專(zhuān)利名稱(chēng):一種基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種細(xì)胞培養(yǎng)領(lǐng)域的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，具體是一種基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著細(xì)胞培養(yǎng)的研究開(kāi)發(fā)越來(lái)越得到重視，特別是能適應(yīng)不同應(yīng)用背景、復(fù)雜的培養(yǎng)環(huán)境的問(wèn)題。傳統(tǒng)的細(xì)胞培養(yǎng)只是機(jī)械的在培養(yǎng)液中進(jìn)行靜態(tài)培養(yǎng)，對(duì)于一些需要電興奮的細(xì)胞，這種培養(yǎng)方式則收到了一定的限制。
中國(guó)申請(qǐng)?zhí)朇N201010243578. 1，申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)CN101892153A，該專(zhuān)利中公開(kāi)了一種剪切力-電聯(lián)合刺激的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，該發(fā)明建立了力刺激聯(lián)合電刺激下的細(xì)胞培養(yǎng)的環(huán)境，克服了現(xiàn)有技術(shù)不能模擬體內(nèi)細(xì)胞處于力、電刺激共同作用環(huán)境的缺陷，為促進(jìn)細(xì)胞、 組織的功能化培養(yǎng)奠定基礎(chǔ)。但是這種技術(shù)的電極只是平面電極，并不能適應(yīng)細(xì)胞培養(yǎng)的復(fù)雜環(huán)境。
中國(guó)申請(qǐng)?zhí)朇N201010243576. 2，申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)CN101892152A，該專(zhuān)利中公開(kāi)了一種牽張-電聯(lián)合刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，該發(fā)明克服了現(xiàn)有方法不能模擬體內(nèi)細(xì)胞處于牽張力、電刺激同時(shí)存在的物理微環(huán)境的缺陷，建立了牽張力刺激聯(lián)合電刺激下的細(xì)胞培養(yǎng)方法，可以促進(jìn)細(xì)胞、組織培養(yǎng)方法及相關(guān)組織工程反應(yīng)器的發(fā)展。但是這種技術(shù)同樣使用的是傳統(tǒng)的平面電極，不能為細(xì)胞培養(yǎng)提供骨架，使用中也收到一定的限制。
綜上，雖然細(xì)胞培養(yǎng)得到了一定的研究，但是文獻(xiàn)中未見(jiàn)報(bào)道基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，可以通過(guò)該裝置為電興奮性細(xì)胞的培養(yǎng)提供骨架，提高細(xì)胞培養(yǎng)的質(zhì)量。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本發(fā)明包括靜電紡絲電極、培養(yǎng)皿基底、電興奮性細(xì)胞、電刺激模塊、電極連線。
所述的靜電紡絲電極是指用來(lái)為電興奮性細(xì)胞培養(yǎng)提供培養(yǎng)骨架，并且提供興奮性電刺激的裝置。
所述的靜電紡絲電極是由六水合氯鉬酸與聚乙烯基吡咯烷酮通過(guò)靜電紡絲技術(shù)制備的。
所述的靜電紡絲電極的直徑為O. 01-200微米。
所述的靜電紡絲電極的高度為O. 01-800微米。
所述的靜電紡絲電極的形貌可以根據(jù)培養(yǎng)的細(xì)胞所需的骨架來(lái)制備。
所述的靜電紡絲電極可以根據(jù)需要把相關(guān)的藥物也一同制備到電極中，方便細(xì)胞培養(yǎng)。
所述的培養(yǎng)皿基底是指用來(lái)搭載細(xì)胞培養(yǎng)液與細(xì)胞的載體。[0015]所述的電興奮性細(xì)胞是指適用于該裝置的具有電興奮性的細(xì)胞。
所述的電刺激模塊是指用來(lái)產(chǎn)生興奮細(xì)胞的電信號(hào)的裝置。
所述的電極連線是指用來(lái)連接電刺激模塊與靜電紡絲電極的裝置。
所述的電極連線的直徑為O. 1-500微米。當(dāng)電興奮性細(xì)胞在該裝置中進(jìn)行培養(yǎng)時(shí)，培養(yǎng)皿的基底上先用靜電紡絲技術(shù)把電極制備在上面作為細(xì)胞培養(yǎng)的骨架。細(xì)胞的骨架根據(jù)培養(yǎng)的需要，把靜電紡絲電極制備成不同形狀與結(jié)構(gòu)的。在培養(yǎng)過(guò)程中，定時(shí)把電刺激信號(hào)通過(guò)電極加載到細(xì)胞上，實(shí)現(xiàn)細(xì)胞的興奮性培養(yǎng)。
綜上，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以使用靜電紡絲電極形成培養(yǎng)骨架，在電刺激的同時(shí)提高細(xì)胞培養(yǎng)的質(zhì)量。


圖I為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明，本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
實(shí)施例I
如圖I所示，本實(shí)施例所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置包括靜電紡絲電極I、培養(yǎng)皿基底2、電興奮性細(xì)胞3、電刺激模塊4、電極連線5。
本實(shí)施例中，所述的靜電紡絲電極I是指用來(lái)為電興奮性細(xì)胞培養(yǎng)提供培養(yǎng)骨架，并且提供興奮性電刺激的裝置。
本實(shí)施例中，所述的靜電紡絲電極I是由六水合氯鉬酸與聚乙烯基吡咯烷酮通過(guò)靜電紡絲技術(shù)制備的。
本實(shí)施例中，所述的靜電紡絲電極I的直徑為O. 01-200微米。
本實(shí)施例中，所述的靜電紡絲電極I的高度為O. 01-800微米。
本實(shí)施例中，所述的靜電紡絲電極I的形貌可以根據(jù)培養(yǎng)的細(xì)胞所需的骨架來(lái)制備。
本實(shí)施例中，所述的靜電紡絲電極I可以根據(jù)需要把相關(guān)的藥物也一同制備到電極中，方便細(xì)胞培養(yǎng)。
本實(shí)施例中，所述的培養(yǎng)皿基底2是指用來(lái)搭載細(xì)胞培養(yǎng)液與細(xì)胞的載體。
本實(shí)施例中，所述的電興奮性細(xì)胞3是指適用于該裝置的具有電興奮性的細(xì)胞。
本實(shí)施例中，所述的電刺激模塊4是指用來(lái)產(chǎn)生興奮細(xì)胞的電信號(hào)的裝置。
本實(shí)施例中，所述的電極連線5是指用來(lái)連接電刺激模塊與靜電紡絲電極的裝置。
本實(shí)施例中，所述的電極連線5的直徑為O. 1-500微米。
本實(shí)施例的工作原理為首先，當(dāng)電興奮性細(xì)胞需要在該裝置中進(jìn)行培養(yǎng)時(shí)，根據(jù)細(xì)胞培養(yǎng)所需的骨架，使用靜電紡絲技術(shù)把電極制備在培養(yǎng)皿基底上。電極的大小、形狀與高度都可以根據(jù)需要制備。當(dāng)細(xì)胞在基底上培養(yǎng)時(shí)，細(xì)胞會(huì)沿著制備好的骨架生長(zhǎng)，這樣的培養(yǎng)比傳統(tǒng)的平面培養(yǎng)使細(xì)胞更接近于在體生長(zhǎng)。對(duì)于可電興奮性細(xì)胞，可以根據(jù)需要在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間進(jìn)行電刺激，刺激的強(qiáng)度、時(shí)間等參數(shù)可以通過(guò)電刺激模塊控制。這樣在細(xì)胞培養(yǎng)的同時(shí)，還能使可電興奮性細(xì)胞的電興奮性得到保持和加強(qiáng)，提高細(xì)胞培養(yǎng)的質(zhì)量。
如表I所示,本實(shí)施例的實(shí)際應(yīng)用要求如表所示。
表I基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置的一組典型設(shè)計(jì)參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，所述的裝置包括靜電紡絲電極I、培養(yǎng)皿基底2、電興奮性細(xì)胞3、電刺激模塊4、電極連線5。
2.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基 于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的靜電紡絲電極是指用來(lái)為電興奮性細(xì)胞培養(yǎng)提供培養(yǎng)骨架，并且提供興奮性電刺激的>j-U ρ α裝直。
3.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的靜電紡絲電極是由六水合氯鉬酸與聚乙烯基吡咯烷酮通過(guò)靜電紡絲技術(shù)制備的。
4.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的靜電紡絲電極的直徑為O. 01-200微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的靜電紡絲電極的高度為O. 01-800微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的靜電紡絲電極的形貌可以根據(jù)培養(yǎng)的細(xì)胞所需的骨架來(lái)制備。
7.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的靜電紡絲電極可以根據(jù)需要把相關(guān)的藥物也一同制備到電極中，方便細(xì)胞培養(yǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的培養(yǎng)皿基底是指用來(lái)搭載細(xì)胞培養(yǎng)液與細(xì)胞的載體。
9.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的電刺激模塊是指用來(lái)產(chǎn)生興奮細(xì)胞的電信號(hào)的裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求
I所述的可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征是，所述的電極連線的直徑為O. 1-500微米。
專(zhuān)利摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種可基于靜電紡絲電極的電刺激細(xì)胞培養(yǎng)裝置，所述的裝置包括靜電紡絲電極1、培養(yǎng)皿基底2、電興奮性細(xì)胞3、電刺激模塊4、電極連線5。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以在基于骨架立體培養(yǎng)的同時(shí)加入電刺激，提高可電興奮性細(xì)胞的培養(yǎng)質(zhì)量。
文檔編號(hào)C12M3/00GKCN102864077SQ201210364419
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年9月27日
發(fā)明者康曉洋 申請(qǐng)人:昆山冠強(qiáng)軟件科技有限公司, 康曉洋導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan