用于有機(jī)發(fā)光器件的材料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于電子器件中的材料，特別是在有機(jī)發(fā)光器件中用作磷光發(fā)光體的主體材料的材料，和涉及包含這些材料的電子器件，特別是有機(jī)發(fā)光器件。
【專利說明】用于有機(jī)發(fā)光器件的材料
[0001] 本發(fā)明設(shè)及用于電子器件中、尤其是用作有機(jī)電致發(fā)光器件中的憐光發(fā)光體的主 體材料的材料，和設(shè)及包含運(yùn)些材料的電子器件、尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0002] 用于有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)中的發(fā)光材料越來越多地是顯示憐光而不是巧光 的有機(jī)金屬絡(luò)合物，尤其是銀或銷絡(luò)合物。出于量子力學(xué)的原因，使用憐光有機(jī)金屬化合物 作為憐光發(fā)光體可實(shí)現(xiàn)高達(dá)四倍的能量和功率效率。然而，一般來講，在化抓中，特別還在 顯示立重態(tài)發(fā)光(憐光)的0L邸中，例如在效率、工作電壓和壽命方面仍需要改進(jìn)。
[0003] 憐光OLm)的性能不僅僅由使用的Ξ重態(tài)發(fā)光體所決定。在此同樣特別重要的尤其 是所用的其它材料，例如基質(zhì)材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、空穴傳輸材料和電子或 激子阻擋材料。因此，對運(yùn)些材料的改進(jìn)也導(dǎo)致0L抓性能的顯著改進(jìn)。同樣對于巧光化抓， 也需要改進(jìn)運(yùn)些材料。
[0004] 根據(jù)先前技術(shù)，例如根據(jù)W0 2011/137951或W0 2013/064206的內(nèi)酷胺是一種用于 憐光發(fā)光體的基質(zhì)材料。然而，與使用其它基質(zhì)材料一樣，在使用運(yùn)些基質(zhì)材料的情況中， 尤其是關(guān)于器件的效率和壽命仍需要改進(jìn)。
[0005] 本發(fā)明的目的是提供適合用于巧光0L抓中或更特別地用于憐光化邸中的化合物， 其例如根據(jù)準(zhǔn)確的取代方式用作基質(zhì)材料或用作電子傳輸或空穴阻擋材料。更特別地，本 發(fā)明的目的是提供適合用于綠色憐光、黃色憐光和紅色憐光0L邸的基質(zhì)材料。
[0006] 令人驚訝地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過W下詳細(xì)描述的化合物實(shí)現(xiàn)了該目的，并且運(yùn)些在有 機(jī)電致發(fā)光器件中，特別是在壽命、效率和工作電壓方面導(dǎo)致明顯改進(jìn)。運(yùn)特別是當(dāng)所述化 合物用作基質(zhì)材料時(shí)，對紅色憐光、黃色憐光和綠色憐光電致發(fā)光器件尤其如此。所述材料 另外的特征是高的熱穩(wěn)定性。因此，本發(fā)明提供運(yùn)些化合物和包含運(yùn)些化合物的電子器件、 尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0007] 本發(fā)明提供一種下式(1)的化合物，
[000引
[0009] 其中所使用的符號如下：
[0010] X在每種情況下相同或不同，并且是CR或N，或兩個(gè)相鄰的X基團(tuán)一起為0、S或NR從 而給出五元環(huán)，或兩個(gè)相鄰的X基團(tuán)一起為式(2)、（3)或(4)的基團(tuán)，
[0011] 條件是式(1)的化合物包含至少一個(gè)式(2)的基團(tuán)，
[0012]
[0013] 其中·'指示式（1)中相應(yīng)的相鄰X基團(tuán)，即式(2)或(3)或(4)的基團(tuán)在運(yùn)些位置處稠 合到式(1)的化合物；
[0014] A\A2在每種情況下相同或不同，并且是單鍵、CR2、NR、0、S或C = 0;
[001引 Z在每種情況下相同或不同，并且是〔=0、〔 = 5、0?2、服油1?2、口（=0瓜50或502;
[0016] Y在Ari為6元芳基或雜芳基基團(tuán)時(shí)是C，或在Ari為5元雜芳基基團(tuán)時(shí)是C或N;
[0017] E在每種情況下相同或不同，并且是單鍵、CR2、NR、0、S或C = 0,條件是式(4)中的E 不是單鍵；
[001引 Ari在每種情況下相同或不同，并且與明確示出的Y基團(tuán)和碳原子一起為具有5~ 24個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；
[0019] Ar2在每種情況下相同或不同，并且與明確示出的Ξ個(gè)碳原子一起為具有5~24個(gè) 芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；
[0020] G在每種情況下相同或不同，并且是CR或N;
[0021] R在每種情況下相同或不同，并且選自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，N〇2，N(Ar3)2，N(Ri)2，C (=0)Ar3，C(=0)Rl，P(=0)(Ar3)2，具有l(wèi)~40個(gè)碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基 團(tuán)，或具有3~40個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有2~40個(gè)碳 原子的締基或烘基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè) 非相鄰的 C 出基團(tuán)可被r1c = CR1、C三(：、51(1?1)2、〔 = 0、〔=順1、口（=0)恤）、50、5〇2、^1、0、5或 CONRi代替，且其中一個(gè)或多個(gè)氨原子可被D、F、C1、Br、I、CN或N02代替，具有5~40個(gè)芳族環(huán) 原子且在每種情況中可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，具有5~40個(gè)芳族 環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5~40個(gè)芳族環(huán)原 子且可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，其中兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的R取 代基可W任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)Ri 基團(tuán)取代；
[0022] Ar3在每種情況下相同或不同，并且是具有5~30個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè) 非芳族Ri基團(tuán)取代的芳族環(huán)或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，鍵合到同一氮原子或憐原子的兩個(gè)Ar3基 團(tuán)還可W通過單鍵或選自n(ri)、c(ri)2和0中的橋連基彼此橋連；
[002；3] R唯每種情況下相同或不同，并且選自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，N〇2，N(R2)2，C(=0)R2，P (=0)(R2)2,具有1~40個(gè)碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有3~40個(gè)碳原 子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有2~40個(gè)碳原子的締基或烘基基 團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C出基團(tuán)可被 R 化= CR2、C三C、Si(R2)2、C = 0、C = NR2、P(=0)(R2)、S0、S02、NR2、0、S或C0NR2代替，且其中一 個(gè)或多個(gè)氨原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，具有5~40個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況中 可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，具有5~40個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或 多個(gè)R2基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5~40個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，其中兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的Ri取代基可W任選地形成單 環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代；
[0024] R2選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1~20個(gè)碳原子的脂族控基基團(tuán)，具有5~30個(gè)芳族環(huán)原子 的芳族或雜芳族環(huán)系，其中兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的R2取代基可一起形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、 芳族或雜芳族環(huán)系。
[0025] 在本發(fā)明上下文中相鄰的X基團(tuán)是彼此直接鍵合的X基團(tuán)。在本發(fā)明上下文中相鄰 的取代基是鍵合到又彼此直接鍵合的原子、或鍵合到同一原子的取代基。
[0026] 在本發(fā)明的上下文中的芳基基團(tuán)包含6~60個(gè)碳原子;在本發(fā)明上下文中的雜芳 基基團(tuán)包含2~60個(gè)碳原子和至少一個(gè)雜原子，條件是碳原子和雜原子的總和至少為5。所 述雜原子優(yōu)選選自N、0和/或S。芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)在此被理解為是指簡單的芳族環(huán)即 苯，或者簡單的雜芳族環(huán)如化晚、喀晚、嚷吩等，或者稠合(縮合)的芳基或者雜芳基基團(tuán)如 糞、蔥、菲、哇嘟、異哇嘟等。相反，通過單鍵彼此結(jié)合的芳族體系如聯(lián)苯，不稱為芳基或雜芳 基基團(tuán)，而是稱為芳族環(huán)系。
[0027] 在本發(fā)明上下文中的芳族環(huán)系在所述環(huán)系中包含6~80個(gè)碳原子。在本發(fā)明上下 文中的雜芳族環(huán)系在所述環(huán)系中包含2~60個(gè)碳原子和至少一個(gè)雜原子，條件是碳原子和 雜原子的總和至少為5。所述雜原子優(yōu)選選自N、0和/或S。在本發(fā)明上下文中的芳族或雜芳 族環(huán)系應(yīng)被理解為是指如下的體系，其不必僅包含芳基或雜芳基基團(tuán)，而是其中兩個(gè)或更 多個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)還可通過非芳族單元如碳、氮或氧原子連接。例如，諸如巧、9,9'-螺 二巧、9,9-二芳基巧、Ξ芳基胺、二芳基酸、巧等的體系也應(yīng)被視為本發(fā)明上下文中的芳族 環(huán)系，同樣其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基基團(tuán)通過例如短的烷基基團(tuán)連接的體系也被視為本發(fā)明 上下文中的芳族環(huán)系。
[00%]在本發(fā)明的上下文中，可包含1~40碳原子且其中單獨(dú)的氨原子或C此基團(tuán)還可被 上述基團(tuán)代替的脂族控基基團(tuán)或烷基基團(tuán)或締基或烘基基團(tuán)優(yōu)選被理解為是指甲基、乙 基、正丙基、異丙基、正下基、異下基、仲下基、叔下基、2-甲基下基、正戊基、仲戊基、新戊基、 環(huán)戊基、正己基、新己基、環(huán)己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、Ξ氣甲基、 五氣乙基、氣乙基、乙締基、丙締基、下締基、戊締基、環(huán)戊締基、己締基、環(huán)己締基、 庚締基、環(huán)庚締基、辛締基、環(huán)辛締基、乙烘基、丙烘基、下烘基、戊烘基、己烘基、庚烘基或辛 烘基基團(tuán)。具有1~40個(gè)碳原子的烷氧基基團(tuán)優(yōu)選被理解為是指甲氧基、Ξ氣甲氧基、乙氧 基、正丙氧基、異丙氧基、正下氧基、異下氧基、仲下氧基、叔下氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2- 甲基下氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正辛氧基、環(huán)辛氧基、2-乙基己氧 基、五氣乙氧基和氣乙氧基。具有1至40個(gè)碳原子的硫代烷基被理解為特別是指甲 硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正下硫基、異下硫基、仲下硫基、叔下硫基、正戊硫基、仲 戊硫基、正己硫基、環(huán)己硫基、正庚硫基、環(huán)庚硫基、正辛硫基、環(huán)辛硫基、2-乙基己硫基、Ξ 氣甲硫基、五氣乙硫基、氣乙硫基、乙締硫基、丙締硫基、下締硫基、戊締硫基、環(huán)戊 締硫基、己締硫基、環(huán)己締硫基、庚締硫基、環(huán)庚締硫基、辛締硫基、環(huán)辛締硫基、乙烘硫基、 丙烘硫基、下烘硫基、戊烘硫基、己烘硫基、庚烘硫基或辛烘硫基。一般來講，根據(jù)本發(fā)明的 烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)可W是直鏈、支鏈或環(huán)狀的，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C此基 團(tuán)可被上述基團(tuán)代替；此外，一個(gè)或多個(gè)氨原子也可被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，優(yōu)選被 F、C1或CN代替，還優(yōu)選被F或CN代替，特別優(yōu)選被CN代替。
[0029] 具有5~80個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況下還可被上述Ri基團(tuán)或控基基團(tuán)取代且可 通過任意期望位置結(jié)合到芳族或雜芳族體系的芳族或雜芳族環(huán)系尤其理解為是指衍生自 如下物質(zhì)的基團(tuán)：苯、糞、蔥、苯并蔥、菲、巧、麓、巧、巧蔥、并四苯、并五苯、苯并巧、聯(lián)苯、偶 苯、Ξ聯(lián)苯、苯并菲、巧、螺二巧、二氨菲、二氨巧、四氨巧、順式或反式巧并巧、順式或反式巧 并巧挫、順式或反式嘲噪并巧挫、Ξ聚巧、異Ξ聚巧、螺Ξ聚巧、螺異Ξ聚巧、巧喃、苯并巧 喃、異苯并巧喃、二苯并巧喃、嚷吩、苯并嚷吩、異苯并嚷吩、二苯并嚷吩、化咯、嗎I噪、異嗎I 噪、巧挫、化晚、哇嘟、異哇嘟、叮晚、菲晚、苯并-5，6-哇嘟、苯并-6，7-哇嘟、苯并-7，8-哇嘟、 吩嚷嗦、吩囉嗦、化挫、嘲挫、咪挫、苯并咪挫、糞并咪挫、菲并咪挫、化晚并咪挫、化嗦并咪 挫、哇喔嘟并咪挫、P惡挫、苯并囉挫、糞并蝶挫、蔥并驟挫、菲并囉:挫、異臟挫、1，2-嚷挫、1， 3-嚷挫、苯并嚷挫、化嗦、六氮雜苯并菲、苯并化嗦、喀晚、苯并喀晚、哇喔嘟、1，5-二氮雜蔥、 2,7-二氮雜巧、2,3-二氮雜巧、1,6-二氮雜巧、1,8-二氮雜巧、4,5-二氮雜巧、4,5,9,10-四 氮雜巧、化嗦、吩嗦、吩臟嗦、吩嚷嗦、巧紅環(huán)、糞晚、氮雜巧挫、苯并巧嘟、菲咯嘟、1，2，3-Ξ 挫、1，2，4-Ξ挫、苯并 Ξ挫、1，2，3-雜二挫、1，2，4-囉二挫、1，2，5-賺二挫、1，3，4-?二挫、1， 2,3-嚷二挫、1，2,4-嚷二挫、1，2,5-嚷二挫、1，3,4-嚷二挫、1，3,5-Ξ 嗦、1，2,4-Ξ 嗦、1，2， 3-立嗦、四挫、1，2,4,5-四嗦、1，2,3,4-四嗦、1，2,3,5-四嗦、嚷嶺、蝶晚、嗎階和苯并嚷二 挫，或來自運(yùn)些體系的組合的基團(tuán)。
[0030] 式（1)結(jié)構(gòu)中的具有X基團(tuán)的各個(gè)環(huán)為五元或六元環(huán)，其中R基團(tuán)之間的成環(huán)還可 產(chǎn)生稠合結(jié)構(gòu)。即使當(dāng)相鄰的X基團(tuán)是式(2)、（3)或(4)的基團(tuán)時(shí)，仍產(chǎn)生更大的稠合結(jié)構(gòu)。 運(yùn)意味著，每個(gè)環(huán)不超過一個(gè)的Χ-Χ部分是〇、S或NR。此處優(yōu)選式（2)的基團(tuán)鍵合在六元環(huán) 內(nèi)。還優(yōu)選各個(gè)環(huán)包含不超過一個(gè)式(2)、（3)或(4)的基團(tuán)。因此，當(dāng)式（1)中的環(huán)包含式(2) 的基團(tuán)時(shí)，優(yōu)選該環(huán)中的其它X基團(tuán)相同或不同并且各自為CR或N，尤其是CR。
[0031] 還優(yōu)選每個(gè)環(huán)不超過一個(gè)X基團(tuán)是N。更優(yōu)選地，沒有X基團(tuán)是N，意味著不是式(2)、 (3)或(4)的基團(tuán)或0、S或NR的所有X基團(tuán)都更優(yōu)選為CR。
[0032] 當(dāng)存在式(3)或(4)的基團(tuán)時(shí)，優(yōu)選在運(yùn)些式中不超過一個(gè)G基團(tuán)是N。更優(yōu)選地，式 (3)和(4)的基團(tuán)中的所有G基團(tuán)都是CR。
[0033] 接下來是術(shù)語"環(huán)"或"具有X基團(tuán)的環(huán)"在式（1)中和在X的定義中的含義的示意性 說明：
[0034]
[0035] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，Ai和A2基團(tuán)中的至少一個(gè)為單鍵。在運(yùn)種情況 下，優(yōu)選式(2)的基團(tuán)鍵合到上面還存在作為單鍵的Ai或A2基團(tuán)的螺環(huán)化合物的同一半上。 在本發(fā)明的特別優(yōu)選的一種實(shí)施方式中，Ai和A2是單鍵。
[0036] 根據(jù)本發(fā)明，在所述環(huán)的至少一個(gè)中，兩個(gè)相鄰的X基團(tuán)是式(2)的基團(tuán)。在本發(fā)明 的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，式（1)的化合物包含一個(gè)或兩個(gè)式(2)的基團(tuán)，更優(yōu)選正好一個(gè)的 式(2)的基團(tuán)。
[0037]在此，式(2)的基團(tuán)可在任意位置且W任意取向鍵合。因此，式（1)的具有正好一個(gè) 式(2)基團(tuán)的合適實(shí)施方式是式(5)~（10)的化合物，
[00；3 引
[0039] 其中°表示與式(2)基團(tuán)中的氮原子的連接，#表示與式(2)基團(tuán)中的E基團(tuán)的連接， 且另外使用的符號如上定義的。在運(yùn)種情況下，優(yōu)選式(2)基團(tuán)所鍵合的環(huán)中的兩個(gè)X基團(tuán) 是CR或N，尤其是CR。
[0040] 當(dāng)式（1)的化合物具有兩個(gè)式(2)的基團(tuán)時(shí)，運(yùn)些基團(tuán)可W鍵合到螺環(huán)化合物的同 一半上，如下式（11)中示意性指示的，或者它們可鍵合到螺環(huán)化合物的不同兩半上，如下式 (12)中不意性指不的：
[0041] J
[0042] 在此，式（2)的基團(tuán)再次可W在所有位置且W所有可行的取向鍵合。具有兩個(gè)式 (2)的基團(tuán)的化合物的優(yōu)選實(shí)施方式是下式(12a)的化合物：
[0043]
[0044] 其中所使用的符號具有上面給出的定義。
[0045] 優(yōu)選式(5)~（10)的化合物，其中Ai和A2基團(tuán)中的至少一個(gè)為單鍵。特別優(yōu)選其中 Ai和A2各自為單鍵的化合物。
[0046] 另外優(yōu)選式(5)~（10)的化合物，其中所有X基團(tuán)在每種情況下相同或不同并且為 CRo
[0047] 非常特別優(yōu)選根據(jù)下式(5a)~（10a)的化合物，其中Ai和A2各自為單鍵并且其中所 有X基團(tuán)在每種情況下相同或不同并且為CR:
[004引
[0049] 其中所使用的符號具有上面給出的定義。尤其優(yōu)選的是式(5a)和(8a)的結(jié)構(gòu)。
[0050] 式(5a)~（1 Oa)的優(yōu)選化合物是式(5b)~（1化)的化合物：
[0化1 ]
[0化2]
[0053] 其中所使用的符號具有上面給出的定義。
[0054] 接下來是式(2)的基團(tuán)的說明。
[0055] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，Z相同或不同，并且是C = 0或C = S，更優(yōu)選C = 0。
[0056] 在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，E是單鍵、CR2、C = 0或NR，更優(yōu)選單鍵、CR2或C =0,最優(yōu)選單鍵。
[0057] 在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，Ari基團(tuán)是下式（13)、（14)、（15)、（16)和（17) 的基團(tuán)
[0化引
[0059] 其中虛線鍵指示與Z的連接，*指示與Ar2的連接位置，且另外：
[0060] W在每種情況下相同或不同并且是CR或N，或兩個(gè)相鄰的W基團(tuán)是下式（18)或（19) 的基團(tuán)
[0061]
[0062]
[0063] 其中E如上所定義的，但優(yōu)選不是單鍵，G在每種情況下相同或不同并且是CR或N， 且'指示式(13)~（17)中的相應(yīng)的相鄰W基團(tuán)；
[0064] V 是 NR、0或 S。
[0065] 在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，Ar2基團(tuán)是下式(20)、（21)和(22)中的一個(gè)的 基團(tuán)
[0066]
[0067] 其中虛線鍵指示與N的連接，村旨示與E的連接位置，*指示與Ari的連接，并且W和V 各自為如上所定義的。
[0068] 在本發(fā)明的特別優(yōu)選的一種實(shí)施方式中，上述優(yōu)選方式同時(shí)發(fā)生。因此特別優(yōu)選 式(2)的基團(tuán)，對于所述基團(tuán)：
[0069] Z 是 C = 0 或 C = S;
[0070] E在每種情況下相同或不同并且是單鍵、CR2、C = 0或NR;
[007。Ari 選自上述式（13)、（14)、（15)、（16)和（17)的基團(tuán)；
[0072] Af2選自上述式(20)、（21)和(22)的基團(tuán)。
[0073] 在本發(fā)明的非常特別優(yōu)選的一種實(shí)施方式中，對于式(2)的基團(tuán)：
[0074] 強(qiáng) C = 0;
[0075] E是單鍵；
[0076] Ari 選自上述式（13)、（14)、（15)、（16)和（17)的基團(tuán)；
[0077] Af2選自上述式(20)、（21)和(22)的基團(tuán)。
[007引同時(shí)，上述優(yōu)選的Ai和A2基團(tuán)可根據(jù)需要彼此組合。由此合適 [00巧]的組合如下： 「00??0!
[0081] ~更優(yōu)選地，Ai和A2基團(tuán)中至少一個(gè)是6元芳基或6元雜芳基基團(tuán)。更優(yōu)選地，Ai和A2基團(tuán)兩者都是6元芳基或6元雜芳基基團(tuán)。由此更優(yōu)選地，Ai是式（13)的基團(tuán)并且同時(shí)A2是式 (20)的基團(tuán)。
[0082] 因此，式(2)基團(tuán)的優(yōu)選實(shí)施方式是下式(23)~(29)的化合物：
[0083]
[0084]
[0085] 其中·'指示式(1)中的連接位置并且所用的其它符號如上所定義的。
[0086] 如上面已經(jīng)陳述的，兩個(gè)相鄰的W基團(tuán)還可W是上述式（18)或（19)的基團(tuán)。
[0087] 在式（13)~（17)、（20)~（22)和(23)~(29)的基團(tuán)的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，每 個(gè)環(huán)中總共不超過一個(gè)W符號是N，并且不是式(18)或（19)的基團(tuán)的其余W符號是CR。在本發(fā) 明的特別優(yōu)選的一種實(shí)施方式中，不是式（18)或（19)的基團(tuán)的所有W符號都是CR。因此，特 別優(yōu)選的式(2)基團(tuán)是下式(23a)~(29a)的基團(tuán)：
[008引
[0089]
[0090] 其中所用的符號具有上面給出的定義。
[0091] 因此，非常特別優(yōu)選下式(23b)~(29b)的化合物：
[0092]
[0093] 其中所使用的符號具有上面給出的定義。
[0094] 非常特別優(yōu)選的式(2)基團(tuán)是式(23)或(23a)或(23b)的基團(tuán)。
[00M] 在運(yùn)種情況下，在式(23)~（29)、（23a)~（29a)和(23b)~（29b)中，Z優(yōu)選為C = 0。
[0096] 另外，在式(23)~(29)、（23a)~(29a)和(23b)~(29b)中，E優(yōu)選為單鍵。
[0097] 更優(yōu)選地，在式(23)~（29)、（23a)~（29a)和（23b)~（29b)中，Z為C = 0且同時(shí)E為 單鍵。
[0098] 另外優(yōu)選地，如果兩個(gè)相鄰的W基團(tuán)是式（18)或（19)的基團(tuán)，則不超過一個(gè)G基團(tuán) 是N。更優(yōu)選地，所有G基團(tuán)是CR。另外優(yōu)選地，當(dāng)兩個(gè)相鄰的W基團(tuán)是式（19)的基團(tuán)時(shí)，式 (19)基團(tuán)中的E是CR2、C = 0或NR，尤其邸2或NR。
[0099] 根據(jù)需要，上述式(5)~（10)或優(yōu)選實(shí)施方式的化合物可W與上述式(23)~（29) 或優(yōu)選實(shí)施方式的基團(tuán)組合。
[0100] 因此，合適的化合物是列于下表中的化合物：
[0101]
[0102]
[0103] 優(yōu)選的化合物是列于下表中的化合物：
[0104]
[0105]
[0106] 特別優(yōu)選的化合物是列于下表中的化合物：
[0107]
[010 引 [0109]
[0110] 在運(yùn)些化合物中，優(yōu)選式(5)~（10)的化合物，其包含式(23)的基團(tuán)作為式(2)的 基團(tuán)；特別優(yōu)選式(5a)~（10a)的化合物，其包含式(23a)的基團(tuán)作為式（2)的基團(tuán)；非常特 別優(yōu)選式(5b)~（1化）的化合物，其包含式(23b)的基團(tuán)作為式(2)的基團(tuán)。
[0111] 由此非常特別優(yōu)選的化合物是下式(5c)~（10c)的化合物：
[0114] 其中所使用的符號具有上面給出的定義。[0115] 非常特別優(yōu)選下式(5d)~（lOd)的化合物：
[0112]
[0113]
[0116]
[0117]
[0118] 其中所使用的符號具有上面給出的定義。
[0119] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，上述式中的R在每種情況下相同或不同，并且選 自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，CN，N(Ar3)2，C(=0)Ar3，具有l(wèi)~10個(gè)碳原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，或 具有3~10個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，或具有2~10個(gè)碳原子的締基或烘 基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C此基團(tuán) 可被0代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)氨原子可被D或F代替，或具有5~30個(gè)芳族環(huán)原子且在每 種情況中可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0120] 在本發(fā)明的特別優(yōu)選的一種實(shí)施方式中，上述式中的R在每種情況下相同或不同， 并且選自H，D，F(xiàn)，CN，N(Ar3)2，具有l(wèi)~4個(gè)碳原子的直鏈烷基基團(tuán)，或具有3或4個(gè)碳原子的支 鏈烷基基團(tuán)，或具有5或6個(gè)碳原子環(huán)狀烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)Ri基 團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)氨原子可被D或F代替，或具有6~24個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況中 可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0121] 在本發(fā)明的非常特別優(yōu)選的一種實(shí)施方式中，上述式中的R在每種情況下相同或 不同，并且選自H，具有6~24個(gè)、優(yōu)選6~18個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況中可被一個(gè)或多個(gè) Ri基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0122] 當(dāng)式（1)或優(yōu)選實(shí)施方式的化合物用作電子傳輸材料時(shí)，優(yōu)選Z基團(tuán)是C = 0和/或R 基團(tuán)中的至少一個(gè)是芳族環(huán)系或缺電子雜芳族環(huán)系。根據(jù)本發(fā)明，缺電子雜芳族基團(tuán)是具 有至少兩個(gè)雜原子的五元雜芳族環(huán)或具有至少一個(gè)雜原子的六元雜芳族環(huán)，所述雜芳族環(huán) 中的每個(gè)可W與另外的一個(gè)或多個(gè)芳族或雜芳族基團(tuán)稠合。
[0123] 當(dāng)式（1)或優(yōu)選實(shí)施方式的化合物用作憐光發(fā)光體的基質(zhì)材料時(shí)，優(yōu)選Z基團(tuán)是C =0和/或R基團(tuán)中的至少一個(gè)是取代的或未取代的巧挫、巧并巧挫或嗎I噪并巧挫，它們中的 每個(gè)可通過碳原子或氮原子鍵合。另外，在運(yùn)種情況下優(yōu)選本發(fā)明的化合物不具有任何的 其中兩個(gè)或更多個(gè)六元芳基或雜芳基基團(tuán)彼此直接稠合的芳基或雜芳基基團(tuán)。更優(yōu)選地， 在運(yùn)種情況下，本發(fā)明的化合物根本不含任何的具有彼此直接稠合的六元環(huán)的芳基或雜芳 基基團(tuán)。
[0124] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，所有R基團(tuán)是Η或正好一個(gè)或兩個(gè)R基團(tuán)是具有6 ~18個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，且其 它R基團(tuán)是H。
[0125] 當(dāng)一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)是芳族或雜芳族環(huán)系時(shí)，優(yōu)選的R基團(tuán)在每種情況下相同或不 同并且選自苯基，鄰-聯(lián)苯、間-聯(lián)苯或?qū)?聯(lián)苯，鄰Ξ聯(lián)苯、間Ξ聯(lián)苯、對Ξ聯(lián)苯或支鏈的Ξ 聯(lián)苯，鄰四聯(lián)苯、間四聯(lián)苯、對聯(lián)四苯或支鏈的四聯(lián)苯，1-、2-、3-或4-巧基，1-、2-、3-或4-螺 二巧基，1-或2-糞基，蔥，菲，苯并菲，巧，苯并蔥，化咯，巧喃，嚷吩，嘲噪，苯并巧喃，苯并嚷 吩，1-、2-或3-巧挫，1-、2-或3-二苯并巧喃，1-、2-或3-二苯并嚷吩，巧并巧挫，嗎I噪并巧挫， 化挫，咪挫，苯并咪挫，化晚，喀晚，化嗦，化嗦，Ξ嗦或哇嘟，或運(yùn)些基團(tuán)中的兩種或Ξ種的 組合，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代。
[0126] 優(yōu)選的芳族或雜芳族環(huán)系R選自下式R-1~R-53的基團(tuán)：
[0130] 其中Ri如上所定義的，且虛線鍵表示與式(1)基團(tuán)連接的鍵，并且另外：
[0131] A在每種情況下相同或不同并且是CRi或N，其中每個(gè)環(huán)不超過3個(gè)的X符號是N;
[0132] γ?在每種情況下相同或不同并且是C(r1)2、NR1、0或s;
[0133] η為0或1，其中n = 0是指沒有Υ?基團(tuán)在該位置鍵合，而是其Ri基團(tuán)鍵合到相應(yīng)的碳 原子。
[0134] 上文提及W及下文中還使用的表述"每個(gè)環(huán)"在本申請的上下文中是指存在于化 合物中的各個(gè)單獨(dú)的環(huán)，即是指各個(gè)單獨(dú)的5元或6元環(huán)。
[0135] 在R-1基團(tuán)的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，沒有、有一個(gè)、有兩個(gè)或有Ξ個(gè)A符號是N。尤其 優(yōu)選式R-la的苯基、式R-化的喀晚或式R-lc的Ξ嗦
[0136]
[0137] 其中R1如上所定義的，且在式R-la中尤其為Η或具有6~18個(gè)芳族環(huán)原子且可被一 個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，且在式R-化和R-lc中在每種情況下尤其為具有 6~18個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0138] 在上述式R-2~R-53的優(yōu)選基團(tuán)中，每個(gè)環(huán)不超過一個(gè)A符號是N。更優(yōu)選地，符號A 在每種情況下相同或不同并且是CRi，尤其是CH。
[0139] 當(dāng)R-1~R-53的上述基團(tuán)具有兩個(gè)或更多個(gè)Υ?基團(tuán)時(shí)，運(yùn)些的可行選項(xiàng)包括來自Υ? 定義的所有組合。優(yōu)選其中一個(gè)Υ?基團(tuán)是NRi且另一個(gè)γ?基團(tuán)是c(ri)2或其中兩個(gè)γ?基團(tuán)都 是NRi或其中兩個(gè)Υ?基團(tuán)都是0的基團(tuán)。
[0140] 在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，至少一個(gè)γ?基團(tuán)是C(r1)2或NRi。
[0141] 當(dāng)Υ?是NRi時(shí)，鍵合到氮原子的取代基Ri優(yōu)選是具有5~24個(gè)芳族環(huán)原子且還可被 一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。在一種特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，該取代基Ri在 每種情況下相同或不同并且是具有6~24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系不 具有任何稠合芳基基團(tuán)且所述環(huán)系不具有任何的其中兩個(gè)或更多個(gè)的芳族或雜芳族6元環(huán) 基團(tuán)彼此直接稠合的稠合雜芳基基團(tuán)，且所述環(huán)系在每種情況中還可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán) 取代。特別優(yōu)選苯基、聯(lián)苯、Ξ聯(lián)苯和四聯(lián)苯。
[0142] 當(dāng)γ?是C(r1)2時(shí)，Ri優(yōu)選在每種情況下相同或不同并且是具有1~10個(gè)碳原子、優(yōu) 選1~4個(gè)碳原子的直鏈烷基基團(tuán)，或具有3~10個(gè)碳原子、優(yōu)選3或4個(gè)碳原子的支鏈烷基基 團(tuán)，或具有5~24個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選6~18芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述基團(tuán)或環(huán) 系還可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代。最優(yōu)選地，Ri是甲基基團(tuán)或苯基基團(tuán)。在運(yùn)種情況下，Ri基 團(tuán)還可一起形成環(huán)系，運(yùn)導(dǎo)致螺環(huán)系。
[0143] 在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，R是可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的Ξ芳基胺 基團(tuán)。后者優(yōu)選選自下式R-54的結(jié)構(gòu)：
[0144]
[0145] 其中虛線鍵指示與基本骨架的連接，Ar4在每種情況下相同或不同并且是在每種 情況下具有5~18個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選6~12個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè) Ri基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0146] 同時(shí)，在通過真空蒸發(fā)來處理的化合物中，所述烷基基團(tuán)優(yōu)選具有不超過五個(gè)碳 原子，更優(yōu)選不超過4個(gè)碳原子，最優(yōu)選不超過1個(gè)碳原子。對于從溶液處理的化合物，合適 的化合物也是被具有高達(dá)10個(gè)碳原子的烷基基團(tuán)、尤其是支鏈的烷基基團(tuán)取代的化合物， 或被低聚亞芳基基團(tuán)如鄰-、間-、對-或支鏈的Ξ聯(lián)苯或四聯(lián)苯基團(tuán)取代的化合物。
[0147] 上述優(yōu)選實(shí)施方式可W根據(jù)需要彼此組合。在本發(fā)明的特別優(yōu)選的一種實(shí)施方式 中，上述優(yōu)選方式同時(shí)發(fā)生。
[0148] 根據(jù)上述實(shí)施方式的優(yōu)選化合物的實(shí)例是W下結(jié)構(gòu)的化合物：
[0149]
[0150]
[0151
[0152]
[0153]
[0154]
[0155]
[015t
[0157：
[015 引
[0159]
[0160] 可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的合成步驟制備式（1)或優(yōu)選實(shí)施方式的化合物，如 方案1中的圖解形式所示的。
[0161 ]節(jié)寶 1 .
[0162]
[0163] 合成從面素官能化的、尤其是漠官能化的螺二巧衍生物開始進(jìn)行。當(dāng)化合物包含 不是單鍵的Ai或A2基團(tuán)時(shí)，原料是相應(yīng)的具有Ai和A2基團(tuán)的官能化螺環(huán)化合物。后者與鄰- 面代氨基取代的芳族或雜芳族衍生物如鄰氯代氨基苯衍生物在C-N禪合反應(yīng)如化dwig- Buchwald禪合中進(jìn)行轉(zhuǎn)化，隨后進(jìn)行鈕催化的閉環(huán)反應(yīng)而得出相應(yīng)的螺環(huán)巧挫衍生物。與 鄰面代碳酷氯反應(yīng)而得出相應(yīng)的胺，隨后進(jìn)行鈕催化的閉環(huán)反應(yīng)，產(chǎn)生本發(fā)明的化合物。或 者，利用鄰面代芐基漠或相應(yīng)的雜芳族化合物，隨后進(jìn)行鈕催化的閉環(huán)反應(yīng)和環(huán)狀胺到內(nèi) 酷胺的氧化，也可W進(jìn)行所述反應(yīng)。通過使用相應(yīng)取代的反應(yīng)物可得到取代的化合物。
[0164] 上述的本發(fā)明化合物，特別是被反應(yīng)性離去基團(tuán)如漠、艦、氯、棚酸或棚酸醋取代 的化合物，或被反應(yīng)性可聚合基團(tuán)如締控或氧雜環(huán)下燒取代的化合物，可用作制備相應(yīng)的 低聚物、樹枝狀大分子或聚合物的單體。所述低聚或聚合優(yōu)選通過面素官能團(tuán)或棚酸官能 團(tuán)或通過可聚合基團(tuán)進(jìn)行。此外，可W通過運(yùn)種類型的基團(tuán)交聯(lián)所述聚合物。本發(fā)明的化合 物和聚合物能夠W交聯(lián)或非交聯(lián)層的形式使用。
[0165] 因此，本發(fā)明還提供包含上述本發(fā)明化合物中的一種或多種的低聚物、聚合物或 樹枝狀大分子，其中存在本發(fā)明化合物的一個(gè)或多個(gè)到所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分 子的鍵。根據(jù)本發(fā)明的化合物的連接，其因此形成所述低聚物或聚合物的側(cè)鏈或者并入主 鏈中。所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子可W是共輛的、部分共輛的或非共輛的。所述低 聚物或聚合物可W是直鏈的、支鏈的或樹枝狀的。對于在低聚物、樹枝狀大分子和聚合物中 的本發(fā)明化合物的重復(fù)單元，如上所述適用相同的優(yōu)選方式。
[0166] 為了制備低聚物或聚合物，將本發(fā)明的單體均聚或與另外的單體共聚。優(yōu)選如下的 均聚物或共聚物，其中式(1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的單元W0.01~99.9摩爾％、優(yōu)選為5~90 摩爾％、更優(yōu)選20~80摩爾％的范圍存在。形成聚合物基本骨架的合適且優(yōu)選的共聚單體 選自巧(例如根據(jù)EP 842208或W0 2000/22026)，螺二巧(例如根據(jù)EP 707020、EP 894107或 W0 2006/061181)，對亞苯基(例如根據(jù)W0 92/18552)，巧挫（例如根據(jù)W0 2004/070772或W0 2004/113468)，嚷吩(例如根據(jù)EP 1028136)，二氨菲(例如根據(jù)W0 2005/014689)，順式和反 式巧并巧(例如根據(jù)W0 2004/041901 或W0 2004/113412)，酬(例如根據(jù)W0 2005/040302)， 菲（例如根據(jù)W0 2005/104264或W0 2007/017066)或多個(gè)運(yùn)些單元。所述聚合物、低聚物和 樹枝狀大分子也可W含有另外的單元，例如空穴傳輸單元，特別是基于Ξ芳胺的那些，和/ 或電子傳輸單元。另外，所述聚合物可包含呈共聚形式或作為滲合物混合的Ξ重態(tài)發(fā)光體。 具體地，式0-)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的單元與Ξ重態(tài)發(fā)光體的組合產(chǎn)生特別良好的結(jié)果。
[0167] 此外，式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物也可W進(jìn)一步官能化，并因此轉(zhuǎn)化為擴(kuò) 展的結(jié)構(gòu)。此處的實(shí)例包括與芳基棚酸的Suzuki反應(yīng)，或者與伯胺或仲胺的化rtwig- Buchwald反應(yīng)。因此，式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物也可W與憐光金屬絡(luò)合物或與其 它的金屬絡(luò)合物直接鍵合。
[0168] 為了從液相例如通過旋涂或通過印刷法處理本發(fā)明的化合物，需要本發(fā)明化合物 的制劑。運(yùn)些制劑可W例如為溶液、分散體或乳液。為了運(yùn)個(gè)目的，優(yōu)選使用兩種或更多種 溶劑的混合物。合適且優(yōu)選的溶劑例如為甲苯，苯甲酸，鄰-、間-或?qū)?二甲苯，苯甲酸甲醋， 均Ξ甲苯，四氨化糞，鄰二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二1惡焼，苯氧基甲苯，特別是 3-苯氧基甲苯，（-)-蔚酬，1，2,3,5-四甲基苯，1，2,4,5-四甲基苯，1-甲基糞，2-甲基苯并嚷 挫，2-苯氧基乙醇，2-化咯燒酬，3-甲基苯甲酸，4-甲基苯甲酸，3,4-二甲基苯甲酸，3,5-二 甲基苯甲酸，苯乙酬，曰-祗品醇，苯并嚷挫，苯甲酸下醋，異丙基苯，環(huán)己醇，環(huán)己酬，環(huán)己基 苯，十氨化糞，十二烷基苯，苯甲酸乙醋，巧滿，苯甲酸甲醋，NMP，對甲基異丙基苯，苯乙酸， 1,4-二異丙基苯，二節(jié)酸，二乙二醇下基甲基酸，Ξ乙二醇下基甲基酸，二乙二醇二下基酸， Ξ乙二醇二甲基酸，二乙二醇單下基酸，Ξ丙二醇二甲基酸，四乙二醇二甲基酸，2-異丙基 糞，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-雙(3,4-二甲基苯基）乙燒，或運(yùn)些溶劑的混合物。
[0169] 因此，本發(fā)明還提供一種制劑，所述制劑包含本發(fā)明化合物和至少一種另外的化 合物。所述另外的化合物例如可為溶劑，尤其是上述溶劑中的一種或運(yùn)些溶劑的混合物。或 者，所述另外的化合物可W為至少一種同樣用于電子器件中的另外的有機(jī)或無機(jī)化合物， 例如發(fā)光化合物和/或另外的基質(zhì)材料。合適的發(fā)光化合物和另外的基質(zhì)材料結(jié)合有機(jī)電 致發(fā)光器件在后面列出。運(yùn)種另外的化合物還可W是聚合的。
[0170] 本發(fā)明的化合物適用于電子器件中，尤其是用于有機(jī)電致發(fā)光器件中。
[0171] 本發(fā)明還提供式（1)或優(yōu)選實(shí)施方式的上述本發(fā)明化合物在電子器件中，特別是 在有機(jī)電致發(fā)光器件中的用途。
[0172] 本發(fā)明上下文中的電子器件是包括至少一個(gè)包含至少一種有機(jī)化合物的層的器 件。該組件也可W包含無機(jī)材料或完全由無機(jī)材料形成的層。
[0173] 所述電子器件優(yōu)選選自有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)、有機(jī)集成電路(0-IC)、有機(jī)場 效應(yīng)晶體管(0-FET)、有機(jī)薄膜晶體管(0-TFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管(0-LET)、有機(jī)太陽能電池 (0-SC)、有機(jī)染料敏化的太陽能電池(0-DSSC)、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場巧 焰器件(0-F孤）、發(fā)光電化學(xué)電池化EC)、有機(jī)激光二極管(O-laser)和有機(jī)等離子體發(fā)射器 件(D.M.Koller等人，化ture Photonics(自然光子學(xué)）2008，1-4)，但優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器 件(0LED)，更優(yōu)選憐光0LED。
[0174] 所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括陰極、陽極和至少一個(gè)發(fā)光層。除了運(yùn)些層之外，其也 可W包括另外的層，例如在每一情況下一個(gè)或多個(gè)空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、 電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層和/或電荷產(chǎn)生層。在兩個(gè)發(fā)光層之間同 樣可W引入例如具有激子阻擋功能的中間層。然而，應(yīng)該指出，運(yùn)些層中的每個(gè)不必都需要 存在。在運(yùn)種情況下，所述有機(jī)電致發(fā)光器件可包括一個(gè)發(fā)光層，或其可包括多個(gè)發(fā)光層。 如果存在多個(gè)發(fā)光層，則運(yùn)些層優(yōu)選總體上具有幾個(gè)在380nm和750nm之間的發(fā)光峰值，使 得整體結(jié)果是白色發(fā)光，換句話說，在所述發(fā)光層中使用可發(fā)巧光或發(fā)憐光的多種發(fā)光化 合物。尤其優(yōu)選的是具有Ξ個(gè)發(fā)光層的體系，其中所述Ξ個(gè)發(fā)光層顯示藍(lán)色、綠色和澄色或 紅色發(fā)光(對于基本結(jié)構(gòu)，參見例如W0 2005/011013)。
[0175] 根據(jù)確切的結(jié)構(gòu)，根據(jù)上述實(shí)施方式的本發(fā)明化合物可用于不同的層中。根據(jù)確切的 取代，優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其包含式(1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物作為巧光或 憐光發(fā)光體、尤其是憐光發(fā)光體的基質(zhì)材料，和/或在空穴阻擋層中和/或在電子傳輸層中和/ 或在電子阻擋或激子阻擋層中和/或在空穴傳輸中包含式(1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物。
[0176] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物在發(fā)光層 中被用作巧光或憐光化合物、特別是憐光化合物的基質(zhì)材料。在運(yùn)種情況下，所述有機(jī)電致 發(fā)光器件可W包含一個(gè)發(fā)光層，或其可W包含多個(gè)發(fā)光層，其中至少一個(gè)發(fā)光層包含至少 一種本發(fā)明的化合物作為基質(zhì)材料。
[0177] 當(dāng)式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物被用作發(fā)光層中的發(fā)光化合物的基質(zhì)材料 時(shí)，其優(yōu)選與一種或多種憐光材料(Ξ重態(tài)發(fā)光體)組合使用。本發(fā)明上下文中的憐光被理 解為是指來自具有更高的自旋多重度，即自旋態(tài)〉1的激發(fā)態(tài)的發(fā)光，尤其是來自激發(fā)Ξ重 態(tài)的發(fā)光。在該申請的上下文中，所有具有過渡金屬或銅系元素的發(fā)光絡(luò)合物，特別是所有 的銀、銷和銅絡(luò)合物，應(yīng)被視為憐光化合物。
[0178] 基于發(fā)光體和基質(zhì)材料的整個(gè)混合物，式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物與所 述發(fā)光化合物的混合物包含在99體積％和1體積％之間、優(yōu)選在98體積％和10體積％之間、 更優(yōu)選在97體積％和60體積％之間、尤其優(yōu)選在95體積％和80體積％之間的式（1)或上述 優(yōu)選實(shí)施方式的化合物。相應(yīng)地，基于發(fā)光體和基質(zhì)材料的整個(gè)混合物，所述混合物包括在 1體積％和99體積％之間、優(yōu)選在2體積％和90體積％之間、更優(yōu)選在3體積％和40體積％之 間、尤其在5體積％和20體積％之間的發(fā)光體。
[0179] 本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施方式是式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物作為憐光發(fā) 光體的基質(zhì)材料的用途，其與另外的基質(zhì)材料組合使用。能與本發(fā)明化合物組合使用的特 別合適的基質(zhì)材料是芳族酬，芳族氧化麟或芳族亞諷或諷，例如根據(jù)W0 2004/013080、W0 2004/093207、W0 2006/005627或WO 2010/006680的，Ξ芳胺，巧挫衍生物，例如CBP(N，N-二 巧挫基聯(lián)苯）或在W0 2005/039246、US 2005/0069729、肝 2004/288381、EP 1205527、W0 2008/086851或WO 2013/041176中公開的巧挫衍生物，嗎I噪并巧挫衍生物，例如根據(jù)WO 2007/063754或WO 2008/056746的，巧并巧挫衍生物，例如根據(jù)WO 2010/136109、W0 2011/ 000455、W0 2013/041176或WO 2013/056776的，氮雜巧挫衍生物，例如根據(jù)EP 1617710、EP 161771UEP 1731584、肝 2005/347160的，雙極性基質(zhì)材料，例如根據(jù)WO 2007/137725的， 硅烷，例如根據(jù)W0 2005/111172的，氮雜棚雜環(huán)戊二締或棚酸醋，例如根據(jù)W0 2006/117052 的，Ξ嗦衍生物，例如根據(jù)W0 2007/063754、W0 2008/056746、W0 2010/015306、W0 2011/ 057706、W0 2011/060859或WO 2011/060877的，鋒絡(luò)合物，例如根據(jù)EP 652273或WO 2009/ 062578中的，二氮雜娃雜環(huán)戊二締或四氮雜娃雜環(huán)戊二締衍生物，例如根據(jù)WO 2010/ 054729的，二氮憐雜環(huán)戊二締衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054730的，橋連巧挫衍生物，例如 根據(jù)W0 2011/042107、W0 2011/060867、W0 2011/088877和W0 2012/143080的，或苯并菲衍 生物，例如根據(jù)W0 2012/048781的。同樣，可W存在另外的具有比實(shí)際發(fā)光體短的發(fā)光波長 的憐光發(fā)光體作為混合物中的共主體，或即便參與電荷傳輸也不顯著程度地參與電荷傳輸 的化合物，如在例如W0 2010/108579中所述的。
[0180] 合適的憐光化合物（=Ξ重態(tài)發(fā)光體)尤其是如下的化合物，其在適當(dāng)激發(fā)時(shí)發(fā) 光，優(yōu)選在可見光區(qū)發(fā)光，并且還包含至少一個(gè)原子序數(shù)大于20、優(yōu)選大于38且小于84、更 優(yōu)選大于56且小于80的原子，尤其是具有該原子序數(shù)的金屬。使用的優(yōu)選憐光發(fā)光體是包 含銅、鋼、鶴、鍊、釘、餓、錠、銀、鈕、銷、銀、金或館的化合物，尤其是包含銀或銷的化合物。
[0181] 可W在申請W0 00/70655、W0 2001/41512、W0 2002/02714、W0 2002/15645、ΕΡ 1191613、ΕΡ 1191612、ΕΡ 1191614、W0 2005/033244、W0 2005/019373、US 2005/0258742、W0 2010/086089、W0 2011/157339、W0 2012/007086、W0 2012/16347UW0 2013/00053UW0 2013/ 02063UW0 2014/008982和WO 2014/023377中找見上述發(fā)光體的實(shí)例。一般來講，根據(jù)現(xiàn)有技 術(shù)用于憐光0LED和在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域中為本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的所有憐光絡(luò)合物都是合 適的，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠在不需要?jiǎng)?chuàng)造性勞動的情況下使用另外的憐光絡(luò)合物。
[0182] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件不含有任何單獨(dú)的空 穴注入層和/或空穴傳輸層和/或空穴阻擋層和/或電子傳輸層，意味著發(fā)光層與空穴注入層 或陽極直接相鄰，和/或發(fā)光層與電子傳輸層或電子注入層或陰極直接相鄰，如在例如 W02005/053051中所描述的。此外，可W使用與發(fā)光層中的金屬絡(luò)合物相同或類似的金屬絡(luò)合物 作為與發(fā)光層直接相鄰的空穴傳輸或空穴注入材料，如在例如W0 2009/030981中所描述的。
[0183] 在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，式(1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物被用作電 子傳輸或電子注入層中的電子傳輸材料。在運(yùn)種情況下，發(fā)光層可W是發(fā)巧光或憐光的。當(dāng)所 述化合物被用作電子傳輸材料時(shí)，其可優(yōu)選滲雜有例如堿金屬絡(luò)合物如LiQ(徑基哇嘟裡）。
[0184] 在本發(fā)明的又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物被用于 空穴阻擋層中?？昭ㄗ钃鯇颖焕斫鉃槭窃陉帢O側(cè)與發(fā)光層直接相鄰的層。
[0185] 另外，式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物可用于空穴阻擋層或電子傳輸層中和 用作發(fā)光層中的基質(zhì)。
[0186] 在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式中，式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物被用于空穴 傳輸層中，或用于電子阻擋層或激子阻擋層中。
[0187] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的另外的層中，可使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通常使用的任 意材料。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠在不付出創(chuàng)造性勞動的情況下將任何有機(jī)電致發(fā)光 器件的已知材料與式(1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的本發(fā)明化合物組合使用。
[0188] 另外優(yōu)選如下有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過升華方法涂布一個(gè)或多個(gè)層。 在運(yùn)種情況下，在小于10-5毫己、優(yōu)選小于10-6毫己的初始壓力下，通過在真空升華系統(tǒng)中 的氣相沉積來施加所述原料。初始壓力還可W甚至更低，例如低于10-7毫己。
[0189] 同樣優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過0VPD(有機(jī)氣相沉積)方法或 者借助于載氣升華來涂布一個(gè)或多個(gè)層。在該情況下，在10-5毫己和1己之間的壓力下施加 所述材料。該方法的特例是0V肝(有機(jī)蒸氣噴印）方法，其中所述材料通過噴嘴直接施加并 因此結(jié)構(gòu)化(例如M.S. Arnold等人，Appl.Phys丄ett.(應(yīng)用物理快報(bào))2008,92,053301)。
[0190] 此外優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中，例如通過旋涂，或通過 任何印刷方法例如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、平版印刷、LITK光引發(fā)熱成像、熱轉(zhuǎn)?。?、噴墨印 刷或者噴嘴印刷，來產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)層。為了該目的，需要例如通過適當(dāng)?shù)娜〈@得的可 溶性化合物。運(yùn)些方法尤其還適合于低聚物、樹枝狀大分子和聚合物。
[0191] 另外，其中例如從溶液施加一個(gè)或多個(gè)層且通過氣相沉積施加一個(gè)或多個(gè)另外的 層的混合方法是可行的。
[0192] -般來說，運(yùn)些方法對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的，并且可由本領(lǐng)域技術(shù)人員在 不付出創(chuàng)造性勞動的情況下應(yīng)用于包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件中。
[0193] 本發(fā)明化合物和本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件相比于現(xiàn)有技術(shù)的突出之處在于W下 令人驚訝的優(yōu)點(diǎn)：
[0194] 1.尤其用作憐光發(fā)光體的基質(zhì)材料的本發(fā)明化合物或式（1)或上述優(yōu)選實(shí)施方式 的化合物導(dǎo)致高的效率和導(dǎo)致長的壽命。當(dāng)所述化合物用作紅色-、黃色-或綠色憐光發(fā)光 體的基質(zhì)材料時(shí)尤其如此。
[0195] 2.包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件具有低的工作電壓。運(yùn)導(dǎo)致高的功率效率。
[0196] 3.本發(fā)明化合物具有高的熱穩(wěn)定性和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
[0197] 4.當(dāng)用作電子傳輸材料時(shí)，本發(fā)明化合物還關(guān)于有機(jī)電致發(fā)光器件的效率、壽命 和工作電壓導(dǎo)致非常好的性能。
[0198] 上面提到的運(yùn)些優(yōu)點(diǎn)不伴有對其它電子性能的劣化。
[0199] 通過如下實(shí)施例詳細(xì)地例示本發(fā)明，但不旨在由此限制本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員 將能夠使用給出的信息在所公開的整個(gè)范圍內(nèi)實(shí)施本發(fā)明，并且在不付出創(chuàng)造性勞動的情 況下制備本發(fā)明另外的化合物并且在電子器件中使用它們或使用本發(fā)明的方法。 實(shí)施例：
[0200] 除非另外指出，否則在保護(hù)氣體氣氛下進(jìn)行W下合成。試劑可來自ALDRICH或 ABCR?；衔锏挠晌墨I(xiàn)所知的方括號中給出的數(shù)字指示運(yùn)些化合物的CAS號。
[0201 ]合成例
[0202] 實(shí)施例A: 1-漠螺-9，9/ -二巧、3-漠螺-9，9/ -二巧、4-漠螺-9，9/ -二巧、4，4 ' -二漠 螺-9，9'-二巧、3，6-二漠螺-9，9'-二巧的合成
[0203] a) 1-漠螺-9,9'-二巧
[0204]
[0205] 通過利用70°C下的油浴進(jìn)行伴隨加熱，將2.7g(110毫摩爾）的艦活化的儀屑W及 25.6g( 110毫摩爾）的2-漠聯(lián)苯、0.8mL的1，2-二氯乙燒、50mL的1，2-二甲氧基乙燒、400血的 THF和200mL的甲苯的混合物用于制備相應(yīng)的Grignard試劑。儀一旦完全反應(yīng)，就將混合物 冷卻至室溫并然后滴加25.9g(l〇〇毫摩爾）的1-漠巧酬[36804-63-4]在500mL THF中的溶 液，并將反應(yīng)混合物加熱至50°C并持續(xù)4小時(shí)，然后在室溫下攬拌另外12小時(shí)。添加 lOOmL 水，將混合物簡單攬拌，移出有機(jī)相并在減壓下除去溶劑。將殘?jiān)鼞腋≡?00mL加熱至40°C 的冰乙酸中，向懸浮液添加〇.5mL濃硫酸并然后將混合物在100°C下攬拌2小時(shí)。冷卻之后， 抽吸過濾出沉淀的固體并用lOOmL冰乙酸洗涂一次且用每次1 OOmL的乙醇洗涂Ξ次，并最后 從二鑛婉中重結(jié)晶。產(chǎn)率:26.9g(68毫摩爾），68% ;根據(jù)iH NMR純度為約98%。
[0206]
[0207]
[0208] 實(shí)施例la: (2-氯苯基)-4-螺-9,9'-二巧胺
[0209]
[0210] 將54g( 137毫摩爾）的4-漠螺-9，9'-二巧、17.9g( 140毫摩爾）的2-氯苯胺、68.2g (710毫摩爾）的叔下醇鋼、613mg(3毫摩爾）的乙酸鈕（II)和3.03g(5毫摩爾）的化pf溶于 1.化甲苯中并在回流下攬拌5小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫，用甲苯擴(kuò)展并通過Celite過 濾。將濾液在減壓下濃縮并將殘?jiān)鼜募妆?庚燒中結(jié)晶。分離作為無色固體的產(chǎn)物。產(chǎn)率： 52.2邑(118毫摩爾），理論的86%。
[0211] W類似方式，可制備如下化合物：
[0212]
[0213]
[0214]
[0215] 實(shí)施例2a:螺[9H-巧基-9，7 '（ ΓΗ)-印并[1，2-a郵挫]
[0216]
[0217]將45g(l〇2毫摩爾）的（2-氯苯基)-4-螺-9，g/-二巧胺、56g(409毫摩爾）的碳酸鐘、 4.5g(12毫摩爾）的Ξ環(huán)己基麟四氣棚酸鹽和1.38g(6毫摩爾）的乙酸鈕（II)懸浮在500mL的 二甲基乙酷胺中并在回流下攬拌6小時(shí)。在冷卻之后，將反應(yīng)混合物用300mL水和600mL二氯 甲燒擴(kuò)展。將混合物攬拌另外30分鐘，將有機(jī)相分離并通過短Celite床過濾，并然后在減壓 下除去溶劑。將粗產(chǎn)物用甲苯進(jìn)行熱萃取并從甲苯中重結(jié)晶。分離作為淺褐色固體的產(chǎn)物。 產(chǎn)率:32.5g(80毫摩爾，對應(yīng)于理論的78% )。
[021引 W類似方式，可制備如下化合物：
[0219]
[0220]
[0221]
[0222] 實(shí)施例3a:親核取代
[0223]
[0224] 在500血四頸燒瓶中，首先將760mg(19毫摩爾）的氨化鋼裝入50mL的THF中。利用滴 液漏斗，滴加溶于200mL THF中的7.0g( 17毫摩爾）的螺巧挫2a并將混合物攬拌另外1小時(shí)。 隨后，滴加溶于lOOmL THF中的4.3g(17毫摩爾）的2-漠芐基漠，并將混合物在室溫下攬拌5 小時(shí)直至完成轉(zhuǎn)化。將反應(yīng)混合物添加至冰，并升溫至室溫。將沉淀的固體過濾并用正庚燒 洗涂，并在減壓下干燥。得到作為無色固體的產(chǎn)物。產(chǎn)率：9.3g( 16毫摩爾，對應(yīng)理論值的 94%)。
[0225] W類似方式，可得到如下化合物：
[0226]
[0227]
[0231] 首先在IL四頸燒瓶中裝入29g(50毫摩爾）的3a和9.90g(101毫摩爾）乙酸鐘在 500mL DMF中的溶液，通入氣氣并持續(xù)30分鐘。隨后，添加1.75g( 1.51毫摩爾）的Pd(P化3)4并 在回流下將混合物加熱16小時(shí)直至完成轉(zhuǎn)化。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫并用400mL水進(jìn)行 水解。將沉淀的固體過濾并用水洗涂。在減壓下干燥之后，得到作為灰色固體的產(chǎn)物。產(chǎn)率： 4.7g(50.0毫摩爾，對應(yīng)理論的99%)。
[0232] W類似方式，可得到如下化合物：
[0233]
[0234]
[0235] 買施例日a:氧化
[0236]
[0237] 在IL四頸燒瓶中，將23.5g(47.6毫摩爾）的4a溶于500mL的二氯甲燒/水（1:1)。隨 后，添加17.5g(47.6毫摩爾）的二苯并-18-冠-6并按份添加91.0g(576毫摩爾）的高儘酸鐘， 并將混合物在室溫下攬拌24小時(shí)并在回流下攬拌4天。在冷卻至室溫之后，在減壓下除去溶 劑。將得到的固體利用甲苯進(jìn)行熱萃取。將沉淀的固體過濾出并用200mL的冷乙臘洗涂四 次。隨后用甲苯熱萃取，直至HPLC純度〉99.9%并重結(jié)晶。在升華(在<1〇-4己下，340°(：)兩次 之后，W>99.9 %的HPLC純度得到作為白色固體的產(chǎn)物。產(chǎn)率：3g(7毫摩爾，對應(yīng)理論的 15%)。
[0238] W類似方式，可得到如下化合物：
[0239]
[0240]
[0241] 方法 2:
[0242] 實(shí)施例6a:親核取代
[0243]
[0244] 在保護(hù)氣氛下，將2. lg(52.5毫摩爾）的在礦物油中的60%NaH溶于500mL的THF中。 添加33.8g(50毫摩爾）的化合物2a和溶于200血THF中的11.5g(52.5毫摩爾）的15-冠-5。在 室溫下1小時(shí)之后，滴加12g(55毫摩爾）的2-漠苯甲酯氯在250mL THF中的溶液。將反應(yīng)混合 物在室溫下攬拌18小時(shí)。其后，將反應(yīng)混合物倒在冰上并用二氯甲燒萃取Ξ次。將合并的有 機(jī)相在NasS化上干燥并濃縮。將殘?jiān)眉妆綗彷腿〔募妆?正庚燒中重結(jié)晶。產(chǎn)率：17g(29 毫摩爾），60%;純度:根據(jù)4醒3為約98%。
[0245] W類似方式，可得到如下化合物：
[0246]
[0247] 實(shí)施例7a:環(huán)化 [024引
[0249] 在保護(hù)氣體下，在4小時(shí)期間內(nèi)將600mL甲苯中的43mL氨化Ξ下基錫（16毫摩爾）和 30g(12.5毫摩爾）的1，1M禹氮雙(環(huán)己燒-1-甲臘)滴加至7.4g(12.5毫摩爾）的化合物5a在 600mL甲苯中的沸騰溶液中。隨后在回流下加熱3小時(shí)。其后，將反應(yīng)混合物倒在冰上并用二 氯甲燒萃取Ξ次。將合并的有機(jī)相在化2S化上干燥并濃縮。將殘?jiān)鼜募妆街蠾及從二氯甲 燒/異丙醇中重結(jié)晶，并最后在高真空下升華；純度為99.9%。產(chǎn)率：4.2g(8.2毫摩爾）， 66%。
[0250] W類似方式，可得到如下化合物：
[0251]
[0巧2] OL邸的制造
[0253] 在接下來的實(shí)施例Cl~111(參見表1和2)中，展示了各種0L邸的數(shù)據(jù)。
[0254] 實(shí)施例C1~111的預(yù)處理:對為了改進(jìn)的處理而涂布有50nm厚度的結(jié)構(gòu)化口 0(氧 化銅錫）的玻璃板涂布20皿的PED0T: PSS(聚（3，4-亞乙基二氧基嚷吩）聚（苯乙締橫酸鹽）， 作為CLEVI0S?p VP AI 4083購自德國賀利氏貴金屬公司化eraeus Precious Metals GmbH Deutschland)，從水溶液中旋涂）。運(yùn)些涂布的玻璃板形成施加 OL邸的基底。
[0255] 所述0L抓基本上具有W下的層結(jié)構(gòu):基底/空穴傳輸層化化)/任選的中間層（IL)/ 電子阻擋層化化)/發(fā)光層化ML)/任選的空穴阻擋層化BL)/電子傳輸層化化)/任選的電子 注入層化IL)和最后的陰極。所述陰極由厚度為l(K)nm的侶層形成。在表1中可W找見OLm)的 確切結(jié)構(gòu)。制造所述0L邸所使用的材料示于表3中。
[0256] 在真空室中通過熱氣相沉積施加所有材料。在運(yùn)種情況下，發(fā)光層總是由至少一 種基質(zhì)材料(主體材料)和發(fā)光滲雜劑(發(fā)光體)構(gòu)成，所述發(fā)光滲雜劑通過共蒸發(fā)按特定體 積比添加至所述一種或多種基質(zhì)材料。W如5e: IC2: TEG1 (45 % : 45% : 10% )運(yùn)種形式給出 的細(xì)節(jié)在此是指材料例如5e W45 %的體積比存在于所述層中，材料IC2 W45 %的體積比存 在于所述層中且TEGlWlO%的體積比存在于所述層中。類似地，所述電子傳輸層也可由兩 種材料的混合物構(gòu)成。
[0257] W標(biāo)準(zhǔn)方式表征所述化ED。為此，從呈現(xiàn)朗伯福射特性的電流-電壓-亮度特性 (HJL特性)計(jì)算作為亮度的函數(shù)的電致發(fā)光光譜、電流效率（Wcd/A計(jì)量）、功率效率（Wlm/ w計(jì)量)和外量子效率巧犯，W百分比計(jì)量）。在lOOOcd/m2的亮度下確定所述電致發(fā)光譜，并 由此計(jì)算CIE1931X和y顏色坐標(biāo)。表2中的參數(shù)U1000是指lOOOcd/m2的亮度所需要的電壓。 CE1000和PE1000分別是指在lOOOcd/m2下實(shí)現(xiàn)的電流和功率效率。最后，EQE1000是指在 lOOOcd/m2的工作亮度下的外量子效率。
[0258] 將各種化抓的數(shù)據(jù)總結(jié)在表2中。實(shí)例C1~C2是現(xiàn)有技術(shù)的比較例，實(shí)施例1I~ 111顯示了本發(fā)明的0L邸的數(shù)據(jù)。
[0259] 為了例示本發(fā)明0L邸的優(yōu)勢，下文中詳細(xì)闡明了實(shí)施例中的一些。
[0260] 本發(fā)明的混合物在憐光0L邸的發(fā)光層中的用途
[0261] 本發(fā)明的材料，當(dāng)用作憐光化抓中的基質(zhì)材料時(shí)，相比于現(xiàn)有技術(shù)得出電壓和功 率效率的顯著改進(jìn)。通過將本發(fā)明的化合物5d與綠光發(fā)光滲雜劑TEG1組合使用，可W觀察 到相比于現(xiàn)有技術(shù)(C1、C2)的電壓和功率效率的顯著改進(jìn)(實(shí)施例1I)。
[0%2] 表1:0L邸的結(jié)構(gòu)
[0%3]
[0269]
[0270]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種式(1)的化合物其中所使用的符號如下： X在每種情況下相同或不同，并且是CR或N，或兩個(gè)相鄰的X基團(tuán)一起為0、S或NR從而給 出五元環(huán)，或兩個(gè)相鄰的X基團(tuán)一起為式(2)、（3)或(4)的基團(tuán)， 條件是式(1)的化合物包含至少一個(gè)式(2)的基團(tuán)，其中·'是指所述式(2)或(3)或(4)的基團(tuán)稠合到所述式(1)的化合物的位置； A\A2在每種情況下相同或不同，并且是單鍵、CR2、NR、0、SSC = 0; Z在每種情況下相同或不同，并且是C = 0、C = S、CR2、BR、SiR2、P(=0)R、S0SS02; Y在Ar1為6元芳基或雜芳基基團(tuán)時(shí)是C，或在Ar1為5元雜芳基基團(tuán)時(shí)是C或N; E在每種情況下相同或不同，并且是單鍵、CR2、NR、0、S或C = 0，條件是式(4)中的E不是單 鍵； Ar1在每種情況下相同或不同，并且與明確示出的Y基團(tuán)和碳原子一起為具有5~24個(gè)芳 族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系； Ar2在每種情況下相同或不同，并且與明確示出的三個(gè)碳原子一起為具有5~24個(gè)芳族 環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系； G在每種情況下相同或不同，并且是CRSN; R在每種情況下相同或不同，并且選自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，N02 ,N(Ar3)2 ,N(R1LCX=O) Ar3 ,(X=O)R1M=O) (Ar3)2,具有1~40個(gè)碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或 具有3~40個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有2~40個(gè)碳原子 的烯基或炔基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)R 1基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相 鄰的 CH2基團(tuán)可被 R1C = CR1J^Cji (R1)2 X = OX = NR11(=0)(1?1 KS(KSO2)NR1、0、S或 CONR1代替，且其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被0、？、(：1、8^1、0~或勵(lì) 2代替，具有5~40個(gè)芳族環(huán) 原子且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)R1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，具有5~40個(gè)芳族 環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R 1基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5~40個(gè)芳族環(huán)原 子且可被一個(gè)或多個(gè)R1基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，其中兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的R取 代基可以任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)R1 基團(tuán)取代； Ar3在每種情況下相同或不同，并且是具有5~30個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)非芳 族R1基團(tuán)取代的芳族環(huán)或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，鍵合到同一氮原子或磷原子的兩個(gè)Ar3基團(tuán)還 可以通過單鍵或選自N(R 1)X(R1)2和O中的橋連基彼此橋連； R1在每種情況下相同或不同，并且選自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，N02，N(R 2)2，C(=0)R2，P( = 〇)(R2)2,具有1~40個(gè)碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有3~40個(gè)碳原子的 支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有2~40個(gè)碳原子的烯基或炔基基團(tuán)，所 述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)R 2基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R2C = 0?2、(：三(：、31(1?2)2丄=0丄=冊2、？（=0)(1? 2)、30、302、冊2、0、3或0)冊2代替，且其中一個(gè)或多 個(gè)氫原子可被D、F、C1、Br、I、CN或NO2代替，具有5~40個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況下可被一 個(gè)或多個(gè)R 2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，具有5~40個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R2基 團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5~40個(gè)芳族環(huán)原子且可被一個(gè)或多個(gè)R 2基團(tuán)取 代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，其中兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的R1取代基可以任選地形成單環(huán)或多 環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)R 1基團(tuán)取代； R2選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1~20個(gè)碳原子的脂族烴基基團(tuán)，具有5~30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族 或雜芳族環(huán)系，其中兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的R2取代基可一起形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或 雜芳族環(huán)系。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于A1和A2是單鍵。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其特征在于所述化合物包含正好一個(gè)或兩個(gè)所述 式(2)的基團(tuán)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其選自式(5)~（10)的化合物其中°表示與所述式(2)基團(tuán)中的氮原子的連接，#表示與所述式(2)基團(tuán)中的E基團(tuán)的 連接，且另外使用的符號如權(quán)利要求1中所限定的。5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其選自式(5a)~（IOa)的化合物其中所使用的符號具有權(quán)利要求1和4中給出的定義。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其選自式(5b)~（IOb)的化合物：其中所使用的符號具有權(quán)利要求1和4中給出的定義。7. 根據(jù)權(quán)利要求1~6中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，在所述式(2)的基團(tuán) 中，Z相同或不同并且是C = O或C = S，和特征在于E是單鍵、CR2X = O或NR。8. 根據(jù)權(quán)利要求1~7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于Ar1是式（13)、（14)、 (15)、（16)或（17)的基團(tuán)，其中虛線鍵指示與Z的連接并且*指示與Ar2的連接位置； 和特征在于Ar2是式(20)、（21)或(22)的基團(tuán)，其中虛線鍵指示與N的連接，#指示與E的連接位置，并且*指示與Ar1的連接； 且另外： W在每種情況下相同或不同且是CR或N，或兩個(gè)相鄰的W基團(tuán)是下式（18)或（19)的基團(tuán)，其中E如權(quán)利要求1中所限定的，但不是單鍵，G在每種情況下相同或不同并且是CR或N， 且'指示式(13)~（17)中的相應(yīng)的相鄰W基團(tuán)； V是NR、O或 S。9. 根據(jù)權(quán)利要求1~8中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述式(2)的基團(tuán)選 自式(23)~(29)的基團(tuán)：其中'指示式(1)中連接的位置，并且使用的其它符號如權(quán)利要求1和8中所限定的。10. 根據(jù)權(quán)利要求1~9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述式(2)的基團(tuán)選 自式（23a)~（29a)的基團(tuán)：其中所使用的符號具有權(quán)利要求1和8中給出的定義。11.根據(jù)權(quán)利要求1~10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其選自式(5c)~（IOc)的化合 物：其中所使用的符號如權(quán)利要求1中所限定的。12. 根據(jù)權(quán)利要求1~11中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所有R基團(tuán)都是H， 或特征在于一個(gè)或兩個(gè)R基團(tuán)是具有6~24個(gè)芳族環(huán)原子且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè) R 1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，且其它R基團(tuán)是H。13. -種低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1~12中的 一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其中代替一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)，存在所述化合物的一個(gè)或多個(gè)與所 述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子的鍵。14. 一種制劑，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1~12中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物和/ 或至少一種根據(jù)權(quán)利要求13所述的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子和至少一種另外的化合 物，尤其是溶劑者或兩種或更多種溶劑的混合物。15. 根據(jù)權(quán)利要求1~12中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物和/或根據(jù)權(quán)利要求13所述的低 聚物、聚合物或樹枝狀大分子在電子器件中的用途。16. -種電子器件，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1~12中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物 和/或至少一種根據(jù)權(quán)利要求13所述的低聚物、聚合物和/或樹枝狀大分子。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子器件，其特征在于所述電子器件是有機(jī)電致發(fā)光器件， 并且根據(jù)權(quán)利要求1~12中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物在發(fā)光層中用作熒光或磷光發(fā)光體 的基質(zhì)材料和/或用于空穴阻擋層中和/或用于電子傳輸層中。
【文檔編號】C07D209/00GK106029636SQ201580010718
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年1月27日
【發(fā)明人】埃米爾·侯賽因·帕勒姆, 安雅·雅提斯奇, 托比亞斯·格羅斯曼, 托馬斯·埃伯利, 喬納斯·瓦倫丁·克羅巴, 魯文·林格
【申請人】默克專利有限公司