本發(fā)明涉及材料領域，具體地涉及一種空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構及其制備和應用。

背景技術：

最近幾年，對非球狀(如橢球形、雪人形、花生狀等)膠體粒子的研究越來越受到人們的關注。與膠體微球相比，非球膠體粒子因其獨特的物理、化學、光學等性能，在新型功能材料、特殊光子晶體、定向自組裝等新興領域有著獨特的應用，大大拓寬了膠體顆粒的實用范圍。尤其，一類具有碗狀形貌的非球形中空微粒，由于其結構的特殊性，使其為許多潛在應用的實現提供了令人感興趣的平臺，例如其在光學、生物、化學合成及工業(yè)方面均有廣泛的應用。而碗狀微粒平面自組裝結構因其在光子晶體、催化劑、化學傳感器和抗反應涂層等領域的廣泛應用而備受關注。采用碗狀膠體微粒自組裝制備有序結構不失為一種有效制備二維有序多孔膜的方法，但實際上，其在此方法的制備過程中很容易產生缺陷，尤其是在自組裝過程中實現碗狀微粒的有序定向排布是一大挑戰(zhàn)。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種可有效制備大面積空心碗狀納米二氧化硅二維有序定向排布的陣列結構的制備方法及采用所述方法制得的二維陣列結構。

本發(fā)明的第一方面，提供了一種空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構的制備方法，所述方法包括如下步驟：

1)提供第一溶液和有機溶劑，所述第一溶液包含二氧化硅包覆的聚合物顆粒和第一溶劑；

2)將所述第一溶液在基片上形成單層二維有序的二氧化硅包覆的聚合物顆粒的自組裝膜，任選地干燥處理位于基片上的所述自組裝膜；

3)熱處理步驟2)所得位于基片上的自組裝膜，接著將經熱處理的位于基片上的自組裝膜置于所述有機溶劑中浸泡處理，然后抽除所述有機溶劑，接著干燥處理所得位于基片上的自組裝膜，得到所述空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構。

在另一優(yōu)選例中，所述基片選自下組：硅片、玻璃、pet。

在另一優(yōu)選例中，所述第一溶液中，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒的質量分數為1－20wt％，較佳地2－15wt％，更佳地3－10wt％。

在另一優(yōu)選例中，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒中，所述外殼二氧化硅包覆層的厚度為所述內核聚合物顆粒的直徑的2-10％，較佳地3-8，更佳地4-6％。

在另一優(yōu)選例中，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒的粒徑為50-2000nm，較佳地80-1500nm，更佳地100-1000nm。

在另一優(yōu)選例中，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒中，內核聚合物顆粒的粒徑為40－2000nm，較佳地70－1500nm，更佳地90－1000nm。

在另一優(yōu)選例中，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒中，外殼二氧化硅包覆層的厚度為0.5－200nm，較佳地1－150nm，更佳地5－100nm。

在另一優(yōu)選例中，所述第一溶劑選自下組：乙醇、正丁醇、甲醇，優(yōu)選為無水乙醇。

在另一優(yōu)選例中，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒中，所述聚合物顆粒為選自下組的單體聚合所得的聚合物顆粒：苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、或其組合。

在另一優(yōu)選例中，步驟2)中所述自組裝膜通過朗繆爾-布朗杰特(lb)法制得。

在另一優(yōu)選例中，步驟2)中，所述干燥處理為在室溫(如20-45℃，較佳地25-40℃)下晾干。

在另一優(yōu)選例中，步驟2)中，所述干燥處理的時間為1-60min，較佳地2-40min。

在另一優(yōu)選例中，所述聚合物顆粒的玻璃化轉變溫度為t1，步驟3)中，所述熱處理的處理溫度為0.8t1-1.1t1，較佳地0.9t1-t1。

在另一優(yōu)選例中，步驟3)中，所述熱處理的處理溫度為65-100℃，較佳地70-90℃，更佳地75-85℃。

在另一優(yōu)選例中，步驟3)中，所述熱處理在所述處理溫度下的處理時間為5-200min，較佳地10-150min，更佳地20-130min。

在另一優(yōu)選例中，所述有機溶劑選自下組：四氫呋喃、甲苯、氯仿、n，n-二甲基甲酰胺、二氯甲烷、二甲苯、環(huán)己烷。

在另一優(yōu)選例中，所述浸泡處理的處理時間為0.5-100h，較佳地1-80h，更佳地3-75h。

在另一優(yōu)選例中，步驟3)中，所述干燥處理指在空氣中自然揮發(fā)所述有機溶劑以晾干所述自組裝膜。

本發(fā)明的第二方面，提供了一種空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構，所述陣列結構是采用本發(fā)明第一方面所述的方法制備的。

本發(fā)明的第三方面，提供了一種制品，所述制品包含本發(fā)明第二方面所述空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構。

應理解，在本發(fā)明范圍內中，本發(fā)明的上述各技術特征和在下文(如實施例)中具體描述的各技術特征之間都可以互相組合，從而構成新的或優(yōu)選的技術方案。限于篇幅，在此不再一一累述。

附圖說明

圖1為實施例1步驟c)所得經晾干的薄膜的sem結果。

圖2為實施例1步驟d)所得陣列結構1的sem結果。

圖3為對比例1步驟d)所得陣列結構c1的sem結果。

圖4為對比例2步驟d)所得陣列結構c2的sem結果。

圖5為對比例3步驟d)所得陣列結構c3的sem結果。

圖6為對比例4步驟d)所得陣列結構c4的sem結果。

具體實施方式

本發(fā)明人經過長期而深入的研究，通過采用特定的lb法制得單層二維有序的二氧化硅包覆聚合物顆粒的納米顆粒的自組裝膜，并通過特定的熱處理工藝將該自組裝膜固定于基片上，經有機溶劑處理所述經固定的自組裝膜，得到所述大面積二維有序定向排列的空心碗狀納米二氧化硅陣列結構。所述陣列結構在膜層減反射、防眩光、自清潔、氣體傳感、拉曼增強檢測等方面有廣泛的應用前景。在此基礎上，發(fā)明人完成了本發(fā)明。

朗繆爾-布朗杰特(lb)法

在適當的條件下，不溶物單分子層可以通過特定的方法轉移到固體基底上，并且基本保持其定向排列的分子層結構。這種技術是20世紀二三十年代由美國科學家l.langmuir及k.blodgett建立的一種單分子膜制備技術，它是將兼具親水頭和疏水尾的兩親性分子分散在水面上，經逐漸壓縮其水面上的占有面積，使其排列成單分子層，再將其轉移到固體基底上所得到的一種膜。根據此技術首創(chuàng)者的姓名，將此技術稱為lb膜技術。轉移到基底上的膜叫做langmuir-blodgett膜，簡稱為lb膜。

制備lb膜

首先將樣品溶解或分散在鋪展溶劑中，取一定量所得溶液緩慢均勻地滴加在亞相(如去離子水)上。滴加在亞相上的溶液立即向外擴展，在擴展過程中，有機溶劑揮發(fā)掉，留下無序分子分布在亞相表面。溶劑揮發(fā)完后，亞相上的分子彼此之間平均間隔比較大，分子之間相互作用力很弱，分子完全處于無序狀態(tài)。如果通過減少漂浮層有效面積來增加表面分子密度，亞相上單分子膜的狀態(tài)將發(fā)生明顯變化。制備lb膜可以先將親水基片剛好浸入到亞相表面以下，然后在亞相表面鋪展并壓縮單分子膜；單分子膜形成后，從沒有膜的地方小心地抽走部分亞相，這時，亞相表面上的單分子膜隨亞相慢慢下降，從而沉積到基片上，將基片提起，即可在基片上得到一層單層lb膜。此法的最大優(yōu)點是能最大限度地保持成膜分子在氣/液界面時的排列狀態(tài)。

制備方法

本發(fā)明提供了一種空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構的制備方法，所述方法包括如下步驟：

1)提供第一溶液和有機溶劑，所述第一溶液包含二氧化硅包覆的聚合物顆粒和第一溶劑；

2)將所述第一溶液在基片上形成單層二維有序的二氧化硅包覆的聚合物顆粒的自組裝膜，任選地干燥處理位于基片上的所述自組裝膜；

3)熱處理步驟2)所得位于基片上的自組裝膜，接著將經熱處理的位于基片上的自組裝膜置于所述有機溶劑中浸泡處理，然后抽除所述有機溶劑，接著干燥處理所得位于基片上的自組裝膜，得到所述空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構。

典型地，所述制備方法包括如下步驟：

步驟1：采用分散聚合方法合成聚苯乙烯等聚合物微球，以聚苯乙烯等聚合物微球為模板，在堿性條件下，加入有機改性的硅源，合成二氧化硅包覆聚合物微球的核-殼結構粒子；

步驟2：運用朗繆爾-布朗杰特(lb)法，在硅片、玻璃、pet等基底上，將步驟1所得到的二氧化硅包覆聚合物微球自組裝成二維陣列膜層；

步驟3：將步驟2所得到的二氧化硅包覆聚合物微球的膜層進行后處理，得到空心碗狀二氧化硅二維陣列納米結構。

更典型地，所述制備方法包括如下步驟：

步驟1、將一定量的聚乙烯吡咯烷酮、引發(fā)劑、去離子水混合攪拌，待溶液澄清，再加入一定量的苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯等單體，通入n2，在一定的溫度下，繼續(xù)攪拌，得到粒徑為100nm～1um的聚合物乳液；將所得到的聚合物乳液溶解于乙醇中得到懸浮液，將此懸浮液在一定溫度的水浴中攪拌，加入一定量氨水，再加入一定量有機-無機硅源，在此溫度下，繼續(xù)攪拌，最后得到二氧化硅包覆聚合物的納米顆粒溶膠。

步驟2、二氧化硅包覆聚合物顆粒的自組裝：將步驟1得到的二氧化硅包覆聚合物粒子分別用水和乙醇洗滌、離心分離，再分散到乙醇中，形成一定質量分數的溶液。然后將二氧化硅包覆聚合物粒子溶液滴定到潔凈的載玻片上，用朗繆爾-布朗杰特(lb)法，制得單層二維有序二氧化硅包覆聚合物粒子自組裝膜，將其在空氣中自然晾干。

步驟3、將步驟2得到的單層二維有序二氧化硅包覆聚合物粒子薄膜加入有機溶劑，浸泡一定時間，再將有機溶劑緩慢抽走，使基底上的薄膜在空氣中自然揮發(fā)有機溶劑晾干，得到空心碗狀結構的二氧化硅二維納米陣列結構。

作為優(yōu)選，步驟1中聚乙烯吡咯烷酮的濃度為1～50g/l；引發(fā)劑的濃度為0.5～10.0g/l；蒸餾水和聚合物單體的體積比為50:1～10；通入n2時間為0.5～10h，攪拌溫度為40～90℃，攪拌速度為80～500rpm，時間為12～72h，得到粒徑為100nm～1um的聚合物乳液；

步驟1中采用的引發(fā)劑可以是過硫酸鉀、偶氮二異丁脒鹽酸鹽、過硫酸銨等；

步驟1中將聚合物乳液溶解于乙醇中，可以采用攪拌、搖晃、超聲等方式，得到1％～20％的懸浮液；攪拌溫度20～70℃，攪拌速度80～500rpm；加入的乙醇與氨水的體積比為20:5～1；加入的有機-無機硅源，可以是正硅酸甲酯、正硅酸乙酯(如正硅酸四乙酯)、正硅酸丁酯等與甲基三甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷等的混合前驅體，比例為1:0.5～10，加入乙醇與硅源體積比為80:10～1；攪拌的溫度為20～70℃，攪拌速度為80～500rpm，反應時間0.5～24h，即可得到有機改性二氧化硅包覆聚合物粒子的納米顆粒；

步驟2中將二氧化硅包覆聚合物粒子洗滌、離心分離后分散于乙醇中，得到質量分數為1％～20％的溶液；

步驟2中自組裝的二氧化硅包覆聚合物微球的粒徑大小為100nm～1um；

步驟2中制得單層二氧化硅包覆聚合物粒子自組裝膜晾干時間參數為2～30min；

步驟3中進行后處理的溶劑可以是四氫呋喃、n，n-二甲基甲酰胺、甲苯、氯仿等，浸泡時間參數為6～72h。

應理解，在本發(fā)明中，所述第一溶液中，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒的質量分數對于所述自組裝膜的形成具有重要影響，當所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒的質量分數＜1％時，由于溶液濃度太低，自組裝膜層排列不緊密；當所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒的質量分數＞20％時，由于溶液濃度太高，納米顆粒團聚，自組裝膜層會有多層出現，不能得到純凈的單層膜。

應理解，所述二氧化硅包覆的聚合物顆粒中，聚合物顆粒直徑既定的前提下，外殼二氧化硅包覆層的厚度對制得所述陣列結構具有重要意義。例如，如果聚合物顆粒的平均粒徑為250nm左右時，當所述外殼二氧化硅包覆層的厚度＞25nm時，由于包覆層厚度太厚，無法得到空心碗狀的結構，仍然是球狀顆粒堆積；當所述外殼二氧化硅包覆層的厚度＜5nm時，由于包覆的厚度太薄，有機溶劑溶解、晾干后，殼層會破裂，也無法得到空心碗狀結構。

應理解，在本發(fā)明中，所述熱處理步驟對于獲得最終的陣列結構具有重要意義。具體地，所述熱處理可有效地將所述自組裝膜固定于所述基片上，從而使得在有機溶劑的溶解處理所述聚合物顆粒的過程中，各二氧化硅包覆結構可以基本固定在原地并保持其在自組裝膜中的相對位置關系，從而獲得所述排布緊密、二維有序定向排布的空心碗狀納米二氧化硅的陣列結構。

應理解，所述熱處理的處理溫度最好介于所述聚合物顆粒的玻璃化轉變溫度附近，以便有效固定所述自組裝膜。具體地，當所述熱處理的處理溫度＜65℃時，由于溫度太低，不能充分固定自組裝膜層，得不到排列緊密的結構；當所述熱處理的處理溫度＞100℃時，由于溫度太高會導致納米顆粒物理化學性質發(fā)生改變，后續(xù)處理中有機溶劑無法徹底溶解聚合物顆粒，也不能得到碗狀結構。

陣列結構及其應用

本發(fā)明還提供了一種空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構，所述陣列結構是采用所述的方法制備的。

本發(fā)明還提供了一種制品，所述制品包含所述空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構。

在本發(fā)明中，所述空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構的特殊空心碗狀顆粒具有質輕、附著力強、形貌非球形等新穎性質，因此在納米材料、能源、化學、生物等領域均有潛在的應用價值。

此外，所述空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構中，其碗口統(tǒng)一有序排布，碗狀微球具有較強結構穩(wěn)定性，每一個“碗”都可以作為獨立的納米反應容器進行化學反應或承載、組裝化學物質，這將有重要的應用價值。

不僅如此，所述空心碗狀納米二氧化硅二維陣列結構的比表面積大、選材靈活、膜層厚度可控、可大面積制備等特點使得其在防眩減反、自清潔、氣體傳感、拉曼增強等方面有直接的應用前景。

與現有技術相比，本發(fā)明具有以下主要優(yōu)點：

(1)所述制備方法具有工藝簡便、成本低廉、實驗條件溫和等特點；

(2)所述陣列結構具有結構排布致密、碗狀開口方向整齊一致、膜厚可控等特點；

(3)所述陣列結構是由獨立的球形納米粒子自動折疊變形為空心碗狀納米結構得到的，因此所述方法是一種全新的空心碗狀微納陣列制造方法，所得陣列結構具有結構新穎、單元粒子化學成分和尺寸參數獨立可調等顯著優(yōu)點。

下面結合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。下列實施例中未注明具體條件的實驗方法，通常按照常規(guī)條件或按照制造廠商所建議的條件。除非另外說明，否則百分比和份數按重量計算。

除非另行定義，文中所使用的所有專業(yè)與科學用語與本領域熟練人員所熟悉的意義相同。此外，任何與所記載內容相似或均等的方法及材料皆可應用于本發(fā)明方法中。文中所述的較佳實施方法與材料僅作示范之用。

實施例1陣列結構1

a)取聚乙烯吡咯烷酮(平均相對分子量58000，作為穩(wěn)定劑)1.5g，偶氮二異丁脒鹽酸鹽0.35g，100ml蒸餾水，室溫下攪拌，待溶液澄清后，加入11ml甲基丙烯酸甲酯單體，并通入n22h；然后在70℃下，攪拌速度為200rpm，攪拌24h，即可得到平均粒徑為240nm左右的聚甲基丙烯酸甲酯乳液(pmma)。

b)取上述所得到的聚甲基丙烯酸甲酯乳液5.0g，溶解于40ml的無水乙醇中，可超聲30min，使其充分溶解，得到7.0wt％的懸浮液；在50℃下，攪拌速度為200rpm，向此懸浮液中加入5ml氨水，過5min后，加入有機-無機硅源1.5ml，硅源為體積比為1:3的正硅酸四乙酯和甲基三乙氧基硅烷，反應3h，得到平均粒徑為260nm左右的二氧化硅包覆的聚甲基丙烯酸甲酯納米顆粒(即pmma@sio2球)。

c)將上述所得到的二氧化硅包覆的聚甲基丙烯酸甲酯納米顆粒分別用水和乙醇洗滌、離心分離，再分散于無水乙醇中，使溶液的質量分數為7.0％；然后將pmma@sio2球溶液滴定到潔凈的載玻片上，用朗繆爾-布朗杰特(lb)法，在玻璃基底上，制得單層二維有序pmma@sio2自組裝膜(薄膜厚度由pmma@sio2球粒徑決定)，晾干10min。

d)在80℃的烘箱中熱處理上述經晾干的薄膜120min，然后將所得薄膜置于30ml的甲苯溶液，浸泡24h，再將有機溶劑緩慢抽走，使基底上的薄膜在空氣中自然揮發(fā)有機溶劑晾干，得到空心碗狀結構的納米二氧化硅二維有序定向排列的陣列結構1。

圖1為實施例1步驟c)所得經晾干的薄膜的sem結果。

從圖1可以看出：得到的pmma@sio2自組裝單層薄膜二維排列有序，結構緊密。

圖2為實施例1步驟d)所得陣列結構1的sem結果。

從圖2可以看出：得到的二維空心碗狀二氧化硅納米結構，碗狀粒子排列有序，開口整齊一致向上。

進一步地，經測試，實施例1步驟b)所得pmma@sio2球中，內核ps球的粒徑約為240nm，外殼sio2包覆層的厚度約為10nm。并且，經測試，步驟d)所得陣列結構1中所述空心碗狀結構的納米二氧化硅的殼層厚度約為20nm。

實施例2陣列結構2

a)取聚乙烯吡咯烷酮(平均相對分子量58000，作為穩(wěn)定劑)0.1g，過硫酸鉀0.05g，100ml蒸餾水，室溫下攪拌，待溶液澄清后，加入2ml苯乙烯單體，并通入n20.5h；然后在40℃下，攪拌速度為500rpm，攪拌12h，即可得到平均粒徑為100nm左右的聚苯乙烯乳液。

b)取上述所得到的聚苯乙烯乳液0.71g，溶解于40ml的無水乙醇中，可超聲30min，使其充分的分散，得到1.0wt％的懸浮液；在20℃下，攪拌速度為500rpm，向此懸浮液中加入2ml氨水，過5min后，加入有機-無機硅源0.5ml，硅源為體積比為2:1的正硅酸四乙酯和甲基三乙氧基硅烷，反應0.5h,得到平均粒徑為100nm左右的二氧化硅包覆的聚苯乙烯納米顆粒(即ps@sio2球)。

c)將上述所得到的二氧化硅包覆的聚苯乙烯納米顆粒分別用水和乙醇洗滌、離心分離，再分散于無水乙醇中，使溶液的質量分數為1％；然后將ps@sio2球溶液滴定到潔凈的硅片上，用朗繆爾-布朗杰特(lb)法，在硅片基底上，制得單層二維有序ps@sio2自組裝膜(薄膜厚度由ps@sio2球粒徑決定)，晾干2min。

d)在65℃下在烘箱中熱處理上述經晾干的薄膜130min，然后將所得薄膜置于30ml的四氫呋喃溶液，浸泡6h，再將有機溶劑緩慢抽走，使基底上的薄膜在空氣中自然揮發(fā)有機溶劑晾干，得到空心碗狀結構的納米二氧化硅二維有序定向排列的陣列結構2。

實施例3陣列結構3

a)取聚乙烯吡咯烷酮(平均相對分子量58000，作為穩(wěn)定劑)5.0g，過硫酸銨1.0g，100ml蒸餾水，室溫下攪拌，待溶液澄清后，加入20ml苯乙烯單體，并通入n210h；然后在90℃下，攪拌速度為80rpm，攪拌72h，即可得到平均粒徑為1um左右的聚苯乙烯乳液。

b)取上述所得到的聚苯乙烯乳液17.5g，溶解于40ml的無水乙醇中，可超聲30min，使其充分溶解，得到20wt％的懸浮液；在70℃下，攪拌速度為80rpm，向此懸浮液中加入10ml氨水，過5min后，加入有機-無機硅源5ml，硅源為體積比為1:10的正硅酸四乙酯和甲基三乙氧基硅烷，反應24h，得到平均粒徑為1um左右的二氧化硅包覆的聚苯乙烯納米顆粒(即ps@sio2球)。

c)將上述所得到的二氧化硅包覆的聚苯乙烯納米顆粒分別用水和乙醇洗滌、離心分離，再分散于無水乙醇中，使溶液的質量分數為20％；然后將ps@sio2球溶液滴定到潔凈的pet基底上，用朗繆爾-布朗杰特(lb)法，在pet基底上，制得單層二維有序ps@sio2自組裝膜(薄膜厚度由ps@sio2球粒徑決定)，晾干30min。

d)在100℃下在烘箱中熱處理上述經晾干的薄膜20min，然后將所得薄膜置于30ml的氯仿溶液，浸泡72h，再將有機溶劑緩慢抽走，使基底上的薄膜在空氣中自然揮發(fā)有機溶劑晾干，得到空心碗狀結構的納米二氧化硅二維有序定向排列的陣列結構3。

對比例1陣列結構c1

同實施例1，區(qū)別在于：步驟d)中熱處理的溫度為50℃。

由于熱處理的溫度太低，不能固定自組裝顆粒，因此得不到排列規(guī)整緊密的膜層結構，如圖3所示。

對比例2陣列結構c2

同實施例1，區(qū)別在于：步驟d)中熱處理的溫度為150℃。

由于熱處理的溫度太高，樹脂發(fā)生化學變化，有機溶劑無法完全溶解，因此得不到完全的空心碗狀二維結構，如圖4所示。

對比例3陣列結構c3

同實施例1，區(qū)別在于：步驟b)所得pmma@sio2球中，通過改變硅源的量，使得外殼sio2包覆層的厚度約為30nm。

由于包覆層的厚度太厚，形成的二氧化硅層太堅固緊密，有機溶劑很難溶解芯部樹脂，無法得到碗狀結構，膜層仍然是球形顆粒自組裝膜，如圖5所示。

對比例4陣列結構c4

同實施例1，區(qū)別在于：步驟b)所得pmma@sio2球中，通過改變硅源的量，使得外殼sio2包覆層的厚度約為3nm。

由于包覆層的厚度太薄，形成的二氧化硅層太薄，經有機溶劑溶解、晾干后，外殼層碎裂變形，無法得到完整的碗狀二維結構膜層，如圖6所示。

在本發(fā)明提及的所有文獻都在本申請中引用作為參考，就如同每一篇文獻被單獨引用作為參考那樣。此外應理解，在閱讀了本發(fā)明的上述講授內容之后，本領域技術人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。