本發(fā)明涉及含氟醚化合物、磁記錄介質(zhì)用潤滑劑以及磁記錄介質(zhì)。本技術(shù)基于2023年4月28日在日本技術(shù)的特愿2023-074981號來主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援用到本文中。

背景技術(shù)：

1、為了使磁記錄再生裝置的記錄密度提高，適于高記錄密度的磁記錄介質(zhì)的開發(fā)發(fā)展。以往，作為磁記錄介質(zhì)，有在基板上形成記錄層，在記錄層上形成了碳等的保護(hù)層的物質(zhì)。保護(hù)層保護(hù)被記錄于記錄層的信息，并且提高磁頭的滑動(dòng)性。然而，僅僅依靠在記錄層上設(shè)置保護(hù)層，不能充分獲得磁記錄介質(zhì)的耐久性。因此，一般而言，在保護(hù)層的表面涂布潤滑劑而形成潤滑層。

2、作為在形成磁記錄介質(zhì)的潤滑層時(shí)使用的潤滑劑，提出了例如，含有在具有包含-cf2-的重復(fù)結(jié)構(gòu)的氟系的聚合物的末端具有羥基、氨基等極性基的化合物的潤滑劑。

3、例如，在專利文獻(xiàn)1、2中公開了在全氟聚醚鏈的兩末端經(jīng)由亞甲基(-ch2-)而依次結(jié)合有甘油連接基(-o-ch2-ch(oh)-ch2-o-)、和作為具有極性基的有機(jī)基的末端基的含氟醚化合物。

4、在專利文獻(xiàn)3中公開了在全氟聚醚鏈的兩末端經(jīng)由亞甲基(-ch2-)而依次結(jié)合有包含將甘油連接基增碳而得的結(jié)構(gòu)(-o-ch2-ch(oh)-ch2-(ch2)n-o-)的連接基、和末端基的含氟醚化合物。

5、在專利文獻(xiàn)4中公開了在全氟聚醚鏈的兩末端經(jīng)由亞甲基(-ch2-)而結(jié)合有1個(gè)或多個(gè)甘油結(jié)構(gòu)的含氟醚化合物。

6、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

7、專利文獻(xiàn)

8、專利文獻(xiàn)1：國際公開第2021/090940號(a)

9、專利文獻(xiàn)2：日本專利第6804893號(b)

10、專利文獻(xiàn)3：國際公開第2019/054148號(a)

11、專利文獻(xiàn)4：國際公開第2009/013785號(a)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、近年來，面向磁記錄介質(zhì)的大容量化，要求更加減少磁間距(磁頭與磁記錄介質(zhì)的磁性層的距離)。因此，要求使磁記錄介質(zhì)中的潤滑層的厚度更薄。

3、然而，一般而言如果使?jié)櫥瑢拥暮穸缺?，則具有磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性降低的傾向。此外，如果在使?jié)櫥瑢拥暮穸缺r(shí)發(fā)生脫落(通過伴隨磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)的離心力和發(fā)熱，從而潤滑劑飛散或蒸發(fā)的現(xiàn)象)，則有時(shí)不能維持滿足潤滑層的功能的充分的膜厚。因此，要求即使在使?jié)櫥瑢拥暮穸缺〉那闆r下，也具有優(yōu)異的耐腐蝕性，且可以抑制脫落的潤滑層。

4、本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，以提供可以形成具有優(yōu)異的耐腐蝕性、且可以抑制脫落的潤滑層，可以適合作為磁記錄介質(zhì)用潤滑劑的材料而使用的含氟醚化合物作為目的。

5、本發(fā)明以提供包含本發(fā)明的含氟醚化合物，可以形成耐腐蝕性良好、并且可以抑制脫落的潤滑層的磁記錄介質(zhì)用潤滑劑作為目的。

6、本發(fā)明以提供具有包含本發(fā)明的含氟醚化合物的潤滑層的、耐腐蝕性良好、且可以抑制脫落的磁記錄介質(zhì)作為目的。

7、用于解決課題的手段

8、本發(fā)明包含以下方案。

9、[1]一種含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示。

10、r1-ch2-r2-ch2-r3??(1)

11、(在式(1)中，r2為全氟聚醚鏈。r1和r3為具有1個(gè)～4個(gè)極性基、且碳原子數(shù)為1～50的末端基。r1和r3可以相同，也可以各自不同。r1和r3之中的至少一者為下述式(2)所示的末端基。)

12、-o-x-ch(oh)-ch2oh??(2)

13、(在式(2)中，x為可以包含1個(gè)～2個(gè)極性基和1個(gè)～3個(gè)醚氧原子中的至少1者的碳原子數(shù)2～30的2價(jià)有機(jī)基。x包含至少1個(gè)與極性基和醚氧原子都不結(jié)合的碳原子。)

14、[2]根據(jù)[1]所述的含氟醚化合物，上述式(2)所示的末端基為下述式(2-1)～(2-7)中的任一者。

15、

16、(在式(2-1)中，a表示1～8的整數(shù)。b表示1～7的整數(shù)。)

17、(在式(2-2)中，c表示1～7的整數(shù)。)

18、(在式(2-3)中，d表示1～6的整數(shù)。)

19、(在式(2-4)中，e表示1～6的整數(shù)。e個(gè)ra和rb各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基。)

20、(在式(2-5)中，f表示1～6的整數(shù)。)

21、(在式(2-6)中，g表示1～6的整數(shù)。)

22、(在式(2-7)中，g2表示1～6的整數(shù)。)

23、[3]根據(jù)[1]或[2]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r3各自獨(dú)立地為上述式(2)所示的末端基。

24、[4]根據(jù)[1]～[3]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r3相同。

25、[5]根據(jù)[1]或[2]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r3中的一者為上述式(2)所示的末端基，另一者為由下述式(3)表示、且不符合式(2)的末端基。

26、

27、(在式(3)中，l表示1～3的整數(shù)。l個(gè)m各自獨(dú)立地表示1～6的整數(shù)。l個(gè)n各自獨(dú)立地表示1～6的整數(shù)。在1個(gè)重復(fù)單元中，m和n中的至少一者為1。b表示可以僅具有1個(gè)極性基的烷基、包含碳-碳不飽和鍵的有機(jī)基、或氫原子。)

28、[6]根據(jù)[1]、[2]或[5]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r3中的一者為上述式(2)所示的末端基，另一者為下述式(3-1)～(3-3)中的任一者所示的末端基。

29、

30、(在式(3-1)中，p表示0～3的整數(shù)。q表示0～2的整數(shù)。r表示0～5的整數(shù)。p與r的合計(jì)值為1～5。d表示極性基、乙烯基、乙炔基、或可以具有取代基的芳基。)

31、(在式(3-2)中，s表示0～2的整數(shù)。t表示1～5的整數(shù)。)

32、(在式(3-3)中，u表示1～3的整數(shù)。5個(gè)e各自獨(dú)立地表示極性基、碳原子數(shù)1～8的烷氧基、鹵代基、或氫原子。其中，在5個(gè)e中包含極性基的情況下，5個(gè)e中的極性基的數(shù)目為1個(gè)。)

33、[7]根據(jù)[1]～[6]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r1和r3所具有的極性基的合計(jì)數(shù)為4個(gè)～6個(gè)。

34、[8]根據(jù)[1]～[7]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r2為下述式(4)所示的全氟聚醚鏈。

35、-(cf2)w1-o-(cf2o)w2-(cf2cf2o)w3-(cf2cf2cf2o)w4-(cf2cf2cf2cf2o)w5-(cf2)w6-(4)

36、(在式(4)中，w2、w3、w4、w5表示平均聚合度，且各自獨(dú)立地表示0～20。其中，w2、w3、w4、w5不全部同時(shí)為0。w1、w6為表示cf2的數(shù)目的平均值，且各自獨(dú)立地表示1～3。對作為式(4)中的重復(fù)單元的(cf2o)、(cf2cf2o)、(cf2cf2cf2o)、(cf2cf2cf2cf2o)的排列順序沒有特別限制。)

37、[9]根據(jù)[1]～[8]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的r2為選自下述式(4-1)～(4-4)所示的全氟聚醚鏈中的任1種。

38、-cf2-(ocf2cf2)h-(ocf2)i-ocf2-(4-1)

39、(在式(4-1)中，h和i表示平均聚合度，h表示1～20，i表示0～20。)

40、-cf2cf2-(ocf2cf2cf2)j-ocf2cf2-(4-2)

41、(在式(4-2)中，j表示平均聚合度，且表示1～15。)

42、-cf2cf2cf2-(ocf2cf2cf2cf2)k-ocf2cf2cf2-(4-3)

43、(在式(4-3)中，k表示平均聚合度，且表示1～10。)

44、-(cf2)w7-o-(cf2cf2cf2o)w8-(cf2cf2o)w9-(cf2)w10-(4-4)

45、(在式(4-4)中，w8、w9表示平均聚合度，且各自獨(dú)立地表示1～20。w7、w10為表示cf2的數(shù)目的平均值，且各自獨(dú)立地表示1～2。)

46、[10]根據(jù)[1]～[9]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物，其數(shù)均分子量在500～10000的范圍內(nèi)。

47、[11]一種磁記錄介質(zhì)用潤滑劑，其特征在于，包含[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物。

48、[12]一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，是在基板上至少依次設(shè)置有磁性層、保護(hù)層、和潤滑層的磁記錄介質(zhì)，上述潤滑層包含[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的含氟醚化合物。

49、[13]根據(jù)[12]所述的磁記錄介質(zhì)，上述潤滑層的平均膜厚為0.5nm～2.0nm。

50、發(fā)明的效果

51、本發(fā)明的含氟醚化合物由于為上述式(1)所示的化合物，因此作為磁記錄介質(zhì)用潤滑劑的材料是適合的。

52、本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用潤滑劑由于包含本發(fā)明的含氟醚化合物，因此可以形成耐腐蝕性良好、且可以抑制脫落的潤滑層。

53、本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)具有包含本發(fā)明的含氟醚化合物的潤滑層。因此，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性良好，可以抑制脫落，可靠性和耐久性優(yōu)異。因此，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)由于可以使?jié)櫥瑢拥暮穸缺?，因此可以有助于減少磁間距，可以使磁頭的上浮量更加小。