本發(fā)明涉及汞離子檢測(cè),尤其是指一種用于檢測(cè)痕量汞離子的探針及基于其的ecl檢測(cè)器。
背景技術(shù):
1、目前,汞作為一種全球分布的重金屬,具有遠(yuǎn)期生物毒性效應(yīng)。汞對(duì)天然水體和水產(chǎn)品的污染已成為一個(gè)重大的環(huán)境安全問題,嚴(yán)重威脅著生態(tài)系統(tǒng)的可持續(xù)發(fā)展和人類健康。即使在極微量濃度下,汞離子(hg2+)仍能在環(huán)境中積累,通過食物鏈傳遞,對(duì)野生動(dòng)物產(chǎn)生顯著影響,并可能會(huì)對(duì)人類神經(jīng)系統(tǒng)造成不可逆轉(zhuǎn)的損害。因此,高效、精確的汞離子檢測(cè)技術(shù)對(duì)于環(huán)境保護(hù)和公共安全至關(guān)重要。中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(gb2726-2022)提出水產(chǎn)品中汞含量限值為0.5μg/g,這對(duì)環(huán)境中汞的準(zhǔn)確檢測(cè)提出了很高的要求,這一嚴(yán)格要求凸顯了準(zhǔn)確檢測(cè)環(huán)境中hg2+的重要性。
2、近年來,各種汞離子(hg2+)的檢測(cè)方法被報(bào)道,通常給出的檢測(cè)限(lod)為nm到μm數(shù)量級(jí)。中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中常用的原子熒光光譜法(afs)、原子吸收光譜法(aas)、電感耦合等離子體質(zhì)譜法(icp-ms)等方法靈敏度明顯較高,lod在ng/g數(shù)量級(jí)內(nèi)相當(dāng)?shù)汀hb于汞的特殊化學(xué)性質(zhì),也有報(bào)道基于核酸適配體的生物傳感器、表面拉曼增強(qiáng)散射技術(shù)(sers)和熒光探針等新型檢測(cè)技術(shù),具有較高的靈敏度。例如,基于芘熒光團(tuán)的探針、使用脫硫反應(yīng)機(jī)制的熒光探針及基于特定分子識(shí)別的sers傳感器等,能特異性識(shí)別汞離子并快速響應(yīng),適合環(huán)境與生物樣本中汞的微量檢測(cè)。
3、目前,雖然水產(chǎn)品中hg2+的限量為0.5μg/g,但魚類中正常的hg2+含量通常低于ng/g數(shù)量級(jí)。傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室技術(shù)設(shè)備昂貴和操作復(fù)雜,不便攜帶,難以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè);而熒光等新型檢測(cè)技術(shù)無法檢測(cè)極低濃度的汞離子。因此,上述方法的檢測(cè)限不足以滿足精確檢測(cè)魚類等水產(chǎn)品中痕量hg2+的嚴(yán)格要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種用于檢測(cè)痕量汞離子的探針,由通過苯乙烯馬來酸酐共聚物和共軛聚合物pfbt制備得到的聚合物量子點(diǎn)、羅丹明b、修飾在聚合物量子點(diǎn)表面的汞離子適配體和互補(bǔ)鏈組成,使用該探針修飾工作電極,以ag/agcl為參考電極,以鉑絲為對(duì)電極,能夠制備得到用于檢測(cè)汞離子的ecl檢測(cè)器,使ecl信號(hào)用于反應(yīng)檢測(cè)體系中汞離子濃度。此外,通過在ecl檢測(cè)器中添加電荷耦合器件,能夠?qū)崿F(xiàn)可視化檢測(cè)痕量汞離子。
2、本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種用于檢測(cè)痕量汞離子的探針,所述探針包括聚合物量子點(diǎn)、羅丹明b、修飾在聚合物量子點(diǎn)表面的汞離子適配體和互補(bǔ)鏈,所述汞離子適配體和互補(bǔ)單鏈通過分子間氫鍵捕獲羅丹明b;
3、所述聚合物量子點(diǎn)由苯乙烯馬來酸酐共聚物和共軛聚合物pfbt混合制備得到,所述共軛聚合物pfbt和苯乙烯馬來酸酐共聚物的質(zhì)量比為(3-7):1。
4、優(yōu)選地,所述共軛聚合物pfbt和苯乙烯馬來酸酐共聚物的質(zhì)量比為5:1。
5、進(jìn)一步地,所述汞離子適配體的核苷酸序列如seq?id?no.1所示。
6、進(jìn)一步地,所述汞離子適配體的5’端修飾有氨基。
7、進(jìn)一步地,所述互補(bǔ)單鏈的核苷酸序列如seq?id?no.2所示。
8、本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種用于檢測(cè)痕量汞離子的ecl檢測(cè)器,所述ecl檢測(cè)器的工作電極上修飾有上述探針,以ag/agcl為參考電極,以鉑絲為對(duì)電極。
9、電化學(xué)發(fā)光技術(shù)主要基于電極表面發(fā)生的電化學(xué)和化學(xué)發(fā)光反應(yīng)的結(jié)合。電化學(xué)活性物質(zhì)在電極上發(fā)生氧化或還原反應(yīng),生成不穩(wěn)定的中間態(tài)或激發(fā)態(tài)物質(zhì)。這些激發(fā)態(tài)物質(zhì)在返回基態(tài)的過程中,會(huì)釋放能量并發(fā)射光子,從而產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象。具體來說,電化學(xué)發(fā)光反應(yīng)通常涉及發(fā)光物質(zhì)(如三聯(lián)吡啶釕)。在電極表面,發(fā)光物質(zhì)通過電化學(xué)過程被氧化或還原,形成激發(fā)態(tài)物質(zhì)。隨后,激發(fā)態(tài)物質(zhì)在衰減至基態(tài)時(shí),會(huì)發(fā)射出特定波長(zhǎng)的光,這一過程可被光電探測(cè)器捕獲并轉(zhuǎn)化為電信號(hào)進(jìn)行分析。
10、進(jìn)一步地,工作電極的制備方法包括以下步驟:
11、步驟s1、將共軛聚合物pfbt和苯乙烯馬來酸酐共聚物在有機(jī)溶劑中溶解,注入超純水中,得到聚合物量子點(diǎn);
12、步驟s2、將聚合物量子點(diǎn)、汞離子適配體和互補(bǔ)鏈共同孵育,得到汞離子適配體修飾的聚合物量子點(diǎn);
13、步驟s3、將汞離子適配體修飾的聚合物量子點(diǎn)修飾到工作電極表面,并滴加羅丹明b。
14、進(jìn)一步地,所述汞離子適配體通過氨基和羧基作用修飾于聚合物量子點(diǎn)表面。
15、進(jìn)一步地,所述ecl檢測(cè)器的pmt為550-650v。
16、優(yōu)選地,所述ecl檢測(cè)器的pmt為600v。
17、進(jìn)一步地,還包括電荷耦合器件。
18、進(jìn)一步地,所述電荷耦合器件用于實(shí)現(xiàn)可視化檢測(cè)。
19、本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供上述ecl檢測(cè)器在檢測(cè)汞離子中的應(yīng)用。
20、進(jìn)一步地,包括以下步驟:
21、步驟s1、利用所述ecl檢測(cè)器測(cè)試汞離子標(biāo)準(zhǔn)溶液的ecl信號(hào)強(qiáng)度,根據(jù)檢測(cè)結(jié)果,建立汞離子濃度與ecl信號(hào)強(qiáng)度之間的相互關(guān)系圖;
22、步驟s2、利用所述ecl檢測(cè)器檢測(cè)待測(cè)液的ecl信號(hào)強(qiáng)度ax,所述待測(cè)液中的汞離子含量未知,根據(jù)ecl信號(hào)強(qiáng)度ax在所述相互關(guān)系圖的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定待測(cè)液中的汞離子濃度。
23、本發(fā)明的有益效果:
24、本發(fā)明所述的用于檢測(cè)痕量汞離子的探針及基于該探針的ecl檢測(cè)器件,使ecl信號(hào)用于反應(yīng)檢測(cè)體系中汞離子濃度,提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)便攜檢測(cè)痕量汞離子的工具。將該ecl檢測(cè)器件用于汞離子的檢測(cè),不僅具有良好的穩(wěn)定性和抗干擾性,在裝置制備完成1個(gè)月后ecl信號(hào)穩(wěn)定,在不同ph條件下均可獲得ecl信號(hào),在檢測(cè)體系中存在其他離子的情況下ecl信號(hào)保持不變,表現(xiàn)出良好的針對(duì)汞離子的特異性,此外還擁有極高的靈敏度和超低檢測(cè)限,最低檢出限為1.6pg/l,遠(yuǎn)低于現(xiàn)有技術(shù)中的普遍檢測(cè)限。
1.一種用于檢測(cè)痕量汞離子的探針,其特征在于:所述探針包括聚合物量子點(diǎn)、羅丹明b、修飾在聚合物量子點(diǎn)表面的汞離子適配體和互補(bǔ)鏈,所述汞離子適配體和互補(bǔ)單鏈通過分子間氫鍵捕獲羅丹明b;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針,其特征在于:所述汞離子適配體的核苷酸序列如seq?idno.1所示。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的探針,其特征在于:所述汞離子適配體的5’端修飾有氨基。
4.一種用于檢測(cè)痕量汞離子的ecl檢測(cè)器,其特征在于:所述ecl檢測(cè)器的工作電極上修飾有權(quán)利要求1-3任一所述的探針,以ag/agcl為參考電極,以鉑絲為對(duì)電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ecl檢測(cè)器,其特征在于,工作電極的制備方法包括以下步驟:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ecl檢測(cè)器,其特征在于:所述汞離子適配體通過氨基和羧基作用修飾于聚合物量子點(diǎn)表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ecl檢測(cè)器,其特征在于:所述ecl檢測(cè)器的pmt為550-650v。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ecl檢測(cè)器,其特征在于:還包括電荷耦合器件。
9.權(quán)利要求4-8任一所述的ecl檢測(cè)器在檢測(cè)汞離子中的應(yīng)用。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應(yīng)用,其特征在于,包括以下步驟: