1.一種清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液用于清洗刻蝕灰化后的半導(dǎo)體芯片；所述的清洗液的原料包括下列質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分：0.1-30％的氧化劑、胺類有機(jī)物、氟化物、緩蝕劑、螯合劑、表面活性劑以及水，水補(bǔ)足余量，各組分質(zhì)量分?jǐn)?shù)之和為100％；所述的胺類有機(jī)物為氮烷基氫氧化銨和/或醇胺；所述的螯合劑為未取代或被一個(gè)或多個(gè)c1-c4烷基取代的n乙烯m胺、多乙烯多胺和含氮有機(jī)酸中的一種或多種；n為2-10的整數(shù)，m為3-10的整數(shù)；所述的表面活性劑為eo-po聚合物l43；所述的清洗液不含金屬離子；
2.如權(quán)利要求1所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液滿足如下條件中的一種或多種：
3.如權(quán)利要求2所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液滿足如下條件中的一種或多種：
4.如權(quán)利要求1所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液滿足如下條件中的一種或多種：
5.如權(quán)利要求4所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液滿足如下條件中的一種或多種：
6.如權(quán)利要求5所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液滿足如下條件中的一種或多種：
7.如權(quán)利要求1所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液為如下方案1或方案2；
8.如權(quán)利要求1所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液的原料包括下列質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分的任一組合：
9.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的清洗液的原料由下列質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分組成：所述的氧化劑、所述的胺類有機(jī)物、所述的氟化物、所述的緩蝕劑，所述的螯合劑、所述的表面活性劑和所述的水，水補(bǔ)足余量。
10.如權(quán)利要求1所述的清洗液的應(yīng)用，其特征在于，所述的半導(dǎo)體芯片為銅互連或鈷互連半導(dǎo)體芯片；