本公開內(nèi)容涉及聚合物、包括其的抗蝕劑組合物、和通過使用所述抗蝕劑組合物形成圖案的方法

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造中，使用其物理性質(zhì)響應(yīng)于光而改變的抗蝕劑來形成精細(xì)圖案。在這些抗蝕劑之中，化學(xué)放大抗蝕劑已被廣泛使用?；瘜W(xué)放大抗蝕劑使得能夠通過經(jīng)由使已經(jīng)通過在光和光酸產(chǎn)生劑(光致產(chǎn)酸劑)之間的反應(yīng)而形成的酸與基礎(chǔ)樹脂再次反應(yīng)來改變所述基礎(chǔ)樹脂在顯影劑中的溶解性而進(jìn)行圖案化。

2、特別地，在使用具有相對(duì)非常高的能量的高能射線例如euv射線的情況下，即使當(dāng)照射具有相同能量的光時(shí)，光子的數(shù)量也可非常小。因此，可存在于對(duì)于如下抗蝕劑組合物的需要：其即使在使用少量時(shí)也可有效地起作用且其可提供改善的靈敏度和/或分辨率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供能夠提供改善的靈敏度和/或改善的分辨率的聚合物、包括所述聚合物的抗蝕劑組合物、以及通過使用所述抗蝕劑組合物形成圖案的方法。

2、額外的方面將部分地在隨后的描述中闡明，且部分地將由所述描述明晰，或者可通過呈現(xiàn)的本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的實(shí)踐來獲悉。

3、根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，聚合物可包括由式1表示的第一重復(fù)單元：

4、式1

5、

6、其中，在式1中，

7、l11至l13可各自獨(dú)立地為單鍵、o、s、c(＝o)、c(＝o)o、oc(＝o)、c(＝o)nh、nhc(＝o)、或任選地包括雜原子的直鏈、支化或環(huán)狀的c1-c30二價(jià)烴基團(tuán)，

8、l14可為任選地包括雜原子的直鏈、支化或環(huán)狀的c1-c30二價(jià)烴基團(tuán)，

9、a11至a13可各自獨(dú)立地為1至4的整數(shù)，

10、a11可為c6-c30芳族基團(tuán)或c1-c30雜芳族基團(tuán)，

11、r11和r12可各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、羧酸基團(tuán)、硫醇基團(tuán)、酯部分、磺酸酯部分、碳酸酯部分、內(nèi)酯部分、磺內(nèi)酯部分、羧酸酐部分、或任選地包括雜原子的直鏈、支化或環(huán)狀的c1-c30單價(jià)烴基團(tuán)，

12、b12可為1至10的整數(shù)，

13、x11可為oh、sh或nh2，

14、p可為1至5的整數(shù)，和

15、*表示與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。

16、根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，抗蝕劑組合物可包括所述聚合物、光酸產(chǎn)生劑和有機(jī)溶劑。

17、根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，形成圖案的方法可包括：通過施加所述光致抗蝕劑組合物而形成抗蝕劑膜，將所述抗蝕劑膜的至少一部分曝光于高能射線以提供經(jīng)曝光的抗蝕劑膜，以及通過使用顯影劑將所述經(jīng)曝光的抗蝕劑膜顯影。

技術(shù)特征：

1.聚合物，包括由式1表示的第一重復(fù)單元：

2.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中

3.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中a11為苯基團(tuán)、萘基團(tuán)、菲基團(tuán)、蒽基團(tuán)、基團(tuán)、芘基團(tuán)、苯并[9,10]菲基團(tuán)、芴基團(tuán)、吡咯基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、嘧啶基團(tuán)、吡嗪基團(tuán)、三嗪基團(tuán)、喹啉基團(tuán)、異喹啉基團(tuán)、咔唑基團(tuán)、呋喃基團(tuán)、苯并呋喃基團(tuán)、二苯并呋喃基團(tuán)、噻吩基團(tuán)、苯并噻吩基團(tuán)、或二苯并噻吩基團(tuán)。

4.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中x11為oh。

5.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中所述第一重復(fù)單元由式1-1表示：

6.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中所述第一重復(fù)單元選自組i：

7.如權(quán)利要求1所述的聚合物，進(jìn)一步包括：

8.如權(quán)利要求7所述的聚合物，其中

9.如權(quán)利要求7所述的聚合物，其中

10.如權(quán)利要求7所述的聚合物，其中

11.如權(quán)利要求7所述的聚合物，其中

12.如權(quán)利要求7所述的聚合物，其中

13.如權(quán)利要求7所述的聚合物，其中

14.抗蝕劑組合物，包括：

15.如權(quán)利要求14所述的抗蝕劑組合物，其中所述光酸產(chǎn)生劑由式7表示：

16.如權(quán)利要求14所述的抗蝕劑組合物，進(jìn)一步包括：

17.如權(quán)利要求16所述的抗蝕劑組合物，其中所述猝滅劑由式8表示：

18.形成圖案的方法，所述方法包括：

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中通過使用紫外射線、深紫外(duv)射線、極紫外(euv)射線、x射線、γ射線、電子束(eb)、或α射線的至少一種照射所述抗蝕劑膜來進(jìn)行將所述抗蝕劑膜的至少一部分曝光。

20.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括：

技術(shù)總結(jié)
提供聚合物、包括所述聚合物的抗蝕劑組合物、以及使用所述抗蝕劑組合物形成圖案的方法，所述聚合物包括由式1表示的第一重復(fù)單元，其中式1中的L<subgt;11</subgt;至L<subgt;14</subgt;、a11至a13、A<subgt;11</subgt;、X<subgt;11</subgt;、R<subgt;11</subgt;、R<subgt;12</subgt;、b12和p的描述提供在說明書中。式1

技術(shù)研發(fā)人員：金范錫,金旻相,高行德,郭允鉉,安贊在,李昶憲,林圭鉉,崔誠原
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2