一種YAB/SiO₂近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜及其制備方法和應(yīng)用
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種YAB/SiO2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜及其制備方法和應(yīng)用，制備方法包括以下步驟：(1)將無水乙醇與非極性有機溶劑配置成混合溶劑；(2)加入YAB/SiO2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料，攪拌并超聲至30～50℃，制得漿料；(3)采用表面溶脹的方法，將市售的EVA膜在漿料中浸漬，然后烘干即得YAB/SiO2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜，該膜具有光子轉(zhuǎn)換、散射、折射和增透等光子管理能力，可應(yīng)用于硅太陽能電池的增效。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制得的增效EVA膜性能均勻一致性，應(yīng)用于硅太陽能電池能有效提高光透過率及電池的電流密度，同時能夠改善EVA膜的老化性能等優(yōu)點。
【專利說明】
一種YAB/S i 02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料増效EVA膜及其制備 方法和應(yīng)用
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于發(fā)光材料技術(shù)及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種YAB/Si02近紅外微納米 復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜及其制備方法和該技術(shù)在硅太陽能電池增效中的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)硅太陽能電池(晶體硅是一種間接能隙半導(dǎo)體材料，能隙1.12eV，只能有效吸 收利用700~llOOnm的太陽光子）的能量損失主要有4個過程：1、熱損失；2、界面電位損失； 3、接觸電阻損失;4、復(fù)合損失。其中以熱損失最為關(guān)鍵。高于硅帶隙的光子大多以熱載流子 的形式很快轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?，使得太陽能電池的效率降低。晶硅太陽能電池的理論轉(zhuǎn)化效率值 為31%。目前單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率的最高記錄為24.7%，工業(yè)生產(chǎn)的晶硅電池片的效率則 更低，產(chǎn)業(yè)化多晶硅電池片的效率約為15%。如果將太陽光譜中能量較高的紫外可見光加 以利用，則可有效增加電池片的轉(zhuǎn)換效率。有報道顯示，通過近紅外光轉(zhuǎn)換材料進(jìn)行的光轉(zhuǎn) 換太陽能電池的理論上限可以從30%提高到38.6%。近年來，關(guān)于近紅外光轉(zhuǎn)換材料的研 究成為學(xué)者的研究熱點。但合成的近紅外轉(zhuǎn)化材料的可轉(zhuǎn)換光的窗口較窄。例如，傳統(tǒng)的近 紅外發(fā)光熒光粉YV0 4:Yb盡管其紅外發(fā)光強度高，但其激發(fā)光波長只覆蓋了太陽光分布較 少的紫外光區(qū)（250~350nm);又如:Ce，Yb，其激發(fā)波長范圍為400~500nm，僅覆蓋 了太陽光可見光區(qū)的小部分。這些現(xiàn)有的近紅外光轉(zhuǎn)換材料存在的局限性，導(dǎo)致其不能較 高的利用太陽光，限制了太陽能電池效率的提升。另一方面，有關(guān)光轉(zhuǎn)換EVA膜的應(yīng)用還未 見報道，主要原因是將上述紅外光轉(zhuǎn)換材料加入到EVA膜中，將會導(dǎo)致EVA膜的光透過率下 降，反而降低了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0003] 中國專利CN105349146A公開了一種YAB/Si〇2近紅外微納米發(fā)光材料及其制備和 應(yīng)用。該專利將YAB/Si0 2近紅外微納米發(fā)光材料均勻分散在EVA母料中，制得光轉(zhuǎn)換EVA膜。 但是由于YAB/Si02近紅外微納米發(fā)光材料很難均勻分散在EVA母料中，制膜后性能很難一 致，這不利于電池光電轉(zhuǎn)換效率的提高，同時也不利于工業(yè)化生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種性能均勻一致 性、能有效提高光透過率及電池的電流密度，同時能夠改善EVA膜的老化性能的YAB/Si0 2近 紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜及其制備方法，該方法制備得到的增效EVA膜可用于硅 太陽能電池。
[0005] 本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：
[0006] -種YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法，包括以下步驟：
[0007] (1)將無水乙醇與非極性有機溶劑按照體積比為1~10:1配置成混合溶劑；
[0008] (2)將YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料加入混合溶劑中，攪拌并超聲至30~ 50°C，制得漿料，所述的YAB/Si0 2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料與混合溶劑的質(zhì)量體積比為 0.01~lg:lOOmL;
[0009] (3)采用表面溶脹的方法，將市售的EVA膜在步驟(2)制得的漿料中浸漬，然后烘干 即得YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜。
[0010]該制備方法還包括將制得的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜在90 ~130°C熱壓成型的步驟。
[0011]步驟(1)中所述的非極性有機溶劑包括氯仿、石油醚、甲苯或乙二醇，優(yōu)選氯仿。 [0012]所述的無水乙醇與非極性有機溶劑的體積比為3:1，所述的YAB/Si02近紅外微納 米復(fù)合發(fā)光材料與混合溶劑的質(zhì)量體積比為〇. 〇 12g: 1 OOmL。
[0013] YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料為無機材料，EVA為有機材料，要使EVA表面 溶脹，無機粉體材料分散吸附，需要使用極性/非極性混合溶劑，混合溶劑中無水乙醇含量 太高，溶脹時間太長，無水乙醇含量太低，溶脹速率不容易控制，因此優(yōu)選無水乙醇與非極 性有機溶劑的體積比為3:1。
[0014] YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料與混合溶劑的質(zhì)量體積比優(yōu)選為0.012g: 100mL，體積比過高影響EVA的透過率，過低降低轉(zhuǎn)光效率，其結(jié)果對電池光電轉(zhuǎn)換效率不 利。
[0015] 本發(fā)明在30~50°C進(jìn)行EVA膜的浸漬，在該溫度范圍內(nèi)，EVA膜表面溶脹速率可控 性及無機粉體材料分散吸附性能較好，有利于無機粉體材料在EVA膜表面吸附。如果浸漬時 溫度過高，則EVA容易溶解在溶劑中，造成膜的損壞，溫度太低，則溶脹時間太長。
[0016] 步驟(3)中所述的浸漬時間為5~100s，烘干溫度為30~50°C。
[0017] 優(yōu)選浸漬時間為35s。
[0018] 步驟(3)中的烘干時間為1~6h，優(yōu)選3h。
[0019] 步驟（2)中所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料的制備方法包括以下步 驟：
[0020] 將干凈的YAB熒光發(fā)射材料和二氧化硅氣凝膠按照質(zhì)量比100:1~20混合，然后在 去離子水、無水乙醇或乙醇溶液的作用下進(jìn)行濕法球磨，再經(jīng)干燥、粉碎后，制得YAB/Si0 2 近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料。
[0021] 通過將YAB熒光發(fā)射材料用去離子水清洗并離心處理，直至上層為無色透明液體 來將其處理干凈。
[0022]優(yōu)選地，在體積分?jǐn)?shù)為95 %的乙醇溶液的作用下進(jìn)行濕法球磨。
[0023]所述的YAB熒光發(fā)射材料的粒徑為1~3μπι，所述的二氧化硅氣凝膠的粒徑為10~ 100nm；
[0024]所述的YAB熒光發(fā)射材料和二氧化硅氣凝膠的質(zhì)量比為100:8;
[0025] 所述的濕法球磨的時間為1~24h;優(yōu)選球磨時間為12h。
[0026] 干燥溫度為80~150°C ;優(yōu)選干燥溫度為120°C ;
[0027] 所述的二氧化硅氣凝膠選自市售的TSA-270L或A380中的一種。
[0028] 所述的YAB熒光發(fā)射材料的化學(xué)式為Yi-y-ZM ZA13-4803)4:〇3\，￥133\，其中1為別 3+ 和La3+中的一種或兩種，0〈x彡0.2，0〈y彡0.2，0彡z彡0.2;該熒光發(fā)射材料制備方法包括以 下步驟：
[0029] (a)將 ￥3+、厶13+』13+、1^3+、￥13 3+的氧化物及!13803和(^鹽按照化學(xué)式￥11- 21^13^ (B03)4:Cr3+x，Yb3+#的各元素的組成比進(jìn)行混合得到混合物，
[0030] (b)在步驟(a)得到的混合物中加入無水乙醇并研磨烘干，將烘干后的混合粉末升 溫至1000 °C~1400 °C，燒結(jié)3~8小時，
[0031] 或?qū)⒉襟E(a)得到的混合物高速攪拌均勻，然后升溫至1000°C~1400°C燒結(jié)3~8 小時。
[0032]步驟(b)中的燒結(jié)溫度為1150°C，燒結(jié)時間為5小時。
[0033]所述的制備方法制備得到的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜，其 特征在于，由EVA膜和負(fù)載在EVA膜表面的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料組成，所述 的YAB/Si0 2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料的粒徑為10~lOOOnm。
[0034]所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜在硅太陽能電池增效中的 應(yīng)用。
[0035] 該增效EVA膜可提高EVA膜的光透過率及電池電流密度，提高電池光電轉(zhuǎn)換效率 0.5~1.0個百分點左右，還可以改善EVA膜的老化性能，是一種有效的電池增效技術(shù)。
[0036]本發(fā)明采用《一種寬帶紫外-可見光激發(fā)的近紅外熒光發(fā)射材料及其制備方法和 應(yīng)用》（專利號：ZL 201310098279.7)所述的方法，得到一種YAB近紅外發(fā)光材料，以YA13 (Bosh作為基質(zhì)，Cr3+取代氧化鋁的格位，Yb3+取代氧化釔的格位，Cr3+作為可見光的發(fā)光中 心，Yb 3+作為近紅外光的發(fā)光中心，Cr3+，Yb3+之間發(fā)生能量轉(zhuǎn)移。在制備過程中，適量加入 鉍、鑭離子中的一種或兩種，可以進(jìn)入氧化釔的格位，能增加 Cr3+在可見光區(qū)的吸收，進(jìn)而敏 化Yb3+的近紅外發(fā)光強度。
[0037] YAB熒光發(fā)射材料和二氧化硅氣凝膠混合，濕法球磨，得到Y(jié)AB/Si02近紅外微納米 復(fù)合發(fā)光材料，該材料外觀為淺綠色;在紫外-可見光區(qū)有強吸收;激發(fā)波長為350~650nm 之間，發(fā)射光譜為950~llOOnm;其近紅外發(fā)光強度高，熒光性能穩(wěn)定。其發(fā)射光譜正好位于 晶娃電池的最佳窗口。
[0038]將上述YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料超聲均勻分散在一種無水乙醇-非極 性混合溶劑中，得到一種乳白色的穩(wěn)定漿料。該漿料在EVA膜上分散性好，安全無毒，化學(xué)穩(wěn) 定好，易于長期保存。
[0039]本發(fā)明采用表面溶脹的方法，將市售光伏用EVA薄膜在一定溫度下浸漬于上述漿 料中一定時間，使?jié){料中的YAB/Si02均勻牢固附著在EVA薄膜表面，取出烘干后得到一種增 效EVA薄膜，該薄膜具有光子轉(zhuǎn)換、散射、折射和增透等光子管理能力，并且性能均勻一致。 該方法工藝簡單，綠色環(huán)保，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
[0040] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：
[0041] (1)所述超寬帶紫外-可見光激發(fā)的YAB/Si02近紅外微納米發(fā)光材料的激發(fā)波長 在350nm~650nm紅外光區(qū)的發(fā)射主峰為900~llOOnm的寬帶發(fā)射，該熒光材料的激發(fā)波長 比較寬泛，能很好地利用太能光，而且熒光強度值比較高，是一種理想的硅太陽能電池增效 用的近紅外轉(zhuǎn)換材料；
[0042] (2)超寬帶紫外-可見光激發(fā)的YAB/Si02近紅外微納米發(fā)光材料在紫外光區(qū)有強 吸收，納米Si0 2具有光散射作用及在EVA中的分散作用，可以改善光轉(zhuǎn)換EVA膜的使用壽命， 提高EVA膜的透過率，對硅太陽能電池具有增效作用；
[0043] (3)本發(fā)明的YAB熒光發(fā)射材料采用高溫固相法，合成材料安全無毒、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn) 定、焚光性能穩(wěn)定，易于長期保存；
[0044] (4)本發(fā)明的制備工藝簡單易、綠色環(huán)保，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0045] 圖1為YAB熒光發(fā)射材料激發(fā)與發(fā)射光譜；
[0046]圖2為實施例12中所制備的增效EVA膜在電池應(yīng)用中的J-V曲線。
【具體實施方式】
[0047] 下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，其目的僅在于更好理解本發(fā) 明的內(nèi)容而非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0048] 實施例1
[0049] 本實施例所提供的一種YAB/Si02微納米近紅外發(fā)射材料的制備方法，具體步驟如 下：
[0050] 1)稱取下述物料：95 · 3822g的Y2〇3，136 · 5448g的Al2〇3，249 · 2986g的H3B〇3， 23.2848g的Bi(N03)3 · 5H20，13.2410g的Yb2〇3，15.3206g的Cr2〇3。
[0051 ] 2)將上述原料在高速分散機中混合攪拌均勻；
[0052] 3)將上述混合均勻粉料在高溫爐中1200°C下，高溫?zé)Y(jié)6小時，得到Y(jié)AB熒光發(fā)射 材料，激發(fā)與發(fā)射光譜如圖1所示；
[0053] 4)取上述YAB熒光發(fā)射材料200g于球磨罐中，加入納米Si02 16g，加入適量球磨用 瑪瑙珠和去離子水后，球磨12小時；
[0054] 5)上述球磨后的漿料置于鼓風(fēng)干燥箱或真空干燥箱內(nèi)120 °C下烘干；
[0055] 6)將上述烘干后的物料取出、高速打碎，即得所需YAB/Si02近紅外微納米發(fā)光材 料。
[0056] 制得的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料的粒徑為10~lOOOnm
[0057] 實施例2
[0058]本實施例所提供的一種YAB/Si02微納米近紅外發(fā)射材料的制備方法與實施例1基 本相同，不同之處在于：
[0059]步驟5)改為將上述球磨后的200g YAB熒光發(fā)射材料與16g Si02氣凝膠在乙醇溶 液中攪拌混合1小時。
[0060] 實施例3
[00611本實施例所提供的一種YAB/Si02微納米近紅外發(fā)射材料的制備方法與實施例1基 本相同，不同之處是在：
[0062]將步驟5)中的Si02氣凝膠的添加量改為12g。
[0063] 實施例4
[0064]本實施例提供的一種YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方 法，具體步驟如下：
[0065] 1)準(zhǔn)確量取40L無水乙醇和10L氯仿配置成無水乙醇-氯仿溶液；
[0066] 2)量取100g實施例1制備的YAB/Si02近紅外發(fā)射材料加入步驟1)中無水乙醇-氯 仿溶液，攪拌，超聲30min;
[0067] 3)當(dāng)上述漿料溫度達(dá)到50°C時，將EVA膜浸漬上述漿料中，60s后取出；
[0068] 4)取出的EVA膜用吹風(fēng)機簡單吹干，置于30 °C烘箱中放置4h，制得YAB/Si02近紅外 微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜；
[0069] 5)將上述薄膜置于120°C烘箱中熱壓5min，自然冷卻至室溫。
[0070] 實施例5
[0071] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0072]將步驟1)中的無水乙醇量取體積為30L，氯仿的量取體積為10L。
[0073] 實施例6
[0074] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0075]將步驟1)中的無水乙醇量取體積為50L，氯仿的量取體積為10L。
[0076] 實施例7
[0077] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0078]將步驟2)中YAB/Si02近紅外發(fā)射材料的加入量為200g。
[0079] 實施例8
[0080] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0081 ]將步驟2)中YAB/Si02近紅外發(fā)射材料的加入量為50g。
[0082] 實施例9
[0083] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0084] 將步驟3)中漿料溫度達(dá)到30 °C時再浸漬EVA膜。
[0085] 實施例10
[0086] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0087] 將步驟3)中漿料溫度達(dá)到40 °C時再浸漬EVA膜。
[0088] 實施例11
[0089] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0090] 將步驟3)中EVA膜的浸漬時間為20s。
[0091] 實施例12
[0092] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0093]將步驟3)中EVA膜的浸漬時間為40s。
[0094]分別將空白（未處理)EVA膜、EVA膜僅摻雜（浸漬）Si02、EVA膜僅摻雜(浸漬)YAB熒 光發(fā)射材料及本實施例EVA膜摻雜(浸漬)YAB/Si02制得的增效EVA膜分別記為A、B、C和D，其 在電池應(yīng)用中的J-V曲線和數(shù)據(jù)分別見圖2和表1?？梢?，摻雜(浸漬)YAB/Si0 2后，電池光電 轉(zhuǎn)換效率提高0.81 %。
[0095] 表 1
[0096]
[0097] 實施例13
[0098]本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0099]將步驟4)中烘箱溫度設(shè)定為50°C。
[0100] 實施例14
[0101] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0102] 將步驟4)中烘箱溫度設(shè)定為40 °C。
[0103] 實施例15
[0104] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0105] 將步驟4)中放置烘箱中時間設(shè)定為2h。
[0106] 實施例16
[0107] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0108] 將步驟5)中薄膜置于90°C中熱壓成型。
[0109] 實施例17
[0110] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0111] 將步驟5)中薄膜置于130°C中熱壓成型。
[0112] 實施例18
[0113] 將上述熱壓成型后的EVA膜的玻璃片覆蓋在裸硅電池片上，即可檢測電池片J-V曲 線和EVA轉(zhuǎn)光膜的使用效果。
[0114] 實施例19
[0115] 將實施例13制得的EVA轉(zhuǎn)光膜直接應(yīng)用于電池片的封裝可提高晶硅電池的光電轉(zhuǎn) 換效率。
[0116] 實施例20
[0117]本實施例與實施例4基本相同，不同之處在于，本實施例中的非極性有機溶劑為石 油醚，無水乙醇與石油醚的體積比為1:1。
[0118] 實施例21
[0119] 本實施例與實施例4基本相同，不同之處在于，本實施例中的非極性有機溶劑為甲 苯，無水乙醇與甲苯的體積比為10:1。
[0120] 實施例22
[0121 ]本實施例與實施例4基本相同，不同之處在于，本實施例中的非極性有機溶劑為乙 二醇，無水乙醇與乙二醇的體積比為5:1。
[0122] 實施例23
[0123] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例中步驟4 )YAB熒光發(fā)射材 料的粒徑為1~3μπι，加入的S i02氣凝膠為2g，粒徑為10~1 OOnm。
[0124] 實施例24
[0125] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例中步驟4 )YAB熒光發(fā)射材 料的粒徑為1~3μπι，加入的S i02氣凝膠為40g，粒徑為10~1 OOnm。
[0126] 實施例25
[0127] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例中步驟4)加入的Si〇2氣凝 膠為市售的TSA-270L型。
[0128] 實施例26
[0129] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例中步驟4)加入的Si〇2氣凝 膠為市售的A380型。
[0130] 實施例27
[0131] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0132] 將步驟2)中YAB/Si02近紅外發(fā)射材料的加入量為5g。
[0133] 實施例28
[0134] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0135] 將步驟2)中YAB/Si02近紅外發(fā)射材料的加入量為500g。
[0136] 實施例29
[0137] 本實施例提供的一種近紅外發(fā)射EVA膜的制備方法，與實施例4基本相同，不同之 處是在：
[0138] 將步驟2)中YAB/Si02近紅外發(fā)射材料的加入量為6g。
[0139] 實施例30
[0140] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例的步驟3)中將混合均勻粉 料在高溫爐中1150 °C下，高溫?zé)Y(jié)5小時。
[0141] 實施例31
[0142] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例的步驟3)中將混合均勻粉 料在高溫爐中1000 °C下，高溫?zé)Y(jié)8小時。
[0143] 實施例32
[0144] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例的步驟3)中將混合均勻粉 料在高溫爐中1400 °C下，高溫?zé)Y(jié)3小時。
[0145] 實施例33
[0146] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例的步驟4)在無水乙醇的作 用下進(jìn)行濕法球磨，球磨時間為24h。
[0147] 實施例34
[0148] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例的步驟4)在體積分?jǐn)?shù)為 95%的乙醇溶液的作用下進(jìn)行濕法球磨，球磨時間為lh。
[0149] 實施例35
[0150] 本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于，本實施例中YAB熒光發(fā)射材料的化 學(xué)式為Yi-y-zM zA13-x(B03 )4: Cr3+X，Yb3+y，其中Μ為 Bi3+和La3+ 中的一種或兩種，0〈x彡 0 · 2，0〈y 彡 0.2,0彡z彡0.2;步驟1)中按照Y3+、Al3+、Bi3+、La 3+、Yb3+的氧化物及H3B〇3和Cr鹽按照化學(xué)式 Yl-y-zMzAl3-\(13〇3)4:〇3\，￥133\中的各元素的組成進(jìn)行稱量。
[0151] 以上所述為本發(fā)明的較佳實施例而已，但本發(fā)明不應(yīng)該局限于該實施例所公開的 內(nèi)容。所以凡是不脫離本發(fā)明所公開的精神下完成的等效或修改，都落入本發(fā)明保護(hù)的范 圍。
【主權(quán)項】
1. 一種YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法，其特征在于，包括 以下步驟： (1) 將無水乙醇與非極性有機溶劑按照體積比為1~10:1配置成混合溶劑； (2) 將YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料加入混合溶劑中，攪拌并超聲至30~50°C， 制得漿料，所述的YAB/Si0 2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料與混合溶劑的質(zhì)量體積比為0.01~ lg:100mL； (3) 采用表面溶脹的方法，將市售的EVA膜在步驟(2)制得的漿料中浸漬，然后烘干即得 YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法， 其特征在于，步驟（1)中所述的非極性有機溶劑包括氯仿、石油醚、甲苯或乙二醇，優(yōu)選氯 仿。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方 法，其特征在于，所述的無水乙醇與非極性有機溶劑的體積比為3:1，所述的YAB/Si0 2近紅 外微納米復(fù)合發(fā)光材料與混合溶劑的質(zhì)量體積比為〇. 〇 12g: 1 OOmL。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法， 其特征在于，步驟(3)中所述的浸漬時間為5~100s，烘干溫度為30~50°C。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法， 其特征在于，步驟(2)中所述的YAB/Si0 2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料的制備方法包括以下 步驟： 將干凈的YAB熒光發(fā)射材料和二氧化硅氣凝膠按照質(zhì)量比100:1~20混合，然后在去離 子水、無水乙醇或乙醇溶液的作用下進(jìn)行濕法球磨，再經(jīng)干燥、粉碎后，制得YAB/Si02近紅 外微納米復(fù)合發(fā)光材料。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法， 其特征在于， 所述的YAB熒光發(fā)射材料的粒徑為1~3μπι，所述的二氧化硅氣凝膠的粒徑為10~ 100nm； 所述的YAB熒光發(fā)射材料和二氧化硅氣凝膠的質(zhì)量比為100:8; 所述的濕法球磨的時間為1~24h; 干燥溫度為80~150 °C; 所述的二氧化硅氣凝膠選自市售的TSA-270L或A380中的一種。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法， 其特征在于，所述的YAB焚光發(fā)射材料的化學(xué)式為Yi- y-ZMZA13-x(B0 3 )4: Cr3+X，Yb3+y，其中Μ為 Bi3+和La3+中的一種或兩種，0〈χ彡0.2,0〈y彡0.2,0彡ζ彡0.2;該熒光發(fā)射材料制備方法包 括以下步驟： (a) 將￥3+、六13+、8丨3+、1^3+、￥13 3+的氧化物及出803和(>鹽按照化學(xué)式￥11-^13^(80 3)4: Cr3+x，Yb3+y*的各元素的組成比進(jìn)行混合得到混合物， (b) 在步驟(a)得到的混合物中加入無水乙醇并研磨烘干，將烘干后的混合粉末升溫至 1000 °C~1400 °C，燒結(jié)3~8小時， 或?qū)⒉襟E(a)得到的混合物高速攪拌均勻，然后升溫至1000 °C~1400 °C燒結(jié)3~8小時。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜的制備方法， 其特征在于，步驟(b)中的燒結(jié)溫度為1150°C，燒結(jié)時間為5小時。9. 如權(quán)利要求1所述的制備方法制備得到的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效 EVA膜，其特征在于，由EVA膜和負(fù)載在EVA膜表面的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料組 成，所述的YAB/Si〇2近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料的粒徑為10~lOOOnm。10. 如權(quán)利要求9所述的YAB/Si02近紅外微納米復(fù)合發(fā)光材料增效EVA膜在硅太陽能電 池增效中的應(yīng)用。
【文檔編號】C08K3/38GK106009210SQ201610318514
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月13日
【發(fā)明人】余錫賓, 聶思洋, 殷慧敏, 王雨芹, 陳明, 祝燕
【申請人】上海師范大學(xué)