當(dāng)于上述本發(fā)明的含有有機化合物的層。[1]基板基板被用作有機場致發(fā)光元件的支持體，可采用石英板或玻璃板、金屬板或金屬箔、塑料膜或片等。尤其優(yōu)選玻璃板或聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明的合成樹脂板。使用合成樹脂基板時，必須要注意阻氣性。如果基板的阻氣性過小，則可能會因透過基板的外部氣體的作用而導(dǎo)致有機場致發(fā)光元件的劣化，因此不優(yōu)選。因此，在合成樹脂基板的至少一面上設(shè)置致密的硅氧化膜等來確保阻氣性的方法也是優(yōu)選的方法之一。[2]陽極陽極所起到的是對后述的發(fā)光層側(cè)的層(空穴注入層或發(fā)光層等)進行空穴注入的作用。該陽極通常由鋁、金、銀、鎳、鈀、鉑等金屬，銦和/或錫的氧化物等金屬氧化物，碘化銅等鹵化金屬、炭黑或聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等導(dǎo)電性高分子等構(gòu)成。一般而言，陽極的形成大多通過濺射法、真空蒸鍍法等進行。另外，對于由銀等金屬的微粒、碘化銅等的微粒、炭黑、導(dǎo)電性金屬氧化物微粒、導(dǎo)電性高分子微細(xì)粉末等形成的情況，也可以通過將它們分散在適當(dāng)?shù)恼澈蟿渲芤褐?，再涂布在基板上來形成陽極。另外，對于由導(dǎo)電性高分子形成的情況，也可以利用電解聚合直接在基板上形成薄膜、或通過在基板上涂布導(dǎo)電性高分子來形成陽極(參見appliedphysicsletters,1992年,vol.60,pp.2711)。陽極還可以由不同物質(zhì)疊層而形成。陽極的厚度根據(jù)所需的透明性而不同。對于需要透明性的情況，通常要使可見光的透射率為60％以上、優(yōu)選為80％以上，此時，厚度通常為5nm以上、優(yōu)選為10nm以上，且通常為1000nm以下、優(yōu)選為500nm以下范圍。而對于可以為不透明的情況，陽極可與基板相同。此外，還可以在上述陽極上進一步疊層不同的導(dǎo)電材料。需要說明的是，為了除去附著在陽極上的雜質(zhì)、調(diào)整電離電位以使空穴注入性提高，優(yōu)選對陽極表面進行紫外線(uv)/臭氧處理、或進行氧等離子體、氬等離子體處理。[3]空穴注入層在陽極上，形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽邮怯脕硐蜿枠O的與陰極側(cè)相鄰的層中輸送空穴的層。需要指出的是，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件也可以采取省略空穴注入層的結(jié)構(gòu)?？昭ㄗ⑷雽又袃?yōu)選包含空穴傳輸性化合物，更優(yōu)選包含空穴傳輸性化合物和電子接受性化合物。此外，空穴注入層中優(yōu)選包含陽離子自由基化合物(cationradicalcompounds)，尤其優(yōu)選包含陽離子自由基化合物和空穴傳輸性化合物。根據(jù)需要，空穴注入層中還可含有粘合劑樹脂、涂布性改良劑。其中，粘合劑樹脂優(yōu)選不易作為電荷捕集器發(fā)揮作用的樹脂。此外，作為空穴注入層，還可以利用濕式成膜法僅將電子接受性化合物在陽極上成膜，再在其上直接涂布電荷傳輸材料組合物來進行疊層。此時，電荷傳輸材料組合物的一部分會與電子接受性化合物發(fā)生相互作用而形成空穴注入性優(yōu)異的層。(空穴傳輸性化合物)作為上述空穴傳輸性化合物，優(yōu)選具有4.5ev～6.0ev的電離電位的化合物。但是，用于濕式成膜法時，優(yōu)選在用于濕式成膜法的溶劑中顯示高溶解性的化合物。作為空穴傳輸性化合物，從成膜性優(yōu)異、具有高電荷傳輸能的觀點考慮，優(yōu)選本發(fā)明的共軛聚合物。即，優(yōu)選利用本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件用組合物來形成層。作為將除了本發(fā)明的共軛聚合物以外的其它化合物用作空穴傳輸性化合物時的空穴傳輸性化合物的實例，可列舉芳香族胺化合物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、低聚噻吩衍生物、聚噻吩衍生物等。其中，從非晶質(zhì)性、可見光的透射率方面考慮，優(yōu)選芳香族胺化合物。芳香族胺化合物的種類并無特殊限制，可以是低分子化合物，也可以是高分子化合物，但從表面平滑化效果的觀點考慮，優(yōu)選重均分子量為1000～1000000的高分子化合物(重復(fù)單元連接而成的聚合型烴化合物)。作為芳香族叔胺高分子化合物的優(yōu)選實例，可以列舉具有下述式(i)表示的重復(fù)單元的高分子化合物。[化學(xué)式39](上述式(i)中，ara1及ara2彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。ara3～ara5彼此獨立地代表任選具有取代基的芳香族烴基、或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)基團。za代表選自下述連接基團組中的連接基團。另外，在ara1～ara5中，鍵合在同一n原子上的二個基團還可以相互鍵合而形成環(huán))。[化學(xué)式40](上述各式中，ara6～ara16彼此獨立地代表來源于任選具有取代基的芳香族烴環(huán)或任選具有取代基的芳香族雜環(huán)的1價或2價基團。ra1及ra2彼此獨立地代表氫原子或任意的取代基)。作為ara1～ara16，可采用來源于任意的芳香族烴環(huán)或芳香族雜環(huán)的1價或2價基團。這些基團可以彼此相同，也可以互不相同。另外，這些基團還可以進一步具有任意的取代基。作為具有通式(i)表示的重復(fù)單元的芳香族叔胺高分子化合物的具體實例，可列舉國際公開第2005/089024號小冊子中記載的化合物。作為空穴注入層的材料而使用的空穴傳輸性化合物可以含有上述化合物中的任意1種，也可以含有2種以上。含有2種以上空穴傳輸性化合物時，可以采取任意組合，但優(yōu)選將1種或2種以上的芳香族叔胺高分子化合物和1種或2種以上的其它空穴傳輸性化合物組合使用。(電子接受性化合物)作為電子接受性化合物，與上述<有機場致發(fā)光元件用組合物>部分記載的化合物相同。并且，其優(yōu)選的具體實例也相同。(陽離子自由基化合物)作為陽離子自由基化合物，優(yōu)選從空穴傳輸性化合物上除去一個電子所得到的化學(xué)種、即由陽離子自由基和對陰離子構(gòu)成的離子化合物。其中，對于陽離子自由基來自于空穴傳輸性的高分子化合物的情況，陽離子自由基是從高分子化合物的重復(fù)單元上除去一個電子后所得到的結(jié)構(gòu)。作為陽離子自由基，優(yōu)選從作為空穴傳輸性化合物的上述化合物上除去一個電子后所得到的化學(xué)種。從非晶質(zhì)性、可見光的透射率、耐熱性、及溶解性等方面考慮，陽離子自由基優(yōu)選從作為空穴傳輸性化合物而優(yōu)選的化合物上除去一個電子后所得到的化學(xué)種。這里，陽離子自由基化合物可通過將上述空穴傳輸性化合物與電子接受性化合物混合而生成。即，通過將上述空穴傳輸性化合物與電子接受性化合物混合，將發(fā)生從空穴傳輸性化合物向電子接受性化合物的電子轉(zhuǎn)移，從而生成由空穴傳輸性化合物的陽離子自由基和對陰離子構(gòu)成的陽離子性離子化合物。來自于pedot/pss(adv.mater.,2000年,12卷,481頁)、聚苯胺鹽酸鹽(j.phys.chem.,1990年,94卷,7716頁)等高分子化合物的陽離子自由基化合物還可以通過進行氧化聚合(脫氫聚合)而生成。這里所說的氧化聚合是在酸性溶液中，利用過氧二硫酸鹽等使單體發(fā)生化學(xué)或電化學(xué)氧化的過程。進行該氧化聚合(脫氫聚合)時，不但能夠通過單體氧化而實現(xiàn)高分子化，同時還能夠生成以來自于酸性溶液的陰離子為對陰離子的從高分子的重復(fù)單元上除去一個電子而形成的陽離子自由基?？昭ㄗ⑷雽涌刹捎蒙鲜鯷成膜方法]中記載的方法形成。此外，還可以采用真空蒸鍍法等干式成膜法形成。空穴注入層的膜厚通常為5nm以上、優(yōu)選為10nm以上，且通常為1000nm以下、優(yōu)選為500nm以下的范圍。需要說明的是，在空穴注入層中，相對于空穴注入性化合物，電子接受性化合物的含量通常為0.1摩爾％以上、優(yōu)選為1摩爾％以上，且通常為100摩爾％以下、優(yōu)選為40摩爾％以下。(其它構(gòu)成材料)作為空穴注入層的材料，在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，還可以含有除了上述空穴傳輸性化合物、電子接受性化合物以外的其它成分。作為其它成分的實例，可列舉各種發(fā)光材料、電子傳輸性化合物、粘合劑樹脂、涂布性改良劑等。其中，其它成分可單獨使用1種，也可以以任意組合及比例使用2種以上。(溶劑)用于濕式成膜法的空穴注入層形成用組合物中的溶劑的至少1種優(yōu)選為能夠溶解上述空穴注入層的構(gòu)成材料的化合物。并且，該溶劑的沸點通常為110℃以上、優(yōu)選為140℃以上、更優(yōu)選為200℃以上，且通常為400℃以下、優(yōu)選為300℃以下。如果溶劑的沸點過低，則會導(dǎo)致干燥速度過快，可能會導(dǎo)致膜質(zhì)劣化。另一方面，如果溶劑的沸點過高，則必須要提高干燥步驟的溫度，可能會對其它層或基板帶來不良影響。作為溶劑，可列舉例如醚類溶劑、酯類溶劑、芳香族烴類溶劑、酰胺類溶劑等。作為醚類溶劑，可列舉例如乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-單甲醚乙酸酯(pgmea)等脂肪族醚；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚等。作為酯類溶劑，可列舉例如乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等。作為芳香族烴類溶劑，可列舉例如甲苯、二甲苯、環(huán)己基苯、3-異丙基聯(lián)苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二異丙基苯、環(huán)己基苯、甲基萘等。作為酰胺類溶劑，可列舉例如n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺、等。除此之外，還可以使用二甲亞砜等。這些溶劑可單獨使用1種，也可以以任意組合及比例使用2種以上。(成膜方法)可通過下述方法形成空穴注入層：制備空穴注入層形成用組合物，然后利用濕式成膜將該組合物涂布在相當(dāng)于空穴注入層的下層的層(通常為陽極)上，再進行干燥。為了防止因組合物中發(fā)生結(jié)晶而引起膜的缺陷，成膜工序中的溫度優(yōu)選為10℃以上、且優(yōu)選為50℃以下。在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，成膜工序中的相對濕度通常為0.01ppm以上、且通常為80％以下。涂布后，通常利用加熱等使空穴注入層形成用組合物的膜干燥。作為干燥方法，通常要進行加熱工序。作為加熱工序中所使用的加熱設(shè)備的實例，可列舉凈化烘箱、熱板、紅外線、鹵素加熱器、微波照射等。其中，為了對整個膜賦予均等的熱，優(yōu)選凈化烘箱及熱板。作為加熱工序中的加熱溫度，在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，優(yōu)選在用于空穴注入層形成用組合物的溶劑的沸點以上的溫度進行加熱。此外，空穴注入層中含有本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件材料時，優(yōu)選在離解基團發(fā)生離解的溫度以上的溫度進行加熱。此外，對于使用包含2種以上在空穴注入層形成用組合物中使用的溶劑的混合溶劑的情況下，優(yōu)選在至少1種溶劑的沸點以上的溫度進行加熱。如果考慮到溶劑的沸點升高，則在加熱工序中，優(yōu)選在120℃以上、且優(yōu)選在410℃以下進行加熱。在加熱工序中，只要加熱溫度在空穴注入層形成用組合物的溶劑的沸點以上、且不會發(fā)生涂布膜的絕對不溶化，則對于加熱時間沒有特殊限制，但優(yōu)選為10秒鐘以上、且通常為180分鐘以下。如果加熱時間過長，則可能導(dǎo)致其它層的成分發(fā)生擴散；如果加熱時間過短，則空穴注入層有不均質(zhì)的傾向。加熱也可以分2次進行。<利用真空蒸鍍法形成空穴注入層>利用真空蒸鍍形成空穴注入層時，將空穴注入層的構(gòu)成材料(上述的空穴傳輸性化合物、電子接受性化合物等)中的1種或2種以上加入到設(shè)置在真空容器內(nèi)的坩堝(使用2種以上材料時，將它們分別加入到各自的坩堝中)中，利用適當(dāng)?shù)恼婵毡脤⒄婵杖萜鲀?nèi)排氣至10-4pa左右，然后加熱坩堝(使用2種以上材料時，對各個坩堝進行加熱)，在控制蒸發(fā)量的情況下使其蒸發(fā)(使用2種以上材料時，在互相獨立地控制蒸發(fā)量的情況下使它們蒸發(fā))，從而在與坩堝相對放置的基板的陽極上形成空穴注入層。需要指出的是，使用2種以上的材料時，也可以將它們的混合物加入到坩堝中，對其加熱、使其蒸發(fā)而形成空穴注入層。在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，對于蒸鍍時的真空度沒有限制，通常為0.1×10-6torr(0.13×10-4pa)以上、且通常為9.0×10-6torr(12.0×10-4pa)以下。在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，對于蒸鍍速度沒有限制，通常為鐘以上、且通常為以下。在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，對于蒸鍍時的成膜溫度沒有限制，優(yōu)選在10℃以上、且優(yōu)選在50℃以下進行?？昭ㄗ⑷雽拥哪ず裢ǔ?nm以上、優(yōu)選為10nm以上，且通常為1000nm以下、優(yōu)選為500nm以下的范圍。需要說明的是，在空穴注入層中，相對于空穴注入性化合物，電子接受性化合物的含量通常為0.1摩爾％以上、優(yōu)選為1摩爾％以上，且通常為100摩爾％以下、優(yōu)選為40摩爾％以下。[4]空穴傳輸層對于存在空穴注入層的情況，空穴傳輸層可以形成在空穴注入層上；而對于不存在空穴注入層的情況，空穴傳輸層可以形成在陽極上。需要指出的是，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件也可以采取省略空穴傳輸層的結(jié)構(gòu)。作為形成空穴傳輸層的材料，優(yōu)選空穴傳輸能力高、且能夠有效傳輸注入的空穴的材料。因此，優(yōu)選電離電位低、對可見光表現(xiàn)出高度透明性、空穴遷移率大、穩(wěn)定性優(yōu)異、在制造或使用時不易產(chǎn)生會成為捕集器的雜質(zhì)的材料。并且，由于在多數(shù)情況下空穴傳輸層與發(fā)光層接觸，因此優(yōu)選不會將由發(fā)光層發(fā)出的光消光、不會因在其與發(fā)光層之間形成激基復(fù)合物(exciplex)而導(dǎo)致效率降低的材料。從上述觀點出發(fā)，作為空穴傳輸性化合物，尤其優(yōu)選本發(fā)明的共軛聚合物。而對于除了本發(fā)明的共軛聚合物以外的其它化合物用作空穴傳輸性化合物的情況，可以使用以往被用作空穴傳輸層的構(gòu)成材料的材料，作為以往使用的材料，可列舉例如上述中作為用于空穴注入層的空穴傳輸性化合物所例舉的材料。此外，還可列舉下述材料：以4,4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯為代表的包含2個以上叔氨基且氮原子上取代了2個以上稠合芳香族環(huán)的芳香族二胺(日本特開平5-234681號公報)、4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺等具有星型結(jié)構(gòu)的芳香族胺化合物(j.lumin.,72-74卷,985頁,1997年)、包含三苯基胺的四聚體的芳香族胺化合物(chem.commun.,2175頁,1996年)、2,2',7,7'-四(二苯基氨基)-9,9'-螺二芴等螺環(huán)化合物(synth.metals,91卷,209頁,1997年)、4,4'-n,n'-二咔唑聯(lián)苯等咔唑衍生物等。此外，還可以列舉例如聚乙烯基咔唑、聚乙烯基三苯基胺(日本特開平7-53953號公報)、含有四苯基聯(lián)苯胺的聚芳醚砜(polym.adv.tech.,7卷,33頁,1996年)等。利用濕式成膜形成空穴傳輸層時，與形成上述空穴注入層的情況相同，在制備空穴傳輸層形成用組合物之后進行涂布，然后對其進行加熱干燥。除了上述空穴傳輸性化合物以外，空穴傳輸層形成用組合物中還含有溶劑。所使用的溶劑與用于上述空穴注入層形成用組合物的溶劑相同。此外，涂布條件、加熱干燥條件等也與形成空穴注入層時相同。利用真空蒸鍍形成空穴傳輸層時，其成膜條件等也與形成上述空穴注入層時相同。除了上述空穴傳輸性化合物以外，空穴傳輸層中還可以含有各種發(fā)光材料、電子傳輸性化合物、粘合劑樹脂、涂布性改良劑等。此外，空穴傳輸層也可以是由交聯(lián)性化合物交聯(lián)而形成的層。交聯(lián)性化合物是具有交聯(lián)性基團的化合物，其通過交聯(lián)而形成聚合物。作為該交聯(lián)性基團的實例，可列舉氧雜環(huán)丁基、環(huán)氧等環(huán)狀醚；乙烯基、三氟乙烯基、苯乙烯基、丙烯?；?、甲基丙烯?；?、肉桂?；炔伙柡碗p鍵；苯并環(huán)丁烯基等。交聯(lián)性化合物可以是單體、低聚物、聚合物中的任一種。交聯(lián)性化合物可以僅具有1種，也可以以任意組合及比例具有2種以上。作為該交聯(lián)性基團的實例，可列舉氧雜環(huán)丁烷、環(huán)氧類等環(huán)狀醚；乙烯基、三氟乙烯基、苯乙烯基、丙烯?；⒓谆；⑷夤瘐；炔伙柡碗p鍵；苯并環(huán)丁烷等。作為交聯(lián)性化合物，優(yōu)選使用具有交聯(lián)性基團的空穴傳輸性化合物。作為空穴傳輸性化合物的實例，可列舉吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲繞啉衍生物、咔唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等含氮芳香族化合物衍生物；三苯基胺衍生物；噻咯(silole)衍生物；低聚噻吩衍生物、稠合多環(huán)芳香族衍生物、金屬絡(luò)合物等。其中，優(yōu)選吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲繞啉衍生物、咔唑衍生物等含氮芳香族衍生物；三苯基胺衍生物、噻咯衍生物、稠合多環(huán)芳香族衍生物、金屬絡(luò)合物等，尤其優(yōu)選三苯基胺衍生物。為了使交聯(lián)性化合物交聯(lián)而形成空穴傳輸層，通常要制備在溶劑中溶解或分散有交聯(lián)性化合物的空穴傳輸層形成用組合物，再利用濕式成膜進行涂布而使其交聯(lián)。除了交聯(lián)性化合物以外，空穴傳輸層形成用組合物中還可以包含用以促進交聯(lián)反應(yīng)的添加物。作為用以促進交聯(lián)反應(yīng)的添加物的實例，可列舉烷基苯基酮化合物、酰基氧化膦化合物、金屬茂化合物、肟酯化合物、偶氮化合物、鎓鹽等聚合引發(fā)劑及聚合促進劑；稠合多環(huán)烴、卟啉化合物、二芳基酮化合物等光增敏劑；等等。此外，還可以進一步含有流平劑、消泡劑等涂布性改良劑；電子接受性化合物；粘合劑樹脂；等等?？昭▊鬏攲有纬捎媒M合物中通常含有0.01重量％以上、優(yōu)選含有0.05重量％以上、更優(yōu)選含有0.1重量％以上，且通常含有50重量％以下、優(yōu)選含有20重量％以下、更優(yōu)選含有10重量％以下的交聯(lián)性化合物。將包含上述濃度的交聯(lián)性化合物的空穴傳輸層形成用組合物在下層(通常為空穴注入層)上成膜后，利用加熱和/或光等活化能照射使交聯(lián)性化合物交聯(lián)而獲得網(wǎng)狀高分子化合物。成膜時的溫度、濕度等條件與上述空穴注入層的濕式成膜時相同。對于成膜后的加熱方法并無特殊限制，作為實例，可列舉加熱干燥、減壓干燥等。作為加熱干燥時的加熱溫度條件，通常為120℃以上、優(yōu)選為400℃以下。作為加熱時間，通常為1分鐘以上、優(yōu)選為24小時以下。對于加熱方法并無特殊限制，可采用將具有成膜后的層的疊層體放置在熱板上、或在烘箱內(nèi)進行加熱等的方法。例如，可采用下述條件：在熱板上、120℃以上進行1分鐘以上的加熱等。利用光等活化能照射時，可列舉下述方法：直接使用超高壓水銀燈、高壓水銀燈、鹵素?zé)?、紅外燈等紫外/可見/紅外光源進行照射的方法，或使用內(nèi)置上述光源的掩模對準(zhǔn)機、輸送機型光照射裝置進行照射的方法等。對于利用光以外的其它活化能照射的情況，可列舉例如采用照射由磁控管產(chǎn)生的微波的裝置、所謂微波爐進行照射的方法。作為照射時間，優(yōu)選設(shè)定可使膜的溶解性降低的必要條件，但通常照射0.1秒鐘以上、優(yōu)選照射10小時以下。加熱及光等活化能照射可以分別獨立地進行，也可以組合進行。組合進行時，對于實施順序并無特殊限制。空穴傳輸層的膜厚通常為5nm以上、優(yōu)選為10nm以上，且通常為1000nm以下、優(yōu)選為500nm以下的范圍。[5]發(fā)光層對于存在空穴傳輸層的情況，發(fā)光層可以形成在空穴傳輸層上；對于不存在空穴傳輸層而存在空穴注入層的情況，發(fā)光層可以形成在空穴注入層上；對于不存在空穴傳輸層和空穴注入層的情況，發(fā)光層可以形成在陽極上。發(fā)光層可以是獨立于上述空穴注入層、空穴傳輸層、及后述的空穴阻擋層、電子傳輸層等的層；也可以不形成獨立的發(fā)光層，而是由空穴傳輸層、電子傳輸層等其它有機層起到發(fā)光層的作用。發(fā)光層是在賦予電場的電極間，在由陽極直接注入的空穴或經(jīng)由空穴注入層、空穴傳輸層等注入的空穴和由陰極直接注入的電子或經(jīng)由陰極緩沖層、電子傳輸層、空穴阻擋層等注入的電子之間發(fā)生再結(jié)合時受到激發(fā)而成為主要發(fā)光源的層。在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，發(fā)光層可以通過任意方法形成，例如，可通過濕式成膜法或真空蒸鍍法形成在陽極上。其中，對于制造大面積發(fā)光元件的情況，優(yōu)選采用濕式成膜法。作為濕式成膜法及真空蒸鍍法的方法，可采用與形成空穴注入層時相同的方法進行。發(fā)光層中至少含有具有發(fā)光性質(zhì)的材料(發(fā)光材料)，同時，還優(yōu)選含有具有空穴傳輸性質(zhì)的材料(空穴傳輸性化合物)、或具有電子傳輸性質(zhì)的材料(電子傳輸性化合物)。此外，在不脫離本發(fā)明的要點的范圍內(nèi)，發(fā)光層中還可以含有其它成分。從后述的利用濕式成膜法形成發(fā)光層的觀點考慮，這些材料均優(yōu)選使用低分子類材料。作為發(fā)光材料，可采用任意的公知材料。例如，可以是熒光發(fā)光材料，也可以是磷光發(fā)光材料，而從內(nèi)量子效率方面考慮，優(yōu)選磷光發(fā)光材料。需要說明的是，為了使在溶劑中的溶解性提高，下述方法也很重要：降低發(fā)光材料的分子對稱性及剛性、或者導(dǎo)入烷基等親油性取代基。以下，列舉發(fā)光材料中熒光色素的實例，但熒光色素并不限于下述實例。作為提供藍(lán)色發(fā)光的熒光色素(藍(lán)色熒光色素)，可列舉例如萘、苝、芘、蒽、香豆素、對二(2-苯基乙烯基)苯以及它們的衍生物等。作為提供綠色發(fā)光的熒光色素(綠色熒光色素)，可列舉例如喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、al(c9h6no)3等鋁絡(luò)合物等。作為提供黃色發(fā)光的熒光色素(黃色熒光色素)，可列舉例如紅熒烯、萘嘧啶酮衍生物等。作為提供紅色發(fā)光的熒光色素(紅色熒光色素)，可列舉例如dcm(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4h-pyran，4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(對二甲基氨基苯乙烯基)-4h-吡喃)類化合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并噻噸衍生物、氮雜苯并噻噸等。作為磷光發(fā)光材料，具體可列舉三(2-苯基吡啶)合銥、三(2-苯基吡啶)合釕、三(2-苯基吡啶)合鈀、雙(2-苯基吡啶)合鉑、三(2-苯基吡啶)合鋨、三(2-苯基吡啶)合錸、八乙基卟啉鉑、八苯基卟啉鉑、八乙基卟啉鈀、八苯基卟啉鈀等。作為高分子類發(fā)光材料，可列舉聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4’-(n-(4-仲丁基苯基))二苯基胺)]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(1,4-苯并-2{2,1’-3}-三唑)]等聚芴類材料、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己基氧)-1,4-亞苯基乙烯]等聚苯撐乙烯類材料。此外，還可以將本發(fā)明的共軛聚合物用作發(fā)光材料。在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，用作發(fā)光材料的化合物可以為任意分子量，但通常為10000以下、優(yōu)選為5000以下、更優(yōu)選為4000以下、進一步優(yōu)選為3000以下，且通常為100以上、優(yōu)選為200以上、更優(yōu)選為300以上、進一步優(yōu)選為400以上的范圍。如果發(fā)光材料的分子量過小，則可能導(dǎo)致耐熱性顯著降低、或成為產(chǎn)生氣體的原因、或者在形成膜時導(dǎo)致膜質(zhì)降低、或者可能會因遷移等引發(fā)有機場致發(fā)光元件的形態(tài)學(xué)變化。另一方面，如果發(fā)光材料的分子量過大，則可能會導(dǎo)致有機化合物的純化變得困難，或溶解在溶劑中時所需時間較長。需要說明的是，上述發(fā)光材料可單獨使用其中的任意1種，也可以以任意組合及比例組合使用2種以上。在不對本發(fā)明的效果造成顯著破壞的情況下，發(fā)光層中發(fā)光材料的比例優(yōu)選為0.05重量％以上、且優(yōu)選為35重量％以下。如果發(fā)光材料過少，可能引起發(fā)光不均；如果發(fā)光材料過多，則可能導(dǎo)致發(fā)光效率降低。需要指出的是，對于組合使用2種以上發(fā)光材料的情況，要使它們的總含量在上述范圍。作為低分子類空穴傳輸性化合物的實例，除了作為上述空穴傳輸層中的空穴傳輸性化合物列舉的各種化合物以外，還可以列舉如下：以4,4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯為代表的包含2個以上叔氨基且氮原子上取代了2個以上稠合芳香族環(huán)的芳香族二胺(日本特開平5-234681號公報)、4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺等具有星型結(jié)構(gòu)的芳香族胺化合物(journalofluminescence,1997年,vol.72-74,pp.985)、包含三苯基胺四聚體的芳香族胺化合物(chemicalcommunications,1996年,pp.2175)、2,2’,7,7’-四(二苯基氨基)-9,9’-螺二芴等螺環(huán)化合物(syntheticmetals,1997年,vol.91,pp.209)等。作為低分子類電子傳輸性化合物的實例，包括2,5-雙(1-萘基)-1,3,4-二唑(bnd)、2,5-雙(6’-(2’,2”-聯(lián)吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(pypyspypy)、4,7-二苯基-1,10-菲繞啉(bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲繞啉(bcp，浴銅靈)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(對叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(tbu-pbd)、4,4’-雙(9-咔唑)聯(lián)苯(cbp)、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)等。這些空穴傳輸性化合物、電子傳輸性化合物優(yōu)選在發(fā)光層中作為主體材料使用。作為主體材料的具體實例，可列舉日本特開2007-067383號公報、日本特開2007-88433號公報、日本特開2007-110093號公報中記載的材料，其優(yōu)選實例也相同。作為發(fā)光層的形成方法，可列舉濕式成膜法、真空蒸鍍法，但如上所述，考慮到易于獲得均質(zhì)且無缺陷的薄膜方面、在短時間內(nèi)即可形成方面、以及能夠利用本發(fā)明的有機化合物獲得空穴傳輸層的不溶化的效果方面，則優(yōu)選濕式成膜法。利用濕式成膜法形成發(fā)光層時，可通過下述方法形成：將上述材料溶解在適當(dāng)溶劑中以制備涂布溶液，將該溶液涂布在上述形成后的空穴傳輸層上進行成膜，再干燥除去溶劑，從而形成發(fā)光層。作為其形成方法，與上述空穴傳輸層的形成方法相同。發(fā)光層的膜厚通常為3nm以上、優(yōu)選為5nm以上，且通常為300nm以下、優(yōu)選為100nm以下的范圍。[6]空穴阻擋層在圖1中，空穴阻擋層被設(shè)置在發(fā)光層與電子傳輸層之間，該空穴阻擋層也可以省略?？昭ㄗ钃鯇盈B層在發(fā)光層上并與發(fā)光層的陰極側(cè)界面相接，且由下述化合物形成，所述化合物具有阻擋從陽極遷移而來的空穴到達陰極的作用、并能夠有效地向發(fā)光層方向傳輸由陰極注入的電子。作為構(gòu)成空穴阻擋層的材料所要求的物性，可列舉：電子遷移率高且空穴遷移率低、禁帶寬度(homo、lumo之差)大、三重激發(fā)態(tài)能級(t1)高。作為滿足上述條件的空穴阻擋材料，可列舉雙(2-甲基-8-羥基喹啉)、苯酚鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)、(三苯基酚)鋁等混合配位絡(luò)合物，雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁-μ-氧-雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁雙核金屬絡(luò)合物等金屬絡(luò)合物，二苯乙烯基聯(lián)苯衍生物等苯乙烯基化合物(日本特開平11-242996號公報)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本特開平7-41759號公報)、浴銅靈等菲繞啉衍生物(日本特開平10-79297號公報)。此外，作為空穴阻擋材料，還優(yōu)選使用國際公開第2005-022962號小冊子中記載的至少具有1個2,4,6位被取代的吡啶環(huán)的化合物。具體可列舉下述記載的化合物。[化學(xué)式41]空穴阻擋層也可以與空穴注入層、發(fā)光層相同地利用濕式成膜法形成，但通常采用真空蒸鍍法形成。真空蒸鍍法的具體順序與后述電子注入層的情況相同。空穴阻擋層的膜厚通常為0.5nm以上、優(yōu)選為1nm以上，且通常為100nm以下、優(yōu)選為50nm以下。[7]電子傳輸層為了進一步提高元件的發(fā)光效率，在發(fā)光層與電子注入層之間設(shè)置電子傳輸層。電子傳輸層由下述化合物形成，所述化合物能夠在提供電場的電極間有效地向發(fā)光層方向傳輸由陰極注入的電子。作為用于電子傳輸層的電子傳輸性化合物，必須為對于來自陰極或電子注入層的電子注入效率高、并且具有高電子遷移率、能夠有效地對注入的電子進行傳輸?shù)幕衔?。作為滿足上述條件的材料，可列舉：8-羥基喹啉的鋁絡(luò)合物等金屬絡(luò)合物(日本特開昭59-194393號公報)、10-羥基苯并[h]喹啉的金屬絡(luò)合物、二唑衍生物、二苯乙烯基聯(lián)苯衍生物、噻咯衍生物、3-或5-羥基黃酮金屬絡(luò)合物、苯并唑金屬絡(luò)合物、苯并噻唑金屬絡(luò)合物、三苯并咪唑基苯(美國專利第5,645,948號說明書)、喹喔啉化合物(日本特開平6-207169號公報)、菲繞啉衍生物(日本特開平5-331459號公報)、2-叔丁基-9,10-n,n’-二氰基蒽醌二亞胺、n型氫化非晶質(zhì)碳化硅、n型硫化鋅、n型硒化鋅等。電子傳輸層的膜厚的下限通常為1nm、優(yōu)選為5nm左右；其上限通常為300nm、優(yōu)選為100nm左右。與上述相同，電子傳輸層可通過利用濕式成膜法或真空蒸鍍法疊層于空穴阻擋層上而形成。通常采用的是真空蒸鍍法。[8]電子注入層電子注入層所起的作用是：將由陰極注入的電子有效地注入到電子傳輸層或發(fā)光層中。為使電子注入有效進行，用來形成電子注入層的材料優(yōu)選為功函數(shù)低的金屬。作為其實例，可使用鈉或銫等堿金屬、鋇或鈣等堿土金屬等。其膜厚通常優(yōu)選為0.1nm以上、5nm以下。此外，通過向以后述4,7-二苯基-1,10-菲繞啉等含氮雜環(huán)化合物或8-羥基喹啉的鋁絡(luò)合物等金屬絡(luò)合物為代表的有機電子傳輸材料中摻雜鈉、鉀、銫、鋰、銣等堿金屬(記載于日本特開平10-270171號公報、日本特開2002-100478號公報、日本特開2002-100482號公報等中)，能夠同時實現(xiàn)電子注入/傳輸性的提高和優(yōu)異的膜質(zhì)，故優(yōu)選。此時的膜厚通常為5nm以上、優(yōu)選為10nm以上，且通常為200nm以下、優(yōu)選為100nm以下的范圍。電子注入層可通過利用濕式成膜法或真空蒸鍍法疊層在發(fā)光層或發(fā)光層上的空穴阻擋層上而形成。采用濕式成膜法時的具體操作與空穴注入層及發(fā)光層的情況相同。另一方面，采用真空蒸鍍法時，向設(shè)置于真空容器內(nèi)的坩堝或金屬舟皿中加入蒸鍍源，利用適當(dāng)?shù)恼婵毡脤⒄婵杖萜鲀?nèi)排氣至10-4pa左右，然后加熱坩堝或金屬舟皿使其蒸發(fā)，從而在與坩堝或金屬舟皿相對放置的基板上的發(fā)光層、空穴阻擋層或電子傳輸層上形成電子注入層。作為電子注入層的堿金屬的蒸鍍可采用堿金屬給料器進行，在所述堿金屬給料器中，將堿金屬鉻酸鹽和還原劑填充到鎳鉻合金中。通過在真空容器內(nèi)對該給料器進行加熱，堿金屬鉻酸鹽被還原而使堿金屬蒸發(fā)。對有機電子傳輸材料和堿金屬進行共蒸鍍時，將有機電子傳輸材料加入到設(shè)置在真空容器內(nèi)的坩堝中，利用適當(dāng)?shù)恼婵毡脤⒄婵杖萜鲀?nèi)排氣至10-4pa左右，然后同時對各個坩堝及給料器進行加熱，使其蒸發(fā)，從而在與坩堝及給料器相對放置的基板上形成電子注入層。此時，沿電子注入層的膜厚方向進行了均勻的共蒸鍍，但在膜厚方向也可以具有濃度分布。[9]陰極陰極所起的作用是向發(fā)光層側(cè)的層(電子注入層或發(fā)光層等)注入電子。作為陰極材料，可使用在上述陽極中使用的材料，但為使電子注入有效進行，優(yōu)選功函數(shù)低的金屬，可使用錫、鎂、銦、鈣、鋁、銀等適當(dāng)?shù)慕饘倩蛩鼈兊暮辖稹Ｗ鳛榫唧w實例，可列舉鎂-銀合金、鎂-銦合金、鋁-鋰合金等低功函數(shù)合金電極。陰極的膜厚通常與陽極相同。為了保護由低功函數(shù)金屬構(gòu)成的陰極，優(yōu)選在其上進一步疊層功函數(shù)高且對大氣穩(wěn)定的金屬層，這是由于，疊層這樣的金屬層時，可增強元件的穩(wěn)定性。針對該目的，可使用鋁、銀、銅、鎳、鉻、金、鉑等金屬。[10]其它以上，以具有圖1所示的層結(jié)構(gòu)的有機場致發(fā)光元件為例進行了說明，但在不脫離本發(fā)明的要點的范圍內(nèi)，本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件也可以具有其它結(jié)構(gòu)。例如，在不破壞其性能的情況下，在陽極與陰極之間可以具有除了上述說明的層以外的任意其它層，此外，還可以省略任意層。需要說明的是，在本發(fā)明中，通過在空穴傳輸層中使用本發(fā)明的共軛聚合物，可利用濕式成膜法將空穴注入層、空穴傳輸層及發(fā)光層全部疊層形成。由此，可實現(xiàn)大面積顯示器的制造。另外，也可以采取與圖1相反的結(jié)構(gòu)，即，在基板上依次疊層陰極、電子注入層、發(fā)光層、空穴注入層、陽極；還可以如上所述地使至少一種情況采取下述結(jié)構(gòu)：將本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件設(shè)置在透明性高的2片基板間的結(jié)構(gòu)。此時也同樣可以與圖1所示的上述各層結(jié)構(gòu)相反地疊層。此外，還可以制成由多級圖1所示的層結(jié)構(gòu)疊層而成的結(jié)構(gòu)(疊層了多個發(fā)光單元的結(jié)構(gòu))。此時，使用例如v2o5等代替各級之間(發(fā)光單元之間)的界面層(陽極為ito、陰極為al時，界面層為這2層)作為電荷發(fā)生層(cgl)時，能夠減少各級之間的勢壘(障壁)，從發(fā)光效率、驅(qū)動電壓角度考慮更為優(yōu)選。本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件無論是作為單一元件、由設(shè)置為陣列狀的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的元件、還是陽極和陰極被設(shè)置成x-y矩陣狀結(jié)構(gòu)的元件，均可適用。<有機el顯示器及有機el照明>本發(fā)明的有機el顯示器及有機el照明中使用了如上所述的本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件。對于本發(fā)明的有機el顯示器的類型及結(jié)構(gòu)并無特殊限制，可按照常規(guī)方法使用本發(fā)明的有機場致發(fā)光元件裝配而成。例如，可采用《有機el顯示器》(日本ohm公司，平成16年8月20日出版，時任靜士、安達千波矢、村田英幸著)中記載的方法來形成本發(fā)明的有機el顯示器及有機el照明。實施例接著，通過實施例對本發(fā)明進行更為詳細(xì)的說明，但在不超出本發(fā)明的主旨的范圍，本發(fā)明并不限定于下述實施例中的記載。(合成例1)[化學(xué)式42]將氟化鉀(23.01g)加入到反應(yīng)容器中，在減壓下重復(fù)進行加熱干燥和氮氣置換，以使體系內(nèi)部呈氮氣氛圍。加入3-硝基苯基硼酸(6.68g)、4-溴苯并環(huán)丁烯(7.32g)、無水四氫呋喃(50ml)，進行攪拌。向其中添加三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.21g)，并進一步對體系內(nèi)部進行氮氣置換，在室溫下添加三叔丁基膦(0.47g)，添加結(jié)束之后，繼續(xù)攪拌1小時。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中添加水，用乙酸乙酯進行萃取。對得到的有機層進行2次水洗，加入硫酸鈉進行脫水干燥，并進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(己烷/乙酸乙酯)對粗產(chǎn)物進行純化，得到目標(biāo)物1(8.21g)。(合成例2)[化學(xué)式43]將目標(biāo)物1(8.11g)、36ml四氫呋喃、36ml乙醇、10％pd/c(1.15g)進行混合，在70℃進行加熱攪拌。向其中緩慢滴加肼一水合物(10.81g)。反應(yīng)2小時后，自然冷卻，利用硅藻土過濾反應(yīng)液，并對濾液進行濃縮。向該濾液中添加乙酸乙酯，用水進行洗滌，并對有機層進行濃縮。利用柱色譜法(己烷/乙酸乙酯)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物2(4.90g)。(合成例3)[化學(xué)式44]在氮氣流中將n,n’-二甲基甲酰胺(400ml)加入到芘(10.11g)中，利用冰浴冷卻至0℃的同時進行攪拌，并滴加溶解在50ml的n,n’-二甲基甲酰胺中的溴(15.18g)。升溫至室溫并進行8小時攪拌，然后放置一晚。過濾得到析出的結(jié)晶，對該結(jié)晶進行乙醇懸浮洗滌，并利用甲苯進行重結(jié)晶，由此得到目標(biāo)物3(5.8g)。(合成例4)[化學(xué)式45]將2-硝基芴(25.0g)、1-溴己烷(58.61g)、溴化四丁銨(7.63g)、二甲亞砜(220ml)進行混合，并向其中緩慢滴加17m氫氧化鈉水溶液(35ml)，在室溫下進行3小時反應(yīng)。向反應(yīng)液中添加乙酸乙酯(200ml)及水(100ml)并進行攪拌，然后進行分液，用乙酸乙酯萃取水層，合并有機層并用硫酸鎂進行干燥，然后進行濃縮。利用柱色譜法(己烷/乙酸乙酯)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物4(44.0g)。(合成例5)[化學(xué)式46]向目標(biāo)物4(44.0g)、四氫呋喃(120ml)、乙醇(120ml)中添加10％pd/c(8.6g)，在50℃進行加熱攪拌。向其中緩慢滴加肼一水合物(58.0g)，并在該溫度下進行3小時反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻，進行利用硅藻土的減壓過濾，對濾液進行濃縮，將殘渣添加到甲醇中，過濾收集結(jié)晶析出的結(jié)晶并進行干燥，由此得到目標(biāo)物5(34.9g)。(合成例6)[化學(xué)式47]加入50％氫氧化鈉水溶液(300g)和己烷(250ml)的混合溶液，并向其中添加溴化四丁銨(4.98g)。將混合物冷卻至5℃后，進行劇烈攪拌的同時滴加氧雜環(huán)丁烷(31g)與1,4-二溴丁烷(200g)的混合物。滴加結(jié)束后，利用15分鐘使溫度達到室溫，并進行15分鐘攪拌，將反應(yīng)液放置在80℃的油浴中，自回流開始進行15分鐘攪拌，撤去油浴，再攪拌15分鐘。將反應(yīng)液直接轉(zhuǎn)移至分液漏斗中，分離有機層，對有機層進行水洗之后利用硫酸鎂進行干燥，減壓除去溶劑，并進行減壓蒸餾(0.42mmhg、72℃)，從而得到目標(biāo)物6(52.2g)。(合成例7)[化學(xué)式48]在氮氣流中將經(jīng)過粉碎的氫氧化鉀(8.98g)加入到二甲亞砜(50ml)溶液中，再添加間溴苯酚(6.92g)并進行30分鐘攪拌，然后添加目標(biāo)物6(12.33g)，在室溫進行6小時攪拌。過濾收集析出物后，利用二氯甲烷進行萃取，并對有機層進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(己烷/二氯甲烷)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物7(11.4g)。(合成例8)[化學(xué)式49]在氮氣流中加入目標(biāo)物7(10.0g)、聯(lián)硼酸頻那醇酯(10.8g)、乙酸鉀(10.13g)、二甲亞砜(150ml)，加熱至60℃后進行30分鐘攪拌，再添加(雙二苯膦基二茂鐵)二氯化鈀絡(luò)合物(0.74g)，于80℃進行6小時反應(yīng)。反應(yīng)后，自然冷卻至室溫，向反應(yīng)液中添加甲苯(100ml)及水(120ml)并進行攪拌，然后進行分液，用甲苯萃取水層，合并有機層并用硫酸鎂進行干燥，然后進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(正己烷/乙酸乙酯)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物8(7.9g)。(合成例9)[化學(xué)式50]在氮氣流中加入目標(biāo)物8(7.9g)、3-溴苯胺(3.47g)、甲苯:乙醇(60ml:30ml)、2m碳酸鈉水溶液(20ml)，加熱至60℃并進行30分鐘攪拌，對體系內(nèi)部進行脫氣后，添加四(三苯基膦)合鈀(0.7g)，并進行6小時回流。自然冷卻至室溫后，向反應(yīng)液中添加甲苯(100ml)及水(120ml)并進行攪拌，然后進行分液，用甲苯萃取水層，合并有機層并用硫酸鎂進行干燥，然后進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(正己烷/乙酸乙酯)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物9(3.8g)。(合成例10)[化學(xué)式51]在氮氣流中加入3-溴苯乙烯(5.0g)、3-硝基苯基硼酸(5.5g)、甲苯:乙醇(80ml:40ml)、2m碳酸鈉水溶液(20ml)，加熱至60℃并進行30分鐘攪拌，然后進行脫氣。添加四(三苯基膦)合鈀(0.95g)，并進行6小時回流。自然冷卻至室溫后，向反應(yīng)液中添加二氯甲烷(100ml)及水(100ml)并進行攪拌，然后進行分液，用二氯甲烷萃取水層，合并有機層并用硫酸鎂進行干燥，然后進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(正己烷/二氯甲烷)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物10(5.5g)。(合成例11)[化學(xué)式52]在氮氣流中加入目標(biāo)物10(2.5g)、乙酸(60ml)、乙醇(60ml)、1n鹽酸(2ml)、水(8ml)及還原鐵(12.4g)，并進行1小時加熱回流。在室溫下將反應(yīng)液過濾，添加乙酸乙酯(100ml)及水(100ml)并進行攪拌，然后用碳酸氫鈉飽和水溶液進行中和，再進行分液，用乙酸乙酯萃取水層，合并有機層并用硫酸鎂進行干燥，然后進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(正己烷/乙酸乙酯)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物11(2.1g)。(合成例12)[化學(xué)式53]加入4-正辛基苯胺(3.71g、18.1mmol)、合成例2中獲得的目標(biāo)物2(0.90g、4.5mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(3.53g、11.3mmol)、及叔丁氧基鈉(6.95g、72.3mmol)、甲苯(51ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.23g、0.2mmol)的15ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.37g、1.8mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(3.31g、10.6mmol)。由于在進行1小時加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.07g、0.2mmol)，該追加分三次(共計0.21g)進行，每次相隔40分鐘。將全部4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，然后將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物1結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物1溶解在180ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.71g、4.5mmol)、叔丁氧基鈉(3.5g、36.4mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.12g、0.1mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.18g、0.9mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(3.82g、22.6mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行8小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而獲得了末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物1。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物1溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物12(0.7g)。重均分子量(mw)＝63900數(shù)均分子量(mn)＝40300分散度(mw/mn)＝1.59(合成例13)[化學(xué)式54]加入4-正辛基苯胺(1.31g、6.4mmol)、合成例2中獲得的目標(biāo)物2(0.31g、1.6mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(1.25g、4.0mmol)、及叔丁氧基鈉(2.88g、30.0mmol)、甲苯(20ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.09g、0.0088mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.129g、0.064mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加合成例3中得到的目標(biāo)物3(1.305g、4.0mmol)，并進行1小時的加熱回流反應(yīng)。由于確認(rèn)到了聚合開始，因此追加合成例3中獲得的目標(biāo)物3(0.013g、0.04mmol)，該追加分四次(共計0.52g)進行，每次相隔1小時。將全部目標(biāo)物3添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到200ml甲醇中，由此，粗聚合物2結(jié)晶析出。將所得粗聚合物2溶解在150ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.25g、1.6mmol)、叔丁氧基鈉(0.77g、8mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.066g、0.0064mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.016g、0.008mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(1.35g、8mmol)，繼續(xù)進行4小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到甲醇中，從而獲得末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物2。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物2溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物13(0.53g)。重均分子量(mw)＝39700數(shù)均分子量(mn)＝17600分散度(mw/mn)＝2.26(合成例14)[化學(xué)式55]加入合成例5中得到的目標(biāo)物5(3.64g、10.4mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.51g、2.6mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(2.03g、13mmol)、及叔丁氧基鈉(2.88g、30.0mmol)、甲苯(20ml)，并對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.148g、0.0143mmol)的15ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.210g、0.104mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(1.91g、6.1mmol)。由于在進行1小時加熱回流后確認(rèn)到聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.041g、0.13mmol)并繼續(xù)進行1小時加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到200ml甲醇中，由此，粗聚合物3結(jié)晶析出。將所得粗聚合物3溶解在200ml甲苯中，并向其中加入溴苯(2.04g、13mmol)、叔丁氧基鈉(1.50g、16mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.108g、10.4mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.026g、13mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(3.82g、22.6mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行8小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到甲醇中，從而獲得了末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物3。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物3溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物14(1.01g)。重均分子量(mw)＝43300數(shù)均分子量(mn)＝36400分散度(mw/mn)＝1.19(合成例15)[化學(xué)式56]加入4-正辛基苯胺(2.96g、14.42mmol)、合成例9中得到的目標(biāo)物9(0.547g、1.603mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(2.5g、8.013mmol)、及叔丁氧基鈉(4.93g、51.28mmol)、甲苯(50ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.166g、0.16mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.26g、1.3mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(2.35g、7.532mmol)。由于在進行1小時加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.05g、0.16mmol)，該追加分3次(共計0.15g)進行，每次相隔40分鐘。將全部4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物4結(jié)晶析出。將所得粗聚合物4溶解在110ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.24g、1.539mmol)、叔丁氧基鈉(4.7g、49.25mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.32g、0.31mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.25g、1.23mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(0.52g、3.08mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行6小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而獲得了末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物4。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物4溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物15(0.5g)。重均分子量(mw)＝40400數(shù)均分子量(mn)＝26700分散度(mw/mn)＝1.51(合成例16)[化學(xué)式57]加入4-正辛基苯胺(4.18g、20.3mmol)、合成例9中得到的目標(biāo)物9(0.77g、2.3mmol)、4,4’-二溴茋(3.71g、11.3mmol)、及叔丁氧基鈉(6.95g、72.3mmol)、甲苯(120ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.06g、0.06mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.33g、0.45mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行3小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴茋(3.49g、10.6mmol)。由于在進行1.5小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴茋(0.07g、0.2mmol)，該追加分三次進行，每次相隔1.5小時。將全部4,4’-二溴茋添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物5結(jié)晶析出。將所得粗聚合物5溶解在180ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.71g、4.5mmol)、叔丁氧基鈉(3.5g、36.4mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.12g、0.1mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.18g、0.9mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(3.82g、22.6mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行8小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而獲得了末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物5。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物5溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物5溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物16(1.8g)。重均分子量(mw)＝42000數(shù)均分子量(mn)＝23300分散度(mw/mn)＝1.80(合成例17)[化學(xué)式58]加入合成例5中得到的目標(biāo)物5(7.5g、21.5mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.22g、1.1mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(3.53g、11.3mmol)、及叔丁氧基鈉(6.95g、72.3mmol)、甲苯(120ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.06g、0.06mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.33g、0.45mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行3小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(3.31g、10.6mmol)。由于在進行1.5小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.07g、0.2mmol)，該追加分三次進行，每次相隔1.5小時。將全部4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物6結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物6溶解在180ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.71g、4.5mmol)、叔丁氧基鈉(3.5g、36.4mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.12g、0.1mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.18g、0.9mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(3.82g、22.6mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行8小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而獲得了末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物6。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物6溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物6溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物17(1.2g)。重均分子量(mw)＝35000數(shù)均分子量(mn)＝19000分散度(mw/mn)＝1.84(合成例18)[化學(xué)式59]加入4-正辛基苯胺(2.285g、11.13mmol)、合成例9中得到的目標(biāo)物9(0.2g、0.59mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(1.83g、5.86mmol)、及叔丁氧基鈉(3.6g、37.49mmol)、甲苯(20ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.12g、0.12mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.189g、0.94mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(1.72g、5.51mmol)。由于在進行1小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.036g、0.12mmol)，該追加分三次(共計0.11g)進行，每次相隔40分鐘。將全部4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物7結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物7溶解在110ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.39g、2.48mmol)、叔丁氧基鈉(3.8g、39.74mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.13g、0.12mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.2g、0.99mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(2.1g、12.4mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行6小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而得到末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物7。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物7溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物18(0.84g)。重均分子量(mw)＝51600數(shù)均分子量(mn)＝26500分散度(mw/mn)＝1.95(合成例19)[化學(xué)式60]加入4-正辛基苯胺(1.798g、8.755mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.090g、0.461mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(1.438g、4.609mmol)、及叔丁氧基鈉(2.83g、29.4mmol)、甲苯(25ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.095g、0.092mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.149g、0.736mmol)，加溫至60℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(1.351g、4.330mmol)。由于在進行1小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.030g、0.096mmol)。將4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到200ml乙醇中，由此，粗聚合物8結(jié)晶析出。將所得粗聚合物8溶解在120ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.289g、1.84mmol)、叔丁氧基鈉(1.41g、14.7mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.048g、0.046mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.075g、0.353mmol)，加溫至60℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(1.528g、9.030mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行5小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇(300ml)溶液中，從而得到末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物8。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物8溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物19(0.37g)。重均分子量(mw)＝46500數(shù)均分子量(mn)＝28300分散度(mw/mn)＝1.64(合成例20)[化學(xué)式61]加入合成例5中得到的目標(biāo)物5(7.5g、21.5mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.22g、1.1mmol)、4,4’-二溴茋(3.82g、11.3mmol)、及叔丁氧基鈉(6.95g、72.3mmol)、甲苯(120ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.06g、0.06mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.33g、0.45mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行3小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(3.31g、10.6mmol)。由于在進行1.5小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.07g、0.2mmol)，該追加分三次進行，每次相隔1.5小時。將全部4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物9結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物9溶解在180ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.71g、4.5mmol)、叔丁氧基鈉(3.5g、36.4mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.12g、0.1mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.18g、0.9mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(3.82g、22.6mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行8小時加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而得到末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物9。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物9溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物9溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物20(0.9g)。重均分子量(mw)＝60000數(shù)均分子量(mn)＝27000分散度(mw/mn)＝2.22(合成例21)[化學(xué)式62]加入合成例5中得到的目標(biāo)物5(2.99g、8.6mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.09g、0.5mmol)、2,7-二溴-9,9-二己基芴(2.22g、4.5mmol)、及叔丁氧基鈉(3.24g、34.0mmol)、甲苯(20ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至60℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.10g、0.01mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.146g、7.2mmol)，加溫至60℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加2,7-二溴-9,9-二己基芴(2.08g、4.2mmol)。由于在進行1小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加2,7-二溴-9,9-二己基芴(0.044g、0.1mmol)，該追加分三次(共計0.13g)進行，每次相隔1小時。將全部2,7-二溴-9,9-二己基芴添加完畢后，繼續(xù)進行2小時加熱回流反應(yīng)，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml甲醇中，由此，粗聚合物10結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物10溶解在150ml甲苯中，并向其中加入溴苯(1.41g、9mmol)、叔丁氧基鈉(1.04g、11mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.075g、0.0072mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.016g、0.9mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(1.52g、9mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行4小時加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到甲醇中，從而得到末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物10。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物10溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物21(0.87g)。重均分子量(mw)＝39000數(shù)均分子量(mn)＝24400分散度(mw/mn)＝1.60(合成例22)[化學(xué)式63]加入合成例5中得到的目標(biāo)物5(2.63g、7.532mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.047g、0.2404mmol)、合成例11中得到的目標(biāo)物11(0.047g、0.2404mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(1.25g、4.0mmol)及叔丁氧基鈉(2.9g、30.45mmol)、甲苯(20ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.083g、0.0801mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.13g、0.64mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(1.175g、3.77mmol)。由于在進行2小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.025g、0.08mmol)。然后，進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物11結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物11(4.1g、8.36mmol)溶解在110ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.26g、1.76mmol)、叔丁氧基鈉(3.1g、31.77mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.173g、0.167mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.135g、0.669mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(1.4g、8.36mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行6小時加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而得到末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物11。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物11溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物22(0.91g)。重均分子量(mw)＝31300數(shù)均分子量(mn)＝15100分散度(mw/mn)＝2.07(合成例23)[化學(xué)式64]加入4-正辛基苯胺(3.0g、14.6mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(2.28g、7.3mmol)及叔丁氧基鈉(4.49g、46.8mmol)、甲苯(33ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.151g、0.146mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.24g、1.17mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(2.14g、6.9mmol)。由于在進行2小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.05g、0.2mmol)，該追加分三次進行，每次相隔1小時。然后，進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到200ml乙醇中，由此，目標(biāo)物23結(jié)晶析出。重均分子量(mw)＝59000數(shù)均分子量(mn)＝30800分散度(mw/mn)＝1.92(合成例24)[化學(xué)式65]加入苯胺(1.98g、21.3mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.22g、1.1mmol)、2,7-二溴-9,9-二己基芴(5.52g、11.2mmol)、及叔丁氧基鈉(6.90g、71.8mmol)、甲苯(51ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.23g、0.2mmol)的15ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.37g、1.8mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(3.29g、10.5mmol)。由于在進行1小時的加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.07g、0.2mmol)，該追加分三次(共計0.21g)進行，每次相隔1小時。將全部4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行30分鐘加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到乙醇水溶液(乙醇300ml+水50ml)中，由此，粗聚合物12結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物12溶解在140ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.70g、4.5mmol)、叔丁氧基鈉(3.45g、35.9mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.11g、0.1mmol)的8ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.19g、0.9mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(3.80g、22.5mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行6小時加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇水溶液(乙醇300ml+水50ml)中，從而得到末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物12。將該末端殘基經(jīng)過了封端的粗聚合物12溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行2次純化，從而得到目標(biāo)物24(1.38g)。重均分子量(mw)＝67850數(shù)均分子量(mn)＝35400分散度(mw/mn)＝1.92(合成例25)[化學(xué)式66]將9,9-二己基芴-2,7-二硼酸(3.0g、7.1mmol)、4-溴代碘苯(4.42g、15.6mmol)、甲苯(45ml)、乙醇(45ml)加入到反應(yīng)容器中，在減壓下重復(fù)進行氮氣置換，以使體系內(nèi)部呈氮氣氛圍。進一步對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，添加四(三苯基膦)合鈀(0.54g、0.5mmol)，再添加經(jīng)過了脫氣處理的碳酸鈉(4.52g、43mmol)水溶液(22ml)后，進行6小時反應(yīng)。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中添加水，并用甲苯進行萃取。對所得有機層進行2次水洗，加入硫酸鈉進行脫水干燥，并進行濃縮。利用正己烷對粗產(chǎn)物進行清洗，并用硅膠柱色譜法(己烷/二氯甲烷)對其進行純化，再進行二氯甲烷/甲醇懸浮洗滌，得到目標(biāo)物25(3.15g)。(合成例26)[化學(xué)式67]加入苯胺(0.951g、10.2mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.125g、0.642mmol)、合成例25中得到的目標(biāo)物25(3.50g、5.43mmol)、及叔丁氧基鈉(3.34g、34.8mmol)、甲苯(25ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.11g、0.11mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.18g、0.87mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1.5小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加目標(biāo)物25(3.22g、5.00mmol)。由于在進行2小時加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加目標(biāo)物25(0.07g、0.11mmol)。繼續(xù)進行2小時加熱回流后，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到乙醇(250ml)中，由此，粗聚合物13結(jié)晶析出。將得到的粗聚合物13溶解在200ml甲苯中，并向其中加入溴苯(0.34g、2.1mmol)、叔丁氧基鈉(3.34g、34.8mmol)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換之后，加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.06g、0.06mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.09g、0.48mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2.5小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(1.84g、10.9mmol)的甲苯(2ml)溶液以及再次制備的溶液d，繼續(xù)進行6小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻并蒸餾除去甲苯后，滴加到乙醇(300ml)中，從而得到粗聚合物13。將該粗聚合物13溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行3次純化，從而得到目標(biāo)物26(3.59g)。重均分子量(mw)＝67850數(shù)均分子量(mn)＝35400分散度(mw/mn)＝1.92將上述目標(biāo)物12～26中符合下述結(jié)構(gòu)的目標(biāo)物的重均分子量(mw)及分散度(mw/mn)歸納于表1中。[化學(xué)式68][表1](合成例27)[化學(xué)式69]在通以氮氣的200ml四頸燒瓶中加入二氯二乙腈鈀(ii)(212mg、0.03當(dāng)量)及碘化銅(104mg、0.02當(dāng)量)，再向其中添加預(yù)先經(jīng)過了氮氣鼓泡而脫氣的二噁烷75ml，并進行攪拌。向該溶液中添加三叔丁基膦(331mg、0.06當(dāng)量)，并在室溫下攪拌15分鐘。向該溶液中添加二異丙基胺(3.31g、1.2當(dāng)量)、4-溴苯并環(huán)丁烯5.00g(1.0當(dāng)量)、及1,7-辛二炔20.3g(7.0當(dāng)量)，并使其在室溫下進行9小時反應(yīng)。在400pa的減壓下、浴溫60℃中將所得反應(yīng)混合物中的低沸點成分蒸餾除去，然后添加50ml飽和食鹽水、5ml的1n鹽酸，用乙酸乙酯(30ml)萃取3次，并用飽和食鹽水(30ml)對所得乙酸乙酯層進行2次洗滌。對乙酸乙酯層進行濃縮，得到粗成生物(7.7g)。利用硅膠柱色譜法(溶劑：正己烷/乙酸乙酯混合溶劑)對該粗產(chǎn)物進行純化，從而得到2.78g(收率48.9％、經(jīng)氣相色譜法分析得到的純度為95.4％)目標(biāo)物27的無色油狀物。(合成例28)[化學(xué)式70]在通以氮氣的100ml四頸燒瓶中加入間碘硝基苯(3.64g、1.1當(dāng)量)、碳酸鉀(5.06g、2.75當(dāng)量)、碘化銅(111mg、0.044當(dāng)量)、三苯基膦307mg(0.088當(dāng)量)、5％pd/c623mg(以pd計，為0.022當(dāng)量)，再向其中添加預(yù)先鼓入氮氣而脫氣的二甲氧基乙烷/水＝1/1(體積比)的混合溶劑95ml，并于室溫進行1小時攪拌。向該溶液中添加將目標(biāo)物27(2.77g、1.0當(dāng)量)溶解在2ml二甲氧基乙烷中而得到的溶液，在70℃的浴(內(nèi)溫為63℃)中進行7小時加熱反應(yīng)。通過硅藻土對所得反應(yīng)混合物進行過濾，然后用蒸發(fā)器進行濃縮，再添加25ml的1n鹽酸，用乙酸乙酯(30ml)進行3次萃取，并用飽和食鹽水(20ml)對所得乙酸乙酯層進行3次洗滌。對乙酸乙酯層進行濃縮，并用乙酸乙酯-正己烷的混合溶劑對所得粗產(chǎn)物進行重結(jié)晶，從而得到2.50g(收率57.1％，經(jīng)液相色譜法分析得到的純度為99.5％)目標(biāo)物28的極淺黃色的針狀晶體。(合成例29)[化學(xué)式71]向100ml梨形燒瓶中添加目標(biāo)物28(2.31g)、15ml四氫呋喃及15ml乙醇，使其溶解。向該溶液中添加雷內(nèi)鎳1.07g(nikkorica公司制造、r-200)作為加氫催化劑，用氫氣進行3次置換后，在氫氣中、室溫下進行35小時反應(yīng)。通過硅藻土對所得反應(yīng)液進行過濾并進行濃縮，得到2.8g粗產(chǎn)物。用硅膠柱色譜法(溶劑：正己烷/乙酸乙酯混合溶劑)純化該粗產(chǎn)物，從而得到1.72g(收率80.1％，經(jīng)液相色譜法分析得到的純度為99.1％)目標(biāo)物29的白色針狀晶體。(合成例30)[化學(xué)式72]使目標(biāo)物10(2.8g)、4-溴苯并環(huán)丁烯(3.65g)、碳酸鉀(2.73g)、(n-c4h9)4br(2.67g)、無水dmf(76ml)、及15.1mg鈀催化劑pd2(diphenylcl2noh)2cl2在氮氣流中、130℃下進行8小時反應(yīng)后，在室溫向反應(yīng)液中添加乙酸乙酯(100ml)及水(100ml)并進行攪拌，然后進行分液，用乙酸乙酯(100ml)對水層進行2次萃取，合并有機層并用硫酸鎂進行干燥后，進行濃縮。然后，用硅膠柱色譜法(正己烷/乙酸乙酯＝10/1)進行純化，從而得到目標(biāo)物30(反式，1.7g，lc：98％)。(合成例31)[化學(xué)式73]使目標(biāo)物30(1.6g)、乙酸(30ml)、乙醇(30ml)、鹽酸(1n、1ml)、水(4ml)及還原鐵(5.5g)在氮氣流中進行2小時回流。在室溫下過濾反應(yīng)液，并添加乙酸乙酯(100ml)及水(100ml)進行攪拌，然后用碳酸氫鈉飽和水溶液進行中和、分液，用乙酸乙酯(50ml)對水層進行2次萃取，合并有機層并用硫酸鎂進行干燥，然后進行濃縮。然后，用硅膠柱色譜法(正己烷/乙酸乙酯＝3/1)進行純化，從而得到目標(biāo)物31(1.3g)。(合成例32)[化學(xué)式74]向反應(yīng)容器內(nèi)添加3-溴苯基硼酸(10.0g)、間二碘苯(8.21g)、碳酸鈉(15.83g)、甲苯(150ml)、乙醇(150ml)、水(75ml)，進行減壓脫氣后，在氮氣氛圍中加入四(三苯基膦)合鈀(0)(1.726g)。于80℃進行約4.5小時攪拌后，自然冷卻直到室溫。向反應(yīng)液中加入水，用乙酸乙酯-己烷混合溶劑進行萃取，然后對所得有機層進行濃縮。用硅膠柱色譜法(己烷)純化粗產(chǎn)物，得到目標(biāo)物32(7.39g)。(合成例33)[化學(xué)式75]在氮氣氛圍下加入對二溴苯(50g)、thf(740ml)，然后冷卻至-78℃。經(jīng)40分鐘滴加1.55m的正丁基鋰己烷溶液(125.7ml)。然后，攪拌約1小時后，加入蒽醌(15.44g)。繼續(xù)攪拌約3小時后，經(jīng)過約1小時使溫度升至室溫。繼續(xù)攪拌約3.5小時后，加入水(100ml)，減壓蒸餾除去thf。用乙酸乙酯進行萃取，并用水洗滌有機層，用無水硫酸鈉進行干燥、過濾、濃縮。用二氯甲烷-己烷混合溶劑對所得粗產(chǎn)物進行懸浮洗滌后，用甲醇進行懸浮洗滌，由此得到目標(biāo)物33(25.8g)。(合成例34)[化學(xué)式76]裝入目標(biāo)物33(25.7g)、乙酸(400ml)、及鋅粉末(27.4g)并在氮氣氛圍中進行加熱回流。8小時后，追加乙酸(190ml)，繼續(xù)進行約8小時加熱回流。自然冷卻至室溫，加入水(400ml)，進行過濾及水洗。將所得固體懸浮于二氯甲烷(2.5l)中，過濾收集不溶物，并對濾液進行濃縮。將所得粗產(chǎn)物溶解在二氯甲烷(3l)中，用硅膠柱色譜法(二氯甲烷)進行純化，然后用二氯甲烷進行懸浮洗滌、再進行氯仿懸浮洗滌，從而得到目標(biāo)物34(10.7g)。(合成例35)[化學(xué)式77]在氮氣氛圍下加入間二溴苯(25g)、thf(370ml)，然后冷卻至-78℃。經(jīng)約10分鐘滴加1.6m的正丁基鋰己烷溶液(61ml)。繼續(xù)攪拌約1小時，然后加入蒽醌(7.72g)。繼續(xù)攪拌約1小時后，經(jīng)過約1小時使溫度升至室溫。繼續(xù)攪拌約3.5小時后，加入水(150ml)，減壓蒸餾除去thf。用乙酸乙酯進行萃取，并用水洗滌有機層，用無水硫酸鈉進行干燥、過濾、濃縮。用二氯甲烷-己烷混合溶劑對所得粗產(chǎn)物進行懸浮洗滌，由此得到目標(biāo)物35(17.4g)。(合成例36)[化學(xué)式78]在氮氣氛圍下加入目標(biāo)物35(17.4g)、乙酸(242ml)及鋅粉末(18.6g)，進行加熱回流。10.5小時后，自然冷卻至室溫，加入水(250ml)并進行過濾收集及水洗。將所得固體懸浮于二氯甲烷(500ml)中，過濾收集不溶物后，濃縮濾液，用己烷進行懸浮洗滌。將所得粗產(chǎn)物溶解在二氯甲烷(200ml)中，并用硅膠柱色譜法(二氯甲烷)進行純化。使所得固體在加熱回流下完全溶解在1,2-二甲氧基乙烷(102ml)中后，緩慢冷卻至室溫，過濾收集析出的固體，從而得到目標(biāo)物36(3.7g)。(合成例37)[化學(xué)式79]向反應(yīng)容器內(nèi)添加1,3,5-三溴苯(22g)、3-聯(lián)苯硼酸(4.95g)、甲苯(110ml)及乙醇(100ml)，進行10分鐘氮氣鼓泡以進行脫氣。向另一容器中添加碳酸鈉(7.9g)和水(38ml)，在進行攪拌的同時通過鼓入氮氣來進行脫氣。將該水溶液添加到反應(yīng)容器中，迅速添加四(三苯基膦)合鈀(0)(866mg)后，升溫進行加熱回流。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中加入水，用甲苯進行萃取。向所得有機層中添加硫酸鈉以進行脫水干燥，并進行濃縮。用硅膠柱色譜法(己烷/二氯甲烷)純化粗產(chǎn)物，從而得到目標(biāo)物37(7.51g)。(合成例38)[化學(xué)式80]添加目標(biāo)物37(7.0g)、聯(lián)硼酸頻那醇酯(11.68g)、乙酸鉀(9.71g)、二甲基甲酰胺(100ml)，鼓入氮氣的同時開始攪拌。15分鐘后，將氮氣鼓入變更為氣流，加入pdcl2(dppf)·ch2cl2(660mg)并升溫至80℃。反應(yīng)結(jié)束后，自然冷卻，利用二氯甲烷和水進行萃取洗滌，并利用硫酸鈉進行干燥，然后濃縮。利用柱色譜法(己烷/乙酸乙酯)對所得粗產(chǎn)物進行純化，由此得到目標(biāo)物38(10g)。(合成例39)[化學(xué)式81]向反應(yīng)容器內(nèi)添加目標(biāo)物38(5.8g)、4-溴碘苯(7.5g)、甲苯(72ml)、及乙醇(72ml)，進行10分鐘氮氣鼓入以進行脫氣。向另一容器中添加碳酸鈉(7.6g)和水(36ml)，在進行攪拌的同時通過鼓入氮氣來進行脫氣。將該水溶液添加到反應(yīng)容器中，迅速添加四(三苯基膦)合鈀(0)(1.0g)后，升溫進行加熱回流。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中加入水，并用二氯甲烷進行萃取。向所得有機層中添加硫酸鈉以進行脫水干燥，并進行濃縮。用硅膠柱色譜法(己烷/乙酸乙酯)純化粗產(chǎn)物，從而得到目標(biāo)物39(3.9g)。(合成例40)[化學(xué)式82]向反應(yīng)容器內(nèi)添加甲苯(100ml)、乙醇(50ml)、4-溴苯基硼酸(9.99g)、1,3-二碘苯(8.41g)、碳酸鈉(8.41g)及35ml水，鼓入氮氣以使體系內(nèi)部呈充分的氮氣氛圍，并進行攪拌。向其中添加四(三苯基膦)合鈀(0.884g)，升溫并進行7小時加熱回流。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中加入水，并用甲苯進行萃取。對所得有機層進行2次水洗，并添加硫酸鈉進行脫水干燥，然后進行濃縮。用硅膠柱色譜法(己烷/甲苯)純化粗產(chǎn)物，從而得到目標(biāo)物40(3.54g)。(合成例41)[化學(xué)式83]加入2-溴-9,9-二己基芴(5.91g)、二苯基胺(2.37g)、叔丁氧基鉀(2.8g)、及1,4-二噁烷(100ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液a)。另一方面，向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.34g)的25ml1,4-二噁烷溶液中添加三叔丁基膦(0.303g)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行3小時的加熱回流反應(yīng)。進一步添加2-溴-9,9-二己基芴(1.2g)，然后進行3小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后，過濾除去不溶物，并利用柱色譜法進行純化，從而得到目標(biāo)物41(12g)。(合成例42)[化學(xué)式84]加入目標(biāo)物41(5.7g)、n,n-二甲基甲酰胺(100ml)并對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后冷卻至-5℃。在氮氣流中滴加n-溴丁二酰亞胺(4.02g)的n,n-二甲基甲酰胺(40ml)溶液并將反應(yīng)液的溫度保持在0℃以下。在-5℃進行2.5小時攪拌。反應(yīng)后，添加乙酸乙酯及水，將有機層濃縮，并用柱色譜法進行純化，從而得到目標(biāo)物42(6.4g)。(合成例43)[化學(xué)式85]加入4-溴-苯并環(huán)丁烯(1.4g)、二苯基胺(1.3g)、叔丁氧基鈉(1.6g)、及甲苯(50ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液a)。另一方面，向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.16g)的甲苯(7ml)溶液中添加三叔丁基膦(0.19g)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行8.5小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后，過濾除去不溶物，利用柱色譜法進行純化，從而得到目標(biāo)物43(1.77g)。(合成例44)[化學(xué)式86]加入目標(biāo)物43(1.65g)及n,n-二甲基甲酰胺(10ml)并對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，冷卻至-5℃。在氮氣流中滴加n-溴丁二酰亞胺(2.16g)的n,n-二甲基甲酰胺(5ml)溶液并將反應(yīng)液的溫度保持在0℃以下。在-5℃進行1小時攪拌。反應(yīng)后，添加二氯甲烷及水，將有機層濃縮，用柱色譜法進行純化，從而得到目標(biāo)物44(2.13g)。(合成例45)[化學(xué)式87]向氮氣氛圍內(nèi)的反應(yīng)容器中加入二氯甲烷(200ml)，并使n-苯基咔唑(2.29g)和雙(吡啶)四氟硼化碘(7.76g)溶解。然后，在冰冷卻下向其中滴加三氟甲磺酸(1.75ml)后，緩慢升至室溫的同時進行一晝夜攪拌。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中添加0.5m的硫代硫酸鈉水溶液，用二氯甲烷進行萃取。將得到的有機層進行水洗，加入硫酸鈉進行脫水干燥，然后進行濃縮。向粗產(chǎn)物的二氯甲烷溶液中添加甲醇以使其再沉淀，并在甲醇回流條件下洗滌沉淀物，從而得到目標(biāo)物45(4.00g)。(合成例46)[化學(xué)式88]加入目標(biāo)物45(4.00g)、對溴苯硼酸(3.05g)、甲苯(30ml)、乙醇(15ml)、及2.6m碳酸鈉水溶液(20ml)，在利用超聲波清洗器施加振動的同時進行真空脫氣，并利用氮氣對體系內(nèi)部進行置換。向其中添加四(三苯基膦)合鈀(0.27g)，在75℃進行3小時加熱攪拌。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中加入水，并用二氯甲烷進行萃取。添加硫酸鈉對所得有機層進行脫水干燥，然后進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(己烷/二氯甲烷)分離出粗產(chǎn)物，并利用熱二甲氧基乙烷進行重結(jié)晶純化，從而得到目標(biāo)物46(2.25g)。(合成例47)[化學(xué)式89]向氮氣氛圍內(nèi)的反應(yīng)容器中添加乙醚(100ml)，并使3,3’-二溴-1,1’-聯(lián)苯(9.00g)溶解，冷卻至-78℃。經(jīng)15分鐘向其中滴加1.6m的正丁基鋰的己烷溶液(40ml)，在-78℃攪拌1小時后，升溫至0℃并繼續(xù)進行2小時攪拌。另一方面，在氮氣氛圍中將硼酸三甲酯(33ml)溶于乙醚(160ml)中，并在另一容器中制備冷卻至-78℃的溶液，經(jīng)45分鐘向其中滴加上述混合液，使溶液溫度緩慢返回至室溫并進行4小時攪拌。反應(yīng)結(jié)束后，在0℃向反應(yīng)液中緩慢加入3n鹽酸(144ml)，在室溫下攪拌4小時后，用3g玻璃漏斗回收白色沉淀。用水和乙醚進行洗滌后進行干燥，從而得到目標(biāo)物47(3.16g)。(合成例48)[化學(xué)式90]加入目標(biāo)物47(2.85g)、對碘代溴苯(6.68g)、甲苯(40ml)、乙醇(20ml)、及2.6m碳酸鈉水溶液(30ml)，在利用超聲波清洗器施加振動的同時進行真空脫氣，并利用氮氣對體系內(nèi)部進行置換。向其中添加四(三苯基膦)合鈀(0.41g)，并在75℃進行6小時加熱攪拌。反應(yīng)結(jié)束后，向反應(yīng)液中加入水和甲苯，用0.1n鹽酸和水對甲苯層進行洗滌，添加硫酸鈉進行脫水干燥，然后進行濃縮。利用硅膠柱色譜法(己烷/氯仿)分離出粗產(chǎn)物，從而得到目標(biāo)物48(3.01g)。(合成例49～52)按照合成例14的合成方法，將單體(即，目標(biāo)物5、目標(biāo)物2及4,4’-二溴聯(lián)苯)變更為下述表2中的化合物，從而得到目標(biāo)物49～52。針對所得目標(biāo)物，歸納在表2中。[化學(xué)式91](合成例53)[化學(xué)式92]加入合成例5中得到的目標(biāo)物5(7.5g、21.5mmol)、合成例2中得到的目標(biāo)物2(0.22g、1.1mmol)、4,4’-二溴茋(3.82g、11.3mmol)、叔丁氧基鈉(6.95g、72.3mmol)、及甲苯(120ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，加溫至50℃(溶液a)。另一方面，向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.06g、0.06mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.33g、0.45mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行3小時的加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加4,4’-二溴聯(lián)苯(3.31g、10.6mmol)。由于在進行1.5小時加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加4,4’-二溴聯(lián)苯(0.07g、0.2mmol)，該追加分三次進行，每次相隔1.5小時。將全部4,4’-二溴聯(lián)苯添加完畢后，繼續(xù)進行1小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到300ml乙醇中，由此，粗聚合物18結(jié)晶析出。將所得粗聚合物18溶解在180ml甲苯中，添加溴苯(0.71g、4.5mmol)、叔丁氧基鈉(3.5g、36.4mmol)并對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液c)。另一方面，向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.12g、0.1mmol)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.18g、0.9mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(3.82g、22.6mmol)的甲苯(2ml)溶液，繼續(xù)進行8小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(250ml/50ml)溶液中，從而得到了經(jīng)過封端的粗聚合物18。將該經(jīng)過封端的粗聚合物18溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物53(0.9g)。這里，對目標(biāo)物53的重均分子量及數(shù)均分子量進行測定，結(jié)果如下所示。重均分子量(mw)＝60000數(shù)均分子量(mn)＝27000分散度(mw/mn)＝2.2(合成例54～57)按照合成例53的合成方法，將單體變更為下述表3中的化合物，從而得到作為共軛聚合物的目標(biāo)物54～57。針對所得目的聚合物，歸納于表3中。[化學(xué)式93](合成例58～65)與合成例14及53的合成方法相同，按照下述反應(yīng)式及表4所示地由下述反應(yīng)式中所示的那樣的各種單體得到目標(biāo)物58～65。針對所得聚合物，歸納于表4中。[化學(xué)式94](合成例66及67)與合成例14及53的合成方法相同，按照下述反應(yīng)式及表5所示地由下述反應(yīng)式中所示的那樣的各種單體得到目標(biāo)物66及67。針對所得聚合物，歸納于表5中。[化學(xué)式95](合成例68)與合成例14及53的合成方法相同，按照下述反應(yīng)式及表6所示地由下述反應(yīng)式中所示的那樣的各種單體得到芳香胺聚合物目標(biāo)物68。針對所得聚合物，歸納于表6中。(合成例69)與合成例14及53的合成方法相同，按照下述反應(yīng)式及表7所示地由下述反應(yīng)式中所示那樣的各種單體得到芳香胺聚合物目標(biāo)物69。針對所得聚合物，歸納于表7中。[化學(xué)式96](合成例70)[化學(xué)式97](操作x)加入苯胺(0.9307g、9.99mmol)、目標(biāo)物5(1.677g、4.80mmol)、目標(biāo)物2(0.2293g、1.17mmol)、作為溴化物的4,4’-二溴聯(lián)苯(2.496g、8.00mmol)、及叔丁氧基鈉(5.23g、54.4mmol)、甲苯(25ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，加溫至60℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.17g、0.16mmol)的2ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.26g、1.28mmol)，加溫至60℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。(操作y)追加作為溴化物的1,4-二溴苯(1.774g、7.52mmol)，進行1.5小時加熱回流。(操作z)進一步追加1,4-二溴苯(0.038g、0.16mmol)。繼續(xù)進行0.5小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到乙醇/水(200ml/20ml)中，由此，粗聚合物x1結(jié)晶析出。將所得粗聚合物x1溶解在100ml甲苯中，添加溴苯(0.502g)、叔丁氧基鈉(2.62g)并對體系內(nèi)進行充分的氮氣置換后，加溫至60℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.083g)的4ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.130g)，加溫至60℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(2.72g)，繼續(xù)進行5小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到乙醇/水(300ml/30ml)溶液中，從而得到末端殘基經(jīng)過封端的粗聚合物34。將該末端殘基經(jīng)過封端的粗聚合物34溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得聚合物39溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物39進行純化，從而得到目標(biāo)物70(2.58g)。重均分子量(mw)＝68300數(shù)均分子量(mn)＝33300分散度(mw/mn)＝2.05(合成例71)在合成例70中，除了混合4,4’-二溴聯(lián)苯(2.496g、8.00mmol)及1,4-二溴苯(0.377g、1.60mmol)作為(操作x)中的溴化物、并追加1,4-二溴苯(1.397g、5.92mmol)作為(操作y)中的溴化物以外，按照與合成例70相同的方法進行合成，從而得到目標(biāo)物71，該目標(biāo)物71是以與目標(biāo)物70相同的結(jié)構(gòu)式表示的聚合物。重均分子量(mw)＝67900數(shù)均分子量(mn)＝28900分散度(mw/mn)＝2.35(合成例72)[化學(xué)式98]在空氣氣流中向水(4500ml)中添加α-菲蘭烯(42.12g)和對苯醌(33.8g)，在室溫下于超聲波中進行2天攪拌，并對析出的結(jié)晶進行過濾收集、水洗、干燥，從而得到化合物q1。然后，在進行攪拌的同時將化合物q1(39g)溶解在乙醇(200ml)中，隨后再添加35％naoh溶液0.1g，保持30分鐘攪拌之后，加入水(400ml)，并對析出的晶體進行過濾收集、水洗、干燥，從而得到目標(biāo)物72(39g)。(nmr測定結(jié)果)目標(biāo)物72：1hnmr(cdcl3,400mhz)、δ0.84(d,3h)、0.93(d,3h)、1.04-1.18(m,1h)、1.19-1.23(m,3h)、1.80(s,3h)、3.94-3.97(m,1h)、4.22(d,1h)、5.84(d,1h)、6.45(s,2h)(合成例73)[化學(xué)式99]在氮氣流中進行攪拌的同時將目標(biāo)物72(5.08g)、4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)乙酰苯胺(5.2g)及碳酸鈉(4.3g)溶解在甲苯(260ml)、乙醇(130ml)及水(240ml)的混合溶劑中，實施40分鐘氮氣鼓入之后，添加0.25g四(三苯基膦)合鈀，并在100℃進行6小時反應(yīng)。然后，返回到室溫并放置一夜，使晶體析出。過濾收集晶體，并用乙醇進行洗滌，從而得到化合物q8(4.3g)。將化合物q8(4.3g)和氫氧化鉀(15g)溶解在75％乙醇水溶液(250ml)中，在100℃進行10小時加熱，然后返回至室溫，添加100ml水，過濾收集析出的晶體，從而得到化合物q9(2g)。將三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿(0.015g)和1,1’-二茂鐵雙(二苯基膦)(0.056g)溶解在經(jīng)過10分鐘氮氣鼓入的甲苯(10g)中，然后在70℃進行10分鐘加熱。然后，將該鈀催化劑溶液添加到下述溶液中，并在氮氣流中、100℃下進行4小時攪拌，其中，所述溶液是將化合物q9(2g)、溴苯(1.6g)和叔丁氧基鈉(3,4g)溶解在甲苯(200ml)中并實施了40分鐘氮氣鼓入而得到的溶液。將該溶液返回至室溫，添加100ml水，并對析出的晶體進行過濾收集，用乙醇進行洗滌，從而得到目標(biāo)物73(1.3g)。(mass測定的結(jié)果)利用下述方法對目標(biāo)物73進行mass分析。dei法、dci法(日本電子公司制造，質(zhì)量分析計jms-700/mstation)離子化法dei(positiveionmode)、dci(positiveionmode)-異丁烷氣體加速電壓：70ev發(fā)射極電流變化率：0a～0.9a掃描質(zhì)量數(shù)范圍：m/z100-8002.0sec/scan結(jié)果為m/z＝m+546。(合成例74)[化學(xué)式100]加入上述合成的目標(biāo)物73(0.71g、1.30mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(0.39g、1.26mmol)、叔丁氧基鈉(0.47g、4.86mmol)及甲苯(7ml)，并對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.013g、0.0013mmol)的2ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.0210g、0.0104mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到200ml甲醇中，由此，粗聚合物36結(jié)晶析出。將該粗聚合物36溶解在甲苯中，在丙酮中進行再沉淀后，過濾收集析出的聚合物。將所得粗聚合物36溶解在45ml甲苯中，加入溴苯(0.041g、0.3mmol)及叔丁氧基鈉(1.80g、2mmol)并對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液c)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.013g、1.2mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.003g、1.6mmol)，加溫至50℃(溶液d)。在氮氣流中將溶液d添加到溶液c中，進行2小時的加熱回流反應(yīng)。向該反應(yīng)液中添加n,n-二苯基胺(0.22g、1.3mmol)的甲苯(34ml)溶液，繼續(xù)進行8小時的加熱回流反應(yīng)。將反應(yīng)液自然冷卻后滴加到甲醇中，從而得到粗聚合物2。將所得粗聚合物2溶解在甲苯中，用稀鹽酸進行洗滌，并用含氨乙醇進行再沉淀。利用柱色譜法對過濾收集得到的聚合物進行純化，從而得到目標(biāo)物74(0.29g)。重均分子量(mw)＝106696數(shù)均分子量(mn)＝47937分散度(mw/mn)＝2.23利用差示掃描量熱計(siinanotechnology公司制造：dsc6220)觀察目標(biāo)物74的熱裂解。結(jié)果確認(rèn)到：熱裂解在溫度為230℃時可有效進行。(合成例75)[化學(xué)式101]加入苯胺(1.77g)、合成例2得到的目標(biāo)物2(1.76g)、9,9-二己基-2,7-二溴芴(6.89g)、及叔丁氧基鈉(8.61g)、甲苯(60ml)，并對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換，然后加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.29g)的10ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.45g)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1.5小時加熱回流反應(yīng)。確認(rèn)原料已經(jīng)消失后，追加1,4-二溴苯(2.90g)。由于在進行2小時加熱回流后確認(rèn)到了聚合的開始，因此，進一步追加1,4-二溴苯(0.06g×2)。繼續(xù)進行2小時加熱回流，將反應(yīng)液自然冷卻，再將反應(yīng)液滴加到乙醇(500ml)中，由此，粗聚合物結(jié)晶析出。接著，按照與合成例70相同的方法進行末端處理反應(yīng)，然后進一步進行純化，從而得到目標(biāo)物75。重均分子量(mw)＝63600數(shù)均分子量(mn)＝35100分散度(mw/mn)＝1.81(合成例76)[化學(xué)式102]在氮氣流中向化合物1(5.024g)、目標(biāo)物44(0.885g)、化合物2(2.396g)、目標(biāo)物3(1.058g、1,6-:1,8-＝37:63)、甲苯(60ml)的溶液中加入20％四乙基氫氧化銨水溶液(30ml)，再加入四(三苯基膦)合鈀(0)(0.23g)，在加熱回流狀態(tài)下進行5小時攪拌。自然冷卻后，向乙醇中添加反應(yīng)液，并對析出的粗聚合物進行過濾收集、干燥。在氮氣流中向所得粗聚合物、溴苯(0.33g)、甲苯(60ml)的溶液中添加20％四乙基氫氧化銨水溶液(30ml)，并加入四(三苯基膦)合鈀(0)(0.12g)，在加熱回流下進行2小時攪拌。然后，添加苯基硼酸(1.0g)，在加熱回流下進行4小時攪拌。將反應(yīng)液自然冷卻后添加到乙醇中，過濾收集析出的粗聚合物并進行干燥，然后利用以甲苯及四氫呋喃為展開溶劑的硅膠柱進行純化，并從四氫呋喃溶液再沉淀至乙醇中,進行過濾收集、干燥，從而得到目標(biāo)物76(3.4g)。mw：41000mn：21500mw/mn：1.90(合成比較例1)[化學(xué)式103]加入4-仲丁基苯胺(1.27g、8.5mmol)、4,4’-二溴聯(lián)苯(2.57g、8.2mmol)、及叔丁氧基鈉(3.27g、34.0mmol)、甲苯(20ml)，對體系內(nèi)部進行充分的氮氣置換后，加溫至50℃(溶液a)。向三(二亞芐基丙酮)二鈀-氯仿絡(luò)合物(0.088g、0.0085mmol)的5ml甲苯溶液中添加三叔丁基膦(0.138g、0.068mmol)，加溫至50℃(溶液b)。在氮氣流中將溶液b添加到溶液a中，進行1小時的加熱回流反應(yīng)，但沒能確認(rèn)到聚合的開始。另外，在上述合成例23中，使用與上述合成比較例1基本相同的化合物合成了聚合物，但利用本發(fā)明的聚合物的制造方法進行合成時，能夠合成出重均分子量(mw)大、分散度(mw/mn)小的聚合物。(合成比較例2)在合成例70中，除了在(操作x)中添加4,4’-二溴聯(lián)苯(2.496g、8.00mmol)及1,4-二溴苯(1.132g、4.80mmol)作為溴化物，并在(操作y)中追加1,4-二溴苯(0.642g、2.72mmol)作為溴化物以外，按照與合成例70相同的方法進行合成，從而得到了具有下述重均分子量(mw)及分散度(mw/mn)、且與目標(biāo)物70的結(jié)構(gòu)式相同的比較聚合物1。重均分子量(mw)＝68000數(shù)均分子量(mn)＝27600分散度(mw/mn)＝2.46[有機場致發(fā)光元件的制作](實施例1)制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。利用常規(guī)的光刻蝕技術(shù)和鹽酸蝕刻將沉積在玻璃基板上的120nm厚的銦錫氧化物(ito)透明導(dǎo)電膜(三容真空公司制造，濺射成膜制品)圖案化成2mm寬的條紋，以形成陽極。對于形成圖案后的ito基板，依次進行利用表面活性劑水溶液的超聲波清洗、利用超純水的水洗、利用超純水的超聲波清洗、利用超純水的水洗之后，利用壓縮空氣使其干燥，最后進行紫外線臭氧清洗。首先，配制空穴注入層形成用涂布液，該涂布液中含有具有下述結(jié)構(gòu)式(p1)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的空穴傳輸性高分子材料(重均分子量：26500，數(shù)均分子量：12000)、結(jié)構(gòu)式(a1)所示的4-異丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽及苯甲酸乙酯。在下述條件下將該涂布液旋涂于陽極上來成膜，從而得到膜厚30nm的空穴注入層。[化學(xué)式104]<空穴注入層形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度p1：2.0重量％a1：0.8重量％<空穴注入層的成膜條件>接著，制備含有下述結(jié)構(gòu)式所示的本發(fā)明的共軛聚合物(h1)(合成例12中得到的目標(biāo)物12)的有機場致發(fā)光元件用組合物，并在下述條件下利用旋涂進行涂布，利用加熱使其交聯(lián)，從而形成膜厚20nm空穴傳輸層。[化學(xué)式105]<有機場致發(fā)光元件用組合物>溶劑甲苯固體成分濃度0.4重量％<空穴傳輸層的成膜條件>然后，在形成發(fā)光層時，利用如下所示的有機化合物(c1)及(d1)來配制如下所示的發(fā)光層形成用涂布液，并在如下所示的條件下在空穴傳輸層上進行旋涂，從而得到膜厚47nm的發(fā)光層。[化學(xué)式106]<發(fā)光層形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度c1：2.30重量％d1：0.23重量％<發(fā)光層的成膜條件>這里，將成膜至發(fā)光層的基板轉(zhuǎn)移到真空蒸鍍裝置內(nèi)，利用旋轉(zhuǎn)真空泵進行裝置的粗排氣后，使用低溫泵排氣直至裝置內(nèi)的真空度達到2.4×10-4pa以下，然后，利用真空蒸鍍法疊層balq(c2)，由此獲得空穴阻擋層。將蒸鍍速度控制在的范圍，形成了疊層在發(fā)光層上的膜厚10nm的膜的空穴阻擋層。蒸鍍時的真空度為2.4～2.7×10-4pa。[化學(xué)式107]接著，加熱alq3(c3)進行蒸鍍，從而成膜電子傳輸層。將蒸鍍時的真空度控制在0.4～1.6×10-4pa、將蒸鍍速度控制在的范圍，在空穴阻擋層上疊層膜厚30nm的膜，由此形成了電子傳輸層。[化學(xué)式108]這里，將蒸鍍至電子傳輸層的元件暫時從上述真空蒸鍍裝置內(nèi)取出至大氣中，以2mm寬的條紋狀蔭罩(shadowmask)作為陰極蒸鍍用掩模密合在該元件上，并使該蔭罩與陽極的ito條紋垂直相交，再將其設(shè)置在另一真空蒸鍍裝置內(nèi)，按照與有機層相同的方法進行排氣，直到裝置內(nèi)的真空度達到6.4×10-4pa以下。作為電子注入層，首先，利用鉬舟皿，控制蒸鍍速度為真空度為3.2～6.7×10-4pa，以0.5nm的膜厚將氟化鋰(lif)成膜在電子傳輸層上。然后，作為陰極，同樣利用鉬舟皿對鋁進行加熱，控制蒸鍍速度為真空度為2.8～11.1×10-4pa，形成了膜厚80nm的鋁層。上述2層進行蒸鍍時的基板溫度保持在室溫。接著，為了防止元件在保管過程中在大氣中的水分等作用下發(fā)生劣化，利用如下所述的方法進行密封處理。在氮氣手套箱中，在尺寸為23mm×23mm的玻璃板的外周部涂布約1mm寬的光固化性樹脂(threebond公司制造的30y-437)，并在中央部設(shè)置吸濕片(moisturegettersheet，dynic公司制造)。在其上貼合了已完成了陰極形成的基板，并使其經(jīng)過蒸鍍的一面與干燥劑片相對而置。然后，僅對涂布了光固化性樹脂的區(qū)域?qū)嵤┳贤夤庹丈?，以使樹脂發(fā)生固化。進行如上所述的操作，得到具有尺寸為2mm×2mm的發(fā)光面積部分的有機場致發(fā)光元件。該元件的發(fā)光特性如下所述。亮度/電流：1.6[cd/a]@100cd/m2電壓：8.0[v]@100cd/m2發(fā)光效率：0.6[lm/w]@100cd/m2元件的發(fā)射光譜的最大波長為464nm，可鑒定為來自化合物(d1)的波長。色度為cie(x,y)＝(0.137,0.150)。(實施例2)除了按照如下所述的方法形成空穴傳輸層以外，按照與實施例1相同的方法制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。制備含有本發(fā)明的共軛聚合物(h2)(合成例19中得到的目標(biāo)物19)的有機場致發(fā)光元件用組合物，并在下述條件下通過旋涂進行涂布，通過進行加熱以使其交聯(lián)，從而形成了膜厚20nm的空穴傳輸層。[化學(xué)式109]<有機場致發(fā)光元件用組合物>溶劑甲苯固體成分濃度0.4重量％<空穴傳輸層的成膜條件>所得到的具有尺寸2mm×2mm的發(fā)光面積部分的有機場致發(fā)光元件的發(fā)光特性如下所述。亮度/電流：2.5[cd/a]@100cd/m2電壓：6.5[v]@100cd/m2發(fā)光效率：1.2[lm/w]@100cd/m2元件的發(fā)射光譜的最大波長為462nm，可鑒定為來自化合物(d1)的波長。色度為cie(x,y)＝(0.142,0.161)。(實施例3)除了按照如下所述的方法形成空穴傳輸層以外，按照與實施例1相同的方法制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。制備含有本發(fā)明的共軛聚合物(h3)(合成例14中得到的目標(biāo)物14)的有機場致發(fā)光元件用組合物，并在下述條件下通過旋涂進行成膜，通過進行加熱以使其交聯(lián)，從而形成了膜厚20nm的空穴傳輸層。[化學(xué)式110]<有機場致發(fā)光元件用組合物>溶劑甲苯固體成分濃度0.4重量％<空穴傳輸層的成膜條件>所得到的具有尺寸2mm×2mm的發(fā)光面積部分的有機場致發(fā)光元件的發(fā)光特性如下所述。亮度/電流：1.9[cd/a]@100cd/m2電壓：7.8[v]@100cd/m2發(fā)光效率：0.8[lm/w]@100cd/m2元件的發(fā)射光譜的最大波長為465nm，可鑒定為來自化合物(d1)的波長。色度為cie(x,y)＝(0.137,0.166)。(實施例4)除了按照如下所述的方法形成空穴傳輸層以外，按照與實施例1相同的方法制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。制備含有本發(fā)明的共軛聚合物(h4)(合成例17中得到的目標(biāo)物17)的有機場致發(fā)光元件用組合物，并在下述條件下通過旋涂進行涂布，通過進行加熱以使其交聯(lián)，從而形成了膜厚20nm的空穴傳輸層。[化學(xué)式111]<有機場致發(fā)光元件用組合物>溶劑甲苯固體成分濃度0.4重量％<空穴傳輸層的成膜條件>所得到的具有尺寸2mm×2mm的發(fā)光面積部分的有機場致發(fā)光元件的發(fā)光特性如下所述。亮度/電流：3.6[cd/a]@100cd/m2電壓：5.4[v]@100cd/m2發(fā)光效率：2.1[lm/w]@100cd/m2元件的發(fā)射光譜的最大波長為464nm，可鑒定為來自化合物(d1)的波長。色度為cie(x,y)＝(0.141,0.168)。(實施例5)除了按照如下所述的方法形成空穴傳輸層以外，按照與實施例1相同的方法制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。制備含有本發(fā)明的共軛聚合物(h5)(合成例18中得到的目標(biāo)物18)的有機場致發(fā)光元件用組合物，并在下述條件下通過旋涂進行涂布，通過進行加熱以使其交聯(lián)，從而形成了膜厚20nm的空穴傳輸層。[化學(xué)式112]<有機場致發(fā)光元件用組合物>溶劑甲苯固體成分濃度0.4重量％<空穴傳輸層的成膜條件>所得到的具有尺寸2mm×2mm的發(fā)光面積部分的有機場致發(fā)光元件的發(fā)光特性如下所述。亮度/電流：2.1[cd/a]@100cd/m2電壓：6.3[v]@100cd/m2發(fā)光效率：1.1[lm/w]@100cd/m2元件的發(fā)射光譜的最大波長為464nm，可鑒定為來自化合物(d1)的波長。色度為cie(x,y)＝(0.143,0.173)。(實施例6)制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。利用常規(guī)的光刻蝕技術(shù)和鹽酸蝕刻將沉積在玻璃基板上的120nm厚的銦錫氧化物(ito)透明導(dǎo)電膜(三容真空公司制造，濺射成膜制品)圖案化成2mm寬的條紋，以形成陽極。對于形成圖案后的ito基板，依次進行利用表面活性劑水溶液的超聲波清洗、利用超純水的水洗、利用超純水的超聲波清洗、利用超純水的水洗，然后利用壓縮空氣使其干燥，最后進行紫外線臭氧清洗。首先，按照與實施例1相同的方法得到膜厚30nm的空穴注入層。接著，制備含有下述結(jié)構(gòu)式所示的本發(fā)明的共軛聚合物(h6)(合成例67中合成得到的目標(biāo)物67)(mw：47500；mn：23700；mw/mn：2.00)的有機場致發(fā)光元件用組合物，并在下述條件下利用旋涂進行涂布，利用加熱使其交聯(lián)，從而形成了膜厚20nm的空穴傳輸層。[化學(xué)式113]<有機場致發(fā)光元件用組合物>溶劑甲苯固體成分濃度0.4重量％<空穴傳輸層的成膜條件>接著，在形成發(fā)光層時，使用如下所示的有機化合物(c4)及(d2)制備如下所示的發(fā)光層形成用涂布液，并在如下所示的條件下在空穴傳輸層上進行旋涂，從而得到膜厚51nm的發(fā)光層。[化學(xué)式114]<發(fā)光層形成用涂布液>溶劑二甲苯涂布液濃度c4：2.00重量％d2：0.20重量％<發(fā)光層的成膜條件>接著，按照與實施例1相同的方法制作空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，并進行密封處理。該元件的發(fā)光特性如表8所示?？梢姡捎诒景l(fā)明的聚合物具有高電荷傳輸能力，因而可獲得驅(qū)動電壓低、長壽命的元件。(比較例1)除了將實施例6中形成空穴傳輸層時所使用的本發(fā)明的共軛聚合物(h6)變更為下述結(jié)構(gòu)式表示的比較聚合物2(mw：55000、mn：28900、mw/mn：1.9)以外，按照與實施例6相同的方法制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。[化學(xué)式115]比較聚合物2該元件的發(fā)光特性如表8所示。[表8]100cd/m2時的電壓(v)驅(qū)動壽命(標(biāo)準(zhǔn)化)實施例68.31.67比較例18.81.00如表8所示，使用本發(fā)明的共軛聚合物得到的有機場致發(fā)光元件的驅(qū)動電壓低、且驅(qū)動壽命長。(實施例7)除了將實施例1中的空穴注入層、空穴傳輸層、及發(fā)光層的形成進行如下所述的變更以外，按照與實施例1相同的方法制作圖1所示的元件。制備含有下述結(jié)構(gòu)式所示的本發(fā)明的共軛聚合物(h7)(合成例75中得到的目標(biāo)物74)(重均分子量mw：63600，數(shù)均分子量mn：35100，mw/mn：1.81)、上述式(a1)所示的4-異丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽及苯甲酸乙酯的空穴注入層形成用涂布液。在下述條件下將該涂布液旋涂在陽極上進行成膜，從而得到膜厚30nm的空穴注入層。[化學(xué)式116]<空穴注入層形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度目標(biāo)物74：2.0重量％a1：0.8重量％<空穴注入層的成膜條件>接著，制備含有下述結(jié)構(gòu)式所示的本發(fā)明的共軛聚合物(h8)(合成例26中合成得到的目標(biāo)物26)的有機場致發(fā)光元件用組合物，并在下述條件下利用旋涂進行涂布，利用加熱使其交聯(lián)，從而形成了膜厚20nm的空穴傳輸層。[化學(xué)式117]<有機場致發(fā)光元件用組合物>溶劑甲苯固體成分濃度0.4重量％<空穴傳輸層的成膜條件>接著，在形成發(fā)光層時，使用如下所示的有機化合物(c5)及上述式(d1)制備如下所示的發(fā)光層形成用涂布液，并在如下所示的條件下在空穴傳輸層上進行旋涂，從而得到膜厚40nm的發(fā)光層。[化學(xué)式118]<發(fā)光層形成用涂布液>溶劑甲苯涂布液濃度c5：0.80重量％d1：0.08重量％<發(fā)光層的成膜條件>按照如上所述的操作，得到具有尺寸2mm×2mm的發(fā)光面積部分的有機場致發(fā)光元件。該元件的發(fā)光特性如表9所示?？梢?，通過將本發(fā)明的聚合物和電子接受性化合物用于空穴注入層，可獲得長壽命、高效率的元件。(實施例8)除了將實施例7中形成空穴注入層時所使用的目標(biāo)物74變更為上述空穴傳輸性高分子材料(p1)以外，按照與實施例7相同的方法制作圖1所示的有機場致發(fā)光元件。該元件的特性如表9所示。[表9]100cd/m2時的效率(cd/a)驅(qū)動壽命(標(biāo)準(zhǔn)化)實施例74.41.86實施例83.91.00(實施例9)使用合成例70中得到的目標(biāo)物70，進行了如下所述的不溶率的測定。如表10所示，可見：使用本發(fā)明的共軛聚合物而形成的膜具有高度的不溶率。[不溶率的測定]按照下述方法分別測定膜厚l1及l(fā)2，并將l2/l1作為不溶率。<成膜方法以及膜厚l1的測定方法>用超純水洗滌尺寸為25mm×37.5mm的玻璃基板，用干燥氮氣進行干燥，然后進行uv/臭氧洗滌。配制合成例70中合成的目標(biāo)物70(mw＝68300、mn＝33300、mw/mn＝2.05)的1重量％甲苯溶液(組合物)，將該組合物旋涂在上述玻璃基板上并進行成膜。旋涂在氣溫23℃、相對濕度60％的大氣中進行，其中，使旋轉(zhuǎn)器轉(zhuǎn)速為1500rpm、旋轉(zhuǎn)器旋轉(zhuǎn)時間為30秒。成膜后，在熱板上、大氣中、80℃下進行1分鐘加熱干燥，然后在烘箱內(nèi)、230℃下進行60分鐘加熱干燥。從所得膜上割下約1mm寬度，用膜厚計(tencorp-15)對膜厚l1(nm)進行測定。<膜厚l2的測定方法>將測定完膜厚l1后的基板設(shè)置在旋轉(zhuǎn)器上，對測定了膜厚的部位滴加甲苯，并在10秒鐘后以旋轉(zhuǎn)器轉(zhuǎn)速1500rpm、旋轉(zhuǎn)器時間30秒鐘的條件進行旋轉(zhuǎn)處理。接著，再次對同一部位的膜厚l2(nm)進行測定，并由此求出經(jīng)過甲苯旋轉(zhuǎn)處理后的膜厚保持率(不溶率)l2/l1。不溶率的測定結(jié)果如表10所示。(實施例10)除了使用目標(biāo)物71(mw＝67900、mn＝28900、mw/mn＝2.35)代替目標(biāo)物70以外，按照與實施例9相同的方法對目標(biāo)物71的不溶率進行測定。不溶率的測定結(jié)果如表10所示。(比較例2)除了使用合成比較例2中合成得到的比較聚合物1(mw＝68000、mn＝27600、mw/mn＝2.46)代替目標(biāo)物70以外，按照與實施例9相同的方法對比較聚合物1的不溶率進行測定。不溶率的測定結(jié)果如表10所示。[表10]重均分子量(mw)分散度(mw/mn)不溶率(％)實施例9683002.05100實施例10679002.3598.2比較例1680002.4680.3如表10所示，可見：使用本發(fā)明的共軛聚合物得到的膜對于溶解共軛聚合物的溶劑具有高度的不溶性。這樣一來，由于對溶劑具有高度不溶性，因此在利用涂布法在該膜上形成其它層時，不易發(fā)生層的混合。一旦發(fā)生層的混合，會導(dǎo)致電荷傳輸性降低、所得元件的性能偏差變大，而在使用本發(fā)明的共軛聚合物來形成層時，不易引發(fā)上述問題。特別是，當(dāng)利用涂布法在該膜上形成的其它層為發(fā)光層時，例如，對于使用比較聚合物1形成的膜而言，會導(dǎo)致不溶率較低、比較聚合物1的成分中與發(fā)光層發(fā)生混合的比例增多。由此，在涉及到混合物的homo、lumo的影響下，會導(dǎo)致激子消失、發(fā)光效率降低、或驅(qū)動壽命縮短。此外，由于比較聚合物的分散度(mw/mn)大，因而當(dāng)聚合物中所含的低分子量成分混入到發(fā)光層中時，會在發(fā)光層內(nèi)成為捕獲點，而導(dǎo)致所得元件的驅(qū)動電壓升高。另外，由于上述混合程度因所得元件而不同，因此還可能導(dǎo)致所得元件的性能不均。另一方面，使用本發(fā)明的共軛聚合物而形成的膜具有高度的不溶率，因此不存在上述可能，可與發(fā)光層之間實現(xiàn)充分的功能分離。因此，所得元件可實現(xiàn)低電壓驅(qū)動，成為具有高發(fā)光效率、且驅(qū)動壽命長的元件。以上結(jié)合具體且特定的實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以引入各種變更或修正。本申請基于2008年2月15日提出申請的日本專利申請(日本特愿2008-034170號)及2008年5月1日提出申請的日本專利申請(日本特愿2008-119941號)而完成，其內(nèi)容作為參考已被引入到本申請中。工業(yè)實用性本發(fā)明的共軛聚合物的空穴傳輸能力高，對溶劑顯示出充分的溶解性，可提高成膜時的表面平坦性。因此，對于具有包含將本發(fā)明的共軛聚合物進行不溶化而得到的不溶性聚合物的層的有機場致發(fā)光元件而言，能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動，具有高發(fā)光效率，耐熱性高，驅(qū)動壽命長。因此，作為具有包含將本發(fā)明的共軛聚合物進行不溶化而得到的不溶性聚合物的層的有機場致發(fā)光元件，可考慮將其用于光源(例如，復(fù)印機的光源、液晶顯示器或計量儀器類的背光源)、指示板、標(biāo)識燈中，而用于光源時利用的是有機場致發(fā)光元件作為平板顯示器(例如，oa計算機用或壁掛式電視)、面發(fā)光體時的特性，這樣的有機場致發(fā)光元件具有高技術(shù)價值。此外，從本質(zhì)上講，由于本發(fā)明的共軛聚合物對于溶劑具有優(yōu)異的溶解性、并具有電化學(xué)耐久性，因此，不僅可應(yīng)用于有機場致發(fā)光元件，除此之外，還能夠有效用于電子照相感光體、光電轉(zhuǎn)換元件、有機太陽能電池、有機整流元件等。另外，根據(jù)本發(fā)明的聚合物的制造方法，能夠制造出性能穩(wěn)定且分子量分布較窄的聚合物。當(dāng)前第1頁12