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末端含吡啶基的二蒽類化合物及其應(yīng)用

文檔序號:8424624閱讀:384來源:國知局
末端含吡啶基的二蒽類化合物及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種末端含吡啶基的二蒽類化合物,該二蒽類化合物可以應(yīng)用到電致 發(fā)光領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光二極管(OLED)自1987年鄧青云在應(yīng)用物理快報(Appl. Phys. Lett.,1987, 51,913)上發(fā)表文章以來,因為其自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化的優(yōu)點, 受到學術(shù)界和工業(yè)界極大的重視。在顯示領(lǐng)域,OLED兼具陰極射線管和液晶顯示器的特點, 視角大,功耗低,色彩鮮艷,被譽為下一代夢幻顯示器。在照明領(lǐng)域,OLED作為唯一能真正 實現(xiàn)面光源的技術(shù),具有發(fā)光柔和不刺眼,綠色環(huán)保,最貼近自然光的健康光源,被譽為人 類發(fā)展史上最節(jié)能健康的照明光源。
[0003] 采用高性能的發(fā)光材料是制備OLED器件的重要基礎(chǔ)?,F(xiàn)在OLED材料主要分為小 分子材料和高分子材料,小分子材料容易結(jié)晶,溶解性差,高分子材料發(fā)光效率低,不利于 工業(yè)化生產(chǎn)。所以,尋找一種具有較高發(fā)光效率,具有良好溶解性的有機材料成為OLED材 料技術(shù)領(lǐng)域的關(guān)鍵問題。
[0004] 現(xiàn)在已發(fā)現(xiàn)的蒽類化合物,是典型的發(fā)光體系,比較適合作為電致發(fā)光材料的化 合物。9,10_二芳基蒽具有良好的穩(wěn)定性和發(fā)光效率,是優(yōu)良的藍色發(fā)光材料。2,9'_二蒽 類化合物由于極佳的立體位阻效應(yīng),使得該類化合物薄膜光譜相比PL溶液光譜紅移很小, 發(fā)光主峰保持在450nm左右。同時,文獻(Chem. Lett.,2008, 37, 1150-1151)還報道該類化 合物具有極佳的熱穩(wěn)定性。
[0005] 但是,現(xiàn)有文獻報道中,2, 9' -二蒽類化合物多為碳氫型化合物,僅具備單一的發(fā) 光性能,傳輸性能較差,應(yīng)用到電致發(fā)光領(lǐng)域會引起器件功耗增加,產(chǎn)品壽命變短,色度偏 差等問題,急需開發(fā)兼具發(fā)光性能和傳輸性能的材料。CN101395105A報道了一類含咔唑和 苯并咪唑基團的二蒽類化合物,但合成路線復(fù)雜,溶解度低提純困難,不利于工業(yè)化生產(chǎn)。
[0006] 含有吡啶基的化合物,是典型的缺電子體系,具有良好的接受電子能力。含 有吡啶基的化合物,是典型的缺電子體系,具有良好的接受電子能力。文獻(Chem. Mater.,2011,23, 621-630 )報道的一類含有吡啶基團的電子傳輸材料,表現(xiàn)出很高的 熱穩(wěn)定性,優(yōu)良的空穴阻擋和激子阻擋能力,極佳的電子傳輸能力。文獻(八(^.?1111(31:· Mater.,2011,21,1881-1886)報道的含有吡啶基團的一類電子傳輸材料,表現(xiàn)出優(yōu)良的電 子傳輸性能和電子注入性能,同時該類材料具有很好的電化學穩(wěn)定性,延長使用壽命。
[0007] 本發(fā)明在具有扭曲結(jié)構(gòu)的二蒽類衍生物的基礎(chǔ)上,引入缺電子的吡啶基,使得本 發(fā)明的化合物兼具良好的發(fā)光性能和良好的傳輸性能。克服了傳統(tǒng)的碳氫型二蒽類化合物 傳輸性能差的缺點。
[0008] 此外,考慮到工業(yè)化生產(chǎn)的難易,本發(fā)明的化合物多含有烷基基團。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的是提出一類新型的熒光化合物,所述熒光化合物在具有扭曲結(jié)構(gòu)的 二蒽類衍生物的基礎(chǔ)上,引入缺電子的吡啶基,使得本發(fā)明的化合物兼具良好的發(fā)光性能 和良好的傳輸性能,可以作為有機發(fā)光介質(zhì)中的發(fā)光層、電子傳輸層和空穴阻擋層。
[0010] 為了完成上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種如通式I所示的二蒽類化合物:
[0011]
【主權(quán)項】
1. 一種如通式I所示的二蒽類化合物:
其中, L1及L2相同或不同,彼此相互獨立地表示單鍵、C2-C60的取代或未取代雜環(huán)型芳香基 團或C6-C60的取代或未取代碳氫型芳香基團; L3獨立地表不C2-C60的取代或未取代雜環(huán)型芳香基團或C6-C60的取代或未取代碳氫
型芳香基團; 前提是LnL2和L3不同時χ R10、R1 i、R12、R13、R14、R15、R 16、R17、R18、R21、R23、R 24、R25、R26、R27 及 R28 相同或不同,彼此相互 獨立地表示氫,鹵素,Cl-ClO的取代或未取代的烷基,或Cl-ClO的取代或未取代的烷氧基。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二蒽類化合物,其特征在于,所述L1與L2相同,表示單鍵、 C2-C60的取代或未取代雜環(huán)型芳香基團或C6-C60的取代或未取代碳氫型芳香基團。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項所述的二蒽類化合物,其特征在于,所述LpL2及L3彼 此相互獨立地表示如下芳香基團:

Ra, Rb, Rc,Rd相同或不同,彼此相互獨立地表示氫,鹵素,C1-C30的取代或未被取代的 烷基,或C1-C30的取代或未被取代的烷氧基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項所述的二蒽類化合物,其中所述LI、L2及L3彼此相 互獨立地表示如下芳香基團:

其中, Ra, Rb, Re可以為氫,鹵素,C1-C30的取代或未取代的烷基,或C1-C30的取代或未取代 的烷氧基。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二蒽類化合物,其中,所述LI,L2和L3各自獨立地選自
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二蒽類化合物,其中R26和R27各自獨立地選自氫、甲基、 乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或叔丁基。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二蒽類化合物,所述二蒽類化合物選自由

8. -種制備如權(quán)利要求2和5-7中任一項所述的二蒽類化合物的方法,包括: 1)將式4化合物 和式5化合物
通過反應(yīng)得到式2化合物
3)將所述式2化合物和所述式3化合物通過suzuki偶聯(lián)反應(yīng)得到通式I所示的二蒽 類化合物:
其中, X1, x2, X3為鹵素。
9. 一種制備權(quán)利要求1-8中任一項所述的二蒽類化合物的方法,包括:
1)將式2化合物 和式9化合物 通過偶聯(lián)反應(yīng)得到式10化合物
經(jīng)溴化反應(yīng)得到式11化合物
通過偶聯(lián)反應(yīng)得到通式I所示的二蒽類化合物 其中,
X4為鹵素。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的如通式I所示的二蒽類化合物在制備有機電致 發(fā)光器件中用作發(fā)光材料、電子傳輸材料或空穴阻擋材料中的用途。
11. 一種有機電致發(fā)光器件,包含一對電極以及電極之間的有機發(fā)光介質(zhì),所述有機發(fā) 光介質(zhì)中包含至少一種由權(quán)利要求1-7中任一項所述的二蒽類化合物。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述二蒽類化合物位于 所述有機發(fā)光介質(zhì)中的電子傳輸層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述二蒽類化合物位于 所述有機發(fā)光介質(zhì)中的發(fā)光層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述二蒽類化合物作為 藍色發(fā)光材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述二蒽類化合物作為 所述發(fā)光層的主體發(fā)光材料。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種如通式Ⅰ所示的二蒽類化合物,其中,L1及L2表示單鍵、C2-C60的取代或未取代雜環(huán)型芳香基團或C6-C60的取代或未取代碳氫型芳香基團;L3表示C2-C60的取代或未取代雜環(huán)型芳香基團或C6-C60的取代或未取代碳氫型芳香基團;L1、L2和L3不同時為R10、R18、R21、R23-R28表示氫,鹵素,C1-C10的取代或未取代的烷基或烷氧基。該化合物具有良好的發(fā)光性能,高的電子傳輸能力以及極佳的溶解性,可以用于電致發(fā)光領(lǐng)域的發(fā)光材料、電子傳輸材料和空穴阻擋材料。本發(fā)明還提供一種至少包含一對電極和電極之間的有機發(fā)光介質(zhì)的有機電致發(fā)光器件,該有機發(fā)光介質(zhì)至少包含一種本發(fā)明所述的二蒽類化合物。
【IPC分類】H01L51-54, C09K11-06, C07D213-127, C07D213-06
【公開號】CN104744347
【申請?zhí)枴緾N201410111568
【發(fā)明人】黃達, 孫艷雪, 譚玉東, 靳燦輝, 孫仲猛, 曹林法
【申請人】江蘇和成新材料有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2014年3月24日
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