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有機/無機復合薄膜及其制備方法

文檔序號:8467758閱讀:677來源:國知局
有機/無機復合薄膜及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機/無機復合薄膜及其制備方法,具體涉及一種PS-Ti02有機/無機復合薄膜及其制備方法。
【背景技術】
[0002]二氧化鈦是一種無毒并且具有良好生物相容性和化學穩(wěn)定性的無機材料,并且在UV365nm條件下光照一定時間后,具有光響應性變化,可變?yōu)槌H水,,能夠提高細胞活性。已有研宄發(fā)現(xiàn)在二氧化鈦納米點薄膜上培養(yǎng)細胞,紫外光照20min后,能形成良好的細胞脫附,脫附率可以達到90%以上,并使細胞仍能夠保持良好的活性,因此其在生物醫(yī)學領域中被廣泛的應用[Y.Hong, M.F.Yu, ff.J.Weng, K.Cheng, H.M.Wang, J.Lin.Light-1nduced cell detachment for cell sheet technology.B1materials,2013,34(1):11-18]。
[0003]現(xiàn)今在高分子有機物基板上制備TiCV薄膜制備方法有很多,但T12薄膜與聚苯乙烯基板的結合能力比較弱,使得薄膜容易脫落。此外,用打02納米顆粒來制備復合薄膜時,打02納米顆粒極易發(fā)生團聚,這大大影響了其在復合薄膜中的均勻分散性。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種結合牢固且制備工藝簡單、成本低廉的PS-T12有機/無機復合薄膜及其制備方法。
[0005]本發(fā)明的PS-T12有機/無機復合薄膜,在PS基板上自下而上依次有PS過渡層及T12納米顆粒層。
[0006]所述的T12納米顆粒層中T1 2納米顆粒的直徑通常為20?300nm。
[0007]制備上述的PS-T12有機/無機復合薄膜的方法,包括如下步驟:
(1)將聚苯乙烯(PS)顆粒加入四氫呋喃(THF)中,其中PS顆粒與四氫呋喃的質量比為
5-20: 80-95,攪拌至完全溶解,得到A溶液;
(2)將T12納米顆粒加入無水乙醇中得到混合溶液,其中T12納米顆粒與無水乙醇質量比為1:1?4,再將該混合溶液與四氫呋喃按體積比1:1?4混合后,以280~320r/min的轉速進行球磨4~6h,再超聲振蕩0.5-lh,得到B溶液;
(3)在潔凈的PS基板上滴加A溶液,以6000-8000r/min的轉速進行第一次旋涂,獲得PS過渡層,第一次旋涂結束5s內再向PS過渡層上滴加B溶液,以6000-8000r/min的轉速進行第二次旋涂,兩次旋涂的總時間為20-60s ;或者將潔凈的PS基板浸入A溶液中2-6s,以20-40cm/min的速度將PS基板提拉出A溶液,獲得PS過渡層,提拉結束5s內再將該基板浸入B溶液5-lOs,以10-20cm/min的速度將基板提拉出B溶液;
(4)將經步驟(3)處理的樣品在55-70°C保溫8-16h,取出后獲得PS-T12有機/無機復合薄膜。
[0008]本發(fā)明的制備方法具有如下特點: I)通過充分的球磨和超聲振蕩極大地改善了 T12在溶劑中的分散性,有效的避免了T12納米顆粒的團聚。
[0009]2)選用四氫呋喃作為溶劑,因為THF對PS顆粒有一定的溶解能力,并且不會破壞無機粒子T12的表面形貌;此外THF具有較低的沸點,而無水乙醇C 2Η50Η揮發(fā)性很強,在隨后的熱處理中能夠去除,保證了 PS-T12有機/無機復合薄膜的制備。
[0010]3)在步驟(3)中,無論是采用旋涂法還是浸漬提拉法,在制備完PS過渡層后,立即制備T1Jl,可以使得T1 2納米顆粒更好的嵌入到PS過渡層中,可以增強T1 2層與PS基板的結合力。
[0011]本發(fā)明的PS-T12有機/無機復合薄膜,T1 2納米顆粒層中的T12納米顆粒分散均勻,且通過制備PS過渡層極大的提高了 T12納米顆粒層與基板之間的結合力,具有良好的生物相容性和自清潔功能,可應用于光致細胞脫附和組織工程等領域。此外本發(fā)明的制備方法,工藝簡單,易于實現(xiàn),有利于進行推廣應用。
【附圖說明】
[0012]圖1是PS-T12有機/無機復合薄膜的結構示意圖;
圖2是實施例1制得的PS-T12有機/無機復合薄膜的表面形貌圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0014]如圖1所示,本發(fā)明的PS-T12有機/無機復合薄膜,在PS基板I上自下而上依次有PS過渡層2和T12納米顆粒層3。
[0015]實施例1
(1)將PS顆粒溶解在THF中,PS顆粒與THF的質量比為5:95,進行磁力攪拌至完全溶解,得到A溶液;
(2)將粒徑為20nm的T12顆粒分散在C2Η50Η中,1102與C 2Η50Η質量比為1: 1,再將該混合液與THF按體積比1:1混合后,進行球磨,球磨轉速為280r/min,球磨時間為4h,再在10ff功率下進行超聲震蕩0.5h,得到B溶液。
[0016](3)將清洗過后的PS基板放在旋涂儀的轉臺上,調整轉速為6000r/min,用移液槍量取25ul A溶液滴加在PS基板上,進行第一次旋涂8s,結束5s內量取25ul B溶液滴加在上述基板上進行第二次旋涂7s,制得PS-T12-THF-C2H5OH復合薄膜。
[0017](4)將上述復合薄膜置于55°C烘箱中保溫16h,制得PS-T12有機/無機復合薄膜。
[0018]本例制得的PS-T12復合薄膜的表面形貌圖如圖2所示,可以看出T1 2納米顆粒分散均勻,采用UV365照射20min后,薄膜接觸角變化幅度為40°左右。T12納米顆粒與PS基板結合較好,超聲震蕩5min,復合薄膜不脫落。
[0019]實施例2
(1)將PS顆粒溶解在THF中,PS顆粒與THF的質量比為10:90,進行磁力攪拌至完全溶解,得到A溶液;
(2)將粒徑為80nm的T12顆粒分散在C2Η50Η中,1102與C 2Η50Η質量比為1: 2,再將該混合液與THF按體積比1:2混合后,進行球磨,球磨轉速為290r/min,球磨時間為4.5h,再在10W功率下進行超聲震蕩0.5h,得到B溶液。
[0020](3)采用浸漬提拉法先將潔凈的PS基板浸入A溶液保持2s,以20cm/min的提拉速度將PS基板提拉出A溶液,5s內再將該PS基板浸入B溶液保持10s,再以20cm/min的速度將PS基板提拉出B溶液。
[0021](4)將(3)處理后的PS基板置于55°C度烘箱中保溫16h,從而制得PS-T12有機/無機復合薄膜。
[0022]本例制得的復合薄膜經UV365照射20min后,薄膜接觸角變化幅度為30°左右。T12納米顆粒與PS基板結合較好,超聲震蕩5min,復合薄膜不脫落。
[0023]實施例3
(1)將PS顆粒溶解在THF中,PS顆粒與THF的質量比為15:85,進行磁
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