生物個(gè)體身份識(shí)別方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及法庭科學(xué)領(lǐng)域，特別是涉及一種生物個(gè)體身份識(shí)別方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，通過(guò)手印和DNA(Deoxyribonucleic acid，脫氧核糖核酸)生物個(gè)體信息對(duì)生物個(gè)體，如:犯罪分子進(jìn)行身份識(shí)別，已經(jīng)成為當(dāng)今社會(huì)身份識(shí)別最為有利的手段。
[0003]其中，手印檢驗(yàn)是指通過(guò)對(duì)現(xiàn)場(chǎng)手印進(jìn)行勘查、顯現(xiàn)、分析、提取和對(duì)樣本手印進(jìn)行收取，并檢驗(yàn)現(xiàn)場(chǎng)手印與樣本手印是否同一的過(guò)程。對(duì)于手印數(shù)據(jù)提取過(guò)程，現(xiàn)場(chǎng)手印的顯現(xiàn)、采集是基礎(chǔ)。但是，通常情況下，現(xiàn)場(chǎng)大多數(shù)手印痕跡是不能直接被觀察到的，需要通過(guò)對(duì)物證(即承痕體)進(jìn)行相應(yīng)的處理，使得遺留在物證上的手印顯現(xiàn)后才能觀察到，這種手印被稱為“潛手印”。
[0004]而DNA生物個(gè)體信息則是通過(guò)對(duì)生物個(gè)體遺留在物證(即承痕體)上的殘留物進(jìn)行DNA檢驗(yàn)來(lái)獲得。當(dāng)物證上既有潛手印和殘留物時(shí)，提取物證上的殘留物進(jìn)行DNA檢驗(yàn)的同時(shí)，通常會(huì)破壞物證上的潛手?。欢鴮?duì)物證進(jìn)行處理使其顯現(xiàn)潛手印時(shí)，則有可能會(huì)污染或損壞物證上的殘留物。從而使得對(duì)于同一物證，不能同時(shí)獲取潛手印圖片和DNA生物個(gè)體信息。而對(duì)于同一物證不能同時(shí)獲取潛手印圖片和DNA生物個(gè)體信息則影響了生物個(gè)體身份識(shí)別的結(jié)果，導(dǎo)致生物個(gè)體身份識(shí)別結(jié)果的精確度較低，誤差范圍較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有的生物個(gè)體身份識(shí)別方法獲得的生物個(gè)體身份識(shí)別結(jié)果精確度較低，誤差范圍較大的問(wèn)題，提供一種生物個(gè)體身份識(shí)別方法。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的提供的一種生物個(gè)體身份識(shí)別方法，包括如下步驟:
[0007]采用真空鍍膜技術(shù)在承痕體上沉積預(yù)設(shè)厚度的薄膜；
[0008]采用光學(xué)顯微鏡成像技術(shù)或電子顯微鏡成像技術(shù)對(duì)沉積有所述預(yù)設(shè)厚度的薄膜的所述承痕體進(jìn)行拍照，獲取所述承痕體上的潛手印圖片；
[0009]提取所述承痕體上的殘留物，并對(duì)所述殘留物進(jìn)行DNA檢驗(yàn)，獲取DNA生物個(gè)體信息;
[0010]根據(jù)獲取的所述潛手印圖片和所述DNA生物個(gè)體信息，確定生物個(gè)體身份。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述真空鍍膜技術(shù)為電子束蒸發(fā)法、磁控濺射法或熱蒸發(fā)法。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)厚度為12nm — 15nm。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述薄膜為金屬薄膜或金屬合金薄膜。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬薄膜為銅薄膜或金薄膜，所述金屬合金薄膜為銀銅合金薄膜。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述真空鍍膜技術(shù)為所述磁控濺射法時(shí)，采用所述真空鍍膜技術(shù)在承痕體上沉積預(yù)設(shè)厚度的薄膜，包括如下步驟:
[0016]將所述承痕體固定放置在磁控濺射儀的腔室內(nèi)的基臺(tái)上，開(kāi)啟所述磁控濺射儀的真空泵對(duì)所述腔室抽真空，直至所述腔室的真空度小于或等于10_3Pa ;
[0017]按預(yù)設(shè)流量向所述腔室內(nèi)充入氬氣，并控制所述腔室的真空度保持KT3Pa ;
[0018]開(kāi)啟所述磁控濺射儀的射頻源以預(yù)設(shè)功率轟擊安裝在所述腔室內(nèi)的銅靶預(yù)設(shè)時(shí)間后，關(guān)閉所述射頻源，在所述承痕體的表面沉積所述預(yù)設(shè)厚度的銅薄膜。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，獲取所述承痕體上的所述潛手印圖片后，再提取所述承痕體上的殘留物。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述承痕體為玻璃、陶瓷、塑料或相紙。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述DNA檢驗(yàn)為DNA指紋圖譜檢驗(yàn)。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述DNA檢驗(yàn)為所述DNA指紋圖譜檢驗(yàn)時(shí)，所述對(duì)所述殘留物進(jìn)行DNA檢驗(yàn)，獲取DNA生物個(gè)體信息，包括如下步驟:
[0023]提取所述承痕體上的所述殘留物，并由所述殘留物中提取DNA ;
[0024]選用與放射性DNA探針配對(duì)的限制性核酸內(nèi)切酶，將提取出的所述DNA切割成長(zhǎng)度不同的DNA片段；
[0025]采用凝膠電泳對(duì)所述DNA片段進(jìn)行分離；
[0026]采用堿性溶液將經(jīng)凝膠電泳分離后的所述DNA片段變性為單鏈DNA片段，并將凝膠板夾在尼龍膜中，將所述單鏈DNA片段印潰、轉(zhuǎn)移并固定在所述尼龍膜上；
[0027]采用所述放射性DNA探針與固定在所述尼龍膜上的所述單鏈DNA片段進(jìn)行分子雜交；
[0028]將放射性膠片與所述尼龍膜疊放，通過(guò)分子雜交后位于所述尼龍膜上的所述放射性DNA探針發(fā)射X射線使膠片曝光，從而使雜交有探針的長(zhǎng)度不同的所述單鏈DNA片段位置顯影在膠片上，獲取DNA片段條狀圖譜；
[0029]其中，所述DNA片段條狀圖譜為所述DNA生物個(gè)體信息。
[0030]上述生物個(gè)體身份識(shí)別方法的有益效果:
[0031]其通過(guò)真空鍍膜技術(shù)在承痕體的表面沉積預(yù)設(shè)厚度的薄膜，并通過(guò)光學(xué)顯微鏡成像技術(shù)或電子顯微鏡成像技術(shù)對(duì)沉積薄膜后的承痕體進(jìn)行拍照，獲取承痕體上的潛手印圖片后，再通過(guò)提取沉積有薄膜的承痕體上的殘留物進(jìn)行DNA檢測(cè)，獲取DNA生物個(gè)體信息。從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)于同一承痕體，均能獲取潛手印圖片和DNA生物個(gè)體信息的目的。進(jìn)而通過(guò)根據(jù)獲取的潛手印圖片和DNA生物個(gè)體信息，綜合分析潛手印圖片的比對(duì)結(jié)果和DNA生物個(gè)體信息的比對(duì)結(jié)果，來(lái)確定生物個(gè)體身份。使得最終獲取的生物個(gè)體身份的識(shí)別結(jié)果更加精確，其識(shí)別結(jié)果的精確度可達(dá)99.99%。從而有效解決了現(xiàn)有的生物個(gè)體身份識(shí)別方法由于不能在同一承痕體上均能夠獲取潛手印圖片與DNA生物個(gè)體信息，從而導(dǎo)致生物個(gè)體身份識(shí)別結(jié)果的精確度較低，誤差較大的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1為采用本發(fā)明的生物個(gè)體身份識(shí)別方法實(shí)施例1獲取的潛手印圖片；
[0033]圖2為采用本發(fā)明的生物個(gè)體身份識(shí)別方法實(shí)施例2獲取的潛手印圖片。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為使本發(fā)明技術(shù)方案更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0035]作為本發(fā)明的生物個(gè)體身份識(shí)別方法的一具體實(shí)施例，其包括如下步驟:
[0036]首先，執(zhí)行步驟S100，采用真空鍍膜技術(shù)在承痕體上沉積預(yù)設(shè)厚度的薄膜。其通過(guò)采用真空鍍膜技術(shù)在承痕體上沉積預(yù)設(shè)厚度的薄膜，由于承痕體的表面存在有潛手印，因此當(dāng)采用真空鍍膜技術(shù)在承痕體上沉積薄膜時(shí)，其在手印紋線與承痕體表面沉積的效果不同，從而使手印與背景形成反差，承痕體上的潛手印得以顯現(xiàn)。其中，承痕體可為玻璃、陶瓷、塑料或相紙等各種材料。
[0037]此處需要說(shuō)明的是，當(dāng)采用真空鍍膜技術(shù)在承痕體上沉積薄膜時(shí)，真空鍍膜技術(shù)可為電子束蒸發(fā)法、磁控濺射法或熱蒸發(fā)法，優(yōu)選為電子束蒸發(fā)法或磁控濺射法。
[0038]由于電子束蒸發(fā)法是繼電阻加熱蒸發(fā)法之后發(fā)展起來(lái)的一種新型真空鍍膜技術(shù)，其利用高電壓加速并聚焦的電子束直接打到蒸發(fā)源表面，使得金屬或非金屬熔化，并蒸發(fā)到襯底(即本發(fā)明中提到的承痕體)表面形成薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能夠獲得遠(yuǎn)比電阻加熱源更大的能量密度，并且控制靈活，溫度可控性好，不易在薄膜中產(chǎn)生大顆粒，容易獲得均勻、連續(xù)的膜層，因此通過(guò)電子束蒸發(fā)法在承痕體上沉積薄膜使得承痕體顯現(xiàn)的潛手印清晰連貫，反差明顯，細(xì)節(jié)特征表現(xiàn)良好，最終提高了潛手印的精確度。
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