本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光材料,涉及一種用于有機(jī)電致發(fā)光材料的化合物。
背景技術(shù):
1、有機(jī)電致發(fā)光元件(oled)作為固體發(fā)光技術(shù)得到了迅猛的發(fā)展,并逐步實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。oled元件的基本結(jié)構(gòu)通常包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極等多個(gè)層次。在外加電場的作用下,該器件內(nèi)部的物理過程表現(xiàn)為:空穴從陽極注入至有機(jī)層,而電子則從陰極注入至有機(jī)層。當(dāng)這些注入的空穴和電子在發(fā)光層內(nèi)相遇時(shí),它們會結(jié)合形成激子。當(dāng)激子重新躍遷到基態(tài)時(shí),會釋放出能量,這一能量以光的形式發(fā)射出來,從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光效果。
2、然而,為了進(jìn)一步提升oled器件的效率、亮度以及使用壽命等關(guān)鍵光電性能,業(yè)界通常會將發(fā)光材料摻雜在特定的主體材料中。這種做法的主要目的是減少激子淬滅效應(yīng),從而優(yōu)化器件的發(fā)光性能。激子淬滅是指激子在發(fā)光過程中由于各種原因(如與雜質(zhì)、缺陷或其他激子的相互作用)而提前失去能量,導(dǎo)致亮度效率降低的現(xiàn)象。通過將發(fā)光材料摻雜在合適的主體材料中,可以有效地降低這種淬滅效應(yīng),進(jìn)而提高器件的整體性能。
3、因此,高性能的主體材料對于獲得高品質(zhì)的oled器件性能至關(guān)重要。它不僅需要具備良好的載流子傳輸性能,以確??昭ê碗娮幽軌蚋咝У刈⑷氲桨l(fā)光層中,還需要具有較低的激子淬滅率,以保障激子能夠穩(wěn)定地發(fā)光。然而,如何開發(fā)出既滿足這些要求又具備良好穩(wěn)定性的高品質(zhì)主體材料,一直是oled技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)難點(diǎn)和熱點(diǎn)問題。目前,盡管已經(jīng)有一些主體材料被開發(fā)出來并應(yīng)用于oled器件中,但它們在性能上仍存在一定的局限性,無法滿足日益增長的對于更高品質(zhì)oled器件的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足及改進(jìn)需求,本發(fā)明以雙萘并五元雜環(huán)稠環(huán)化合物作為母核,由于其分子內(nèi)特有的分子共輒結(jié)構(gòu)具有較高的熱穩(wěn)定性,經(jīng)過合適的基團(tuán)修飾所構(gòu)筑的材料可以得到較優(yōu)良的前線軌道能級,作為藍(lán)光主體或紅光主體材料應(yīng)用,對提高器件效率、壽命、色純度等性能起到關(guān)鍵作用。
2、一方面,本發(fā)明涉及化合物,其具有如式(i)所示的結(jié)構(gòu),
3、;
4、其中,x為o或s;
5、y為o、s、cr1r2中的一種;
6、l為單鍵、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘、取代或未取代的c6-c30的亞芳基中的一種;
7、ar為取代或未被取代的苯、取代或未被取代的稠合多環(huán)芳香族基團(tuán)、取代或未被取代的給電子基團(tuán)、取代或未被取代的吸電子基團(tuán);
8、所述r1為甲基或苯基;
9、所述r2為甲基或苯基;
10、任一氫原子被氘化或未被氘化。
11、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,其具有如式a1-a6所示的化學(xué)結(jié)構(gòu),
12、。
13、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,任一所述取代或未取代表示為無取代基、單取代基、二取代基、三取代基、四取代基中的一種。
14、示例性地,在本發(fā)明提供的化合物中,所述單取代基、二取代基、三取代基、四取代基中的取代基選自以下基團(tuán):
15、
16、
17、
18、
19、
20、
21、。
22、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,所述稠合多環(huán)芳香族基團(tuán)為萘基、蒽基、芘基、苯并菲基、?基、菲基中的一種。
23、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,所述給電子基團(tuán)為胺基衍生物或咔唑基衍生物。
24、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,所述吸電子基團(tuán)為三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、咪唑基、吡啶基中的一種。
25、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,所述ar被芳基、含n的雜芳基、含o的雜芳基、含s的雜芳基取代。
26、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,所述l為苯基、萘基、蒽基、芘基。
27、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,所述ar為苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、苯并菲基、取代或未被取代的胺基、取代或未被取代的咔唑基、取代或未被取代的呋喃基、取代或未被取代的噻吩基、取代或未被取代的三嗪基、取代或未被取代的嘧啶基、取代或未被取代的吡嗪基、取代或未被取代的吡啶基、取代或未被取代的苯并咪唑基。
28、進(jìn)一步地,在本發(fā)明提供的化合物中,具有如化合物1-化合物200所示的結(jié)構(gòu),
29、
30、
31、
32、
33、
34、
35、
36、
37、
38、
39、
40、
41、
42、
43、
44、
45、
46、
47、
48、
49、
50、
51、
52、
53、
54、
55、
56、
57、
58、
59、
60、
61、
62、
63、
64、
65、
66、
67、
68、;
69、其中,d表示氫原子被氘化。
70、示例性地,化合物51中的d1-d25表示該式化合物中有1~25個(gè)氫原子被氘化。
71、另一方面,本發(fā)明涉及所述的化合物在有機(jī)電致發(fā)光器件或有機(jī)電致發(fā)光裝置中的應(yīng)用。
72、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的技術(shù)方案至少具備以下有益效果或優(yōu)點(diǎn):
73、本發(fā)明通過雙萘并五元雜環(huán)母核在特定位置與芘、苯并菲、?、菲等稠環(huán)分子構(gòu)筑成具有一定剛性和分子扭曲的稠環(huán)結(jié)構(gòu),提高化合物的熱穩(wěn)定性,作為藍(lán)光主體材料,提高了有機(jī)電致發(fā)光材料的效率、壽命等性能。雙萘并五元雜環(huán)母核在特定位置與給電子基團(tuán)如取代或未被取代的胺基衍生物、取代或未被取代的咔唑基衍生物;或與吸電子基團(tuán)如取代或未被取代的三嗪基、取代或未被取代的嘧啶基、取代或未被取代的吡嗪基、取代或未被取代的咪唑基、取代或未被取代的吡啶等基團(tuán)連接,可以優(yōu)化材料分子軌道能級,進(jìn)一步提高化合物三線態(tài)能量,作為紅光主體材料,可顯著改善發(fā)光器件的性能,實(shí)現(xiàn)高效率、長壽命。
1.化合物,其特征在于,具有如式(i)所示的結(jié)構(gòu),
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,任一所述取代或未取代表示為無取代基、單取代基、二取代基、三取代基、四取代基中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,所述稠合多環(huán)芳香族基團(tuán)為萘基、蒽基、芘基、苯并菲基、?基、菲基中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,所述給電子基團(tuán)為胺基衍生物或咔唑基衍生物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,所述吸電子基團(tuán)為三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、咪唑基、吡啶基中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,所述ar被芳基、含n的雜芳基、含o的雜芳基、含s的雜芳基取代。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,所述l為苯基、萘基、蒽基、芘基。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,所述ar為苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、苯并菲基、取代或未被取代的胺基、取代或未被取代的咔唑基、取代或未被取代的呋喃基、取代或未被取代的噻吩基、取代或未被取代的三嗪基、取代或未被取代的嘧啶基、取代或未被取代的吡嗪基、取代或未被取代的吡啶基、取代或未被取代的苯并咪唑基。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,具有如化合物1-化合物200所示的結(jié)構(gòu),
10.權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的化合物在有機(jī)電致發(fā)光器件或有機(jī)電致發(fā)光裝置中的應(yīng)用。