一種用于oled的含芴有機化合物及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及0L邸材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是設(shè)及一種含有巧基團和氮芳香雜環(huán)的化 合物及其作為發(fā)光層中空穴傳輸層或者發(fā)光層主體材料在有機發(fā)光二極管上的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光（0LED:0rganicLi曲t血issionDiodes)器件技術(shù)既可W用來制 造新型顯示產(chǎn)品，也可W用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和巧光燈照明， 應(yīng)用前景十分廣泛。
[0003] 當(dāng)前，0L邸顯示技術(shù)已經(jīng)在智能手機，平板電腦等領(lǐng)域獲得應(yīng)用，進一步還將向電 視等大尺寸應(yīng)用領(lǐng)域擴展。但是，和實際的產(chǎn)品應(yīng)用要求相比，0L邸器件的發(fā)光效率，使用 壽命等性能還需要進一步提升。
[0004] 0L邸發(fā)光器件猶如Ξ明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層，W及夾在不同電極膜層之 間的有機功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成0L邸發(fā)光器件。 作為電流器件，當(dāng)對0L邸發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場作用有機層功能材料 膜層中正負電荷，正負電荷進一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生0L邸電致發(fā)光。
[0005] 對于0L邸發(fā)光器件提高性能的研究包括：降低器件的驅(qū)動電壓，提高器件的發(fā)光 效率，提高器件的使用壽命等。為了實現(xiàn)0L邸器件的性能的不斷提升，不但需要從0L邸 器件結(jié)構(gòu)和制作工藝的創(chuàng)新，更需要0L邸光電功能材料不斷研究和創(chuàng)新，創(chuàng)制出更高性能 0L邸的功能材料。
[0006] 針對當(dāng)前0L邸器件的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求，W及0L邸器件的光電特性需求，必須選擇更 適合，具有高性能的發(fā)光層材料，才能實現(xiàn)器件的高效率、長壽命和低電壓的綜合特性。
[0007] 就當(dāng)前0L邸顯示照明產(chǎn)業(yè)的實際需求而言，目前0L邸材料的發(fā)展還遠遠不夠，落 后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機功能材料的開發(fā)顯得尤為重 要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本申請人提供了一種用于0L邸的含巧有機化合 物及其應(yīng)用。本發(fā)明化合物制作出的0L邸器件具有良好的光電性能，能夠滿足面板制造企 業(yè)的要求。
[0009] 本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0010] 一種用于0L邸的含巧有機化合物，該有機化合物結(jié)構(gòu)的通式結(jié)構(gòu)如通式（1)所 示：
[0011]
[001引通式（1)中，Ri、R2分別為Cl1。的烷基、取代或未取代的苯基、巧喃基、嚷吩基、聯(lián)苯 基、糞基、蔥基、菲基、巧基、化咯基、化晚基；
[001引通式（1)中，R3、R4分別為氨、

:;Rs與R4不能同時為氨；
[0014] 其中，X表示。1。烷基取代或未取代的碳原子、硫原子、氧原子或砸原子；
[0015] Ar表示苯、聯(lián)苯、糞、蔥或9, 9-二甲基巧。
[0016] 所述化合物通式（1)中，Ri、R2分別為甲基、苯基、嚷吩基或巧喃基；
[0017] R3、R4分別為氨
尺3與尺4 不能同時為氨；
[0018] 其中，X表示二甲基取代的碳原子、硫原子、氧原子或砸原子；
[0019] Ar表示苯、二聯(lián)苯、糞、蔥或9, 9-二甲基巧。
[0020] 所述化合物通式（1)中，Ri與R2為相同的取代基。
[002。 所述化合物通式（1)中，Ri與R2為不同的取代基。
[0022] 所述化合物結(jié)構(gòu)式為：
[0023]






[0030] -種所述化合物制備的發(fā)光器件，所述化合物作為發(fā)光層主體材料或空穴傳輸層 材料，用于有機電致發(fā)光二極管。
[0031] 本發(fā)明所述化合物可W通過C-N偶聯(lián)反應(yīng)制備，反應(yīng)流程如下：
[0033] 本發(fā)明的目的化合物是一種新型高效空穴傳輸層或者發(fā)光層主體材料并可用于 有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件包括基板，于基板上形成的陽極層，于陽極 層上依次蒸鍛空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層W及電子注入層和陰極。
[0034] 本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：
[0035] 本發(fā)明所述含巧有機化合物可應(yīng)用于0L邸發(fā)光器件制作，并且可W獲得良好的 器件表現(xiàn)，所述含巧有機化合物作為0L邸發(fā)光器件的空穴傳輸層或者發(fā)光層主體材料使 用時，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，對于器件壽命提升 非常明顯。本發(fā)明含巧有機化合物在0L邸發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果，具有良好的產(chǎn) 業(yè)化前景。
【附圖說明】
[0036] 圖1是本發(fā)明所列舉的材料應(yīng)用的0L邸器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 其中，1為透明基板層，2為IT0, 3為空穴注入層，4為空穴傳輸\電子阻擋層，5為 發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極反射電極層。
[00測 實施方式
[0039] 為了更加清楚的了解本發(fā)明的技術(shù)手段和實用目的，通過列舉實施例和比較例， 同時輔W必要的圖片加W說明。
[0040] 實施例1化合物1的合成
[0041]
[0042] 現(xiàn)提供該化合物的具體合成路線：
[0043]
[0044] 250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入O.Olmol4-(4-漠苯基）-9,9-二苯 基巧，0. 025mol19, 10-二氨-9, 9-二甲基日丫晚，0. 03mol叔下醇鋼，0. 3 克Pd2(clba)3,〇.25 克Ξ叔下基憐，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應(yīng)完全；自然冷卻，過濾，濾液旋 蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99. 1 %，收率68. 00%。
[0045] 元素分析結(jié)構(gòu)（分子式C55H44N2):理論值C，91. 81化5.86;N，2. 33;測試值： C，91.78 ;H，5. 93 ;N，2. 29。
[0046] 實施例2化合物3的合成
[0047]
[0048] 現(xiàn)提供該化合物的具體合成路線：
[0049]
[0050] 250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.Olmol4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基 巧，0. 025mol10H-吩嗯嗦，0. 03mol叔下醇鋼，0. 3克Pdz(化日)3,0. 25克Ξ叔下基憐，150ml 甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應(yīng)完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目 標產(chǎn)物，純度99. 21 %，收率78. 90%。
[0051] 元素分析結(jié)構(gòu)（分子式C43H29NO):理論值C，89. 71化5. 08 ;N，2. 43 ;0, 2. 78;測試 值：C, 89. 83 ;H, 5. 23 ;N, 2. 36 ;0, 2. 58。
[0052] 實施例3化合物24的合成
[0053]
[0055] 250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.Olmol3, 3' -二（4-漠苯 基）-9, 9-二苯基巧，0. 025mol10H-吩嗯嗦，0. 03mol叔下醇鋼，0. 3克Pdz(化日)3,0. 25克Ξ 叔下基憐，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應(yīng)完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸， 過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99. 39 %，收率78. 40 %。
[0056] 元素分析結(jié)構(gòu)（分子式〇3化術(shù)2〇2):理論值C，87. 96化4. 84 ;N，3. 36 ;0, 3. 84;測 試值：C, 88. 05 ;H, 4. 83 ;N, 3. 32 ;0, 3. 80。
[0057] 實施例4化合物42的合成
[0058]
[0060] 250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入4. 88g(0.Olmol) 3, 6-二漠9, 9' -二 (1-嚷吩）螺二巧，5. 0克（0. 025mol) 10H-吩嚷嗦，2. 88克0). 03M)叔下醇鋼，0. 3克Pd2(化a)3,0. 25克Ξ叔下基憐，150ml甲苯，加熱回流10小時，取樣點板，反應(yīng)完全；自然 冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到5. 80克固體（目標產(chǎn)物：DDASF)，純度98. 2 %，收率 80.00%。
[0061]元素分析結(jié)構(gòu)（分子式C45H2抓巧：理論值C，74. 55;H，3.89 ;N，3.86;S，17. 69 ;ii試值：C, 74. 69;H, 3.95 ;N,3.75;S,17. 61。
[006引實施例5化合物50
[0063]
[0065] 250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入4. 74g(0.0 lmol) 3,6-二漠9, 9'-螺 二巧，5.23克（0.025111〇1)9，10-二氨-9,9-二甲基日丫晚，2.88克0).031)叔下醇鋼，0.3克 pd2(dba)3,0. 25克Ξ叔T基憐，150ml甲苯，加熱回流10小時，取樣點板，反應(yīng)完全；自然冷 卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到6. 38克固體（目標產(chǎn)物：DDASF)，純度99. 21 %，收率 87. 04%。
[0066] 元素分析結(jié)構(gòu)（分子式C55H44N2):理論值C，90. 13化6. 05 ;N，3. 82;測試值： C，90. 20 ;H，6. 02 ;N，3. 78。
[0067] 實施例6化合物19的合成
[0068]
[0069] 現(xiàn)提供該化合物的具體合成路線：
[0070]
[007。制備方法同實施例1，僅將4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基巧變成了 3- (3' -漠-9, 9-二甲基-3-基）-9, 9-二苯基巧，其余不變，制備得到化合物19。
[0072] 實施例7化合物6的合成
[0073]
[0074] 制備方法同實施例4,僅將3, 6-二漠9, 9' -二（1-嚷吩）螺二巧變成了 4- (3-漠 苯基）-9, 9-二苯基巧，其余不變，制備得到化合物5。
[00巧]
[0076] 制備方法同實施例2,僅將4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基巧變成了 4- (4-漠-糞-1-基）-9, 9-二苯基巧，9, 10-二氨-9, 9-二甲基叮晚變成了 10H-吩嗯嗦， 其余不變，制備得到化合物7。
[0077]
[0078] 制備方法同實施例4,僅將3,6-二漠9,9'-二（1-嚷吩）螺二巧變成了 4-(3'-漠 聯(lián)苯-3-基）-9, 9-二苯基巧，其余不變，制備得到化合物14。
[0079]
[0080] 制備方法同實施例2,僅將4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基巧變成了 3, 6-二-(3-漠 苯基）-9, 9-二苯基巧，其余不變，制備得到化合物27。
[0081] 實施例11化合物62的合成
[0082]
[0083] 制備方法同實施例3,僅將10H-吩嗯嗦變成了 2-漠-嗎I噪巧，2, 1-jk]巧挫，其余 不變，制備得到化合物62。
[0084] W下通過實施例12-22和比較例1詳細說明本發(fā)明合成的含巧有機化合物在器件 中作為空穴傳輸層的應(yīng)用效果；實施例12-22與比較例1中器件制作工藝完全相同，并且所 采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，唯一不同之處在于空穴 傳輸\電子阻擋層4的材料發(fā)生了改變。
[0085] 其中器件制作過程中所用的關(guān)鍵材料如下所示：
[0086]
[0087]實施例12
[008引如圖1，一種0L邸發(fā)光器件，具體制備過程如下：
[008引對IT0透明電極（膜厚為150nm)進行洗涂，即依次進行堿洗涂、純水洗涂、干燥后 再進行紫外線-臭氧洗涂W清除透明IT0表面的有機殘留物。
[0090] 在進行了上述洗涂之后的IT0陽極（即透明基板層1)上，利用真空蒸鍛裝置，蒸 鍛膜厚為lOnm的