用無水硫酸鎮(zhèn)干燥，W后減壓抽濾，減壓蒸傭除去溶劑，得到淡黃色固體。 產(chǎn)率為84. 1%。經(jīng)烙點W測定烙點為114-117°C。
[0028]產(chǎn)物Ih-NMR表征數(shù)據(jù)；Ih-NMR(400MHz,Acetone)5 8. 10 - 7. 74 (m, 10H), 7.70 (s, 2H), 6.17 (ddd, /=22. 6, 10.8, 5. 6Hz,IH), 5.39 (ddd, /=13. 8, 11.6, 1.4 Hz, 2H), 4.52 (d, /=5. 5Hz, 2H), 2.37 (s, 6H). 產(chǎn)物IR化化）表征數(shù)據(jù)：3091 (VH)，1576, 1474, 1447 (VC.C)，836, 557 (VPF). 第二步：陽離子光引發(fā)劑TPS-SiO-I的合成
稱取1，1，3, 3-四甲基二娃氧焼0. 5g化OOmmol)和1-化5-二甲基-4-帰丙氧基）苯 基二苯基硫六氣磯酸鹽2.Og化06mmol)加入到100血H口圓底燒瓶中，加入10血四氨巧 喃作（TH巧溶劑，溶解后加入兩滴氯笛酸催化劑，控制溫度為6(TC，通過TLC點板監(jiān)測反應， 展開劑為丙麗：石油離=3 ;2,直至1-化5-二甲基-4-帰丙氧基）苯基二苯基硫六氣磯酸 鹽反應完全。反應完畢后，旋蒸除去反應溶劑THF。通過柱層析法除去催化劑。
[0029] 產(chǎn)物IR化Br)表征數(shù)據(jù)：2166 (VsiH)，1601，1581,1477, 1447 (Vc奇），1272(VSiC), 1105(VsiOSi),842, 580(VpF)。
[0030] IH-NMR表征；7. 25-7. 85卵m為苯環(huán)上Ar-H峰，6. 00-6. 25、5. 25-5. 50 和 4. 25-4. 50 處-CH=CHz峰消失，2. 25-2. 50 為-O-CH廠峰。
[0031] 實施例2 ;陽離子光引發(fā)劑TPS-SiO-2的合成： 與實施例1的制備方法相同，只是在第四步中將1，1，3, 3-四甲基二娃氧焼用 1，3, 5, 7-四甲基環(huán)四娃氧焼代替。
[00礎第四步如下：
稱取1，1，3, 3-四甲基二娃氧焼0. 5g化OOmmol)和1-化5-二甲基-4-帰丙氧基）苯 基二苯基硫六氣磯酸鹽4.Og化12mmol)加入到100血H口圓底燒瓶中，加入10血四氨巧 喃作燈H巧溶劑，溶解后加入兩滴氯笛酸催化劑，控制溫度為6(TC，通過TLC點板監(jiān)測反應， 展開劑為丙麗；石油離=3 ;2,直至1-化5-二甲基-4-帰丙氧基）苯基二苯基硫六氣磯酸 鹽反應完全。反應完畢后，旋蒸除去反應溶劑THF。通過柱層析法除去催化劑。
[0033] 產(chǎn)物IR(邸r)表征數(shù)據(jù)；1601，15別，1477, 1447(VC.C) ,1272(VSiC), 1105(VsiOSi), 842, 580(Vp円.. IH-NMR表征；7. 25-7. 85卵m為苯環(huán)上Ar-H峰，6. 00-6. 25、5. 25-5. 50 和 3. 75-處 -CH=CHz峰消失，2. 25-2. 50 為-O-CH廠峰。
[0034] 實施例3 ;陽離子光引發(fā)劑TPS-SiO-3的合成 實施例1的制備方法相同，只是在第四步中將1，1，3,3-四甲基二娃氧焼用 1，1，1，3, 5, 5, 5-走甲基H娃氧焼代替。
[00對其第四步如下：
稱取l，l，l，3,5,5,5-^;：甲基H娃氧焼0.9g(4.05mmol)和l-(3,5-二甲基-4-帰丙氧 基）苯基二苯基硫六氣磯酸鹽2.Og(4. 06mmol)加入到100血H口圓底燒瓶中，加入 IOmL四氨巧喃作燈H巧溶劑，溶解后加入兩滴氯笛酸催化劑，控制溫度為6(TC，通過TLC點 板監(jiān)測反應，展開劑為丙麗；石油離=3 ;2,直至1-化5-二甲基-4-帰丙氧基）苯基二苯基 硫六氣磯酸鹽反應完全。反應完畢后，旋蒸除去反應溶劑THF。通過柱層析法除去催化劑。
[0036]產(chǎn)物IR(邸r)表征數(shù)據(jù)；1581，1476(VC.C)，1259(VSiC), 1080(VsiOSi), 839， 554 (VPF)， IH-NMR表征；7. 25-7. 85ppm為苯環(huán)上Ar-H峰，6. 00-6. 25、5. 25-5. 50 和 4. 25-4. 50 處 -CH=CHz峰消失，2. 25-2. 50 為-O-CH廠峰。
[0037] 實施例4;不同種類光引發(fā)劑引發(fā)化-SiO聚合的感光特性曲線 感光特性曲線數(shù)據(jù)是通過凝膠率法測得的。凝膠（剩余膜）率法是一種W重量法測定 固化含量的方法，即固化產(chǎn)物與固化前光敏體系的重量比，凝膠率與曝光時間的關系曲線 為感光特性曲線。
[0038]H類含有娃氧鏈硫鐵鹽作為光引發(fā)劑，在增感劑N-帰丙基巧哇改性的環(huán)氧有機 娃單體巧P-Cz-Si)的存在下，引發(fā)環(huán)氧有機娃巧P-SiO)聚合，固化體系的組成如表1 ;
用玻璃棒將混合物涂抹在1. 5cmX1. 5cm的蓋玻片（質量為聽如上，厚度大約為100Um，用天平稱總質量為在高壓隸燈（波長365nm處光照強度I=ImW?cm2)下照射一段 時間（具體為；53，1〇3,2〇3,3〇3,4〇3,6〇3，10〇3，16〇3,22〇3)，然后在無水己醇中浸泡30分 鐘洗去未光固化的組分。之后在烘箱中保持8(TC直至蓋玻片質量不再變化為止，稱取此時 質量為依據(jù)凝膠率（Gel^eld)的計算公式(如下）；
圖10示出實施例4中光照時間與凝膠率曲線。
[0039] 不同濃度的TPS-SiO-3類光引發(fā)劑在3%的化-Cz-Si的存在下對化-SiO的聚合 的感光特性 光固化體系的組成如表2所示：
圖11示出實施例5中光照時間與凝膠率曲線。
[0040] 實施例6不同濃度的增感劑化-Cz-Si在固定TPS-SiO-3的含量為3%時引發(fā) 化-SiO聚合的感光特性實驗 光固化體系的組成如表3所示：
圖12示出實施例6中光照時間與凝膠率曲線。
【主權項】
1. 一種可陽離子光固化的環(huán)氧有機硅固化體系，其特征在于：按重量份計包括下述組 成： 可陽離子光固化的環(huán)氧有機硅預聚體 1-100份 含硅氧鏈的三芳基硫鐺鹽 0. 5-5份 咔唑增感劑 0. 5-5份 其它添加劑 0-10份 其中所述含硅氧鏈的三芳基硫鐺鹽具有如下結構通式：其中，&、R2 為H、CH3、C2H5、n-C3H7、i-C3H7、n-C4H9、s-C4H9、t-C4H9、i-C4H9 或C6H5 ;n> 1,m> 0〇2. 根據(jù)權利要求1所述的可陽離子光固化的環(huán)氧有機硅固化體系，其特征在于：其中 所述的增感劑具有如下結構通式：其中m> 1，η> 0。3. 根據(jù)權利要求1所述的可陽離子光固化的環(huán)氧有機硅固化體系，其特征在于： 所述可陽離子光固化的環(huán)氧有機硅預聚體的結構式為：其中η彡1， 添加劑包括溶劑、白色顏料、填料、消泡劑、流平劑、分散劑中的一種或幾種。4. 一種權利要求1所述的一種可陽離子光固化的環(huán)氧有機硅固化體系的制備方法，其 特征在于包含以下步驟：將含硅氧鏈的三芳基硫鐺鹽加入到容器中，然后加入環(huán)氧有機硅 預聚體，并不斷攪拌使其混合均勻，得到均相透明的可陽離子光固化環(huán)氧有機硅固化體系。5. -種權利要求1~2之一所述的一種可陽離子光固化的環(huán)氧有機硅固化體系的固化 方法，其特征在于包含以下步驟：將待固化材料涂抹在基材上，然后在自然光或一定照度的 固化燈下輻射固化，照射一段時間后即可得到固化樹脂。6. 根據(jù)權利要求4所述的固化方法，其特征在于：所述固化燈包括低壓汞燈、中壓汞 燈、高壓汞燈、氙燈、鏑燈、鹵素燈、鎢鹵燈或激光。
【專利摘要】本發(fā)明涉及了一類含有硅氧鏈的三芳基硫鎓鹽及其在可光固化的環(huán)氧有機硅樹脂中的應用。該發(fā)明將制備的（3,5-二甲基-4-烯丙氧基苯基）二苯基硫鹽，分別與含氫硅氧烷反應合成了一類含有硅氧鏈的三芳基硫鎓鹽。由于該含有硅氧鏈的三芳基硫鎓鹽在環(huán)氧有機硅單體或預聚體中具有好的溶解性，可以作為該體系的光敏引發(fā)劑，用于光固化有機硅樹脂體系。
【IPC分類】C08G77/14, C08G77/08
【公開號】CN105295050
【申請?zhí)枴緾N201410276638
【發(fā)明人】王濤, 王孟強, 史益忠
【申請人】北京化工大學
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2014年6月20日