本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光材料及其發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：根據(jù)電致發(fā)光機(jī)制，oled材料分為熒光oled材料和磷光oled。熒光oled材料是一種純粹的有機(jī)材料，不含有重金屬，因此，理論上只能達(dá)到25％的內(nèi)部量子效率，造成理論上熒光的外部量子效率最高5％的上限。磷光發(fā)光材料由于含有重金屬效應(yīng)，理論上可以達(dá)到100％的量子發(fā)光效率。近期，熱激活延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence，tadf)材料得到廣泛關(guān)注，是一種利用能量上轉(zhuǎn)換機(jī)制進(jìn)行發(fā)光oled材料。這種材料由于homo-lumo軌道分離，由于分子中單線態(tài)激子(s1)和三線態(tài)激子(t1)軌道能級(jí)接近，利用環(huán)境中的熱量，使得t1能夠躍遷到s1軌道上，因而可以獲得接近100％的內(nèi)部量子效率，發(fā)光效率較熒光oled提升明顯。并且不含有重金屬，是目前最為先進(jìn)的一種光電材料。傳統(tǒng)tadf材料分子特征為，給電子分子片段d(donor)和吸電子分子片段a(acceptor)是物理空間上分隔開(kāi)的，這種分隔可以是通過(guò)a和d各自平面形成比較大的二面角或是中間通過(guò)空間位阻進(jìn)行分離，形成a-d-a、d-a-d、d-a等特征的有機(jī)小分子結(jié)構(gòu)。目前tadf開(kāi)發(fā)的重心都在于降低δest(單線態(tài)和三線態(tài)間分裂能)值，采用的理論策略是將homo-lumo(highestoccupiedmolecular-lowestunoccupiedmolecular)軌道分離，降低單線態(tài)和三線態(tài)間的交換能積分，分子設(shè)計(jì)上就需要將donor給單子單元(縮寫為d)和acceptor吸電子單元(縮寫為a)進(jìn)行物理空間上的分離。然而，這種分離雖然達(dá)到了homo-lumo軌道分離的目的，但是帶來(lái)了材料其它方面性能的劣化：1)fwhm(fullwidthathalfmaximum)半峰寬超過(guò)50nm；2)(s1→s0)的電子躍遷速率常數(shù)kr減小，成為躍遷禁阻，降低了發(fā)光效率。其中，fwhm指全峰寬的一半，是oled顯示技術(shù)中最為重要的一項(xiàng)光學(xué)指標(biāo)，一般要求oled器件(材料)的電致發(fā)光光譜fwhm要小于30nm，fwhm越小，即顏色越純正，對(duì)于顯示色域越寬。傳統(tǒng)tadf材料的分子結(jié)構(gòu)決定其無(wú)法獲得窄峰寬narrow-band的光學(xué)特性，這是因?yàn)?，傳統(tǒng)tadf材料是d-a分離，homo-lumo分離的化學(xué)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致了激發(fā)態(tài)分子(s1，t1)結(jié)構(gòu)發(fā)生馳豫(structuralrelaxation)，造成光譜發(fā)生斯托克位移，從而形成了60～100nm的fwhm。這種半峰寬對(duì)于顯示非常不利，需要進(jìn)一步使用微腔技術(shù)進(jìn)行光譜調(diào)節(jié)。鑒于此，特提出本申請(qǐng)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本申請(qǐng)的首要發(fā)明目的在于提出一種有機(jī)電致發(fā)光材料。本申請(qǐng)的第二發(fā)明目的在于提出使用上述有機(jī)電致發(fā)光材料的發(fā)光器件。為了完成本申請(qǐng)的目的，采用的技術(shù)方案為：本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光材料，選自如通式i所示的化合物：其中，x1、x2、x3、x4各自獨(dú)立的選自n原子或b原子，且x1、x2、x3、x4中至少有一個(gè)為n原子，x1、x2、x3、x4中至少有一個(gè)為b原子；l1、l2、l3各自獨(dú)立的表示c6～c48芳環(huán)或c3～c48雜芳環(huán)；r1、r2、r3各自獨(dú)立的選自氫原子、氘原子、取代或未取代的c1～c36烷基、取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；所述烷基包括氘代烷基，所述芳基包括氘代芳基，所述雜芳基包括氘代雜芳基；y1、y2、y3各自獨(dú)立的選自氫原子、氘原子、吸電子基團(tuán)或供電子基團(tuán)；所述吸電子基團(tuán)包括氘代吸電子基團(tuán)，所述供電子基團(tuán)包括氘代供電子基團(tuán)；取代基選自c1～c12烷基、c1～c12氘代烷基、c6～c12芳基、c6～c12氘代芳基、c5～c11雜芳基、c5～c11氘代雜芳基；本發(fā)明還涉及一種發(fā)光器件，包括陽(yáng)極、陰極及設(shè)置于所述陽(yáng)極和所述陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層，所述有機(jī)層包括本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料。本申請(qǐng)的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果：本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料中x1、x2、x3、x4表示的n原子或b原子構(gòu)成了一個(gè)非常平面的剛性分子結(jié)構(gòu)，在這個(gè)平面的剛性分子結(jié)構(gòu)，n原子和b原子分別處于六元環(huán)的對(duì)位位置上。由x1、x2、x3、x4構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)與連接的芳香環(huán)構(gòu)成了一個(gè)整體剛性、且平面結(jié)構(gòu)的分子體系。激發(fā)態(tài)下的分子與基態(tài)分子結(jié)構(gòu)具有比較好的一致性，從而獲得窄fwhm。從homo與lumo軌道分析可知，homo和lumo獨(dú)立分布在這些芳香環(huán)的不同原子或部分相同的原子上。具體的，lumo主要分布在b原子上，部分游離在芳香環(huán)和n原子上，同時(shí)b原子對(duì)homo沒(méi)有任何貢獻(xiàn)；homo主要分布在n原子上，部分游離在芳香環(huán)上。本發(fā)明分子結(jié)構(gòu)的homo-lumo得到一定分離，從而可以獲得延遲熒光效果(高發(fā)光效率)，并且使δest與傳統(tǒng)tadf材料相比較大，從而獲得高躍遷速率常數(shù)kr(s1→s0)。附圖說(shuō)明圖1為化合物1的核磁共振碳譜；圖2為化合物1的核磁共振氫譜；圖3為化合物2的核磁共振碳譜；圖4為化合物2的核磁共振氫譜；圖5為化合物3的核磁共振碳譜；圖6為化合物3的核磁共振氫譜；圖7為化合物3的吸收光譜；圖8為化合物10的核磁共振碳譜；圖9為化合物10的核磁共振氫譜；圖10為化合物3的homo-lumo分子軌道示意圖；圖11的化合物3發(fā)光機(jī)制示意圖；圖12為本發(fā)明發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；其中：10-發(fā)光器件；11-陽(yáng)極；12-空穴傳輸層；13-發(fā)光層；14-電子傳輸層；15-陰極。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本申請(qǐng)。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本申請(qǐng)而不用于限制本申請(qǐng)的范圍。本發(fā)明的第一方面提出一種有機(jī)電致發(fā)光材料，有機(jī)電致發(fā)光材料選自如通式i所示的化合物：在式i中，x1、x2、x3、x4各自獨(dú)立的選自n原子或b原子，且x1、x2、x3、x4中至少有一個(gè)為n原子，x1、x2、x3、x4中至少有一個(gè)為b原子；l1、l2、l3各自獨(dú)立的表示c6～c48芳環(huán)或c3～c48雜芳環(huán)；r1、r2、r3各自獨(dú)立的選自氫原子、氘原子、取代或未取代的c1～c36烷基、取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；烷基包括氘代烷基，芳基包括氘代芳基，雜芳基包括氘代雜芳基；y1、y2、y3各自獨(dú)立的選自氫原子、氘原子、吸電子基團(tuán)或供電子基團(tuán)；吸電子基團(tuán)包括氘代吸電子基團(tuán)，供電子基團(tuán)包括氘代供電子基團(tuán)；取代基選自c1～c12烷基、c1～c12氘代烷基、c6～c12芳基、c6～c12氘代芳基、c5～c11雜芳基、c5～c11氘代雜芳基；其中，氘代吸電子基團(tuán)指氘原子取代吸電子基團(tuán)中的氫原子后形成的基團(tuán)，氘代供電子基團(tuán)指氘原子取代供電子基團(tuán)中的氫原子后形成的基團(tuán)；氘代烷基指氘原子取代烷基中的氫原子后形成的取代基，氘代芳基指氘原子取代芳基中的氫原子后形成的取代基，氘代雜芳基指氘原子取代雜芳基中的氫原子后形成的取代基。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料中x1、x2、x3、x4表示的n原子或b原子構(gòu)成了一個(gè)非常平面的剛性分子結(jié)構(gòu)，在這個(gè)平面的剛性分子結(jié)構(gòu)，n原子和b原子分別處于六元環(huán)的對(duì)位位置上。由x1、x2、x3、x4構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)與連接的芳香環(huán)構(gòu)成了一個(gè)整體剛性、且平面結(jié)構(gòu)的分子體系。激發(fā)態(tài)下的分子與基態(tài)分子結(jié)構(gòu)具有比較好的一致性，從而獲得窄fwhm。從homo與lumo軌道分析可知，homo和lumo獨(dú)立分布在這些芳香環(huán)的不同原子或部分相同的原子上。具體的，lumo主要分布在b原子上，部分游離在芳香環(huán)和n原子上，同時(shí)b原子對(duì)homo沒(méi)有任何貢獻(xiàn)；homo主要分布在n原子上，部分游離在芳香環(huán)上。本發(fā)明分子結(jié)構(gòu)的homo-lumo得到一定分離，從而可以獲得延遲熒光效果(高發(fā)光效率)，并且使，δest與傳統(tǒng)tadf材料相比較大，從而獲得高躍遷速率常數(shù)kr(s1→s0)。進(jìn)一步優(yōu)選的，x1和x2、x2和x3、x2和x4中至少有一組同時(shí)為n原子和b原子。作為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光材料的一種改進(jìn)，當(dāng)x1表示n原子時(shí)，x2表示b原子、且x3和x4各自獨(dú)立的表示n原子或b原子；當(dāng)x1表示b原子時(shí)，x2表示n原子、且x3和x4各自獨(dú)立的表示n原子或b原子；當(dāng)x2表示n原子時(shí)，x3表示b原子、且x1和x4各自獨(dú)立的表示n原子或b原子；當(dāng)x2表示b原子時(shí)，x3表示n原子、且x1和x4各自獨(dú)立的表示n原子或b原子；當(dāng)x2表示n原子時(shí)，x4表示b原子、且x1和x3各自獨(dú)立的表示n原子或b原子；當(dāng)x2表示b原子時(shí)，x4表示n原子、且x1和x3各自獨(dú)立的表示n原子或b原子。作為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光材料的一種改進(jìn)，當(dāng)l1、l2、l3均表示苯環(huán)時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光材料選自如通式ia所示的化合物：作為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光材料的一種改進(jìn)，當(dāng)通式ia中的x2表示b原子、x1、x3和x4均表示n原子時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光材料選自如通式iaa所示的化合物：在通式iaa所示的化合物中，lumo主要分布在中間的b原子上，部分游離在芳香環(huán)和n原子上，同時(shí)b原子對(duì)homo沒(méi)有任何貢獻(xiàn)；homo主要分布在n原子上，部分游離在芳香環(huán)上。從而使homo-lumo得到一定分離，從而可以獲得延遲熒光效果(高發(fā)光效率)，并且使，δest與傳統(tǒng)tadf材料相比較大，從而獲得高躍遷速率常數(shù)kr(s1→s0)。作為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光材料的一種改進(jìn)，當(dāng)通式ia中的x2表示n原子、x1、x3和x4均表示b原子時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光材料選自如通式iab所示的化合物：在通式iab所示的化合物中，lumo主要分布在中間的位于三個(gè)角上的b原子上，部分游離在芳香環(huán)和n原子上，同時(shí)b原子對(duì)homo沒(méi)有任何貢獻(xiàn)；homo主要分布在中間的n原子上，部分游離在芳香環(huán)上。從而使homo-lumo得到一定分離，從而可以獲得延遲熒光效果(高發(fā)光效率)，并且使，δest與傳統(tǒng)tadf材料相比較大，從而獲得高躍遷速率常數(shù)kr(s1→s0)。作為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光材料的一種改進(jìn)，當(dāng)l1、l2、l3中至少有一個(gè)環(huán)表示稠合環(huán)時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光材料選自如通式ib所示的化合物：c2與c1、c2與c3中至少有一對(duì)碳原子與環(huán)結(jié)構(gòu)a共用碳原子，和/或c5與c4、c5與c6中至少有一對(duì)碳原子與環(huán)結(jié)構(gòu)b共用碳原子，和/或c8與c7、c8與c9中至少有一對(duì)碳原子與環(huán)結(jié)構(gòu)d共用碳原子；y1、y2、y3、y4、y5、y6各自獨(dú)立的選自氫原子、氘原子、吸電子基團(tuán)或供電子基團(tuán)；吸電子基團(tuán)包括氘代吸電子基團(tuán)，供電子基團(tuán)包括氘代供電子基團(tuán)；m、n、p、q、r、s各自獨(dú)立表示1～4的整數(shù)；環(huán)結(jié)構(gòu)a、環(huán)結(jié)構(gòu)b、環(huán)結(jié)構(gòu)d各自獨(dú)立的為芳香環(huán)或芳雜環(huán)。具體的，a、b、c各自獨(dú)立地選自苯環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、苯并呋喃環(huán)、苯并吡咯環(huán)、苯并噻吩環(huán)、二苯并呋喃環(huán)、二苯并吡咯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)。c2與c1、c2與c3中至少有一對(duì)碳原子與環(huán)結(jié)構(gòu)a共用碳原子，即環(huán)結(jié)構(gòu)a可稠合于c2與c1之間的單鍵上，或者稠合于c2與c3之間的單鍵上。c5與c4、c5與c6中至少有一對(duì)碳原子與環(huán)結(jié)構(gòu)b共用碳原子，即環(huán)結(jié)構(gòu)b可稠合于c5與c4之間的單鍵上，或者稠合于c5與c6之間的單鍵上。c8與c7、c8與c9中至少有一對(duì)碳原子與環(huán)結(jié)構(gòu)d共用碳原子；即環(huán)結(jié)構(gòu)d可稠合于c8與c7之間的單鍵上，或者稠合于c8與c9之間的單鍵上。在上述通式所示的化合物中，供電子基團(tuán)選自氨基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的雜芳基；吸電子基團(tuán)選自鹵素、氰基、鹵素取代烷基、磷氧化合物、硫氧化合物、羰基化合物。作為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光材料的一種改進(jìn)，r1、r2、r3中至少有兩個(gè)取代基為相同的取代基?？稍黾臃肿拥膶?duì)稱性，并且便于合成。在上述通式所示的化合物中，y1、y2、y3各自獨(dú)立的選自氫原子、氘原子、取代或未取代的c1～c36烷基、取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；所述烷基包括氘代烷基，所述芳基包括氘代芳基，所述雜芳基包括氘代雜芳基；y4、y5、y6各自獨(dú)立的選自氫原子、氘原子、取代或未取代的c1～c36烷基、取代或未取代的c6～c48芳基、取代或未取代的c3～c48雜芳基；烷基包括氘代烷基，芳基包括氘代芳基，雜芳基包括氘代雜芳基。作為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光材料的一種改進(jìn)，有機(jī)電致發(fā)光材料選自以下結(jié)構(gòu)式所示的化合物：本發(fā)明還涉及一種發(fā)光器件，其發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管(oled)。包括陽(yáng)極、陰極及設(shè)置于陽(yáng)極和陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層，有機(jī)層包括本發(fā)明的芳香族化合物。請(qǐng)參閱圖12，為本發(fā)明提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。發(fā)光器件10包括依次沉積形成的陽(yáng)極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14和陰極15。其中空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14均為有機(jī)層，陽(yáng)極11與陰極15與電連接。合成方法(一)通式iaa所示的化合物的合成路徑為：具體步驟為：1、將二氯溴苯b滴加到苯胺化合物a中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下滴加l2pdcl2(l＝amphos，t-叔丁基-(p-二甲基氨基苯氧基)-磷酸)和t-buok作為催化劑，進(jìn)行充分?jǐn)嚢韬?，加熱進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后降溫到常溫，加入水析出固體，固體依次用水，正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到純的中間產(chǎn)物c固體。2、加入叔丁基鋰、叔丁基苯，加熱反應(yīng)，降溫到室溫條件下，滴加一定量的bbr3充分反應(yīng)，加入水，析出固體，依次使用正已烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到通式iaa所示的化合物。(二)通式iab所示的化合物的合成路徑為：通式iab-1為通式iab所示的化合物中r1、r2、r3為相同的取代基時(shí)的情況，其合成路徑為：具體步驟為：將二氯溴苯b滴加到苯胺化合物a中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下滴加入叔丁基鋰、叔丁基苯，加熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后降溫到室溫條件下，滴加一定量的bbr3充分反應(yīng)，加入水，析出固體，依次使用正已烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到通式iab-1所示的化合物。制備例1、化合物1的合成和表征：1)將二氯溴苯b滴加到苯胺化合物a中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下滴加l2pdcl2(l＝amphos，t-叔丁基-(p-二甲基氨基苯氧基)-磷酸)和t-buok作為催化劑，進(jìn)行充分?jǐn)嚢韬?，然后加熱?0℃保溫2個(gè)小時(shí)，然后加熱到120℃保溫反應(yīng)3小時(shí)，然后降溫到常溫，加入100ml水析出固體，固體依次用水，正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到純的中間產(chǎn)物c固體，產(chǎn)率56％。2)加入叔丁基鋰、叔丁基苯，60℃保溫2小時(shí)后，降溫到室溫條件下，滴加一定量的bbr3充分反應(yīng)半個(gè)小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正已烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到化合物1，產(chǎn)率32％?；衔?的核磁共振碳譜如圖1所示，核磁共振氫譜如圖2所示?；衔?的熒光發(fā)射光譜主峰為459.3nm，為純藍(lán)光材料。2、化合物2的合成和表征。1)將二氯溴苯b滴加到苯胺化合物a中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下滴加l2pdcl2(l＝amphos，t-叔丁基-(p-二甲基氨基苯氧基)-磷酸)和t-buok作為催化劑，進(jìn)行充分?jǐn)嚢韬?，然后加熱?0℃保溫2個(gè)小時(shí)，然后加熱到120℃保溫反應(yīng)3小時(shí)，然后降溫到常溫，加入100ml水析出固體，固體依次用水，正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到純的中間產(chǎn)物c固體，產(chǎn)率60％。2)加入叔丁基鋰、叔丁基苯，60℃保溫2小時(shí)后，降溫到室溫條件下，滴加一定量的bbr3充分反應(yīng)半個(gè)小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正已烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到化合物2，產(chǎn)率36％?；衔?的核磁共振碳譜如圖3所示，核磁共振氫譜如圖4所示?；衔?的熒光發(fā)射光譜主峰為457.6nm，為純藍(lán)光材料。3、化合物3的合成和表征1)將二氯溴苯b滴加到苯胺化合物a中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下滴加l2pdcl2(l＝amphos，t-叔丁基-(p-二甲基氨基苯氧基)-磷酸)和t-buok作為催化劑，進(jìn)行充分?jǐn)嚢韬?，然后加熱?0℃保溫2個(gè)小時(shí)，然后加熱到120℃保溫反應(yīng)3小時(shí)，然后降溫到常溫，加入100ml水析出固體，固體依次用水，正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到純的中間產(chǎn)物c固體，產(chǎn)率60％。2)加入叔丁基鋰、叔丁基苯，60℃保溫2小時(shí)后，降溫到室溫條件下，滴加一定量的bbr3充分反應(yīng)半個(gè)小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正已烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到化合物2，產(chǎn)率46％?；衔?的核磁共振碳譜如圖5所示，核磁共振氫譜如圖6所示?；衔?的熒光發(fā)射光譜主峰為446nmnm，為純藍(lán)光材料?；衔?在ch2cl2溶液中測(cè)試其吸收光譜如圖7所示，(四)化合物10的合成和表征將二氯溴苯b滴加到苯胺化合物a中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下滴加加入叔丁基鋰，叔丁基苯，60℃保溫2小時(shí)后，降溫到室溫條件下，滴加一定量的bbr3充分反應(yīng)半個(gè)小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正已烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到化合物10，產(chǎn)率48％。化合物10的核磁共振碳譜如圖8所示，核磁共振氫譜如圖9所示。化合物10的熒光發(fā)射光譜主峰為450.9nm，為純藍(lán)光材料。本發(fā)明化合物的δest測(cè)試一般有機(jī)材料中，由于自旋度不同而造成s1激發(fā)態(tài)和t1激發(fā)態(tài)能量不同，且es1能量要比et1能量大0.5-1.0ev，這就造成純有機(jī)熒光材料發(fā)光效率低下。熱延遲熒光tadf材料，由于獨(dú)特分子設(shè)計(jì)，將homo-lumo軌道進(jìn)行分離，降低二者電子交換能，理論上可以實(shí)現(xiàn)δest∽0。為了有效評(píng)估本發(fā)明中所述材料的熱延遲熒光效果，進(jìn)行δest評(píng)估。將1wt％化合物摻雜到mcbp薄膜中，在77k條件下進(jìn)行熒光發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜量測(cè)，通過(guò)波長(zhǎng)與能量關(guān)系進(jìn)行換算成s1和t1值(e＝1240/λem)。然后，δest＝es1-et1獲得單線體和三線態(tài)的分裂能。具體實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如表1所示。表1測(cè)試項(xiàng)目化合物1化合物2化合物3化合物4es1(ev)2.702.712.782.75et1(ev)2.562.572.622.58δest(ev)0.140.140.160.17從表1中可見(jiàn)，各個(gè)化合物都具有比較小的δest值，都小于0.18ev，因此，都具備熱延遲熒光效果。為進(jìn)一步評(píng)估合成材料的homo-lumo分離效果。針對(duì)化合物3進(jìn)行分子模擬。采用gaussian09軟件，分析化合物3的最穩(wěn)定分子結(jié)構(gòu)時(shí)的homo和lumo分子軌道，示意圖如圖10所示。由圖10可知，化合物3的homo-lumo分離效果明顯。本發(fā)明化合物的發(fā)光性能ito基板是30mm×30mm尺寸的底發(fā)射玻璃，有四個(gè)發(fā)光區(qū)域，發(fā)光面積aa區(qū)為2mm×2mm，ito薄膜的透光率為90％@550nm，表面粗糙度ra<1nm，ito膜厚為1300a，方電阻為10歐姆每平方。ito基板的清洗方式是，首先放置在盛有丙酮溶液的容器中，將該容器放置于在超聲波清洗機(jī)進(jìn)行超聲清洗，清洗時(shí)間為30分鐘，主要是將附著在ito表面的有機(jī)物進(jìn)行溶解和祛除；然后將清洗完畢的ito基板取出放置在熱板上進(jìn)行高溫120℃烘烤半個(gè)小時(shí)，主要是移除ito基板表面的有機(jī)溶劑和水汽；然后將烘烤完畢的ito基板迅速轉(zhuǎn)移到uv-zone設(shè)備中進(jìn)行o3plasma處理，將ito表面難以除盡的有機(jī)物或異物進(jìn)一步使用等離子處理，處理時(shí)間為15分鐘，處理完畢的ito要迅速轉(zhuǎn)移到oled蒸鍍?cè)O(shè)備成膜室中。oled蒸鍍前準(zhǔn)備：首先對(duì)oled蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行潔凈處理，使用ipa進(jìn)行擦拭成膜室的腔體內(nèi)壁，保證整個(gè)成膜腔體沒(méi)有異物或粉塵。然后，將裝有oled有機(jī)材料的坩堝和裝有金屬鋁粒的坩堝依次放置在有機(jī)蒸發(fā)源和無(wú)機(jī)蒸發(fā)源位置上。關(guān)閉腔體，進(jìn)行初抽真空和抽高真空步驟，使得oled蒸鍍?cè)O(shè)備內(nèi)部蒸鍍度達(dá)到10e-7torr。oled蒸鍍成膜：打開(kāi)oled有機(jī)蒸發(fā)源，對(duì)oled有機(jī)材料進(jìn)行100℃預(yù)熱，預(yù)熱時(shí)間為15分鐘，保證進(jìn)一步移除oled有機(jī)材料中的水汽。然后對(duì)需要蒸鍍的有機(jī)材料進(jìn)行快速升溫加熱處理，并打開(kāi)蒸發(fā)源上方的擋板，直到該材料的蒸發(fā)源有有機(jī)材料跑出，同時(shí)晶振片檢測(cè)器檢測(cè)到蒸發(fā)速率時(shí)，然后進(jìn)行緩慢升溫，升溫幅度為1～5℃，直到蒸發(fā)速率穩(wěn)定在1a/秒時(shí)，打開(kāi)掩膜板板正下方的擋板，進(jìn)行oled成膜，當(dāng)電腦端觀測(cè)到ito基板上的有機(jī)膜達(dá)到預(yù)設(shè)膜厚時(shí)，關(guān)閉掩膜板擋板和蒸發(fā)源正上方擋板，關(guān)閉該有機(jī)材料的蒸發(fā)源加熱器。其它有機(jī)材料和陰極金屬材料的蒸鍍工藝如上所述。oled封裝流程：20mm×20mm的封裝蓋的清潔處理方式如ito基板前處理方式。在清潔完畢的封裝蓋外延四周進(jìn)行uv膠材涂覆或點(diǎn)膠，然后，將點(diǎn)完uv膠材的封裝蓋轉(zhuǎn)移到真空貼合設(shè)備中，與成膜oled有機(jī)膜的ito基板進(jìn)行真空貼合，然后，轉(zhuǎn)移到uv固化腔體中，使用365nm波段的紫外光進(jìn)行光固化。光固化的ito器件，還需要進(jìn)行80℃半小時(shí)的后熱處理，使得uv膠材完全固化。(一)為了評(píng)估本發(fā)明化合物3的電致發(fā)光性能，進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)：1、器件編號(hào)a-e：本發(fā)明化合物3作為客體發(fā)光材料，設(shè)計(jì)oled器件結(jié)構(gòu)如下：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:化合物3(xwt％,30nm,x＝1-20)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。封裝采用uv環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行光固化封裝。封裝后的樣品進(jìn)行ivl性能測(cè)試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)如表2所示。2、器件編號(hào)f：采用經(jīng)典的藍(lán)光tadf材料2czpn進(jìn)行性能對(duì)比(編號(hào)f)設(shè)計(jì)oled器件結(jié)構(gòu)如下：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:2czpn(10wt％,30nm)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。封裝采用uv環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行光固化封裝。封裝后的樣品進(jìn)行ivl性能測(cè)試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)也如表2所示。3、器件編號(hào)g：本發(fā)明化合物3還可以作為雙極性的主體材料；oled器件結(jié)構(gòu)(g)結(jié)構(gòu)如下：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/化合物3:firpic(10wt％)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。封裝采用uv環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行光固化封裝。封裝后的樣品進(jìn)行ivl性能測(cè)試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)也如表2所示。表2：由表2可知，基于化合物3的器件性能要隨著摻雜比例提高而提高，摻雜比例持續(xù)提高后，器件性能有下降的趨勢(shì)。但是摻雜比例為10wt％的化合物3性能已經(jīng)顯著超過(guò)2czpn的性能。同時(shí)，由于化合物3具有剛性結(jié)構(gòu)的，其半峰寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于2czpn的80nm。如圖11的發(fā)光機(jī)制示意圖可知，化合物3的熒光發(fā)光機(jī)制中的t1→s1電子躍遷是禁阻的，因?yàn)槿€態(tài)和單線體是不同的自旋電子態(tài)，當(dāng)發(fā)光材料的單線態(tài)和三線態(tài)能級(jí)差不斷縮小的情況下，t1→s1的電子躍遷概率也得到顯著提升，在外部環(huán)境中施加的能量作用下，可以得到延遲熒光df，因此，發(fā)光材料中的熒光f加上延遲熒光df導(dǎo)致熒光發(fā)光材料的發(fā)光效率明顯增加。本發(fā)明化合物作為雙極性的主體材料時(shí)，器件g的性能要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于器件f。這是因?yàn)榛衔?同時(shí)具有傳輸電子和空穴的能力，而且二者的吸收光譜和發(fā)射光譜有一定重疊性，因此能量傳遞良好。(二)為了評(píng)估本發(fā)明化合物1的電致發(fā)光性能，進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)：1、器件編號(hào)a#-e#：本發(fā)明化合物1作為客體發(fā)光材料，設(shè)計(jì)oled器件結(jié)構(gòu)如下：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:化合物1(xwt％,30nm,x＝1-20)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。封裝采用uv環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行光固化封裝。封裝后的樣品進(jìn)行ivl性能測(cè)試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)如表3所示。2、器件編號(hào)f#：采用經(jīng)典的藍(lán)光tadf材料2czpn進(jìn)行性能對(duì)比(編號(hào)f#)，設(shè)計(jì)oled器件結(jié)構(gòu)如下：ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:2czpn(10wt％,30nm)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。封裝采用uv環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行光固化封裝。封裝后的樣品進(jìn)行ivl性能測(cè)試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)也如表3所示。表3由表3可知，可以發(fā)現(xiàn)，基于化合物1的器件性能要隨著摻雜比例提高而提高，摻雜比例持續(xù)提高后，器件性能有下降的趨勢(shì)。但是摻雜比例為10wt％的化合物1性能已經(jīng)超過(guò)2czpn的性能。本發(fā)明的化合物1的半峰寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于2czpntadf材料的80nm。2czpn材料的homo-lumo分離導(dǎo)致分子結(jié)構(gòu)上有一定馳豫，因此，在電致發(fā)光過(guò)程中的激發(fā)態(tài)與基態(tài)分子結(jié)構(gòu)不同，產(chǎn)生明顯的斯托克位移，因而光譜的半峰寬非常大，這是目前傳統(tǒng)tadf材料設(shè)計(jì)的缺陷。本申請(qǐng)雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但并不是用來(lái)限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請(qǐng)構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動(dòng)和修改，因此本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本申請(qǐng)權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)12