一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，包括的原料有：改性環(huán)氧樹脂顆粒、納米氧化鎂粉末、二氧化硅粉末，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒占75%?80%、納米氧化鎂粉末12%?18%、二氧化硅粉末7%?9%。通過(guò)上述方式，本發(fā)明具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性和氣密性，能阻止高溫、高濕等有害環(huán)境對(duì)電子器件的影響。
【專利說(shuō)明】
一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電子元器件封裝材料領(lǐng)域，特別是涉及一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子元器件朝著尺寸更小、質(zhì)量更輕、運(yùn)算速度更快的方向發(fā)展，對(duì)電子封裝材料也相應(yīng)地提出了更高的要求。隨著集成電路集成度的增加，芯片發(fā)熱量成指數(shù)關(guān)系上升，從而使芯片的壽命降低，芯片溫度每升高10°C，GaAs或Si半導(dǎo)體芯片壽命就會(huì)縮短三倍。這主要是因?yàn)樵谖㈦娮蛹呻娐芳按蠊β收髌骷?，材料間散熱性能不好而導(dǎo)致的。解決這個(gè)問(wèn)題最重要的手段就是使用具有更好性能的封裝材料。
[0003]塑料封裝器件占世界商用芯片封裝市場(chǎng)的90%以上，不過(guò)塑料導(dǎo)熱性能很差，且塑料封裝吸水受熱易膨脹，會(huì)導(dǎo)致塑料封裝器件爆裂。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性和氣密性，能阻止高溫、高濕等有害環(huán)境對(duì)電子器件的影響。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，包括的原料有:改性環(huán)氧樹脂顆粒、納米氧化鎂粉末、二氧化硅粉末，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒占75%-80%、納米氧化鎂粉末12%-18%、二氧化娃粉末7%-9%；
所述改性環(huán)氧樹脂顆粒包括如下質(zhì)量份的成分:環(huán)氧樹脂87-92份、聚丙烯酸正丁酯3-5份、鄰苯二甲酸酐1-4份、硅氧烷4-6份；
所述納米氧化鎂粉末包括如下質(zhì)量份的成分:氯化鎂65-70份、碳酸鈉20-25份、聚乙烯醇10-12份。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述納米氧化鎂粉末的粒徑為20-40nm。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的粒徑為5-8μηι。
[0008]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的含水率<0.01%。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:通過(guò)在改性環(huán)氧樹脂顆粒中添加合理配比的高導(dǎo)熱納米氧化鎂粉末和二氧化硅粉末，使獲得的材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性和氣密性，能阻止高溫、高濕等有害環(huán)境對(duì)電子器件的影響。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
[0011]實(shí)施例一:
一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，包括的原料有:改性環(huán)氧樹脂顆粒、納米氧化鎂粉末、二氧化硅粉末，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒占75%、納米氧化鎂粉末18%、二氧化硅粉末7%;
所述改性環(huán)氧樹脂顆粒包括如下質(zhì)量份的成分:環(huán)氧樹脂87份、聚丙烯酸正丁酯5份、鄰苯二甲酸酐4份、硅氧烷4份；
所述納米氧化鎂粉末包括如下質(zhì)量份的成分:氯化鎂65份、碳酸鈉25份、聚乙烯醇10份。
[0012]其中，所述納米氧化鎂粉末的粒徑為20nm。
[0013]所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的粒徑為5μπι。
[0014]所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的含水率< 0.01%。
[0015]實(shí)施例二:
一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，包括的原料有:改性環(huán)氧樹脂顆粒、納米氧化鎂粉末、二氧化硅粉末，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒占77%、納米氧化鎂粉末14%、二氧化硅粉末9%;
所述改性環(huán)氧樹脂顆粒包括如下質(zhì)量份的成分:環(huán)氧樹脂88份、聚丙烯酸正丁酯4份、鄰苯二甲酸酐2份、硅氧烷6份；
所述納米氧化鎂粉末包括如下質(zhì)量份的成分:氯化鎂66份、碳酸鈉22份、聚乙烯醇12份。
[0016]其中，所述納米氧化鎂粉末的粒徑為30nm。
[0017]所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的粒徑為6μπι。
[0018]所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的含水率<0.01%。
[0019]實(shí)施例三:
一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，包括的原料有:改性環(huán)氧樹脂顆粒、納米氧化鎂粉末、二氧化硅粉末，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒占80%、納米氧化鎂粉末12%、二氧化硅粉末8%;
所述改性環(huán)氧樹脂顆粒包括如下質(zhì)量份的成分:環(huán)氧樹脂92份、聚丙烯酸正丁酯3份、鄰苯二甲酸酐I份、硅氧烷4份；
所述納米氧化鎂粉末包括如下質(zhì)量份的成分:氯化鎂70份、碳酸鈉20份、聚乙烯醇10份。
[°02°] 其中，所述納米氧化鎂粉末的粒徑為40nm。
[0021 ] 所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的粒徑為8μπι。
[0022]所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的含水率< 0.01%。
[0023]本發(fā)明揭示了一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，通過(guò)在改性環(huán)氧樹脂顆粒中添加合理配比的高導(dǎo)熱納米氧化鎂粉末和二氧化硅粉末，使獲得的材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性和氣密性，能阻止高溫、高濕等有害環(huán)境對(duì)電子器件的影響。
[0024]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，其特征在于，包括的原料有:改性環(huán)氧樹脂顆粒、納米氧化鎂粉末、二氧化硅粉末，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒占75%-80%、納米氧化儀粉末12%_18%、一■氧化娃粉末7%-9%; 所述改性環(huán)氧樹脂顆粒包括如下質(zhì)量份的成分:環(huán)氧樹脂87-92份、聚丙烯酸正丁酯3-5份、鄰苯二甲酸酐1-4份、硅氧烷4-6份； 所述納米氧化鎂粉末包括如下質(zhì)量份的成分:氯化鎂65-70份、碳酸鈉20-25份、聚乙烯醇10-12份。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，其特征在于，所述納米氧化鎂粉末的粒徑為20-40nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，其特征在于，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的粒徑為5-8μπι。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輕質(zhì)高導(dǎo)熱電子封裝材料，其特征在于，所述改性環(huán)氧樹脂顆粒的含水率<0.01%。
【文檔編號(hào)】C08K3/16GK105838032SQ201610271698
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年4月28日
【發(fā)明人】龔文明
【申請(qǐng)人】太倉(cāng)市金毅電子有限公司