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一種二苯并呋喃衍生物及其應(yīng)用、有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法

文檔序號(hào):40567328發(fā)布日期:2025-01-03 11:27閱讀:13來(lái)源:國(guó)知局
一種二苯并呋喃衍生物及其應(yīng)用、有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法

本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光材料,具體涉及一種二苯并呋喃衍生物及其應(yīng)用、有機(jī)電致發(fā)光器件。


背景技術(shù):

1、近年來(lái),基于有機(jī)材料的光電子器件發(fā)展迅速,成為領(lǐng)域內(nèi)研究的熱點(diǎn)技術(shù)。有機(jī)光電子器件的示例包括有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、有機(jī)光伏電池、有機(jī)傳感器等,其中oled發(fā)展尤其迅速,已在信息顯示領(lǐng)域取得商業(yè)上的成功。oled器件可以提供高飽和度的紅、綠、藍(lán)三顏色,用其制成的全色顯示裝置無(wú)需額外的背光源,具有色彩炫麗、輕薄柔軟等優(yōu)點(diǎn)。

2、oled器件的核心為含有多種有機(jī)功能材料的多層薄膜結(jié)構(gòu)。常見(jiàn)的有機(jī)功能材料包括:空穴注入材料、空穴傳輸材料、空穴阻擋材料、電子注入材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料、發(fā)光主體材料和發(fā)光客體(染料)等。oled器件通電時(shí),電子和空穴被分別注入、傳輸?shù)桨l(fā)光區(qū)域并在此復(fù)合,從而產(chǎn)生激子并發(fā)光。

3、oled器件按照發(fā)光機(jī)理可分為熒光發(fā)光、磷光發(fā)光、熱激發(fā)延遲熒光和熱激發(fā)敏化熒光。常見(jiàn)的熒光發(fā)光體主要利用電子和空穴結(jié)合時(shí)產(chǎn)生的單線態(tài)激子發(fā)光,現(xiàn)在仍然廣泛地應(yīng)用于各種oled產(chǎn)品中。有些金屬絡(luò)合物(如銥絡(luò)合物),可以同時(shí)利用三線態(tài)激子和單線態(tài)激子進(jìn)行發(fā)光,被稱為磷光發(fā)光體,其能量轉(zhuǎn)換效率可以比傳統(tǒng)的熒光發(fā)光體提升高達(dá)四倍。熱激發(fā)延遲熒光(tadf)技術(shù)通過(guò)促進(jìn)三線態(tài)激子向單線態(tài)激子的轉(zhuǎn)變,在不采用金屬配合物的情況下,仍然可以有效地利用三線態(tài)激子而實(shí)現(xiàn)較高的發(fā)光效率。熱激發(fā)敏化熒光(tasf)技術(shù)采用具tadf性質(zhì)的材料,通過(guò)能量轉(zhuǎn)移的方式來(lái)敏化發(fā)光體,可以實(shí)現(xiàn)較高的發(fā)光效率。

4、盡管目前采用oled顯示技術(shù)的產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商品化,但仍需要對(duì)器件的壽命、效率等性能持續(xù)提高,以滿足人們更高顯示品質(zhì)的追求。因此,本領(lǐng)域亟待開(kāi)發(fā)更多種類、更高性能的有機(jī)材料,其應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件,使器件在發(fā)光效率、電壓、壽命等方面具有更好的效果。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種二苯并呋喃衍生物及其應(yīng)用、有機(jī)電致發(fā)光器件,通過(guò)化合物分子結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),所述二苯并呋喃衍生物具有優(yōu)異的光電性能,其應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件,尤其適于發(fā)光層主體材料,使器件具有更高的發(fā)光效率、更長(zhǎng)的使用壽命和更低的驅(qū)動(dòng)電壓。

2、為達(dá)此目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:

3、第一方面,本發(fā)明提供一種二苯并呋喃衍生物,所述二苯并呋喃衍生物具有如式i或式ii所示結(jié)構(gòu):

4、

5、

6、式i、式ii中,l1、l2各自獨(dú)立地選自單鍵、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c3-c60亞雜芳基中的任意一種;當(dāng)l1為單鍵時(shí),代表x1所在的六元環(huán)與萘基通過(guò)單鍵直接相連;當(dāng)l2為單鍵時(shí),代表苯并呋喃衍生基團(tuán)與萘基通過(guò)單鍵直接相連。

7、式i、式ii中,x1、x2、x3、x4、x5各自獨(dú)立地選自cra或n中的任意一種,且其中至少有一個(gè)為n;需要說(shuō)明的是,多個(gè)(2個(gè)、3個(gè)、4個(gè))cra中的ra為相同或不同的基團(tuán)。

8、ra各自獨(dú)立地選自氫、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c3-c60雜芳基中的任意一種。

9、式i、式ii中,r1、r2、r3、r4各自獨(dú)立地表示無(wú)取代、單取代或多取代;當(dāng)表示無(wú)取代時(shí),即r1、r2、r3、r4為氫;當(dāng)表示多取代(例如二取代、三取代)時(shí),多個(gè)取代基(例如多個(gè)r1)為相同或不同的基團(tuán);r2、r3、r4同理,簡(jiǎn)明起見(jiàn),不再一一贅述。

10、r1、r2、r3、r4各自獨(dú)立地選自氫、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c30直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c2-c20烯基、取代或未取代的c3-c30環(huán)烷基、c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c3-c60雜芳基的任意一種。

11、l1、l2、ra、r1、r2、r3、r4中所述取代的取代基各自獨(dú)立選自鹵素、氰基、硝基、羥基、氨基、醛基、酯基、c1-c30直鏈或支鏈烷基、c2-c10烯基、c3-c20環(huán)烷基、c1-c30烷氧基、c2-c20雜環(huán)烷基、c6-c60芳基、c3-c60雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合;所述取代的取代基各自獨(dú)立地與相鄰的環(huán)結(jié)構(gòu)不連接或通過(guò)化學(xué)鍵連接成環(huán)。

12、本發(fā)明中,“所述取代的取代基各自獨(dú)立地與相鄰的環(huán)結(jié)構(gòu)不連接”意指取代基僅與c原子通過(guò)單鍵連接;“所述取代的取代基各自獨(dú)立地與相鄰的環(huán)結(jié)構(gòu)通過(guò)化學(xué)鍵連接成環(huán)”意指取代基除了與c原子通過(guò)化學(xué)鍵連接之外,還與相鄰的環(huán)通過(guò)化學(xué)鍵連接,從而形成稠合的環(huán)結(jié)構(gòu)。下文涉及到相同描述時(shí),均具有相同的含義,不再一一贅述。

13、本發(fā)明中,所述“取代或未取代”的基團(tuán),可以取代有一個(gè)取代基,也可以取代有多個(gè)取代基,當(dāng)取代基為多個(gè)(至少2個(gè))時(shí),可以為相同或不同的取代基;下文涉及到相同的表達(dá)方式時(shí),均具有同樣的含義。如無(wú)特殊說(shuō)明,則取代的取代基的選擇范圍均如上所示,不再贅述。

14、本發(fā)明提供的二苯并呋喃衍生物具有式i或式ii所示的分子結(jié)構(gòu),具有如下結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和技術(shù)效果:

15、(1)化合物中含有萘基橋聯(lián)結(jié)構(gòu)采用了萘基1-位進(jìn)行含苯并二苯并呋喃取代基取代,并在萘基3-位用含氮雜環(huán)取代基取代形成大共軛結(jié)構(gòu)。萘基的3-位用含氮雜環(huán)取代能夠與萘形成很好的共平面,有效地增強(qiáng)電子的注入與傳輸能力,形成電子注入傳輸通道。同時(shí),含苯并二苯并呋喃取代基本身三線態(tài)能級(jí)較低,激發(fā)態(tài)下有利于三線態(tài)能級(jí)分布,在萘基1-位取代后與萘基形成一定的夾角,造成構(gòu)型偏轉(zhuǎn),使得本發(fā)明提供的二苯并呋喃衍生物的三線態(tài)能級(jí)分布與電子傳輸通道有效的分離,在激發(fā)態(tài)下,能量轉(zhuǎn)移過(guò)程通過(guò)三線態(tài)分布基團(tuán)的振動(dòng)傳遞進(jìn)行,而不會(huì)影響電子傳輸通道的構(gòu)型變化以及其導(dǎo)致載流子傳輸速率的下降,使所述二苯并呋喃衍生物應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件中,可以提高能量轉(zhuǎn)移效率,實(shí)現(xiàn)提高效率的目的。

16、(2)通過(guò)萘基橋1,3位分別引入含二苯并呋喃稠環(huán)和含氮雜環(huán),有助于調(diào)節(jié)分子的偶極矩,并調(diào)節(jié)化合物的homo能級(jí)與lumo能級(jí),從而提高所述二苯并呋喃衍生物的電子注入與傳輸能力,其用于有機(jī)電致發(fā)光器件中,可以實(shí)現(xiàn)降低器件電壓的目的。

17、(3)由于萘基橋的1-位和3-位進(jìn)行雙取代,使得整個(gè)分子的堆積排列半徑較大,在制備成固體薄膜時(shí)有助于分子排列更規(guī)整有序,將所述二苯并呋喃衍生物應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件中,能夠有效提升光取出效率,從而提升器件整體的發(fā)光效率。

18、(4)化合物中含有的稠環(huán)結(jié)構(gòu),以該環(huán)中與萘基橋連接的一側(cè)為“內(nèi)側(cè)”,二苯并呋喃在分子外側(cè)進(jìn)行苯基稠合,可降低三線態(tài)下由于氧原子孤對(duì)電子的n-π*躍遷的比例,從而提高隙間穿越速率與三線態(tài)激子的壽命。同時(shí),所述二苯并呋喃衍生物的分子量處于合理的數(shù)值,既能提升材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg),又不會(huì)導(dǎo)致蒸鍍溫度過(guò)高從而影響材料的熱穩(wěn)定性,使所述二苯并呋喃衍生物應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件中,能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)的壽命。

19、因此,本發(fā)明提供的二苯并呋喃衍生物中,通過(guò)分子結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),使其具有優(yōu)良的載流子傳輸速率和能量轉(zhuǎn)移效率、適宜的homo和lumo能級(jí)、優(yōu)良的電子注入與傳輸能力,并具有特定的空間構(gòu)型、更高的光取出效率和熱穩(wěn)定性。所述二苯并呋喃衍生物的光電性能優(yōu)異,其用于有機(jī)電致發(fā)光器件,能夠有效提升器件的發(fā)光效率和壽命,降低器件的驅(qū)動(dòng)電壓。

20、需要說(shuō)明的是,本發(fā)明中為了便于說(shuō)明對(duì)各個(gè)基團(tuán)/特征可能的作用分別進(jìn)行了描述,但這并不表示這些基團(tuán)/特征是孤立地起作用的。實(shí)際上,獲得良好性能的原因本質(zhì)上是整個(gè)分子結(jié)構(gòu)的優(yōu)化組合,是各個(gè)基團(tuán)之間協(xié)同作用的結(jié)果,而不是單一基團(tuán)的效果。

21、本發(fā)明中,所述鹵素均可以為氟、氯、溴或碘。下文涉及到相同的描述,均具有相同的含義。

22、本發(fā)明中,對(duì)于化學(xué)元素的表述,若無(wú)特別說(shuō)明,則包含化學(xué)性質(zhì)相同的同位素的概念,例如,氫(h)則包括1h(氕)、2h(氘,d)、3h(氚,t)等;碳(c)則包括12c、13c等。

23、本發(fā)明中,若無(wú)特別說(shuō)明,雜芳基的雜原子選自n、o、s、p、b、si或se,優(yōu)選n、o或s。

24、本發(fā)明中,“—”劃過(guò)的環(huán)結(jié)構(gòu)的表達(dá)方式,表示連接位點(diǎn)于該環(huán)結(jié)構(gòu)上任意能夠成鍵的位置。

25、本發(fā)明中,“*”均表示基團(tuán)的連接位點(diǎn)。

26、在本發(fā)明中,ca-cb的表達(dá)方式代表該基團(tuán)具有的碳原子數(shù)為a-b,若無(wú)特殊說(shuō)明,該碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)。

27、在本發(fā)明中,“各自獨(dú)立地”表示其主語(yǔ)具有多個(gè)時(shí),彼此之間可以相同也可以不同。

28、本發(fā)明中,所述c6-c60均可以為c6、c9、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56或c58等。

29、所述c3-c60均可以為c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26、c28、c30、c32、c34、c36、c38、c40、c42、c44、c46、c48、c50、c52、c54、c56或c58等。

30、所述c1-c30均可以為c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16、c17、c18、c20、c22、c24、c26或c28等。

31、所述c2-c20均可以為c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16、c17、c18或c19等。

32、所述c3-c30均可以為c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c16、c18、c20、c22、c24、c26或c28等。

33、所述c2-c10均可以為c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等。

34、所述c3-c20均可以為c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16、c17、c18或c19等。

35、所述c2-c20均可以為c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16、c17、c18或c19等。

36、本發(fā)明中,所述c1-c30直鏈或支鏈烷基,優(yōu)選c1-c20直鏈或支鏈烷基,進(jìn)一步優(yōu)選c1-c10直鏈或支鏈烷基,示例性地包括但不限于:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、新己基、2-乙基己基、正辛基、正庚基、正壬基、正癸基等。

37、所述c1-c30烷氧基的具體例,可以舉出上述直鏈或支鏈烷基的例子與o連接而得到的一價(jià)基團(tuán)。

38、所述c3-c30環(huán)烷基,優(yōu)選c3-c20環(huán)烷基,進(jìn)一步優(yōu)選c3-c10環(huán)烷基,包括單環(huán)烷基或多環(huán)烷基。其中,單環(huán)烷基是指含有單個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)的烷基,多環(huán)烷基是指兩個(gè)或兩個(gè)以上的環(huán)烷基通過(guò)共享一個(gè)或多個(gè)環(huán)上碳原子所組成的結(jié)構(gòu);示例性地包括但不限于:環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基等。

39、所述c2-c20雜環(huán)烷基的具體例,可以舉出前述環(huán)烷基中的至少一個(gè)c原子被雜原子(例如n、o、s等)替換而形成的基團(tuán),示例性地包括但不限于:環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、四氫呋喃基、四氫噻吩基、四氫吡咯基、四氫吡喃基、哌啶基、哌嗪基、二氧六環(huán)基、嗎啉基等。

40、所述c2-c20烯基,優(yōu)選c2-c10烯基,其中包含至少一個(gè)c=c,示例性地包括但不限于:乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、丁二烯基、戊二烯基等。

41、所述c6-c60芳基,優(yōu)選為c6-c30芳基,進(jìn)一步優(yōu)選為c6-c20芳基,包括單環(huán)芳基和稠環(huán)芳基;所述單環(huán)芳基意指基團(tuán)中含有至少1個(gè)苯基,當(dāng)含有至少2個(gè)苯基時(shí),苯基之間通過(guò)單鍵相連,示例性地包括但不限于:苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、四聯(lián)苯基等;具體而言,所述聯(lián)苯基包括2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基;所述三聯(lián)苯基包括對(duì)-三聯(lián)苯基-4-基、對(duì)-三聯(lián)苯基-3-基、對(duì)-三聯(lián)苯基-2-基、間-三聯(lián)苯基-4-基、間-三聯(lián)苯基-3-基、間-三聯(lián)苯基-2-基。所述稠環(huán)芳基意指基團(tuán)中含有至少2個(gè)芳環(huán),且芳環(huán)之間共用兩個(gè)相鄰的碳原子互相稠合的基團(tuán),示例性地包括但不限于:萘基(1-萘基、2-萘基)、蒽基(1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基)、菲基、茚基、芴基(1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基)及其衍生基團(tuán)(9,9-二甲基芴基、9,9-二乙基芴基、9,9-二丙基芴基、9,9-二丁基芴基、9,9-二戊基芴基、9,9-二己基芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-二萘基芴基、苯基甲基芴基、螺二芴基、苯并芴基等)、熒蒽基、三亞苯基、芘基(1-芘基、2-芘基、4-芘基)、苝基、基、并四苯基(1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基)等。需要說(shuō)明的是,通過(guò)單鍵連接的單環(huán)芳基和稠環(huán)芳基同樣屬于芳基的范圍,例如苯基萘基、萘基苯基等。

42、所述c3-c60雜芳基,優(yōu)選為c3-c30雜芳基,進(jìn)一步優(yōu)選為c3-c20雜芳基,包括單環(huán)雜芳基或稠環(huán)雜芳基。所述單環(huán)雜芳基意指分子中含有至少一個(gè)雜芳基,當(dāng)分子中含有一個(gè)雜芳基和其他基團(tuán)(如芳基、雜芳基等)時(shí),雜芳基和其他基團(tuán)之間通過(guò)單鍵進(jìn)行連接,示例性地包括但不限于:吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、聯(lián)吡啶基、苯基吡啶基、吡啶基苯基、嘧啶基苯基等。所述稠環(huán)雜芳基意指分子中至少含有一個(gè)芳雜環(huán)和一個(gè)芳香性環(huán)(芳雜環(huán)或芳環(huán)),且二者之間共用兩個(gè)相鄰的原子互相稠合的基團(tuán),示例性地包括但不限于:喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并呋喃基、異苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物(n-苯基咔唑基、n-萘基咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、氮雜咔唑基等)、吖啶基、吩噻嗪基、吩惡嗪基、氫化吖啶基等。

43、優(yōu)選地,所述l1、l2各自獨(dú)立地選自單鍵、取代或未取代的c6-c20(例如c6、c7、c8、c9、c10、c12、c14、c16或c18等)亞芳基、取代或未取代的c3-c20(例如c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c12、c14、c16或c18等)亞雜芳基中的任意一種。

44、優(yōu)選地,所述l1、l2各自獨(dú)立地選自單鍵、取代或未取代的如下基團(tuán)中的任意一種:

45、其中,-*代表基團(tuán)的連接位點(diǎn)。

46、z1選自o、s、cr11r12或nr13中的任意一種。

47、r11、r12、r13各自獨(dú)立地選自c1-c30直鏈或支鏈烷基、c2-c10烯基、c3-c20環(huán)烷基、c6-c30芳基、c3-c30雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合;所述r11和r12不連接或通過(guò)化學(xué)鍵連接成環(huán)。

48、優(yōu)選地,所述z1選自o、s或cr11r12中的任意一種。

49、優(yōu)選地,所述r11、r12各自獨(dú)立地選自c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、c6-c20(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)芳基中的任意一種,進(jìn)一步優(yōu)選c1-c6直鏈或支鏈烷基、苯基、萘基、聯(lián)苯基中的任意一種。

50、優(yōu)選地,l1、l2中所述取代的取代基各自獨(dú)立地選自鹵素、氰基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、c3-c10(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9等)環(huán)烷基、c6-c20(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)芳基、c3-c20(例如c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合,進(jìn)一步優(yōu)選c1-c6直鏈或支鏈烷基、苯基、萘基、聯(lián)苯基、吡啶基、嘧啶基中的任意一種。

51、優(yōu)選地,所述l1、l2各自獨(dú)立地選自單鍵或如下基團(tuán)中的任意一種:

52、其中,-*代表基團(tuán)的連接位點(diǎn)。

53、優(yōu)選地,所述l1和l2為單鍵。

54、優(yōu)選地,所述二苯并呋喃衍生物具有如式i-1或式ii-1所示結(jié)構(gòu):

55、

56、其中,x1、x2、x3、x4、x5、r1、r2、r3、r4具有與前述式i、式ii中相同的限定范圍。

57、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案,所述二苯并呋喃衍生物具有如式i-1或式ii-1所示結(jié)構(gòu),其中,萘基橋的1,3位分別與含二苯并呋喃稠環(huán)和含氮雜環(huán)以單鍵直接相連,且萘基1-位與含二苯并呋喃稠環(huán)中單側(cè)的苯環(huán)相連。含氮雜環(huán)與萘基3-位直接單鍵連接,能夠與萘基形成的共平面負(fù)電子性更強(qiáng),使得萘基上電子云被吸引至分子結(jié)構(gòu)外側(cè)的含氮雜環(huán),有利于電子的注入,同時(shí)也有利于提高固態(tài)堆積過(guò)程中電子傳輸能力;萘基的1-位直接通過(guò)單鍵與含二苯并呋喃稠環(huán)的單側(cè)苯環(huán)連接,使得化合物分子中homo分布與lumo分布的分離程度降低,避免本發(fā)明化合物的出現(xiàn)tadf(熱激活延遲熒光)效應(yīng),造成三線態(tài)激子的損失,從而作用于oled器件中影響效率和壽命。

58、優(yōu)選地,所述x1、x2、x3、x4和x5中n的個(gè)數(shù)為1-3個(gè),例如可以為1個(gè)、2個(gè)、3個(gè);由此,所述二苯并呋喃衍生物中的基團(tuán)可以為取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的噠嗪基、取代或未取代的三嗪基。

59、優(yōu)選地,所述x1、x3和x5中的至少一個(gè)為n。

60、優(yōu)選地,所述x1、x3和x5均為n,所述x2、x4各自獨(dú)立地選自cra;由此,基團(tuán)為取代或未取代的三嗪基。

61、優(yōu)選地,所述ra各自獨(dú)立地選自氫、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種。

62、優(yōu)選地,所述ra各自獨(dú)立地選自氫、取代或未取代的如下基團(tuán)中的任意一種:

63、其中,-*代表基團(tuán)的連接位點(diǎn)。

64、z2、z3各自獨(dú)立地選自o、s、cr21r22或nr23中的任意一種。

65、r21、r22、r23各自獨(dú)立地選自c1-c30直鏈或支鏈烷基、c2-c10烯基、c3-c20環(huán)烷基、c6-c30芳基、c3-c30雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合;所述r21和r22不連接或通過(guò)化學(xué)鍵連接成環(huán)。

66、r31、r32各自獨(dú)立地選自氫、鹵素、氰基、c1-c30直鏈或支鏈烷基、c2-c10烯基、c3-c20環(huán)烷基、c1-c30烷氧基、c6-c30芳基、c3-c30雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合。

67、ra中所述取代的取代基各自獨(dú)立選自鹵素、氰基、c1-c30直鏈或支鏈烷基、c2-c10烯基、c3-c20環(huán)烷基、c1-c30烷氧基、c6-c30芳基、c3-c30雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合;所述取代的取代基各自獨(dú)立地與相鄰的環(huán)結(jié)構(gòu)不連接或通過(guò)化學(xué)鍵連接成環(huán)。

68、優(yōu)選地,所述z2、z3各自獨(dú)立地選自o、s或cr21r22中的任意一種。

69、優(yōu)選地,所述r21、r22各自獨(dú)立地選自c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、c6-c20(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)芳基中的任意一種,進(jìn)一步優(yōu)選c1-c6直鏈或支鏈烷基、苯基、萘基、聯(lián)苯基中的任意一種。

70、優(yōu)選地,所述r21和r22不連接、通過(guò)單鍵連接成環(huán)或通過(guò)醚鍵連接成環(huán)。

71、優(yōu)選地,所述r31、r32各自獨(dú)立地選自氫、鹵素、氰基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、c6-c20(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)芳基中的任意一種,進(jìn)一步優(yōu)選苯基。

72、優(yōu)選地,ra中所述取代的取代基各自獨(dú)立選自鹵素、氰基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、c2-c10(例如c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)烯基、c3-c10(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9等)環(huán)烷基、c6-c20(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)芳基、c3-c30(例如c3、c4、c5、c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16、c18、c20、c22、c25、c28等)雜芳基中的任意一種,進(jìn)一步優(yōu)選鹵素、氰基、c1-c6直鏈或支鏈烷基、環(huán)己基、苯基、萘基、聯(lián)苯基、吡啶基、嘧啶基中的任意一種。

73、優(yōu)選地,ra中所述取代的取代基各自獨(dú)立地與相鄰的環(huán)結(jié)構(gòu)不連接或通過(guò)化學(xué)鍵連接成環(huán)cy,所述環(huán)cy選自取代或未取代的c6-c20(例如c6、c7、c8、c9、c10、c12、c14、c16或c18等)芳環(huán)、取代或未取代的c3-c20(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c12、c14、c16或c18等)雜芳環(huán)中的任意一種,進(jìn)一步優(yōu)選中的任意一種,虛線代表基團(tuán)的稠合位點(diǎn)。

74、優(yōu)選地,所述ra各自獨(dú)立地選自氫或如下基團(tuán)中的任意一種:

75、

76、其中,-*代表基團(tuán)的連接位點(diǎn)。

77、優(yōu)選地,所述r1、r2、r3、r4各自獨(dú)立地選自氫、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c3-c10(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9等)環(huán)烷基、取代或未取代的c6-c20(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)芳基、取代或未取代的c3-c20(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c12、c14、c16或c18等)雜芳基中的任意一種。

78、優(yōu)選地,r1、r2、r3、r4中所述取代的取代基各自獨(dú)立地選自鹵素、氰基、c1-c10(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9等)直鏈或支鏈烷基、c3-c10環(huán)烷基(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9等)、c6-c20(例如c6、c9、c10、c12、c14、c15、c16或c18等)芳基、c3-c20(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c12、c14、c16或c18等)雜芳基中的任意一種或至少兩種的組合。

79、優(yōu)選地,所述r1、r2、r3、r4各自獨(dú)立地選自氫、鹵素、未取代或鹵代c1-c6直鏈或支鏈烷基、環(huán)己基、中的任意一種;-*代表基團(tuán)的連接位點(diǎn)。

80、優(yōu)選地,所述二苯并呋喃衍生物具有如下a1-a232中任一項(xiàng)所示的結(jié)構(gòu):

81、

82、

83、

84、

85、

86、

87、

88、

89、

90、

91、

92、第二方面,本發(fā)明提供一種如第一方面所述的二苯并呋喃衍生物的應(yīng)用,所述二苯并呋喃衍生物應(yīng)用于有機(jī)電子器件。

93、優(yōu)選地,所述有機(jī)電子器件包括有機(jī)電致發(fā)光器件、光學(xué)傳感器、太陽(yáng)能電池、照明元件、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池、信息標(biāo)簽、電子人工皮膚片材、片材型掃描器或電子紙。

94、優(yōu)選地,所述二苯并呋喃衍生物應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件,進(jìn)一步優(yōu)選應(yīng)用于紅光有機(jī)電致發(fā)光器件。

95、優(yōu)選地,所述二苯并呋喃衍生物在有機(jī)電致發(fā)光器件中作為發(fā)光層材料,進(jìn)一步優(yōu)選作為紅光主體材料。

96、第三方面,本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件,所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括第一電極、第二電極以及設(shè)置于所述第一電極與第二電極之間的至少一個(gè)有機(jī)層;所述有機(jī)層中包括至少一種如第一方面所述的二苯并呋喃衍生物。

97、優(yōu)選地,所述有機(jī)層中包括至少一種a1-a232所示結(jié)構(gòu)的二苯并呋喃衍生物。

98、優(yōu)選地,所述有機(jī)層包括發(fā)光層,所述發(fā)光層中包括至少一種如第一方面所述的二苯并呋喃衍生物。

99、優(yōu)選地,所述發(fā)光層包括主體材料和摻雜材料,所述主體材料包括至少一種如第一方面所述的二苯并呋喃衍生物;進(jìn)一步優(yōu)選地,所述主體材料包括至少一種a1-a232所示結(jié)構(gòu)的二苯并呋喃衍生物。

100、優(yōu)選地,所述摻雜材料(又稱“染料”、“發(fā)光染料”、“客體材料”)為磷光摻雜材料。

101、優(yōu)選地,所述有機(jī)層還包括空穴傳輸區(qū)和電子傳輸區(qū)。

102、優(yōu)選地,所述空穴傳輸區(qū)包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的任意一種或至少兩種的組合。

103、優(yōu)選地,所述電子傳輸區(qū)包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的任意一種或至少兩種的組合。

104、在一個(gè)優(yōu)選技術(shù)方案中,所述有機(jī)電致發(fā)光器件(oled器件)包括第一電極和第二電極,以及位于電極之間的有機(jī)層。該有機(jī)層又可以分為多個(gè)區(qū)域,例如包括空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層和電子傳輸區(qū);所述發(fā)光層包含至少一種如第一方面所述的二苯并呋喃衍生物,進(jìn)一步優(yōu)選包含至少一種a1-a228所示結(jié)構(gòu)的二苯并呋喃衍生物。

105、在一個(gè)優(yōu)選技術(shù)方案中,所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括基板,以及依次設(shè)置于基板上的第一電極、多個(gè)發(fā)光功能層(有機(jī)層)和第二電極;所述有機(jī)層包括依次設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層,所述空穴注入層與第一電極(陽(yáng)極)相接觸。所述有機(jī)層(優(yōu)選為發(fā)光層)包含至少一種如第一方面所述的二苯并呋喃衍生物,進(jìn)一步優(yōu)選包含至少一種a1-a232所示結(jié)構(gòu)的二苯并呋喃衍生物。

106、在一個(gè)優(yōu)選技術(shù)方案中,在第一電極下方或者第二電極上方可以使用基板?;寰鶠榫哂袡C(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、防水性、透明度優(yōu)異的玻璃或聚合物材料。此外,作為顯示器用的基板上也可以帶有薄膜晶體管(tft)。

107、第一電極可以通過(guò)在基板上濺射或者沉積用作第一電極的材料的方式來(lái)形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O作為陽(yáng)極時(shí),可以采用銦錫氧(ito)、銦鋅氧(izo)、二氧化錫(sno2)、氧化鋅(zno)等氧化物透明導(dǎo)電材料和它們的任意組合。第一電極作為陰極時(shí),可以采用鎂(mg)、銀(ag)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鐿(yb)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)等金屬或合金以及它們之間的任意組合。

108、有機(jī)層可以通過(guò)真空熱蒸鍍、旋轉(zhuǎn)涂敷、打印等方法形成于電極之上。用作有機(jī)層的化合物可以為有機(jī)小分子、有機(jī)大分子或聚合物,以及它們的組合。

109、空穴傳輸區(qū)位于陽(yáng)極和發(fā)光層之間??昭▊鬏攨^(qū)可以為單層結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層(htl),包括只含有一種化合物的單層空穴傳輸層和含有多種化合物的單層空穴傳輸層??昭▊鬏攨^(qū)也可以為包括空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子阻擋層(ebl)中的至少一層的多層結(jié)構(gòu);其中hil位于陽(yáng)極和htl之間,ebl位于htl與發(fā)光層之間。

110、空穴傳輸區(qū)的材料可以選自、但不限于酞菁衍生物如cupc、導(dǎo)電聚合物或含導(dǎo)電摻雜劑的聚合物如聚苯撐乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(pedot/pss)、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(pani/pss)、芳香胺衍生物,其中芳香胺衍生物包括如下ht-1至ht-51所示的化合物;或者其任意組合。

111、

112、

113、

114、

115、空穴注入層位于陽(yáng)極和空穴傳輸層之間??昭ㄗ⑷雽涌梢允菃我换衔锊牧?,也可以是多種化合物的組合。例如,空穴注入層可以采用上述ht-1至ht-51的一種或多種化合物,或者采用下述hi-1至hi-3中的一種或多種化合物;也可以采用ht-1至ht-51的一種或多種化合物摻雜下述hi-1至hi-3中的一種或多種化合物。

116、

117、發(fā)光層包括可以發(fā)射不同波長(zhǎng)光譜的發(fā)光染料(即摻雜材料,dopant)和主體材料(host)。發(fā)光層可以是發(fā)射紅、綠、藍(lán)等單一顏色的單色發(fā)光層。多種不同顏色的單色發(fā)光層可以按照像素圖形進(jìn)行平面排列,也可以堆疊在一起而形成彩色發(fā)光層。當(dāng)不同顏色的發(fā)光層堆疊在一起時(shí),它們可以彼此隔開(kāi),也可以彼此相連。發(fā)光層也可以是能同時(shí)發(fā)射紅、綠、藍(lán)等不同顏色的單一彩色發(fā)光層。

118、根據(jù)不同的技術(shù),發(fā)光層材料可以采用熒光電致發(fā)光材料、磷光電致發(fā)光材料、熱活化延遲熒光發(fā)光材料等不同的材料。在一個(gè)oled器件中,可以采用單一的發(fā)光技術(shù),也可以采用多種不同的發(fā)光技術(shù)的組合。這些按技術(shù)分類的不同發(fā)光材料可以發(fā)射同種顏色的光,也可以發(fā)射不同種顏色的光。

119、具體說(shuō),發(fā)光層中的主體材料可包括單一主體化合物,也可包括兩個(gè)主體化合物,發(fā)光層中的發(fā)光染料可以包括一類染料化合物,也可包括兩類染料化合物。當(dāng)包括兩個(gè)主體化合物時(shí),兩個(gè)化合物的能級(jí)關(guān)系、載流子傳輸性能等可依據(jù)需求來(lái)匹配設(shè)計(jì)和選擇。當(dāng)包括兩類染料化合物時(shí),兩個(gè)化合物的發(fā)光波長(zhǎng)以及與主體材料的能級(jí)關(guān)系等可依據(jù)需求做匹配設(shè)計(jì)和選擇。

120、在本發(fā)明的一方面,發(fā)光層主體材料采用本發(fā)明的二苯并呋喃衍生物。

121、本發(fā)明中,發(fā)光層主體材料可以僅采用本發(fā)明的二苯并呋喃衍生物作為單一發(fā)光主體材料,另外,發(fā)光層中也可以采取多個(gè)發(fā)光主體材料和/或多個(gè)發(fā)光染料的技術(shù)方案。當(dāng)采用多發(fā)光主體時(shí),發(fā)光主體材料可包括第一化合物和第二化合物,第一化合物采用至少一種如本發(fā)明上述的式i或式ii所示結(jié)構(gòu)的二苯并呋喃衍生物,或者采用如上所述的a1-a232中的至少一個(gè)所示結(jié)構(gòu)的化合物。第二化合物可選擇與第一化合物的能級(jí)關(guān)系、載流子傳輸性能等相匹配的化合物。

122、其中,所述第二化合物可以包括下述ph-1至ph-85中的一種或多種的組合,但不限于ph-1至ph-85中的一種或多種的組合。

123、

124、

125、

126、

127、在本發(fā)明的一方面,發(fā)光層采用磷光電致發(fā)光的技術(shù)。其發(fā)光層磷光摻雜劑可以選自、但不限于以下所羅列的gpd-1至gpd-47的一種或多種的組合。

128、

129、

130、其中d為氘。

131、在本發(fā)明的一方面,發(fā)光層采用磷光電致發(fā)光的技術(shù)。其發(fā)光層磷光摻雜劑可以選自、但不限于以下所羅列的rpd-1至rpd-28的一種或多種的組合。

132、

133、

134、在本發(fā)明的一方面,發(fā)光層采用磷光電致發(fā)光的技術(shù)。其發(fā)光層磷光摻雜劑可以選自、但不限于以下所羅列的ypd-1至ypd-11的一種或多種的組合。

135、

136、本發(fā)明的一方面,電子阻擋層(ebl)位于空穴傳輸層與發(fā)光層之間。電子阻擋層可以采用、但不限于上述ht-1至ht-51的一種或多種化合物。

137、oled有機(jī)層還可以包括發(fā)光層與陰極之間的電子傳輸區(qū)。電子傳輸區(qū)可以為單層結(jié)構(gòu)的電子傳輸層(etl),包括只含有一種化合物的單層電子傳輸層和含有多種化合物的單層電子傳輸層。電子傳輸區(qū)也可以為包括電子注入層(eil)、電子傳輸層(etl)、空穴阻擋層(hbl)中的至少一層的多層結(jié)構(gòu)。

138、本發(fā)明的一方面,電子傳輸層材料可以選自、但不限于以下所列舉的et-1至et-73的一種或多種的組合。

139、

140、

141、

142、

143、本發(fā)明的一方面,空穴阻擋層(hbl)位于電子傳輸層與發(fā)光層之間??昭ㄗ钃鯇涌梢圆捎谩⒌幌抻谏鲜鰁t-1至et-73的一種或多種化合物。

144、器件中還可以包括位于電子傳輸層與陰極之間的電子注入層,電子注入層材料包括但不限于以下列舉的一種或多種的組合:liq、lif、nacl、csf、li2o、cs2co3、bao、na、li、ca、mg、yb。

145、第四方面,本發(fā)明提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如第三方面所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。

146、優(yōu)選地,所述顯示裝置包括顯示屏或顯示面板。

147、本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括前述顯示裝置。

148、相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有以下有益效果:

149、本發(fā)明提供的二苯并呋喃衍生物具有式i或式ii所示結(jié)構(gòu),通過(guò)分子結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),使其具有優(yōu)良的載流子傳輸速率和能量轉(zhuǎn)移效率、適宜的homo和lumo能級(jí)、優(yōu)良的電子注入與傳輸能力,并具有特定的空間構(gòu)型、更高的光取出效率和熱穩(wěn)定性。所述二苯并呋喃衍生物的光電性能優(yōu)異,其用于有機(jī)電致發(fā)光器件,能夠有效提升器件的發(fā)光效率,降低驅(qū)動(dòng)電壓,延長(zhǎng)使用壽命,使器件具有更好的綜合性能。

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