本發(fā)明涉及有機(jī)光電材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種以四苯基乙烯為母核的有機(jī)發(fā)光材料及其有機(jī)發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：在oled的研究中，有機(jī)材料的選擇起著決定性的作用。oled中用到的有機(jī)材料主要有空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā)光材料、電子傳輸材料及電子注入材料等，而主體材料是發(fā)光層的主要材料。一般地說，所有的空穴或電子傳輸型主體材料摻雜客發(fā)光體形成發(fā)光層，激子復(fù)合區(qū)域會(huì)選擇性地偏上某一邊，從而導(dǎo)致器件效率與光色的改變，甚為嚴(yán)重的可能會(huì)引起三重態(tài)之間的能量淬滅，導(dǎo)致高亮度下發(fā)光效率滾降嚴(yán)重。此外，器件的驅(qū)動(dòng)電壓較高，也不甚理想。四苯基乙烯合成簡(jiǎn)單，可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)修飾的位點(diǎn)有很多。利用四苯基乙烯作為母核，連接常見的發(fā)光基團(tuán)，可以大幅度減緩分子之間由于過度聚集導(dǎo)致的熒光淬滅問題，在有機(jī)電致材料方面具有很好的應(yīng)用前景。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種以四苯基乙烯為母核的有機(jī)發(fā)光材料及其有機(jī)發(fā)光器件，本發(fā)明化合物以四苯基乙烯為母核，得到一種電致發(fā)光材料。采用本發(fā)明所述基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)發(fā)光材料制備的有機(jī)發(fā)光器件，具有更高的發(fā)光效率，及更低的驅(qū)動(dòng)電壓。本發(fā)明首先提供了一種基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)發(fā)光材料，其結(jié)構(gòu)通式如i所示：其中，r1，r2獨(dú)立的選自取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳烷基、取代或未取代的c3-c50雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述r1，r2獨(dú)立的選自取代或未取代的c1-c10烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳烷基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述一種以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料，選自如下結(jié)構(gòu)中的任意一種：本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光器件，包括第一電極、第二電極和置于所述兩電極之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層，至少一個(gè)有機(jī)化合物層包含至少一種所述的基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料。優(yōu)選的，所述有機(jī)化合物層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層。本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料制備的發(fā)光器件，本發(fā)明以四苯基乙烯為母核，得到一種有機(jī)電致發(fā)光材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料制備的發(fā)光器件，發(fā)光效率最高可達(dá)21.4cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為3.5v，是一種優(yōu)異的oled材料。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明首先提供一種基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料，結(jié)構(gòu)通式如i所示：其中，r1，r2獨(dú)立的選自取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳烷基、取代或未取代的c3-c50雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述r1，r2獨(dú)立的選自取代或未取代的c1-c10烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳烷基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述一種以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料，選自如下結(jié)構(gòu)中的任意一種：本發(fā)明所述基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料的制備方法，包括所示的原料通過如下路線反應(yīng)生成式i所示的基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料：其中，r1，r2獨(dú)立的選自取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳烷基、取代或未取代的c3-c50雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述r1，r2獨(dú)立的選自取代或未取代的c1-c10烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳烷基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種。本發(fā)明對(duì)上述各類反應(yīng)的反應(yīng)條件沒有特殊要求，以本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的此類反應(yīng)的常規(guī)條件即可。本發(fā)明對(duì)上述各類反應(yīng)中所采用的原料的來源沒有特別的限制，可以為市售產(chǎn)品或采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的制備方法制備得到。其中，所述r1，r2的選擇同上所述，在此不再贅述。本發(fā)明還提供一種基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料制備的有機(jī)器件，所述有機(jī)發(fā)光器件為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的有機(jī)發(fā)光器件即可。本發(fā)明所述有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和置于兩電極之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層，至少一個(gè)有機(jī)化合物層包含至少一種本發(fā)明所述的基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料。所述有機(jī)化合物層優(yōu)選包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層與電子注入層中的至少一層，優(yōu)選所述的發(fā)光層中含有本發(fā)明所述的基于以四苯基乙烯為母核的有機(jī)電致發(fā)光材料。實(shí)施例1：化合物1的制備step1，將100mmol9,10-二氫蒽溶解在無(wú)水thf中，降溫到-78攝氏度，緩慢滴加1.1當(dāng)量正丁基鋰，反應(yīng)2h，加入2當(dāng)量的溴苯甲基酮的thf溶液。在緩慢升溫至室溫反應(yīng)3h。反應(yīng)完成后，加入大量水，有白色產(chǎn)品析出，過濾，濾餅經(jīng)由柱層析得到產(chǎn)品91mmol1-1。step2，將91mmol1-1溶解在甲苯中，加入2當(dāng)量的對(duì)甲基苯磺酸，回流反應(yīng)2h。反應(yīng)后將溶劑旋干，得到粗品經(jīng)由柱層析，得到1-282mmol。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當(dāng)量的二苯胺，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品68mmol化合物1。實(shí)施例2：化合物2的制備step1～step2同實(shí)施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當(dāng)量的咔唑，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品68mmol化合物2。實(shí)施例3：化合物9的合成step1～step2同實(shí)施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當(dāng)量的二甲胺鹽酸鹽，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品68mmol化合物9。實(shí)施例4：化合物12的合成step1～step2同實(shí)施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當(dāng)量的哌啶，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品68mmol化合物12。實(shí)施例5：化合物20的合成step1～step2同實(shí)施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當(dāng)量n-甲基苯胺，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品68mmol化合物20。實(shí)施例6：化合物26的合成step1，取150mmol二苯甲酮類似物，100mmol4-胺基二苯甲酮，4當(dāng)量的活化鋅粉，加入三口瓶中，氮?dú)庵脫Q三次，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下加入thf溶劑，冷卻到-78℃，滴加2當(dāng)量的ticl4，滴加完畢后，緩慢升溫至室溫，逐漸加熱到80℃，回流反應(yīng)12h。反應(yīng)完畢后，逐漸滴加飽和碳酸鈉水溶液，直到有大量白色固體析出。過濾，粗品經(jīng)由柱層析得到白色產(chǎn)品50mmol26-1。step2，取白色產(chǎn)品50mmol26-1，加入1當(dāng)量9-(4-溴苯基)-9h-咔唑，150mmol叔丁醇鉀，0.5mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.0mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品38mmol化合物26-2。step3，取白色產(chǎn)品38mmol化合物26-2，加入1當(dāng)量碘苯，40mmol叔丁醇鉀，0.4mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入0.8mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品28mmol化合物26。實(shí)施例7：化合物27的合成將實(shí)施例6中的更換成合成方法同實(shí)施例6。實(shí)施例8：化合物30的合成將實(shí)施例6中的更換成合成方法同實(shí)施例6。實(shí)施例9：化合物34的合成將實(shí)施例6中的更換成合成方法同實(shí)施例6。實(shí)施例10：化合物38的合成將實(shí)施例6中的更換成合成方法同實(shí)施例6。實(shí)施例11：化合物46的合成將實(shí)施例6中的更換成將實(shí)施例6中的更換成合成方法同實(shí)施例6。實(shí)施例12：化合物50的合成step1，同實(shí)施例6中step1。step2，取白色產(chǎn)品50mmol26-1，加入2當(dāng)量溴代噻吩，150mmol叔丁醇鉀，0.5mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.0mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應(yīng)10h，粗產(chǎn)品經(jīng)由柱層析，得到產(chǎn)品38mmol化合物50。本發(fā)明實(shí)施例制備得到的以四苯基乙烯為母核的fd-bs值見表1所示。表1本發(fā)明實(shí)施例制備的化合物fd-ms值化合物fd-ms1m/z:511.52，c39h29n(511.23)2m/z:509.04，c39h27n(509.21)9m/z:387.35，c29h25n(387.20)12m/z:427.42，c32h29n(427.23)20m/z:449.63，c34h27n(449.21)26m/z:676.04，c51h36n2(676.29)27m/z:676.22，c51h36n2(676.29)30m/z:617.11，c45h31ns(617.22)34m/z:601.52，c45h31no(601.24)38m/z:614.67，c46h34n2(614.27)42m/z:749.35，c58h39n(749.31)46m/z:814.52，c57h38n2s2(814.25)50m/z:723.71，c51h33ns2(723.21)對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例1：取ito透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍npb作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍tapc/firpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為10wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍alq3作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍al層作為陰極，厚度為200nm。應(yīng)用實(shí)例1：取ito透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍npb作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍化合物1/firpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為10wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍alq3作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍al層作為陰極，厚度為200nm。應(yīng)用實(shí)例2：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物2。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例3：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物9。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例4：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物12。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例5：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物20。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例6：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物26。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例7：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物27。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例8：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物30。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例9：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物34。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例10：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物38。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例11：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物42。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例12：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物46。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。應(yīng)用實(shí)例13：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物50。測(cè)量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表2。測(cè)量實(shí)施例1：對(duì)比樣品以及樣品的發(fā)光性能對(duì)比樣品以及樣品是采用keithleysmu235，pr650評(píng)價(jià)發(fā)光效率和驅(qū)動(dòng)電壓，結(jié)果列于表2中：表2本發(fā)明實(shí)施例制備的發(fā)光器件的發(fā)光特性以上可以看出，本發(fā)明的一種以四苯基乙烯為母核的有機(jī)發(fā)光材料在電致發(fā)光器件中進(jìn)行應(yīng)用，發(fā)光效率最高可達(dá)21.4cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓最低為3.5v，較大的提高了器件的發(fā)光效率，是性能良好的有機(jī)發(fā)光材料。雖然本發(fā)明用示范性實(shí)施方案進(jìn)行了特別的描述，但應(yīng)該理解在不偏離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神與范圍的情況下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對(duì)其進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。當(dāng)前第1頁(yè)12