有機發(fā)光顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種吲哚并咔唑化合物及包括該化合物的有機發(fā)光顯示裝置，且更具 體地，本發(fā)明涉及一種能夠降低有機發(fā)光顯示裝置的工作電壓并提高有機發(fā)光顯示裝置的 效率和壽命的吲哚并咔唑化合物及包括該化合物的有機發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著多媒體的發(fā)展，平板顯示器（FDP)正變得越來越重要。因此，諸如液晶顯示器 (LCD)、等離子體顯示面板（PDP)、場致發(fā)射顯示器（FED)、有機發(fā)光顯示裝置等的多種平板 顯示器已投入實際使用。
[0003] 在這些平板顯示器中，有機發(fā)光顯示裝置的優(yōu)點在于：與等離子體顯示面板或無 機發(fā)光顯示器相比，有機發(fā)光顯示裝置能夠形成于諸如塑料之類的柔性透明基板上，能夠 在10V或更低的電壓下被驅(qū)動，具有相對較低的功耗和優(yōu)異的色彩靈敏度。此外，有機發(fā)光 顯示裝置能夠呈現(xiàn)紅色、綠色和藍色三種顏色，因而有機發(fā)光顯示裝置作為下一代全彩色 顯示裝置引起人們的極大關(guān)注。
[0004] 有機發(fā)光顯示裝置可通過順序地堆疊陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、電子注入層和陰極而形成。對于發(fā)光材料，激子是通過從兩個電極注入的電子和 空穴的復合而形成的。單線態(tài)激子和三線態(tài)激子分別與熒光和磷光有關(guān)。近年來，存在磷 光材料替代熒光材料的發(fā)展趨勢。對于熒光材料，僅占形成于發(fā)光層中的所有激子的25% 的單線態(tài)激子用于產(chǎn)生光，占激子的75%的三線態(tài)激子大部分被損失和被轉(zhuǎn)化成熱。相比 之下，磷光材料具有將單線態(tài)激子和三線態(tài)激子均轉(zhuǎn)化為光的發(fā)光機理。
[0005] 將簡要地討論磷光材料的發(fā)光過程。從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在發(fā) 光層的基質(zhì)材料中接觸。盡管在一些情況下，空穴和電子可能在摻質(zhì)中配對，但是在大多數(shù) 情況下，由于基質(zhì)的高濃度導致大量的空穴和電子在基質(zhì)中接觸。在這一點上，形成于基質(zhì) 中的單線態(tài)激子將能量轉(zhuǎn)移至摻質(zhì)的單線態(tài)或三線態(tài)，同時三線態(tài)激子將能量轉(zhuǎn)移至摻質(zhì) 的三線態(tài)。
[0006] 由于轉(zhuǎn)移至摻質(zhì)的單線態(tài)的激子通過系間串躍被轉(zhuǎn)移至摻質(zhì)的三線態(tài)，因此所有 激子的第一目的地是摻質(zhì)的三線態(tài)能級。因此形成的激子被轉(zhuǎn)移至基態(tài)并發(fā)光。當鄰近于 發(fā)光層前后的空穴傳輸層或電子傳輸層的三線態(tài)能量小于摻質(zhì)的三線態(tài)能量時，發(fā)生從摻 質(zhì)或基質(zhì)向這些層的反向能量轉(zhuǎn)移，這導致效率急劇下降。因此，空穴/電子傳輸層的三線 態(tài)能量以及發(fā)光層的基質(zhì)材料在磷光裝置中起非常重要的作用。
[0007] 為了從基質(zhì)向摻質(zhì)的有效能量轉(zhuǎn)移，基質(zhì)的三線態(tài)能量必須大于摻質(zhì)的三線態(tài)能 量。然而，具有高三線態(tài)能量的材料導致裝置的劣化，包括裝置效率下降和電壓升高。具有 低熱穩(wěn)定性和低電穩(wěn)定性的材料會使裝置壽命減少。因此，迫切需要開發(fā)具有優(yōu)異的熱穩(wěn) 定性和優(yōu)異的電穩(wěn)定性的新型磷光材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示裝置，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點 而導致的一個或多個問題。
[0009] 本發(fā)明的目的是提供一種能夠降低有機發(fā)光顯示裝置的工作電壓并提高有機發(fā) 光顯示裝置的效率和壽命的吲哚并咔唑化合物及包括該化合物的有機發(fā)光顯示裝置。
[0010] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點一部分將在下面的描述中列出，這些特征和優(yōu)點的另一 部分從描述中將變得顯而易見，或可以通過對本發(fā)明的實踐而獲悉。本發(fā)明的目的和其它 優(yōu)點可以通過說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
[0011] 為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體和概括地描述的，一種吲 哚并咔唑化合物可由以下化學式i表示：
[0012] [化學式1]
[0013]
[0014] 其中X是N、0、S和Se中的一種，其中N鍵合到：H、鹵素原子、氰基、具有1至20 個碳原子的取代或未取代的烷基、具有6至30個碳原子的取代或未取代的芳基、具有2至 30個碳原子的取代或未取代的雜芳基、具有6至30個碳原子的取代或未取代的芳基氨基和 具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基氨基中的一種，&至R 4獨立地為：H、鹵素原 子、氰基、具有1至20個碳原子的取代或未取代的烷基、具有6至30個碳原子的取代或未 取代的芳基、具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基、具有6至30個碳原子的取代 或未取代的芳基氨基和具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基氨基中的一種，l、m、 η和〇是0和4之間的整數(shù)，其中，當1、m、η和〇中任一具有2或更大的值時，對應的R彼 此相同，或當l、m、11和〇中任一具有2或更大的值時，對應的R彼此不同，并且L是具有6 至30個碳原子的取代或未取代的芳基或具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基。
[0015] 在一個或更多個實施方式中，所述吲哚并咔唑化合物包括下列化合物中的一種：
[0016]
[0017]
[0018] 另一方面，一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：陽極、位于陽極之上的有機層和位于有 機層之上的陰極，其中所述有機層包括所述吲哚并咔唑化合物。
[0019] 在一個或更多個實施方式中，所述有機層包括發(fā)光層。
[0020] 在一個或更多個實施方式中，所述吲哚并咔唑化合物包括在發(fā)光層的基質(zhì)中。
[0021] 在一個或更多個實施方式中，所述有機層包括空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋 層和電子傳輸層中的至少一種，并且空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層和電子傳輸層中 的至少一種包括所述吲哚并咔唑化合物。
[0022] 另一方面，一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：位于陽極之上的有機層和位于有機層之 上的陰極，其中所述有機層包括將咔唑衍生物和咔唑化合物連接至芳基或雜芳基得到的化 合物。
[0023] 在一個或更多個實施方式中，所述有機層包括發(fā)光層。
[0024] 在一個或更多個實施方式中，所述有機層包括用于發(fā)光層的基質(zhì)。
[0025] 在一個或更多個實施方式中，所述咔唑衍生物和所述咔唑化合物具有空穴傳輸特 性，并且所述芳基或所述雜芳基具有電子傳輸特性。
[0026] 在一個或更多個實施方式中，相較于不含所述化合物的有機發(fā)光顯示裝置，含所 述化合物的有機發(fā)光顯示裝置具有降低的工作電壓以及提高的效率和壽命。
[0027] 在一個或更多個實施方式中，所述有機層包括空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋 層和電子傳輸層中的至少一種，并且空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層和電子傳輸層中 的至少一種包括所述化合物。
[0028] 在一個或更多個實施方式中，所述化合物包括由以下化學式1表示的化合物：
[0029] [化學式1]
[0030]
[0031] 其中X是N、0、S和Se中的一種，其中N鍵合到：H、鹵素原子、氰基、具有1至20 個碳原子的取代或未取代的烷基、具有6至30個碳原子的取代或未取代的芳基、具有2至 30個碳原子的取代或未取代的雜芳基、具有6至30個碳原子的取代或未取代的芳基氨基和 具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基氨基中的一種，&至R 4獨立地為：H、鹵素原 子、氰基、具有1至20個碳原子的取代或未取代的烷基、具有6至30個碳原子的取代或未 取代的芳基、具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基、具有6至30個碳原子的取代 或未取代的芳基氨基和具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基氨基中的一種，l、m、 η和〇是0和4之間的整數(shù)，其中，當1、m、η和〇中任一具有2或更大的值時，對應的R彼 此相同，或當l、m、11和〇中任一具有2或更大的值時，對應的R彼此不同，并且L是具有6 至30個碳原子的取代或未取代的芳基或具有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基。
[0032] 在一個或更多個實施方式中，所述化合物包括下列化合物中的一種：
[0033]
[0034]
[0035] 另一方面，有機層包括基質(zhì)材料，所述基質(zhì)材料具有吲哚并咔唑化合物，所述吲哚 并咔唑化合物鍵合到具有芳基或雜芳基的化合物，以優(yōu)化有機發(fā)光層的壽命和效率。
[0036] 在一個或更多個實施方式中，所述有機層包括由以下化學式1表示的化合物：
[0037] [化學式1]
[0038]
[0039] 其中X是N、0、S和Se中的一種，其中N鍵合到：H、鹵素原子、氰基、具有1至20個 碳原子的取代或未取代的烷基、具有6至30個碳原子的取代或未取代的芳基、具有2至30 個碳原子的取代或未取代的雜芳基、具有6至30個碳原子的取代或未取代的芳基氨基和具 有2至30個碳原子的取代或未取代的雜芳基氨基中的一種，&至R 4獨立地為：H、重氫