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一種低介電、電磁屏蔽LCP復(fù)合材料及其制備方法與流程

文檔序號:40652661發(fā)布日期:2025-01-10 18:59閱讀:4來源:國知局
一種低介電、電磁屏蔽LCP復(fù)合材料及其制備方法與流程

本發(fā)明屬于高分子材料加工的,尤其涉及一種低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料及其制備方法。


背景技術(shù):

1、5g時(shí)代的到來,其高速高頻的特性,驅(qū)動(dòng)著材料的快速發(fā)展,5g技術(shù)已經(jīng)日漸成熟,如何突破材料的限制,成為推動(dòng)6g時(shí)代來臨的一大難題。目前,lcp由于其較低的介電常數(shù)以及介電損耗,所以lcp材料的研究也越來越廣闊。作為在信號傳輸中使用的材料,不僅需要材料具有優(yōu)異的介電性能,同時(shí)還需要能夠?qū)U(kuò)散的電磁波進(jìn)行屏蔽實(shí)現(xiàn)定向傳輸。

2、lcp材料并不能完美匹配上述要求,因此如何對lcp材料進(jìn)行改性,是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。專利公開號cn?111548612a公開了一種5g天線振子基材用pct/tlcp樹脂組合物及其制備方法和應(yīng)用,所述pct/tlcp樹脂組合物的總重量為100份計(jì),包括如下組分:pct樹脂20-65重量份;tlcp樹脂5-30重量份;玻璃纖維20-60重量份;相容性增韌劑1-15重量份;其他助劑0.5-7重量份。該專利主要改善樹脂組合物的力學(xué)性能和電鍍性能,但對介電和電磁屏蔽提升較小。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對lcp材料的介電和電磁屏蔽性能差的技術(shù)問題,本發(fā)明提一種低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料及其制備方法,所制備lcp復(fù)合材料不僅具有較低的介電常數(shù),還有良好的電磁屏蔽能力和導(dǎo)熱性能。

2、為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:

3、一種低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)原料:lcp樹脂為44-64.8%,聚四氟乙烯樹脂為5.2-28%,低介電玻璃纖維10-15%,鍍金屬低介電玻璃纖維10-15%,導(dǎo)電填料5-10%和助劑3-5%。

4、所述lcp樹脂為熱致性液晶tlcp。

5、所述低介電玻璃纖維的介電常數(shù)為3-5。

6、所述鍍金屬低介電玻璃纖維為在低介電玻璃纖維表面鍍覆金屬,優(yōu)選的,在低介電玻璃纖維表面鍍覆金屬層時(shí)采用電鍍工藝,鍍覆金屬為銀、鋅和鋁。

7、所述導(dǎo)電填料為石墨、碳納米管、碳纖維、石墨烯和炭黑中的一種或兩種以上。

8、所述助劑為抗氧劑、相容劑和抗靜電劑中的一種或兩種以上。

9、所述抗氧劑包括主抗氧劑和輔抗氧劑;所述主抗氧劑為n,n'-雙-(3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙?;?己二胺;所述輔抗氧劑為雙(2,4—二枯基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯;所述抗靜電劑為聚季銨鹽;所述相容劑為鋁硅酸鹽。

10、一種低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料的制備方法,包括以下步驟:

11、(1)將lcp樹脂、聚四氟乙烯樹脂、導(dǎo)電填料和助劑攪拌混合,得到混合物料;

12、(2)將混合物料、低介電玻璃纖維和鍍金屬低介電玻璃纖維混合均勻,得到二次混合物料;

13、(3)將二次混合物料加熱熔融、擠出造粒、過篩后,得到低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料。

14、所述加熱熔融的溫度為300-350℃。

15、本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明以lcp樹脂為基體樹脂復(fù)配聚四氟乙烯樹脂,得到的樹脂基體不僅具有出色的力學(xué)性能以及耐候性和耐溶劑性等,還具有優(yōu)異的介電性能,介電常數(shù)和介電損耗均非常低,介電常數(shù)低至2.2,介電損耗為0.002-0.004。本發(fā)明以低介電玻璃纖維、電鍍金屬低介電玻璃纖維和導(dǎo)電填料復(fù)配作為填充劑,能夠在樹脂基體中構(gòu)建出良好的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),降低導(dǎo)電的滲流閾值,在增強(qiáng)樹脂基體的力學(xué)性能的同時(shí),能夠顯著提高樹脂基體的電導(dǎo)率及導(dǎo)熱系數(shù);通過助劑增強(qiáng)lcp樹脂和聚四氟乙烯樹脂之間的相容性,彌補(bǔ)其存在的相容性不足會導(dǎo)致的缺陷等問題,抗氧劑的存在使材料的抗老化性能更加優(yōu)異,更好的適應(yīng)在不同使用場景下老化速度加快的問題,抗靜電劑使復(fù)合材料不易產(chǎn)生靜電,導(dǎo)致在電子元器件的應(yīng)用中對設(shè)備等造成損害。此外,導(dǎo)電填料帶來了良好的散熱能力,導(dǎo)電填料中的炭黑能夠做為成核劑促進(jìn)樹脂結(jié)晶,基于此,本申請使用導(dǎo)電填料,復(fù)配低介電玻璃纖維和電鍍金屬低介電玻璃纖維,并與lcp樹脂和聚四氟乙烯樹脂共混,制備的低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料不僅具有較低的介電常數(shù),還有良好的電磁屏蔽能力和導(dǎo)熱性能。



技術(shù)特征:

1.一種低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)原料:lcp樹脂為44-64.8%,聚四氟乙烯樹脂為5.2-28%,低介電玻璃纖維10-15%,鍍金屬低介電玻璃纖維10-15%,導(dǎo)電填料5-10%和助劑3-5%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,所述lcp樹脂為熱致性液晶tlcp。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,所述低介電玻璃纖維的介電常數(shù)為3-5。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,所述鍍金屬低介電玻璃纖維為在低介電玻璃纖維表面鍍覆金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,所述導(dǎo)電填料為石墨、碳納米管、碳纖維、石墨烯和炭黑中的一種或兩種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,所述助劑為抗氧劑、相容劑和抗靜電劑中的一種或兩種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,所述抗氧劑包括主抗氧劑和輔抗氧劑;所述主抗氧劑為n,n'-雙-(3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰基)己二胺;所述輔抗氧劑為雙(2,4—二枯基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料,其特征在于,所述抗靜電劑為聚季銨鹽;所述相容劑為鋁硅酸鹽。

9.權(quán)利要求1所述的低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述低介電、電磁屏蔽lcp復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述加熱熔融的溫度為300-350℃。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出了一種低介電、電磁屏蔽LCP復(fù)合材料及其制備方法,屬于高分子材料加工的技術(shù)領(lǐng)域,用以解決LCP材料介電和電磁屏蔽性能差的技術(shù)問題。LCP復(fù)合材料的原料包括:LCP樹脂、聚四氟乙烯樹脂、低介電玻璃纖維、電鍍金屬低介電玻璃纖維、導(dǎo)電填料和助劑。本發(fā)明以LCP樹脂為基體樹脂復(fù)配聚四氟乙烯樹脂,得到的樹脂基體不僅具有出色的力學(xué)性能以及耐候性和耐溶劑性等,還具有優(yōu)異的介電性能,介電常數(shù)和介電損耗均非常低;以低介電玻璃纖維、電鍍金屬低介電玻璃纖維和導(dǎo)電填料復(fù)配作為填充劑,能夠在樹脂基體中構(gòu)建出良好的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),降低導(dǎo)電的滲流閾值,在增強(qiáng)樹脂基體的力學(xué)性能的同時(shí),能夠顯著提高樹脂基體的電導(dǎo)率及導(dǎo)熱系數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員:朱永軍,方樂,王廷,李陵洲,鄭雄峰,狄春峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者:河南天海合聚新材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/9
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