一種硅晶片清洗劑及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種硅晶片清洗劑，其原料按重量份包括：氫氧化鈉3?9份、無水碳酸鈉2?8份、偏硅酸鈉3?9份、乙二胺四乙酸二鈉5?8份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉2?6份、OP?10 2?5份、十二烷基苯磺酸鈉4?9份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑3?9份、10?三氟甲氧基癸烷磺酸鈉2?7份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨1?4份、吐溫80 4?9份、聚乙二醇3?6份、三乙醇胺1?3份、正丁醇2?5份、異丙醇1?4份、去離子水10?20份。本發(fā)明還提出上述的硅晶片清洗劑的制備方法。本發(fā)明具有優(yōu)異的清洗效果。
【專利說明】
一種硅晶片清洗劑及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種清洗劑，尤其涉及一種硅晶片清洗劑及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]硅晶片具有良好的光電效應(yīng)，是太陽能電池的主要材料。但在其加工過程中，往往一些有機(jī)物以金屬雜質(zhì)附著在硅晶片表面影響其工作性能，降低太陽能的轉(zhuǎn)化效率，故必須保持硅晶片表面清潔。傳統(tǒng)用于硅晶片的清洗劑是采用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿等強(qiáng)腐蝕性的化學(xué)試劑，單一的強(qiáng)酸或強(qiáng)堿無法達(dá)到很好的清洗效果，因此亟需開發(fā)一種具有優(yōu)異清洗效果的硅晶片清洗劑來滿足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決【背景技術(shù)】中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種硅晶片清洗劑及其制備方法，制備得到的硅晶片清洗劑具有優(yōu)異的清洗效果。
[0004]本發(fā)明提出的一種硅晶片清洗劑，其原料按重量份包括:氫氧化鈉3-9份、無水碳酸鈉2-8份、偏硅酸鈉3-9份、乙二胺四乙酸二鈉5-8份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉2-6份、0P-102-5份、十二烷基苯磺酸鈉4-9份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑3-9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉2-7份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨1-4份、吐溫80 4-9份、聚乙二醇3_6份、三乙醇胺1-3份、正丁醇2-5份、異丙醇1-4份、去離子水10-20份。
[0005]優(yōu)選地，氫氧化鈉、無水碳酸鈉、偏娃酸鈉和乙二胺四乙酸二鈉的重量比為4-8: 3-7:4-8:6-7o
[0006]優(yōu)選地，乙二胺四乙酸二鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉和吐溫80的重量比為6-7:3-5:5-8。
[0007]優(yōu)選地，0P-10、十二烷基苯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉和全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨的重量比為2.5-4.5: 5-8: 4-8: 3-6: 2-3 0
[0008]優(yōu)選地，其原料按重量份包括:氫氧化鈉4-8份、無水碳酸鈉3-7份、偏硅酸鈉4-8份、乙二胺四乙酸二鈉6-7份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉3-5份、0P-103-4份、十二烷基苯磺酸鈉5-8份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑4-8份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉3-6份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨2-3份、吐溫80 5-8份、聚乙二醇4-5份、三乙醇胺1.5-2.5份、正丁醇3-4份、異丙醇2-3份、去離子水12-18份。
[0009]優(yōu)選地，其原料按重量份包括:氫氧化鈉6份、無水碳酸鈉5份、偏硅酸鈉6份、乙二胺四乙酸二鈉6.5份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉4份、0P-10 3.5份、十二烷基苯磺酸鈉6.5份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑6份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉4.5份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨2.5份、吐溫80 6.5份、聚乙二醇4.5份、三乙醇胺2份、正丁醇3.5份、異丙醇2.5份、去咼子水15份。
[0010]本發(fā)明的一種硅晶片清洗劑的制備方法，包括如下步驟:
[0011 ] S1、制備堿性溶液:將氫氧化鈉溶解在去離子水中得到氫氧化鈉溶液，然后將無水碳酸鈉和偏硅酸鈉加入到氫氧化鈉溶液中，攪拌均勻后得到堿性混合溶液；
[0012]S2、制備溶液A:在SI得到的堿性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二鈉混合均勻得到溶液A;
[0013]S3、制備溶液B:將十二烷基苯磺酸鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨和去離子水混合均勻，得到溶液B;
[0014]S4、制備溶液C:將聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇混合均勻得到溶液C;
[0015]S5、制備硅晶片清洗劑:將溶液B和溶液C混合均勻，再加入溶液A和去離子水，混合均勻后得到硅晶片清洗劑。
[0016]本發(fā)明的一種硅晶片清洗劑，其原料包括氫氧化鈉、無水碳酸鈉、偏硅酸鈉、乙二胺四乙酸二鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、0P-10、十二烷基苯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨、吐溫80、聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇、異丙醇和去離子水，其中以氫氧化鈉作為強(qiáng)性堿，以無水碳酸鈉和偏硅酸鈉作為堿性鹽，以乙二胺四乙酸二鈉作為螯合劑，能夠?qū)⑷芤褐械慕饘匐x子鐵和金屬離子鋁等變成大分子除去;添加的吐溫80作為乳化劑，琥珀酸二辛酯磺酸鈉作為滲透劑，尤其對堅硬的硅晶片表面具有良好的清洗能力，還具有良好的生物降解性和極低的生理毒性，清洗后不易在硅晶片表面形成殘留物;在氫氧化鈉的作用下，進(jìn)一步促進(jìn)洗滌過程中的乳化性能，并經(jīng)過過氧化氫化硅晶片表面的污物，使硅晶片表面始終處于有利清洗的狀態(tài)，加之采用聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇作為溶劑，由于與水具有很好的共溶性，故能加速和增加對污染物的清洗，提高了清洗效果。本發(fā)明制備方法簡單，制備得到的硅晶片清洗劑的清洗效果好。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明做出詳細(xì)說明，應(yīng)當(dāng)了解，實(shí)施例只用于說明本發(fā)明，而不是用于對本發(fā)明進(jìn)行限定，任何在本發(fā)明基礎(chǔ)上所做的修改、等同替換等均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0018]【具體實(shí)施方式】中，氫氧化鈉的重量份可以為3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份;無水碳酸鈉的重量份可以為2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份;偏硅酸鈉的重量份可以為3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份；乙二胺四乙酸二鈉的重量份可以為5份、5.5份、6份、6.5份、7份、7.5份、8份;琥珀酸二辛酯磺酸鈉的重量份可以為2份、3份、4份、5份、6份;0P-10的重量份可以為2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份、5份;十二烷基苯磺酸鈉的重量份可以為4份、4.5份、5份、5.5份、6份、6.5份、7份、7.5份、8份、8.5份、9份;全氟己基乙酸鹽表面活性劑的重量份可以為3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份;10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉的重量份可以為2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份、5份、5.5份、6份、6.5份、7份;全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨的重量份可以為I份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份；吐溫80的重量份可以為4份、4.5份、5份、5.5份、6份、6.5份、7份、7.5份、8份、8.5份、9份;聚乙二醇的重量份可以為3份、3.5份、4份、4.5份、5份、5.5份、6份;三乙醇胺的重量份可以為I份、1.5份、2份、2.5份、3份；正丁醇的重量份可以為2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份、5份；異丙醇的重量份可以為I份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份;去尚子水的重量份可以為10份、11份、12份、13份、14份、15份、16份、17份、18份、19份、20份。
[0019]實(shí)施例1
[0020]本發(fā)明提出的一種硅晶片清洗劑，其原料按重量份包括:氫氧化鈉6份、無水碳酸鈉5份、偏硅酸鈉6份、乙二胺四乙酸二鈉6.5份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉4份、0P-10 3.5份、十二烷基苯磺酸鈉6.5份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑6份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉4.5份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨2.5份、吐溫80 6.5份、聚乙二醇4.5份、三乙醇胺2份、正丁醇3.5份、異丙醇2.5份、去離子水15份。
[0021]本發(fā)明的一種硅晶片清洗劑的制備方法，包括如下步驟:
[0022]S1、制備堿性溶液:將氫氧化鈉溶解在去離子水中得到氫氧化鈉溶液，然后將無水碳酸鈉和偏硅酸鈉加入到氫氧化鈉溶液中，攪拌均勻后得到堿性混合溶液；
[0023 ] S2、制備溶液A:在SI得到的堿性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二鈉混合均勻得到溶液A;
[0024]S3、制備溶液B:將十二烷基苯磺酸鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨和去離子水混合均勻，得到溶液B;
[0025]S4、制備溶液C:將聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇混合均勻得到溶液C;
[0026]S5、制備硅晶片清洗劑:將溶液B和溶液C混合均勻，再加入溶液A和去離子水，混合均勻后得到硅晶片清洗劑。
[0027]實(shí)施例2
[0028]本發(fā)明提出的一種硅晶片清洗劑，其原料按重量份包括:氫氧化鈉3份、無水碳酸鈉8份、偏硅酸鈉3份、乙二胺四乙酸二鈉8份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉2份、0P-10 5份、十二烷基苯磺酸鈉4份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉2份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨4份、吐溫80 4份、聚乙二醇6份、三乙醇胺I份、正丁醇5份、異丙醇I份、去離子水20份。
[0029]本發(fā)明的一種硅晶片清洗劑的制備方法，包括如下步驟:
[0030]S1、制備堿性溶液:將氫氧化鈉溶解在去離子水中得到氫氧化鈉溶液，然后將無水碳酸鈉和偏硅酸鈉加入到氫氧化鈉溶液中，攪拌均勻后得到堿性混合溶液；
[0031]S2、制備溶液A:在SI得到的堿性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二鈉混合均勻得到溶液A;
[0032]S3、制備溶液B:將十二烷基苯磺酸鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨和去離子水混合均勻，得到溶液B;
[0033]S4、制備溶液C:將聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇混合均勻得到溶液C;
[0034]S5、制備硅晶片清洗劑:將溶液B和溶液C混合均勻，再加入溶液A和去離子水，混合均勻后得到硅晶片清洗劑。
[0035]實(shí)施例3
[0036]本發(fā)明提出的一種硅晶片清洗劑，其原料按重量份包括:氫氧化鈉9份、無水碳酸鈉2份、偏硅酸鈉9份、乙二胺四乙酸二鈉5份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉6份、0P-10 2份、十二烷基苯磺酸鈉9份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑3份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉7份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨I份、吐溫80 9份、聚乙二醇3份、三乙醇胺3份、正丁醇2份、異丙醇4份、去離子水10份。
[0037]本發(fā)明的一種硅晶片清洗劑的制備方法，包括如下步驟:
[0038]S1、制備堿性溶液:將氫氧化鈉溶解在去離子水中得到氫氧化鈉溶液，然后將無水碳酸鈉和偏硅酸鈉加入到氫氧化鈉溶液中，攪拌均勻后得到堿性混合溶液；
[0039 ] S2、制備溶液A:在SI得到的堿性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二鈉混合均勻得到溶液A;
[0040] S3、制備溶液B:將十二烷基苯磺酸鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨和去離子水混合均勻，得到溶液B;
[0041 ] S4、制備溶液C:將聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇混合均勻得到溶液C;
[0042]S5、制備硅晶片清洗劑:將溶液B和溶液C混合均勻，再加入溶液A和去離子水，混合均勻后得到硅晶片清洗劑。
[0043]實(shí)施例4
[0044]本發(fā)明提出的一種硅晶片清洗劑，其原料按重量份包括:氫氧化鈉4份、無水碳酸鈉7份、偏硅酸鈉4份、乙二胺四乙酸二鈉7份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉3份、0P-10 4份、十二烷基苯磺酸鈉5份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑8份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉3份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨3份、吐溫80 5份、聚乙二醇5份、三乙醇胺1.5份、正丁醇4份、異丙醇2份、去離子水18份。
[0045]本發(fā)明的一種硅晶片清洗劑的制備方法，包括如下步驟:
[0046]S1、制備堿性溶液:將氫氧化鈉溶解在去離子水中得到氫氧化鈉溶液，然后將無水碳酸鈉和偏硅酸鈉加入到氫氧化鈉溶液中，攪拌均勻后得到堿性混合溶液；
[0047]S2、制備溶液A:在SI得到的堿性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二鈉混合均勻得到溶液A;
[0048]S3、制備溶液B:將十二烷基苯磺酸鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨和去離子水混合均勻，得到溶液B;
[0049]S4、制備溶液C:將聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇混合均勻得到溶液C;
[0050]S5、制備硅晶片清洗劑:將溶液B和溶液C混合均勻，再加入溶液A和去離子水，混合均勻后得到硅晶片清洗劑。
[0051 ] 實(shí)施例5
[0052]本發(fā)明提出的一種硅晶片清洗劑，其原料按重量份包括:氫氧化鈉8份、無水碳酸鈉3份、偏硅酸鈉8份、乙二胺四乙酸二鈉6份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉5份、0P-10 3份、十二烷基苯磺酸鈉8份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑4份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉6份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨2份、吐溫80 8份、聚乙二醇4份、三乙醇胺2.5份、正丁醇3份、異丙醇3份、去離子水12份。
[0053]本發(fā)明的一種硅晶片清洗劑的制備方法，包括如下步驟:
[0054]S1、制備堿性溶液:將氫氧化鈉溶解在去離子水中得到氫氧化鈉溶液，然后將無水碳酸鈉和偏硅酸鈉加入到氫氧化鈉溶液中，攪拌均勻后得到堿性混合溶液；
[0055]S2、制備溶液A:在SI得到的堿性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二鈉混合均勻得到溶液A;
[0056]S3、制備溶液B:將十二烷基苯磺酸鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨和去離子水混合均勻，得到溶液B;
[0057]S4、制備溶液C:將聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇混合均勻得到溶液C;
[0058]S5、制備硅晶片清洗劑:將溶液B和溶液C混合均勻，再加入溶液A和去離子水，混合均勻后得到硅晶片清洗劑。
[0059]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種硅晶片清洗劑，其特征在于，其原料按重量份包括:氫氧化鈉3-9份、無水碳酸鈉2-8份、偏硅酸鈉3-9份、乙二胺四乙酸二鈉5-8份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉2-6份、OP-1O 2-5份、十二烷基苯磺酸鈉4-9份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑3-9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉2-7份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨1-4份、吐溫80 4-9份、聚乙二醇3_6份、三乙醇胺1-3份、正丁醇2-5份、異丙醇1-4份、去離子水10-20份。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片清洗劑，其特征在于，氫氧化鈉、無水碳酸鈉、偏硅酸鈉和乙二胺四乙酸二鈉的重量比為4-8:3-7:4-8:6-7。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅晶片清洗劑，其特征在于，乙二胺四乙酸二鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉和吐溫80的重量比為6-7: 3-5: 5-8 ο4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的硅晶片清洗劑，其特征在于，0P-10、十二烷基苯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉和全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨的重量比為2.5-4.5: 5-8: 4-8: 3-6: 2-3。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的硅晶片清洗劑，其特征在于，其原料按重量份包括:氫氧化鈉4-8份、無水碳酸鈉3-7份、偏硅酸鈉4-8份、乙二胺四乙酸二鈉6-7份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉3-5份、0P-10 3-4份、十二烷基苯磺酸鈉5-8份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑4-8份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉3-6份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨2-3份、吐溫80 5-8份、聚乙二醇4-5份、三乙醇胺1.5-2.5份、正丁醇3-4份、異丙醇2-3份、去離子水12-18份。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的硅晶片清洗劑，其特征在于，其原料按重量份包括:氫氧化鈉6份、無水碳酸鈉5份、偏硅酸鈉6份、乙二胺四乙酸二鈉6.5份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉4份、OP-1O 3.5份、十二烷基苯磺酸鈉6.5份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑6份、I O-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉4.5份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨2.5份、吐溫80 6.5份、聚乙二醇4.5份、三乙醇胺2份、正丁醇3.5份、異丙醇2.5份、去離子水15份。7.—種根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的硅晶片清洗劑的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: S1、制備堿性溶液:將氫氧化鈉溶解在去離子水中得到氫氧化鈉溶液，然后將無水碳酸鈉和偏娃酸鈉加入到氫氧化鈉溶液中，攪拌均勻后得到堿性混合溶液； S2、制備溶液A:在SI得到的堿性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二鈉混合均勻得到溶液A； S3、制備溶液B:將十二烷基苯磺酸鈉、琥珀酸二辛酯磺酸鈉、全氟己基乙酸鹽表面活性劑、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨和去離子水混合均勻，得到溶液B; S4、制備溶液C:將聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和異丙醇混合均勻得到溶液C; S5、制備硅晶片清洗劑:將溶液B和溶液C混合均勻，再加入溶液A和去離子水，混合均勻后得到娃晶片清洗劑。
【文檔編號】C11D3/20GK105907489SQ201610268016
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月27日
【發(fā)明人】項濤, 項武
【申請人】安慶友仁電子有限公司