本發(fā)明涉及一種膦雜己環(huán)化合物，采用該膦雜己環(huán)化合物的半導體材料，以及它們在有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用；本發(fā)明還涉及應(yīng)用該膦雜己環(huán)化合物的有機電致發(fā)光器件，以及采用該有機電致發(fā)光器件的電子裝置；本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光材料領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

1、電致發(fā)光(electroluminescence，el)是指發(fā)光材料在電場作用下，受到電流和電場的激發(fā)而發(fā)光的現(xiàn)象，它是一個將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的一種發(fā)光過程。

2、有機電激發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，簡稱為oled)器件，具有薄型且能在低驅(qū)動電壓下高亮度發(fā)光以及能通過選擇發(fā)光材料而進行多色發(fā)光的特征，因此倍受關(guān)注。該研究自從由柯達公司的c.w.tang等揭示有機薄膜元件能以高亮度發(fā)光以來，大量oled行業(yè)研究人員對于其應(yīng)用，做了很多研究和推進。

3、通常，oled器件主要由陽極、陰極、以及介于陽極和陰極之間的有機層三部分構(gòu)成。

4、常規(guī)應(yīng)用于oled器件的功能化有機材料包括：空穴注入材料、空穴傳輸材料、空穴阻擋材料、電子注入材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料以及發(fā)光主體材料和發(fā)光客體(染料)等。

5、例如，典型的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)包括：陽極/空穴注入層(hil)/空穴傳輸層(htl)/發(fā)光層(eml，發(fā)光主體材料：發(fā)光客體材料)/電子傳輸層(etl)/陰極。它們在襯底上依次堆疊，所述hil、htl、eml和etl是由有機化合物形成的薄膜。oled器件的基本工作原理：當向陽極和陰極施加電壓時，從陽極注入的空穴經(jīng)由htl向eml移動，而從陰極注入的電子經(jīng)由etl向eml移動。所述空穴和電子在eml中復(fù)合而產(chǎn)生激子。當激子從激發(fā)態(tài)降到基態(tài)時，發(fā)射出光。

6、目前，本領(lǐng)域技術(shù)人員持續(xù)開發(fā)、改進上述的功能化有機材料，目的是：在提高oled器件的亮度/照度的同時，盡可能降低工作電壓，并且空穴和電子的注入和流動是平衡的，使得具有上述結(jié)構(gòu)的oled具有優(yōu)良的效率和/或長壽命。

7、現(xiàn)有技術(shù)公開的器件中，通常采用結(jié)構(gòu)中包含吸電子基團的吡啶、嘧啶、噁二唑、三氮唑、咪唑等含氮雜環(huán)材料作為電子傳輸材料，但是這類材料的電子遷移率低，而空穴遷移率較高，使發(fā)光器件內(nèi)部的電子-空穴不平衡，從而導致器件效率降低，穩(wěn)定性差，壽命短等問題。

8、因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員希望能夠開發(fā)新的能夠應(yīng)用于oled器件的有機化合物，可以將其作為半導體材料應(yīng)用于oled器件中改進oled器件的性能，特別是降低工作電壓和/或改善的效率和壽命。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明第一方面提供了一種膦雜己環(huán)化合物，其中，所述膦雜己環(huán)化合物具有如下式(i)結(jié)構(gòu)式；

2、

3、在所述式(i)中，ar1選自取代或未取代的c6～c30的芳基或取代或未取代的c5～c30的雜芳基；ar2選自取代或未取代亞菲基或取代或未取代的三亞苯的亞基；

4、r1、r2各自獨立地選自氫、氘、c1～c10的直鏈或支鏈烷基或環(huán)烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c3～c30的雜芳基；

5、n1選自0-6任一整數(shù)；n2選自0-8任一整數(shù)；

6、或者，式(i)中任意個數(shù)任意位置的氫被氘所取代。

7、本發(fā)明第二方面提供了一種半導體材料，其中，所述半導體材料包含前述的膦雜己環(huán)化合物。

8、本發(fā)明第三方面提供了前述的膦雜己環(huán)化合物或前述的半導體材料在有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。

9、本發(fā)明第四方面提供了一種有機電致發(fā)光器件，其包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極和第二電極之間的至少一層有機功能層，所述有機功能層包含前述的膦雜己環(huán)化合物。

10、本發(fā)明第五方面提供了一種電子裝置，其中，所述電子裝置包含前述的有機電致發(fā)光器件。

11、本發(fā)明提供的膦雜己環(huán)化合物，能夠應(yīng)用于oled器件的有機功能層，特別是應(yīng)用于電子傳輸層和/或電荷產(chǎn)生層中；本申請的膦雜己環(huán)化合物其獨特的六元環(huán)立體結(jié)構(gòu)與金屬能夠發(fā)生更強的相互作用，另一方面，本申請的式(i)結(jié)構(gòu)中，核心六元環(huán)與特定的三個芳香體系(ar1、ar2和萘基基團)形成更穩(wěn)定的分子共軛體系，能夠顯著降低器件的工作電壓，提高電流效率，同時改善器件壽命。

技術(shù)特征：

1.一種膦雜己環(huán)化合物，其中，所述膦雜己環(huán)化合物具有如下式(i)結(jié)構(gòu)式；

2.如權(quán)利要求1所述的膦雜己環(huán)化合物，其特征在于：所述ar1選自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的三亞苯基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基苯基中的一種或幾種的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的膦雜己環(huán)化合物，其特征在于：r1和r2獨立地選自氫、氘、甲基、氘代甲基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的異喹啉基。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的膦雜己環(huán)化合物，其特征在于：所述“取代”中的取代基選自氫、氘、取代或未取代的c1～c10的直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的c3～c10的環(huán)烷基、取代或未取代的c1～c10的烷氧基、取代或未取代的c6～c20的芳基、取代或未取代的c3～c20的雜芳基。

5.如權(quán)利要求1所述的膦雜己環(huán)化合物，其特征在于：所述膦雜己環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)式選自以下任一個結(jié)構(gòu)式：

6.如權(quán)利要求1所述的膦雜己環(huán)化合物，其特征在于：所述膦雜己環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)式選自以下任一個結(jié)構(gòu)式：

7.如權(quán)利要求1所述的膦雜己環(huán)化合物，其特征在于：所述膦雜己環(huán)化合物的結(jié)構(gòu)式選自以下任一個結(jié)構(gòu)式：

8.一種半導體材料，其特征在于，所述半導體材料包含如權(quán)利要求1至7中任一項所述的膦雜己環(huán)化合物；

9.一種有機電致發(fā)光器件，其包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極和第二電極之間的至少一層有機功能層，所述有機功能層包含如權(quán)利要求1至7中任一項所述的膦雜己環(huán)化合物或如權(quán)利要求8所述的半導體材料；優(yōu)選的，所述有機功能層選自電子傳輸層、電子注入層、或者電荷產(chǎn)生層；更優(yōu)選的，所述有機電致發(fā)光器件為單層器件，且其中的電子傳輸層包含如權(quán)利要求1至7中任一項所述的膦雜己環(huán)化合物或如權(quán)利要求8所述的半導體材料；或者，所述有機電致發(fā)光器件為疊層器件，所述疊層器件包含2個或以上的發(fā)光層，且其中的電子傳輸層和/或電荷產(chǎn)生層包含如權(quán)利要求1至7中任一項所述的膦雜己環(huán)化合物或如權(quán)利要求8所述的半導體材料。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包含如權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件；優(yōu)選的，所述電子裝置為顯示或照明裝置。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種膦雜己環(huán)化合物，采用該膦雜己環(huán)化合物的半導體材料，以及它們在有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用；本發(fā)明還涉及應(yīng)用該膦雜己環(huán)化合物的有機電致發(fā)光器件，以及采用該有機電致發(fā)光器件的電子裝置；本發(fā)明的膦雜己環(huán)化合物具有如下式(I)結(jié)構(gòu)式；本發(fā)明提供的膦雜己環(huán)化合物，能夠應(yīng)用于OLED器件的有機功能層，特別是應(yīng)用于電子傳輸層和/或電荷產(chǎn)生層中；本申請的膦雜己環(huán)化合物其獨特的六元環(huán)立體結(jié)構(gòu)與金屬能夠發(fā)生更強的相互作用，并且其核心六元環(huán)與特定的三個芳香體系形成更穩(wěn)定的分子共軛體系，能夠顯著降低器件的工作電壓，提高電流效率，同時改善器件壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：王湘成,李雨
受保護的技術(shù)使用者：上海鑰熠電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2