用于剝離光刻膠的智能液體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于多相系統(tǒng)的新型清潔劑，使用該清潔劑從表面去除光刻膠涂層的用途，及用于從表面去除光刻膠涂層的方法。根據(jù)本發(fā)明，該多相系統(tǒng)特別適用于從表面去除涂層、光刻膠涂層、聚合物層、污垢層、絕緣層和金屬層。
【專利說明】
用于剝離光刻膠的智能液體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明描述了基于多相系統(tǒng)的新型清潔劑、該清潔劑用于從表面去除光刻膠涂層 的用途以及從表面去除光刻膠涂層的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 根據(jù)本發(fā)明的多相系統(tǒng)特別適用于從表面去除涂層、光刻膠涂層、聚合物層、污垢 層、絕緣層和金屬層。
[0003] 制造娃片是從由單晶娃制成的盤狀娃片開始。晶片大約1mm厚。電路、電線和電子 部件均由這些晶片層疊而成。根據(jù)所需的具體產(chǎn)品，制造過程需要幾百個(gè)加工步驟，并且一 些步驟重復(fù)多次。
[0004] 為了在晶片的硅表面涂覆上所需要的結(jié)構(gòu)，首先采用蒸汽將所述表面氧化。通過 化學(xué)反應(yīng)(采用氟化學(xué)），所述氧化層使表面結(jié)構(gòu)化。
[0005] 接著涂覆光刻膠。采用平版印刷的方法通過掩模版轉(zhuǎn)移光刻膠。光刻膠可應(yīng)用在 微電子學(xué)和微系統(tǒng)技術(shù)中，用于生產(chǎn)微米和亞微米級(jí)結(jié)構(gòu)，以及應(yīng)用在印刷電路板制造業(yè) 中。在化學(xué)術(shù)語中，這些是基于甲基丙烯酸甲酯、線型酚醛清漆、聚甲基戊二酰亞胺或環(huán)氧 樹脂的預(yù)聚物或聚合物與溶劑和光敏成分組合起來的混合物。
[0006] 有兩種基本類型的光刻膠：
[0007] ?所謂的負(fù)性抗蝕劑通過光照聚合，以及視需要之后進(jìn)行熱穩(wěn)定化，因此，顯影之 后，曝光區(qū)域仍然保留。被掩模版保護(hù)的未曝光區(qū)域仍然是可溶的，且可采用溶劑或堿性溶 液去除。負(fù)性光刻膠主要用在微系統(tǒng)技術(shù)中，用于生產(chǎn)微米和亞微米級(jí)的極小結(jié)構(gòu)。
[0008] ?對(duì)于正性抗蝕劑，由于光照，已經(jīng)聚合的涂層再一次變成部分可溶解(解聚）于 合適的顯影液中。光刻膠的其余部分保護(hù)硅或沒有改變的二氧化硅表面部分，但是在曝光 部分可能發(fā)生化學(xué)改性。通過這種方法，可以采用氫氟酸或CF 4在刻蝕步驟去除二氧化硅， 或通過離子轟擊摻雜自由硅。
[0009] 所描述的涂膠、曝光、剝離和刻蝕操作通常重復(fù)多次，使用不同的掩模版。
[0010] 濕化學(xué)方法的應(yīng)用領(lǐng)域分類如下： _] ?濕法刻蝕：
[0012] 指的是去除覆蓋于部分或全部表面上的摻雜的和未摻雜的氧化層。
[0013] #晶片清潔：
[0014] 硅表面的顆粒物、有機(jī)物和金屬物質(zhì)以及自然氧化層需要連續(xù)不斷地去除。
[0015] ?涂層去除：
[0016] 涂層下方的結(jié)構(gòu)在刻蝕工序中被燒蝕之后，或該涂層已在注入工序期間被當(dāng)做掩 蔽層使用，這些涂層必須去除。
[0017]籲金屬剝離：
[0018] -種特殊的涂層去除方式，在該方式中附加的是涂覆于該涂層上的金屬層也必須 去除。
[0019] ?背面處理：
[0020] 去除在烘烤工序中在晶片背部顯影的涂層。
[0021] ?聚合物去除：
[0022] 去除在等離子刻蝕期間出現(xiàn)的副產(chǎn)品，并收集于晶片盤中。
[0023] 因此，在微芯片制造中，清潔操作是必要的。然而，迄今為止，尚沒有研究提出上文 所述類型的清潔的全部范圍以解決這個(gè)問題。
[0024] 最重要的一點(diǎn)是，需要不斷重復(fù)清潔操作去除光刻膠。光刻膠被用作掩模層之后， 一定要去除。
[0025] 在現(xiàn)有技術(shù)中，這以兩種不同的方法進(jìn)行:涂層的干法等離子體灰化或濕式化學(xué) 剝離，例如，借助于易燃溶劑(如丙酮）。然而，作為工藝可靠性的一部分，并且需要特別考慮 到燃點(diǎn)問題，需要不斷尋找能夠與丙酮具有相同的去除光刻膠的速度的原材料。困難在于 存在一個(gè)事實(shí)，溶劑的燃點(diǎn)越高，其去除光刻膠的速度越慢。另一個(gè)問題是，采用這種方法 只能夠去除輕度交聯(lián)的光刻膠。隨著交聯(lián)度的增加，涂層的溶解度大幅度地降低。
[0026]高度交聯(lián)或甚至已實(shí)現(xiàn)的光刻膠(摻雜之后）很難用溶劑去除，因此，它們必須通 過刻蝕工序或等離子灰化去除。然而，不利地是，等離子灰化不能完全去除抗蝕劑，即灰化 之后，需要實(shí)施進(jìn)一步的、附加的濕式化學(xué)清洗工序。此外，灰化在高溫下發(fā)生，會(huì)產(chǎn)生材料 應(yīng)力，例如，導(dǎo)致由具有不同膨脹系數(shù)的不同材料組成的復(fù)雜部件等的變形、熱應(yīng)力等等。 此外，在侵蝕性自由基重組之前，自由基燃燒產(chǎn)物會(huì)侵蝕基質(zhì)表面。其結(jié)果是，會(huì)破壞微小 的結(jié)構(gòu)。
[0027]生成自由基的復(fù)雜加工工藝、必要的工藝控制管理和材料的分配也會(huì)導(dǎo)致高的費(fèi) 用。
[0028] 同樣的，對(duì)于金屬剝離，很難將涂層從襯底剝離。該方法是微電子部件、傳感器或 激光器制造中的標(biāo)準(zhǔn)工藝。除了光刻膠涂層，還必須剝離連續(xù)的金屬涂層。
[0029] 自動(dòng)化程度相對(duì)比較高。普通的機(jī)器具有的晶片生產(chǎn)量高達(dá)80單位每小時(shí)。有批 量也有單晶片加工工藝。此外，也有兩者的結(jié)合，這在市場(chǎng)上占主導(dǎo)地位。將剝離器放置于 可加熱的水池中，加熱至所需要的溫度(例如，對(duì)于NMP加熱至85 °C)。在規(guī)定的浸泡時(shí)間（大 約10至30分鐘）內(nèi)，溶解、熔化或剝離光刻膠。在隨后的步驟中，分別將每個(gè)晶片從水浴中拿 出，進(jìn)行單晶片加工工藝。將光刻膠的殘留物、剝離器的殘留物和金屬層的殘留物排出。在 進(jìn)一步的清洗步驟中提高表面的純度，例如，使用IPA、軟化水等。
[0030] 因此，對(duì)于微電子領(lǐng)域的清洗過程，急需一種更加環(huán)保、更有利于健康、更有效的 清潔劑和襯底。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0031] 因此，本發(fā)明的目的是提供此類清潔劑及使用此類清潔劑例如從表面去除光刻膠 涂層。
[0032] 這些清潔劑意圖被用作由于高侵蝕性而很危險(xiǎn)的清潔劑的替代品。采用生物可降 解的、毒理學(xué)的和皮膚可接受的原料也免除了處理場(chǎng)所和工作防護(hù)。除了與安全相關(guān)的方 面之外，目的找到新型清潔劑以實(shí)現(xiàn)工藝過程的最優(yōu)化(關(guān)于時(shí)間和程序）。因此，有利的是 可以省掉工藝步驟，例如，等離子灰化之后的濕式步驟。
[0033]根據(jù)本發(fā)明，本發(fā)明的目的是通過多相系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)，該多相系統(tǒng)包括兩種不互溶的 液體，一種液體是水或與水相似的物質(zhì)，兩種液體中另外一種是不溶于水的物質(zhì)，其在水中 的溶解度小于4g/L，此外，包含至少一種表面活性劑、除了與表面活性劑相關(guān)的物質(zhì)以外的 兩親化合物，及任選的添加劑和/或輔助材料，該多相系統(tǒng)的特點(diǎn)是，其具有的濁度特征是 大于0,高至200NTU。
[0034]比濁法濁度單位(NTU)是用于水處理中液體的濁度測(cè)量的單位。它是用校準(zhǔn)的濁 度計(jì)測(cè)量的液體濁度的單位。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所使用的表面活性劑是非離子表面活性劑、陽離子表 面活性劑、陰離子表面活性劑或兩性表面活性劑。
[0036]本發(fā)明意義中的表面活性劑是可以減少液體的表面張力或兩相之間的界面張力 的物質(zhì)，其允許或促進(jìn)分散體/乳狀液的形成或能作為增溶劑。在表面活性劑的作用下，實(shí) 際上彼此不能混溶的兩種液體，例如，水和油，可以完全地混合(分散）。表面活性劑形成一 種典型的膠束結(jié)構(gòu)，即在大于一定濃度之后，它們形成相當(dāng)大且松散的結(jié)構(gòu)，在本申請(qǐng)的背 景中稱為"結(jié)構(gòu)-形成"（"strukturbildend"）。在本發(fā)明意義中的表面活性劑具有定向結(jié) 構(gòu)，其中一部分通常由疏水的、憎水的碳部分組成，另一個(gè)部分由分子的親水的、耐水部分 組成。
[0037] 本發(fā)明意義中的表面活性劑的實(shí)例包括但不限于高級(jí)醇，特別是具有親水性-親 脂性分子部分的那些高級(jí)醇，例如，丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一烷醇和十 二烷醇的正、異同分異構(gòu)體，或它們?cè)诜肿拥氖杷院?或親水性部分中的改性的衍生物。
[0038] 例如，可以作為陰離子表面活性劑是長鏈脂肪酸的堿金屬鹽或銨鹽、烷基(苯)磺 酸鹽、鏈烷烴磺酸鹽、二（2-乙基己基）磺基琥珀酸鹽和烷基硫酸鹽（主要是十二烷基硫酸 鈉），以及在特殊應(yīng)用中（例如涉及防腐蝕性的特殊應(yīng)用中），有時(shí)也可以使用烷基磷酸鹽 (例如，丨Aospho丨ang.PE 65，Akzo Nobel)。
[0039] 可以作為非離子表面活性劑使用的是聚氧化烯烴改性的脂肪醇(例如，Berol?型 (Akzo-Nobel)和Hocsch.?T型（Julius Hoesch))、烷基乙氧基化物(特別是選自C9-C13的正 烷基-乙氧基化物或&-&9的異烷基-乙氧基化物以及相應(yīng)的辛基苯酚(triton型）或壬基苯 酚(假設(shè)后者不會(huì)大量地釋放到環(huán)境中））。在一個(gè)特殊領(lǐng)域應(yīng)用中，七甲基三硅氧烷(例如， Silwet類型，GE硅酮)可以作為一種能夠大幅度提高液體的延展性能或顯著降低界面張力的 試劑。
[0040] 可以作為陽離子型表面活性劑的是，例如，椰油基雙(2-羥基乙基）甲基氯化銨或 聚氧化乙烯改性的三烷基甲基氯化銨。也可以使用多種兩性表面活性劑。如果要覆蓋較寬 的pH范圍，經(jīng)證明合適的是椰油基二甲基氧化胺(A<?mi:0X?MCD，Akz〇-Nobel)。
[0041] 根據(jù)本發(fā)明，包含于多相系統(tǒng)中的表面活性劑優(yōu)選地其重量占多相系統(tǒng)的總重量 的2 %至20 %。
[0042]根據(jù)本發(fā)明，不溶于水的物質(zhì)是那些在水中的溶解度小于4g/L，優(yōu)選的，溶解度小 于2g/L的物質(zhì)。這些物質(zhì)優(yōu)選地應(yīng)該具有溶脹性和/或溶解性。實(shí)例包括鏈烷烴(汽油)和環(huán) 烷烴(優(yōu)選是環(huán)己烷）。芳香族化合物，例如甲苯、二甲苯或其它烷基苯和萘也是合適的。優(yōu) 選地是長鏈的鏈烷酸酯，例如，脂肪油和脂肪酸甲酯（生物柴油）。進(jìn)一步優(yōu)選的是油，例如 酯類，琥珀酸酯、己二酸酯、戊二酸酯，也可以是二-正乙酰醚、石油醚和對(duì)-薄荷烷（P- menthan)。根據(jù)本發(fā)明，所使用的不溶于水的物質(zhì)也包括乙酸芐酯。然而，萜烯，例如，也可 以使用具有環(huán)己烷骨架的單環(huán)的單萜烯。柑橘類水果中的萜烯，例如，柑橘屬萜烯和/或橙 萜烯或檸檬中含有的萜烯在這里是尤為優(yōu)選的。多相系統(tǒng)中含有的不溶于水的物質(zhì)的量?jī)?yōu) 選地為 1.5-30wt%。
[0043] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，優(yōu)選的，多相系統(tǒng)沒有二氧化碳，尤其是超臨界C02的形式的二 氧化碳。
[0044] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，至少一個(gè)兩親化合物選自：
[0045] a)式 I 的二醇；
[0046] R1R2COH- (CH2) n-C0HRiR2 [ ?ζ I ]
[0047] 其中：
[0048] N 可以是0、1、2、3或4，
[0049] 在每種情況下，RjPR2獨(dú)立地是氫或無支鏈的或有支鏈的Ci_C3烷基，前提是當(dāng)n = 〇時(shí)，Ri不是氫并且二醇不是2-甲基-2，4_戊二醇，
[0050] 或選自 1，3-丙二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，5-戊二醇、1，6-己二醇、2，3-丁二 醇、2，4-戊二醇或2，5-二甲基-2，5-己二醇。
[0051 ] b)式Π 的乙酰乙酸酯；
[0052] C(R3) 3-CO-CH2-CO-O-R4[式 Π ]
[0053] 其中：
[0054] 在每種情況下，R3獨(dú)立地是氫或Ci_C2烷基，且R4是有支鏈或無支鏈的C1-C4烷基；
[0055] 或式m的乙酰乙酸酯；
[0056] CH3-CO-CH2-CO-O-R5 [式 m]
[0057] 其中，R5是C1-C4烷基；
[0058] 或選自乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸異丙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸正丁酯、乙酰乙 酸正丙酯或乙酰乙酸叔丁酯；
[0059] c)式 IV 的二酮；
[0060] CH3- (CH2) p-CO- (CH2) q-C〇- (CH2) r-CH3 [式 IV ]
[0061] 其中：
[0062] p、q、r可以獨(dú)立地是0、1或2,前提是當(dāng)p、q和r的總和=2時(shí)，式IV的化合物也可以 是環(huán)狀的(環(huán)己烷二酮），
[0063] 或選自2,3-丁二酮（二乙酰基）、2,4_戊二酮（乙酰基丙酮）、3,4_己二酮、2,5-己二 酮、2，3-戊二酮、2，3-己二酮、1，4-環(huán)己二酮或1，3-己二酮。
[0064] d)式 V 的酯；
[0065] R6-C0-0-R7 [式V]
[0066] 其中：
[0067] R6是連接至R7的環(huán)鍵、CH3或C0CH3,和
[0068] R7 是連接至 R6 的（CH2) 2-0-的環(huán)鍵，或（CH2) 2-0-( CH2) 3-CH3、CH2-CH3 或連接至 R6 的 CH2-CH(CH3)-〇-環(huán)鍵；
[0069]或選自（1-甲氧基-2-丙基）乙酸酯、（2-丁氧基乙基）乙酸酯、碳酸亞乙酯、丙酮酸 乙酯(2-氧丙酸乙酯)或碳酸丙烯酯；
[0070] e)式VI的馬來酸酰胺或富馬酸酰胺；
[0071] r8-hn-co-c=c-co-o-r9 [式 VI]
[0072] 其中：
[0073] R8是氫、有支鏈或無支鏈的d_C4烷基，或者有支鏈或無支鏈的、線性或環(huán)狀的&_〇5 烷基，其中Ci-C 6烷基被選自O(shè)H、NH2、C00H、CO、S03H、OP (0H) 2中的一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)取代，并且 R9是氫或有支鏈或無支鏈的&-C4烷基，
[0074]或選自以下馬來酸酰胺和它們的甲基酯、乙基酯、丙基酯和丁基酯:N-甲基馬來酰 胺(N-methyl maleamide)、N_乙基馬來酰胺、N_(正丙基)_馬來酰胺、N_(異丙基)_馬來酰 胺、N-(正丁基)-馬來酰胺、N-(異丁基馬來酰胺）、N-(叔丁基馬來酰胺)和相應(yīng)的富馬酸酰 胺和它們的甲基酯、乙基酯、丙基酯和丁基酯。
[0075] f) 2，2-二甲氧基丙烷、丙酮酸醛-1，1-二甲基乙縮醛、二丙酮醇（2-甲基-2-戊醇-4-酮）、2-丁醇、2-乙酰基-γ -丁內(nèi)酯、3-氨基-1H-1，2，4-三唑、γ -丁內(nèi)酯、煙酰胺、抗壞血 酸、Ν-乙?；被?，尤其是Ν-乙酰甘氨酸、-丙氨酸、-半胱氨酸、-纈氨酸或-精氨酸、磷酸 三乙酯、乙酸正丁酯、二甲基亞砜或2,2,2_三氟乙醇；
[0076] 兩親化合物特別優(yōu)選地選自式m的乙酰乙酸酯；
[0077] CH3-C0-CH2-C0-0-R5 [式 m]
[0078] 其中：
[0079] 尺5是。1-。4 烷基。
[0080] 本發(fā)明進(jìn)一步的主題涉及多相系統(tǒng)的用途，正如上文所描述的，用于從表面上去 除光刻膠。這個(gè)表面是金屬表面，優(yōu)選地是硅片，已知是來自芯片制造。特別的，該表面是非 金屬表面，優(yōu)選是硅片或玻璃晶片和/或在其上的金屬表面，優(yōu)選是銅或鋁。光刻膠優(yōu)選是 交聯(lián)的光刻膠。在基于光刻膠中的可交聯(lián)的基團(tuán)中，交聯(lián)度優(yōu)選大于〇 . 5 %，更優(yōu)選的大于 1%，更優(yōu)選的大于5%，更優(yōu)選的大于10%，及最優(yōu)選的是大于25%。在許多情況下，是將金 屬層涂覆于光刻膠上。特別的，這包含高導(dǎo)電率的金屬，例如金。
[0081] 根據(jù)本發(fā)明，通過使用多相系統(tǒng)，除了光刻膠，同時(shí)金屬層也容易剝離。未剝離的 是發(fā)生在金屬層與金屬表面直接接觸的地方，例如，硅片。因此，金屬層仍保留于金屬表面 上。
[0082] 本發(fā)明進(jìn)一步的主題涉及從表面上去除光刻膠(抗蝕劑)涂層的方法，其中使用上 文所述的組合物。
[0083] 這個(gè)表面是非金屬的或金屬表面，優(yōu)選是硅片或玻璃晶片，已知來自芯片制造。金 屬表面包括銅或鋁。光刻膠優(yōu)選是交聯(lián)的光刻膠。在基于光刻膠中可交聯(lián)的基團(tuán)中，交聯(lián)度 優(yōu)選大于0.5%，更優(yōu)選的大于1%，更優(yōu)選的大于5%，更優(yōu)選的大于10%，及最優(yōu)選的是大 于25%。在許多情況下，是將金屬層涂覆于光刻膠上。特別的，這包含高導(dǎo)電率的金屬，例如 金。
[0084] 根據(jù)本發(fā)明，通過使用多相系統(tǒng)，除了光刻膠，同時(shí)金屬層也容易剝離。未剝離的 是發(fā)生在金屬層與金屬表面直接接觸的地方，例如，硅片。因此，金屬層仍保留于金屬表面 上。
[0085] 該方法通過將多相系統(tǒng)涂覆于要處理的表面而實(shí)現(xiàn)，且允許其反應(yīng)30秒至5小時(shí)。 隨后，將多相系統(tǒng)去除。
[0086] 根據(jù)本發(fā)明，試劑的清潔作用關(guān)鍵在于涂料層和金屬層的滲透，這通常伴隨著涂 料層和金屬層的破碎，及將它們從基底面的剝離，其中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，涂層的化學(xué)分解 不是絕對(duì)必要的，相反，能有利地免去化學(xué)分解。此外，可免除或很大程度上免除物理溶解。 根據(jù)本發(fā)明，這可以通過所述多相系統(tǒng)完成。
[0087] 根據(jù)本發(fā)明，所述多相系統(tǒng)非常適合作為先前已知的高侵蝕性并因此具有危險(xiǎn)的 清潔劑的替代品。使用生物可降解的、毒理學(xué)的和皮膚可接受的原料，也可以免除處理場(chǎng)所 和工作保護(hù)。除了與安全相關(guān)的方面外，關(guān)于時(shí)間和程序的工藝優(yōu)化也可以通過使用新型 清潔劑而實(shí)現(xiàn)。工藝步驟，例如，等離子灰化后的濕式步驟，可以省略。
【具體實(shí)施方式】
[0088] 現(xiàn)根據(jù)典型實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行解釋，但實(shí)施例并不用于限制保護(hù)范圍。
[0089] 實(shí)施例1
[0091] 實(shí)施例2
[0095]所有的多相系統(tǒng)具有的濁度在大于0至小于或等于200NTU的范圍內(nèi)。濁度可以維 持在10°C至95°C較寬的溫度范圍內(nèi)。采用濁度計(jì)可以很容易地實(shí)現(xiàn)濁度的測(cè)定，例如，采用 本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的Hach 2100濁度計(jì)測(cè)定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種多相系統(tǒng)，包括兩種不互溶的液體，一種液體是水或與水相似的物質(zhì)，兩種液體 中的另一種是不溶于水的物質(zhì)，其在水中的溶解度小于4g/L，此外包括至少一種表面活性 劑和任選的添加劑和/或輔助材料，其特征在于，多相系統(tǒng)的濁度值大于0至小于或等于 200NTU。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多相系統(tǒng)，其特征在于，表面活性劑是陽離子型表面活性劑、 陰離子型表面活性劑、非離子型表面活性劑或兩性表面活性劑。3. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多相系統(tǒng)，其特征在于，不溶于水的物質(zhì)選自由 鏈烷烴、環(huán)烷烴、芳香族化合物、長鏈鏈烷酸酯、二羧酸或三羧酸的酯、萜烯或它們的混合物 組成的組。4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多相系統(tǒng)，其特征在于，多相系統(tǒng)中也包括一種 或多種兩親化合物。5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多相系統(tǒng)，其特征在于，至少其中一種兩親化合 物選自： a) 式I的二醇： R1R2COH- (CH2) n_COHRiR2 [式 I ] 其中： N可以是0、1、2、3或4， 在每種情況下，Ri和R2獨(dú)立地是氫或無支鏈的或有支鏈的Ci-C3烷基，前提是當(dāng)n = 0時(shí)， Ri不是氫并且二醇不是2-甲基-2,4-戊二醇； 或選自 1，3_ 丙二醇、1，3_ 丁二醇、1，4_ 丁二醇、1，5_ 戊二醇、1，6_ 己二醇、2,3_ 丁二醇、 2，4-戊二醇或2，5-二甲基-2，5-己二醇； b) 式Π 的乙酰乙酸酯； C (R3) 3-CO-CH2-CO-O-R4 [式 Π ] 其中： 在每種情況下，R3獨(dú)立地是氫或Ci-C2烷基，且R4是有支鏈或無支鏈的C1-C4烷基； 或式m的乙酰乙酸酯； CH3-C0-CH2-C0-0-R5 [式 m ] 其中，R5是Cl-C4烷基； 或選自乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸異丙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸正丁酯、乙酰乙酸正 丙酯或乙酰乙酸叔丁酯； C)式IV的二酮； CH3- (CH2) p-CO- (CH2) q-CO- (CH2) r_CH3 [式 IV ] 其中： p、q、r可以獨(dú)立地是0、1或2,前提是當(dāng)p、q和r的總和=2時(shí)，式IV的化合物也可以是環(huán) 狀的(環(huán)己烷二酮）， 或選自2,3-丁二酮（二乙?；?,4-戊二酮（乙?；?、3,4-己二酮、2,5-己二酮、 2，3-戊二酮、2，3-己二酮、1，4-環(huán)己二酮或1，3-己二酮； d)式V的酯； R6-C0-0-R7 [式V] 其中： R6是連接至R7的環(huán)鍵、CH3或COCH3，和 R7 是連接至 R6 的（CH2) 2-0-的環(huán)鍵，或（CH2) 2-0- (CH2) 3-CH3、CH2-CH3 或連接至 R6 的 CH2-CH (CH3)-〇-環(huán)鍵； 或選自（1-甲氧基-2-丙基）乙酸酯、（2-丁氧基乙基）乙酸酯、碳酸亞乙酯、丙酮酸乙酯 (2-氧丙酸乙酯)或碳酸丙烯酯； e) 式VI的馬來酸酰胺或富馬酸酰胺； Rs-HN-CO-C = C-C0-0-R9 [式 VI ] 其中： Rs是氫、有支鏈或無支鏈的C1-C4烷基，或者有支鏈或無支鏈的、線性或環(huán)狀的Ci-C6烷 基，其中Ci-C6烷基被選自0!1、順2、0)0!1、0)、303!1、0?(0!〇 2中的一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)取代，并且1?9 是氫或有支鏈或無支鏈的&-C4烷基， 或選自以下馬來酸酰胺和它們的甲基酯、乙基酯、丙基酯和丁基酯:N-甲基馬來酰胺、 N-乙基馬來酰胺、N-(正丙基)-馬來酰胺、N-(異丙基)-馬來酰胺、N-(正丁基)-馬來酰胺、N-(異丁基馬來酰胺）、N-(叔丁基馬來酰胺)和相應(yīng)的富馬酸酰胺和它們的甲基酯、乙基酯、丙 基酯和丁基酯； f) 酸、銨鹽和它們的胺鹽，及它們的酰胺，特別是肉桂酸和肉桂酸鹽，及 f) 2,2-二甲氧基丙烷、丙酮酸醛-1,1-二甲基乙縮醛、二丙酮醇（2-甲基-2-戊醇-4-酮）、2_丁醇、2-乙?；?γ-丁內(nèi)酯、3-氨基-1H-1，2,4-三唑、γ-丁內(nèi)酯、煙酰胺、抗壞血酸、 Ν-乙?；被幔绕涫铅?乙酰甘氨酸、-丙氨酸、-半胱氨酸、-纈氨酸或-精氨酸、磷酸三乙 酯、乙酸正丁酯、二甲基亞砜或2,2,2_三氟乙醇。6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多相系統(tǒng)，其特征在于，兩親化合物選自式m的 乙酰乙酸酯： CH3-C0-CH2-C0-0-R5 [式 m ] 其中， R5是Cl_C4烷基。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的多相系統(tǒng)用于從表面去除光刻膠的用途。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用途，其中表面是非金屬表面，優(yōu)選是硅片或玻璃晶片和/或 在其上的金屬表面，優(yōu)選是銅或鋁。9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的用途，其中光刻膠是交聯(lián)的光刻膠。10. 根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的用途，其中金屬層涂覆于光刻膠上。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的用途，其中采用多相系統(tǒng)剝離位于光刻膠上的金屬層。12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的用途，其中金屬層仍然在金屬表面上。13. -種從表面上去除光刻膠涂層的方法，其中采用權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的組合 物。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中表面是金屬表面，優(yōu)選是硅片。15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其中光刻膠是交聯(lián)的光刻膠。16. 根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)所述的方法，其中金屬層涂覆于光刻膠上。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中采用多相系統(tǒng)將剝離位于光刻膠上的金屬層。18. 根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的方法，其中金屬層仍然在金屬表面上。19. 根據(jù)權(quán)利要求13-18中任一項(xiàng)所述的方法，其中多相系統(tǒng)涂覆于要處理的表面上， 且反應(yīng)30秒至5小時(shí)的時(shí)間。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中多相系統(tǒng)可以去除。
【文檔編號(hào)】C11D17/00GK105980540SQ201480067008
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2014年10月13日
【發(fā)明人】D·舒曼
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