化合物及包括該化合物的有機發(fā)光器件和平板顯示裝置的制造方法
【專利摘要】提供了一種化合物及包括該化合物的有機發(fā)光器件和平板顯示裝置，所述有機發(fā)光器件包括：第一電極；第二電極，面對第一電極；以及有機層，位于第一電極與第二電極之間，其中，有機層包括發(fā)射層，所述發(fā)射層包括由式1表示的化合物：使用式1的化合物的有機發(fā)光器件可以具有高效率、低電壓、高亮度和長壽命。
【專利說明】
化合物及包括該化合物的有機發(fā)光器件和平板顯示裝置
[0001 ] 本申請要求于2015年4月28日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0059636號韓 國專利申請和于2015年8月3日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0109571號韓國專利申 請的權(quán)益，上述兩件申請中的每件的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本公開的實施例的一個或更多個方面設(shè)及一種化合物和包括該化合物的有機發(fā) 光器件。
【背景技術(shù)】
[0003] 有機發(fā)光器件(0LED)是具有寬視角、高對比度和短響應(yīng)時間的自發(fā)射器件。另外， 0L邸呈現(xiàn)出高亮度、低驅(qū)動電壓和良好的響應(yīng)速度特性，并可W產(chǎn)生全色圖像。
[0004] OLm)可W包括設(shè)置在(例如，位于)基底上的第一電極W及順序地設(shè)置在第一電極 上的空穴傳輸區(qū)域、發(fā)射層、電子傳輸區(qū)域和第二電極。從第一電極提供的空穴可W經(jīng)過空 穴傳輸區(qū)域向發(fā)射層移動，從第二電極提供的電子可W經(jīng)過電子傳輸區(qū)域向發(fā)射層移動。 空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合W產(chǎn)生激子。運些激子從激發(fā)態(tài)變成基態(tài)，從而產(chǎn)生光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本公開的實施例的一個或更多個方面設(shè)及一種具有高效率、低驅(qū)動電壓、高亮度 和/或長壽命特性的主體化合物(例如，憐光主體化合物）W及包括該主體化合物的有機發(fā) 光器件。
[0006] 另外的方面將在隨后的描述中部分地闡述，部分地通過描述將是明顯的，或者可 W通過給出的實施例的實施來獲知。
[0007] 根據(jù)一個或更多個示例實施例，化合物由式1表示：
[000引式1
[0009]
[0010] 在式1中，
[00川 Ri至R間W均獨立地選自于氨、気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、 阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、取代的或未取代的Ci-Cso烷基、取 代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Ci-Cso燒氧 基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的 C3-C10環(huán)締基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或 未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的Cl-Cso雜芳基、 取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基； [001^ a、b、e和巧TW均獨立地為選自于語4的整數(shù)；
[0013] C和d可W均獨立地為選自于1至3的整數(shù)；
[0014] 取代的Ci-Cso烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的Ci-Cso烷氧基、取 代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取 代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C廣C60雜芳基、取代的單 價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基中的至少一個取代基選自于：
[0015] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[0016] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C1日環(huán)烷基、C2-Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-則911)地2)、-51地3)(914)(915)和-8他6)地7)中的至少 一者的Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣Cso烷氧基；
[001 7] C3-C1肺烷基、C2-C1D雜環(huán)烷基、C3-C1肺締基、C2-C1D雜環(huán)締基、C6-C6D芳基、C6-C60芳 氧基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[001引均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (化2 )、-Si ( Q23 )(化4) ( Q2日）和-B ( Q26)(化7)中的至少一者的C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3- Cio環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、Cl-CsQ雜芳基、單價非芳 香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；W及
[0019] 斗（=〇)化1跑2，
[0020] 其中，Qii至化7、化適Q27和Q31至跑河W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、^ 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C60 烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多 環(huán)基，
[0021] 當(dāng)a至f均獨立地為2或更大時，多個R3至R8可W分別彼此相同或彼此不同。
[0022] 根據(jù)一個或更多個示例實施例，有機發(fā)光器件包括:第一電極;第二電極，面對第 一電極；W及有機層，位于第一電極與第二電極之間并包括發(fā)射層，其中，有機層包括式1的 化合物。
[0023] 根據(jù)一個或更多個示例實施例，平板顯示裝置可W包括該有機發(fā)光器件，其中，第 一電極電結(jié)合到薄膜晶體管的源電極或漏電極。
【附圖說明】
[0024] 從下面結(jié)合附圖對示例實施例的描述，運些和/或其它方面將變得明顯且更容易 理解，其中：
[0025] 圖1是根據(jù)示例實施例的有機發(fā)光器件的示意性視圖。
【具體實施方式】
[0026] 現(xiàn)在將對示例實施例作出更詳細(xì)地參考，實施例的示例在附圖中示出，其中，同樣 的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。就運點而言，給出的示例實施例可W具有不同的形式，并 不應(yīng)解釋為限于運里闡述的描述。因此，在下面通過參照附圖僅描述示例實施例，W解釋本 描述的多個方面。如運里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或更多個相關(guān)所列項的任意和所有 組合。當(dāng)諸如"……中的至少一種(個）（者Γ、"……中的一種(個）（者)"、"選自于……中的 至少一種(個）（者Γ和"選自于……中的一種(個）（者r的表述在一列要素后面時，修飾整 個系列的要素，而不是修飾所述系列中的單個要素。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實施例時使用 "可是指"本發(fā)明的一個或更多個實施例"。
[0027] 根據(jù)示例實施例，由式1表示的化合物：
[0028] 式 1
[0029]
[0030] 在式1中，
[0031] Ri至Rs可W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、 阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、取代的或未取代的Ci-Cso烷基、取 代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Cl-Cso燒氧 基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的 C3-C1Q環(huán)締基、取代的或未取代的C2-C1Q雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C6Q芳基、取代的或 未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的Cl-CsO雜芳基、 取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0032] a、b、e和f可W均獨立地為選自于1至4的整數(shù)；
[0033] C和d可W均獨立地為選自于1至3的整數(shù)；
[0034] 取代的Ci-Cso烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的Ci-Cso烷氧基、取 代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取 代的C6-C6Q芳基、取代的C6-C6Q芳氧基、取代的C6-C6Q芳硫基、取代的C廣C6Q雜芳基、取代的單 價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基中的至少一個取代基可W選自于：
[0035] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6G烷基、C2-C6G締基、C2-C6G烘基和C廣C6G烷氧基；
[0036] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C1日環(huán)烷基、C2-Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-則911)地2)、-51地3)(914)(915)和-8他6)地7)中的至少 一者的Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣Cso烷氧基；
[0037] C3-C1肺烷基、C2-C1日雜環(huán)烷基、C3-C1肺締基、C2-C1日雜環(huán)締基、C日-C日日芳基、C日-C60芳 氧基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0038] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (化2 )、-Si ( Q23 )(化4) ( Q2日）和-B ( Q26)(化7)中的至少一者的C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3- Cio環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、Cl-CsQ雜芳基、單價非芳 香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；W及
[0039] 斗（=〇)化1跑2，
[0040] 其中，Qii至化7、化適Q27和Q31至跑河W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、^ 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C60 烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多 環(huán)基，
[0041 ] 當(dāng)a至f均獨立地為2或更大時，多個R3至R8可W分別彼此相同或彼此不同。
[0042]在相關(guān)的有機發(fā)光器件中，諸如化合物200(在下面示出）的材料被用作用于空穴 傳輸層化化)的材料，而不用作憐光材料。例如，當(dāng)化合物1〇〇(在下面示出）和化合物200被 用作憐光主體時，得到的有機發(fā)光器件(0LED)會具有低效率和短的壽命特性。為了改善器 件特性，需要開發(fā)憐光主體。
L〇〇45」在下文中，將更詳細(xì)地描述式1的取代基。
[0046] 在一些實施例中，在式1中，R3至R8可W均獨立地選自于氨和気。
[0047] 在一些實施例中，在式1中，扣和R2可W均獨立地選自于取代的或未取代的C6-C60芳 基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的 C1-C60雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香 縮合雜多環(huán)基。
[004引在一些實施例中，在式1中，Ri和化可W均獨立地選自于式2a至式2c:
[0049]
[(K)加]在式2a至式2c中，
[0051] Zi可W選自于氨、気、面族、氯基、硝基、徑基、簇基、取代的或未取代的C1-C20烷基、 取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20雜芳基、取代的或未取代的單價非 芳香縮合多環(huán)基、取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基和-P(=0)化邊32，
[0052] 其中，Q31至化2可W均獨立地選自于氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨 基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6G烷基、C2-C6G締基、 C2-C6Q烘基、打-CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs- C60芳基、C1-C6O雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0053] 當(dāng)P為2或更大時，多個Zi可W分別彼此相同或彼此不同；
[0054] 式2a中的P可W為選自于1至5的整數(shù)，式2b和式2c中的P可W為選自于1至7的整 數(shù)；
[0化5] *表示結(jié)合位。
[0056] 在一些實施例中，式1的化合物可W由式2表示：
[0化7] 式2
[0化引
[0059] 在一些實施例中，式1的化合物可W由式3表示：
[0060] 式 3
[0061]
[0062] 在一些實施例中，式1的化合物可W由式4表示：
[0063] 式 4
[0064]
[0065] 在一些實施例中，式1的化合物可W由式5表示：
[0066] 式 5
[0067]
[006引在一些實施例中，式1的化合物可W由式6表示：
[0069] 式6
[0070]
[0071 ] 在一些實施例中，式1的化合物可W由式7表示：
[0072] 式 7
[0073]
[0074] 在式2至式7中，Rll、Ri2、R21、R22和R31可W均獨立地與結(jié)合Ri至Rs提供的定義相同地 進行定義，q可W為選自于1至4的整數(shù)，m、n和〇可^均獨立地為選自于1至5的整數(shù)，p可W為 選自于1至7的整數(shù)。
[0075] 根據(jù)本公開的實施例，由式1表示的化合物可W選自于化合物1至化合物69。在化 合物1至化合物69中，"護可W指気：
[0076]





[0082] 如運里使用的，術(shù)語"有機層"指有機發(fā)光器件中的第一電極與第二電極之間的單 層和/或多個層。"有機層"中包括的材料不只限于有機材料。
[0083] 圖1是根據(jù)實施例的有機發(fā)光器件10的示意性視圖。有機發(fā)光器件10可W包括第 一電極110、有機層150和第二電極190。
[0084] 在下文中，將參照圖1描述根據(jù)實施例的有機發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
[0085] 參照圖1，基底可W另外地設(shè)置在（例如，位于）第一電極110之下或第二電極190 上?；卓蒞是均具有優(yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平整度、易處理性和/或防 水性的玻璃基底或透明塑料基底。
[0086] 可W通過在基底上沉積或瓣射用于形成第一電極110的材料來形成第一電極110。 當(dāng)?shù)谝浑姌O110是陽極時，用于第一電極110的材料可W選自于具有高逸出功的材料，從而 促進空穴注入。第一電極110可W是反射電極、半透射電極或透射電極。用于第一電極110的 材料可W是透明的且高導(dǎo)電的材料。運樣的材料的非限制性示例包括氧化銅錫(IT0)、氧化 銅鋒（IZ0)、氧化錫(Sn〇2)和氧化鋒(ZnO)。當(dāng)?shù)谝浑姌O110是半透射電極或反射電極時，作 為用于形成第一電極110的材料，可W使用選自于儀(Mg)、侶(A1)、侶-裡(Al-Li)、巧(Ca)、 儀-銅(Mg-In)和儀-銀(Mg-Ag)中的至少一種。
[0087] 第一電極110可W具有單層結(jié)構(gòu)或包括多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極110可 W具有口 O/Ag/ITO的Ξ層結(jié)構(gòu)，但是本公開的實施例不限于此。
[0088] 有機層150可W位于第一電極110上。有機層150可W包括發(fā)射層。
[0089] 有機層150還可W包括第一電極110與發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)域和發(fā)射層與第 二電極190之間的電子傳輸區(qū)域。
[0090] 空穴傳輸區(qū)域可W包括選自于空穴注入層化IL)、空穴傳輸層化化）、緩沖層和電 子阻擋層化化）中的至少一個，電子傳輸區(qū)域可W包括選自于空穴阻擋層化BL)、電子傳輸 層巧化)和電子注入層巧IL)中的至少一個，但是空穴傳輸區(qū)域和電子傳輸區(qū)域的結(jié)構(gòu)不限 于此。
[0091] 空穴傳輸區(qū)域可W具有包括單種材料的單層結(jié)構(gòu)、包括多種不同材料的單層結(jié)構(gòu) 或者具有包括多種不同材料的多個層的多層結(jié)構(gòu)。
[0092] 例如，空穴傳輸區(qū)域可W具有包括多種不同材料的單層結(jié)構(gòu)，或者空穴注入層/空 穴傳輸層的結(jié)構(gòu)、空穴注入層/空穴傳輸層/緩沖層的結(jié)構(gòu)、空穴注入層/緩沖層的結(jié)構(gòu)、空 穴傳輸層/緩沖層的結(jié)構(gòu)或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)，其中，每種結(jié)構(gòu)的 層W陳述的次序從第一電極110順序地堆疊，但是本公開的實施例不限于此。
[0093] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)域包括空穴注入層時，可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸 如真空沉積、旋涂、誘鑄、朗格繆爾-布洛杰特化B)法、噴墨印刷、激光印刷和/或激光誘導(dǎo)熱 成像化ITI))在第一電極110上形成空穴注入層。
[0094] 當(dāng)通過真空沉積形成空穴注入層時，例如，根據(jù)用于形成空穴注入層的化合物和 待形成的空穴注入層的結(jié)構(gòu)，真空沉積可W在大約l〇〇°C至大約500°C的溫度、大約10-8托至 大約10氣毛的真空度、大約化01Α//秒至大約100Α//秒范圍內(nèi)的真空沉積速率的情況下執(zhí) 行。
[0095] 當(dāng)通過旋涂形成空穴注入層時，例如，通過考慮到用于形成待沉積的空穴注入層 的化合物和待形成的空穴注入層的結(jié)構(gòu)，旋涂可W在大約2000rpm至大約5000rpm的涂覆速 率、大約80°C至200°C的溫度下執(zhí)行。
[0096] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)域包括空穴傳輸層時，可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸 如真空沉積、旋涂、誘鑄、LB法、噴墨印刷、激光印刷和/或LITI)在第一電極110或空穴注入 層上形成空穴傳輸層。當(dāng)通過真空沉積和/或旋涂形成空穴傳輸層時，用于真空沉積和涂覆 的條件可W與用于形成空穴注入層的真空沉積和涂覆條件相似。
[0097] 空穴傳輸區(qū)域可 W 包括從 m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-ΝΡΒ、TPD、螺-TPD、螺- ΝΡΒ、甲基化ΝΡΒ、TAPC、HMTPD、4，4 '，4"-Ξ(Ν-巧挫基)Ξ苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯橫 酸(Pani/DBSA)、聚（3,4-乙撐二氧嚷吩)/聚(4-苯乙締橫酸鹽）。60017?55)、聚苯胺/精腦 橫酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙締橫酸鹽KPANI/PSS)、由下面的式201表示的化合物 和由下面的式202表示的化合物中選擇的至少一種：
[0103] 在式201和式202中，
[0104] L2日適L2日河W均獨立地選自于取代的或未取代的C6-C60亞芳基、取代的或未取代 的C1-C60亞雜芳基、取代的或未取代的二價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的二價非 芳香縮合雜多環(huán)基；
[01化]xal至xa4可w均獨立地選自于ο、1、2和3;
[0106] xa5可 W選自于1、2、3、4和 5;
[0107] R201至R204可W均獨立地選自于取代的或未取代的C3-C1日環(huán)烷基、取代的或未取代 的C2-C1Q雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C1Q環(huán)締基、取代的或未取代的C2-C1Q雜環(huán)締基、取 代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫 基、取代的或未取代的C1-C60雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或 未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基。
[010引在一些實施例中，在式201和式202中，
[0109] L201至L2日日可W均獨立地選自于：
[0110] 亞苯基、亞糞基、亞巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、 亞巧基、亞蔑:基、亞化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔 嘟基、亞哇挫嘟基、亞巧挫基和亞Ξ嗦基；W及
[0111] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、盧基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異 嗎I噪基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的亞苯基、 亞糞基、亞巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、亞巧基、亞窟基、亞 化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟基、 亞巧挫基和亞Ξ嗦基；
[0112] xal至xa4可W均獨立地選自于0、1和2;
[0113] xa5可W選自于1、2和3;
[0114] R201至R204可W均獨立地選自于：
[0115] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0116] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、甘菊環(huán) 基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、化嗦基、喀晚基、 化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞 基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、蔚基、化晚基、化嗦基、喀晚基、 化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基，但是本公開的實施例不 限于此。
[0117] 由式201表示的化合物可W由式201A表示：
[011 引式 201A
[0119]
[0120] 在一些實施例中，由式201表示的化合物可W由式201A-1表示，但實施例不限于 此：
[0121] 式201A-1 R一一
[0122]
[0123] 在一些實施例中，由式202表示的化合物可W由式202A表示，但實施例不限于此：
[0124] 式202A
[0125]
[01%]在式 201A、式 201A-1 和式 202A 中，L201 至 L2〇3、xal 至 xa3、xa5 和 R202 至 R204可 W 均通過 參照運里提供的描述來獨立地理解。R211可W與結(jié)合R203提供的定義相同地進行定義;R213至 R216可W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、 簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cso燒 氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧 基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基。
[0127] 在一些實施例中，在式201A、式201A-1和式202A中，
[012引 L201至L203可W均獨立地選自于：
[0129] 亞苯基、亞糞基、亞巧基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、 亞巧基、亞憩基、亞化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔 嘟基、亞哇挫嘟基、亞巧挫基和亞Ξ嗦基；W及
[0130] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、蔑基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的亞苯基、亞糞基、亞巧 基、亞螺巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞菲基、亞蔥基、亞巧基、亞藤基、亞化晚基、亞化 嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟基、亞巧挫基和亞 Ξ嗦基；
[0131] xal至xa3可W均獨立地選自于0和1;
[0132] R203、R211和R212可W均獨立地選自于：
[0133] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0134] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、歲基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、感基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；
[0135] R213和R214可W均獨立地選自于：
[0136] 打-C2日烷基和打-C2日烷氧基；
[0137] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧 基、菲基、蔥基、巧基、麓基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、 哇挫嘟基、巧挫基和S嗦基中的至少一者的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基；
[0138] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0139] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、猜基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、歳基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；
[0140] R2化和R216可W均獨立地選自于：
[0141] 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、 橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C2G烷基和C廣C2G烷氧基；
[0142] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧 基、菲基、蔥基、巧基、藤基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、 哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基；
[0143] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、蔵基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0144] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、窟基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、盧基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基，
[0145] xa5可W選自于1和2。
[0146] 在式201A和式201A-1中，R213和R214可W彼此連接，從而形成飽和環(huán)或不飽和環(huán)。
[0147] 由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可W均獨立地包括化合物HT1至化 合物HT20,但本公開的實施例不限于此：
[014 引
J 、 咕產(chǎn)巧b..
[0149]
[0150] 空穴傳輸區(qū)域的厚度可W在大約lOOA至大約ΙΟ,ΟΟΟΑ的范圍內(nèi)，例如，大約 100Α至大約1 ,οοοΑ。當(dāng)空穴傳輸區(qū)域包括空穴注入層和空穴傳輸層時，空穴注入層的厚 度可W在大約100Α至大約ΙΟ,ΟΟΟΑ的范圍內(nèi)，例如，大約1奶化至大約Ι,ΟΟΟΑ，空穴傳輸 層的厚度可W在大約50A至大約2,000A的范圍內(nèi)，例如，lOOA至大約1，500A。。當(dāng)空穴 傳輸區(qū)域、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在運些范圍中的任意范圍內(nèi)時，可W獲得優(yōu)異 的空穴傳輸特性而不顯著增大驅(qū)動電壓。
[0151] 除了上述材料之外，空穴傳輸區(qū)域可W包括電荷產(chǎn)生材料W改善導(dǎo)電性能。電荷 產(chǎn)生材料可W均勻地或非均勻地分散在整個空穴傳輸區(qū)域中。
[0152] 電荷產(chǎn)生材料可W是例如P滲雜劑。P滲雜劑可W選自于釀衍生物、金屬氧化物和 包含氯基的化合物，但是不限于此。P滲雜劑的非限制性示例包括:釀衍生物(諸如四氯基釀 二甲燒(TCNQ)和/或2，3，5，6-四氣-四氯基-1，4-苯釀二甲燒(F4-TCNQ));金屬氧化物(諸如 氧化鶴和/或氧化鋼）；W及化合物HT-D1，但是實施例不限于此：
[0153]
[0154] 除了上面描述的空穴注入層和空穴傳輸層之外，空穴傳輸區(qū)域還可W包括緩沖層 和/或電子阻擋層。由于緩沖層可W根據(jù)從發(fā)射層發(fā)射的光的波長來補償光學(xué)諧振距離，因 此可W改善所得的有機發(fā)光器件的發(fā)光效率。空穴傳輸區(qū)域中包括的任何材料可W用作緩 沖層中包括的材料。在一些實施例中，電子阻擋層防止或減少來自電子傳輸區(qū)域的電子的 注入。
[0155] 可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸如真空沉積、旋涂、誘鑄、LB法、噴墨印 巧IJ、激光印刷和/或LITI)在第一電極110或空穴傳輸區(qū)域上形成發(fā)射層。當(dāng)通過真空沉積 和/或旋涂形成發(fā)射層時，用于發(fā)射層的沉積和涂覆條件可W與用于空穴注入層的沉積和 涂覆條件相似。
[0156] 當(dāng)有機發(fā)光器件10是全色有機發(fā)光器件時，發(fā)射層可W根據(jù)子像素被圖案化為紅 色發(fā)射層、綠色發(fā)射層或藍(lán)色發(fā)射層。在一些實施例中，發(fā)射層可W具有紅色發(fā)射層、綠色 發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層的堆疊結(jié)構(gòu)，或者可W包括在單層中彼此混合的紅色發(fā)光材料、綠色 發(fā)光材料和藍(lán)色發(fā)光材料W發(fā)射白光。
[0157] 發(fā)射層可W包括主體和滲雜劑。
[0158] 在一些實施例中，主體可W包括由式1表示的化合物。
[0159] 滲雜劑可W包括一種或更多種合適的巧光滲雜劑和/或憐光滲雜劑。
[0160] 例如，滲雜劑可W是選自于銀(Ir)配合物、銷(Pt)配合物、餓(Os)配合物和銅(Cu) 配合物中的至少一種。
[0161] 憐光滲雜劑可W包括由下面的式401表示的有機金屬配合物：
[0162] 式401
[0163]
[0164] 在式 401 中，
[0165] Μ可W選自于銀（Ir)、銷(Pt)、餓(Os)、鐵(Ti)、錯(Zr)、給化f)、館化U)、鋪(Tb)和 鎊巧m);
[0166] X401至X404可W均獨立地為氮或碳；
[0167] A401和A402環(huán)可W均獨立地選自于取代的或未取代的苯、取代的或未取代的糞、取 代的或未取代的巧、取代的或未取代的螺巧、取代的或未取代的巧、取代的或未取代的化 咯、取代的或未取代的嚷吩、取代的或未取代的巧喃、取代的或未取代的咪挫、取代的或未 取代的化挫、取代的或未取代的嚷挫、取代的或未取代的異嚷挫、取代的或未取代的嗯挫、 取代的或未取代的異嗯挫、取代的或未取代的化晚、取代的或未取代的化嗦、取代的或未取 代的喀晚、取代的或未取代的化嗦、取代的或未取代的哇嘟、取代的或未取代的異哇嘟、取 代的或未取代的苯并哇嘟、取代的或未取代的哇喔嘟、取代的或未取代的哇挫嘟、取代的或 未取代的巧挫、取代的或未取代的苯并咪挫、取代的或未取代的苯并巧喃、取代的或未取代 的苯并嚷吩、取代的或未取代的異苯并嚷吩、取代的或未取代的苯并嗯挫、取代的或未取代 的異苯并嗯挫、取代的或未取代的Ξ挫、取代的或未取代的嗯二挫、取代的或未取代的Ξ 嗦、取代的或未取代的二苯并巧喃和取代的或未取代的二苯并嚷吩；
[0168] 取代的苯、取代的糞、取代的巧、取代的螺巧、取代的巧、取代的化咯、取代的嚷吩、 取代的巧喃、取代的咪挫、取代的化挫、取代的嚷挫、取代的異嚷挫、取代的嗯挫、取代的異 嗯挫、取代的化晚、取代的化嗦、取代的喀晚、取代的化嗦、取代的哇嘟、取代的異哇嘟、取代 的苯并哇嘟、取代的哇喔嘟、取代的哇挫嘟、取代的巧挫、取代的苯并咪挫、取代的苯并巧 喃、取代的苯并嚷吩、取代的異苯并嚷吩、取代的苯并嗯挫、取代的異苯并嗯挫、取代的Ξ 挫、取代的嗯二挫、取代的Ξ嗦、取代的二苯并巧喃和取代的二苯并嚷吩中的至少一個取代 基可W選自于：
[0169] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[0170] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C1日環(huán)烷基、C2-C1日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、Cs-Cso芳基、Cs-Cs日芳氧基、Cs-Cs日芳硫基、Ci-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(Q401) (〇402)、-Si(Q403) (〇404) (〇405)和-Β(0406) (〇407)中的 至少一者的C2-C60烷基、C2-C60締基、C廣C60烘基和C廣C60烷氧基；
[01 71 ] 肺烷基、Cs-ClD雜環(huán)烷基、肺締基、Cs-ClD雜環(huán)締基、Cs-CsD芳基、Cs-Cso芳 氧基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0172]均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(Q"1) (化 12)、-Si(Q"3) (Q"4) (Q"5)和-B(Q"6) (Q"7)中的至少一者的 C3-C10 環(huán)烷基、C2-C10 雜環(huán)燒 基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、C廣CsQ雜芳基、單 價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；W及
[01 7；3 ] -N( Q421) ( Q422 )、-Si ( Q423 ) ( Q424) ( Q425 )和-B ( Q426 ) ( Q427 )，
[0174] 其中，〇401至〇407、Q"1至Q"7和Q421至化27可W均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-化、- I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、 C廣Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、C廣Cs日烷氧基、C3-C1日環(huán)烷基、C2-C1日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締 基、C2-C10雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜 多環(huán)基；
[0175] L401可W為有機配體；
[0176] xcl可W選自于1、2和3;
[0177] xc2可 W 選自于0、1、2和3。
[0178] 在式401中，L401可W是任何合適的單價有機配體、二價有機配體或Ξ價有機配體。 例如，L401可W選自于面素配體(例如，C1和/或F)、二酬配體(例如，乙酷丙酬、1,3-二苯基- 1,3-丙二酬、2,2，6,6-四甲基-3,5-庚二酬和/或六氣丙酬）、簇酸配體(例如，化晚甲酸、二 甲基-3-化挫簇酸和/或苯甲酸）、一氧化碳配體、異臘配體、氯基配體和憐配體(例如，麟和/ 或亞憐酸），但是本公開的實施例不限于此。
[0179] 當(dāng)式401中的A401包括多個取代基時，A401的多個取代基可W彼此結(jié)合W形成飽和 的或不飽和的環(huán)。
[0180] 當(dāng)式401中的A402包括多個取代基時，A402的多個取代基可W彼此結(jié)合W形成飽和 的或不飽和的環(huán)。
[0181] 當(dāng)式401中的xcl為2或更大時，式401中的多個配
巧^彼此相同 或彼此不同。在式401中，當(dāng)xcl為2或更大時，一個配體的A401和/或A40河W直接地(例如，經(jīng) 由諸如單鍵的化學(xué)鍵)或經(jīng)由連接基(例如，Ci-Cs亞烷基、-N(R'）-(其中，R'是Ci-Cio烷基或 C6-C20芳基)和/或-C(=0)-)分別連接(例如，結(jié)合巧Ij另一相鄰配體的A401和/或A402。
[0182] 憐光滲雜劑可W包括選自于化合物PD1至化合物PD74中的至少一種，但是本公開 的實施例不限于此：






[0192] 巧光滲雜劑可W包括選自于DPVBi、DPAVBi、TB化、DCM、DCJTB、香豆素(Coumarin)6 和巧45T中的至少一種。
[0193]

[01M]在一些實施例中，巧光滲雜劑可w包括由式501表示的化合物：
[0196] 式501
[0197]
[019引 在式501中，
[0199] Ar日日1可W選自于：
[0200] 糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥 基、苯并[9，10]菲基、巧基、歳基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧并蔥基；W及
[0201] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-CsO烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Ci-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C60芳硫基、Ci-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基和-SKQsoi) (Q502K化03)中的至少一者的糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締 基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、蔵基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧并 蔥基，其中，Q日01至祐03可W均獨立地選自于氨、Cl-C冊烷基、C2-C60締基、C6-C60芳基和C廣C60雜 芳基；
[0202] L日日1至L日日3可W均獨立地與結(jié)合L203在運里提供的定義相同地進行定義；
[0203] R日日1和R日日2可W均獨立地選自于：
[0204] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、厳基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧 喃基和二苯并嚷吩基；W及
[02化]均取代有選自于気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、感基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基和二苯并嚷吩基中的至 少一者的苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、盧基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧 喃基和二苯并嚷吩基；
[0206] xdl至xd3可W均獨立地選自于0、1、2和3; W及
[0207] xd4 可 W選自于1、2、3和4。
[0208] 巧光滲雜劑可W包括選自于化合物FD1至化合物FD8中的至少一種：
[0209]
[0211] 例如，基于100重量份的主體，發(fā)射層中的滲雜劑的量可W在大約0.01重量份至大 約15重量份的范圍內(nèi)，但是本公開的實施例不限于此。
[0212] 發(fā)射層的厚度可W在大約lOOA至大約lOOOA的范圍內(nèi)，例如，大約200A至大約 600A。當(dāng)發(fā)射層的厚度在運些范圍中的任何范圍內(nèi)時，可W獲得優(yōu)異的發(fā)光特性而不顯 著地增大驅(qū)動電壓。
[0213] 電子傳輸區(qū)域可W位于發(fā)射層上。
[0214] 電子傳輸區(qū)域可W包括從空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中選擇的至少一 個，但不限于此。
[0215] 當(dāng)電子傳輸區(qū)域包括空穴阻擋層時，可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸 如真空沉積、旋涂、誘鑄、LB法、噴墨印刷、激光印刷和/或LITI)在發(fā)射層上形成空穴阻擋 層。當(dāng)通過真空沉積和/或旋涂形成空穴阻擋層時，用于空穴阻擋層的沉積和涂覆條件可W 與用于空穴注入層的沉積和涂覆條件相似。
[0216] 例如，空穴阻擋層可W包括選自于BCP和B地en中的至少一種，但不限于此：
[0217]
[0218] 空穴阻擋層的厚度可W在大約20A至大約lOOOA的范圍內(nèi)，例如，大約30A至大 約30QA。當(dāng)空穴阻擋層的厚度在運些范圍中的任何范圍內(nèi)時，可W獲得優(yōu)異的空穴阻擋特 性而不顯著增大驅(qū)動電壓。
[0219] 電子傳輸區(qū)域可W具有電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)或空穴阻擋層/電子傳輸 層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，其中，每種結(jié)構(gòu)的層W陳述的次序從發(fā)射層順序地堆疊，但是本公 開的實施例不限于此。
[0220] 在一些實施例中，有機發(fā)光器件的有機層150可W包括發(fā)射層與第二電極190之間 的電子傳輸區(qū)域，電子傳輸區(qū)域可W包括電子傳輸層。電子傳輸層可W是多個層。在一些實 施例中，電子傳輸區(qū)域可W包括第一電子傳輸層和第二電子傳輸層。
[0221 ] 電子傳輸層可W包括選自于BCP、B地611、4193、13曰19、了42和^42中的至少一種。
[0222] P
[0223] 在一些實施例中，電子傳輸層可W包括選自于由式601表示的化合物和由式602表 示的化合物中的至少一種化合物：
[0224] 式601
[0225] ΑΓ60廣? (XsoOxe廣G60l!Ue2〇
[0226] 在式 601 中，
[0227] Arsoi可 W選自于：
[0228] 糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥 基、苯并[9，10]菲基、巧基、窟基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧并蔥基；W及
[0229] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C3-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C3-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基和-SKQ301) (9302 )(化03)中的至少一者的糞基、庚搭締基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締 基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9，10]菲基、巧基、蔵基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基和巧并 蔥基，其中，〇3日1至跑03可W均獨立地選自于氨、&-C冊烷基、C2-C60締基、C6-C60芳基和C廣C60雜 芳基；
[0230] L601可W與L203相同地定義；
[0231] E601可W選自于：
[0232] 化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化 晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并 哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、 吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、 =挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫 基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；W及
[0233] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C2Q烷基、C1-C2Q烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚 基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、 起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲 基、巧基、蔑基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、惹基、卵苯 基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟 基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦 基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫 基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、 嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基中的至少一者的化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、 化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、 嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并 巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚 基；
[0234] xel 可 W 選自于0、1、2和3;
[0235] xe2可 W選自于1、2、3和4。
[0236] 式602
[0237]
[023引 在式602中，
[0239] Xsil 可 W 為N或 C-(X611)xe611-R611 ;Xsi2 可 W 為N或 C-(X612)xe612-R612 ;Xsi3可 W 為N或〔- (L613 )xe613-Rsi3 ;選自于Xsil至X613中的至少一個可W為N，
[0240] Lm至L616可W均獨立地與結(jié)合L203在運里提供的定義相同地進行定義，
[0241] R611至R616可W均獨立地選自于：
[0242] 苯基、糞基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、盧基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基；W及
[0243] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺 巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、蘆基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基中的至少一者的苯基、糞基、巧基、螺巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、蔵基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟 基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和Ξ嗦基，
[0244] xe611至^；6616可^均獨立地選自于0、1、2和3。
[0245] 由式601表示的化合物和由式602表示的化合物可W均獨立地選自于化合物ET1至 化合物ET15:
[0246]
[0247]
[0248] 電子傳輸層的厚度可w在大約lOOA至大約lOOOA的范圍內(nèi)，例如，大約150A至 大約500A。當(dāng)電子傳輸層的厚度在運些范圍中的任何范圍內(nèi)時，可W獲得優(yōu)異的電子傳輸 特性而不顯著地增大驅(qū)動電壓。
[0249] 除了上面描述的材料之外，電子傳輸層還可W包括含金屬的材料。
[0250] 含金屬的材料可W包括Li配合物。例如，Li配合物可W包括化合物ET-D1(^基哇 嘟裡或LiQ)和/或化合物ET-D2:
[0251]
[0252] 電子傳輸區(qū)域可W包括促進電子從第二電極190注入的電子注入層。
[0253] 可W通過利用一種或更多種合適的方法(諸如真空沉積、旋涂、誘鑄、LB法、噴墨印 巧IJ、激光印刷和/或LITI)在電子傳輸層上形成電子注入層。當(dāng)通過真空沉積和/或旋涂形成 電子注入層時，用于電子注入層的真空沉積和涂覆條件可W與用于空穴注入層的真空沉積 和涂覆條件相似。
[0254] 電子注入層可W包括選自于^。、船(：1、〔3。、^2〇、8曰0和^9中的至少一種。
[0255] 電子注入層的厚度可W在大約lA至大約100A的范圍內(nèi)，例如，大約3Λ至大約 9()A。當(dāng)電子注入層的厚度在運些范圍中的任何范圍內(nèi)時，可W獲得優(yōu)異的電子注入特性 而不顯著地增大驅(qū)動電壓。
[0256] 第二電極190可W位于有機層150上。第二電極190可W是陰極（其是電子注入電 極）。就運點而言，用于形成第二電極190的材料可W是具有低逸出功的材料，例如，金屬、合 金、導(dǎo)電化合物或它們的混合物。用于形成第二電極190的材料的非限制性示例可W包括裡 (Li)、儀(Mg)、侶(A1)、侶-裡(Al-Li)、巧(Ca)、儀-銅(Mg-In)和儀-銀(Mg-Ag)。在一些實施 例中，用于形成第二電極190的材料可W是IT0和/或IZ0。第二電極190可W是反射電極、半 透射電極或透射電極。
[0257] 可W通過真空沉積上面描述的化合物或通過利用濕法（其中，上面描述的化合物 W溶液的形式制備，然后用于涂覆)形成根據(jù)本公開的實施例的有機發(fā)光器件的有機層。
[0258] 根據(jù)實施例的有機發(fā)光器件可W包括在各種類型的平板顯示裝置中，例如，在無 源矩陣有機發(fā)光顯示裝置和/或有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置中。例如，當(dāng)有機發(fā)光器件包括 在有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置中時，基底上的第一電極是像素電極，第一電極可W電連接 (例如，結(jié)合巧Ij薄膜晶體管的源電極或漏電極。另外，有機發(fā)光器件可W包括在可在其兩側(cè) 上顯示圖像的平板顯示裝置中。
[0259] 在上文中，已經(jīng)參照圖1描述了有機發(fā)光器件，但是本公開的實施例不限于此。
[0260] 在下文中，將給出運里使用的取代基的定義(除非另外陳述的，否則用來限制取代 基的碳數(shù)的數(shù)字不受限，且不限制取代基的性能，取代基的定義與其一般的定義一致）。
[0261] 運里使用的C1-C60烷基可W指具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈脂肪族控單價基 團。其非限制性示例包括甲基、乙基、丙基、異下基、仲下基、叔下基、戊基、異戊基和己基。運 里使用的C廣C60亞烷基可W指與C廣C60烷基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0%2] 運里使用的C廣Cso烷氧基可W指由-OAioi(其中，Αιοι是C廣Cso烷基）表不的單價基 團。其非限制性示例可W包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。
[0263] 運里使用的C2-C60締基可W指在沿C2-C60烷基的碳鏈的一個或更多個位置處（例 如，在C2-C60烷基的中間或任一端部)具有至少一個碳-碳雙鍵的控基。其非限制性示例可W 包括乙締基、丙締基和下締基。運里使用的C2-C60亞締基可W指與C2-C60締基具有相同結(jié)構(gòu) 的二價基團。
[0264] 運里使用的C2-C60烘基可W指在沿C2-C60烷基的碳鏈的一個或更多個位置處（例 如，在C2-C60烷基的中間或任一端部)具有至少一個碳-碳Ξ鍵的控基。其非限制性示例可W 包括乙烘基和丙烘基。運里使用的C2-C60亞烘基可W指與C2-C60烘基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基 團。
[0265] 運里使用的C3-C10環(huán)烷基可W指包括3至10個碳原子的單價單環(huán)飽和控基。其非限 制性示例可W包括環(huán)丙基、環(huán)下基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。運里使用的C3-C1Q亞環(huán)烷基可 W指與C3-C10環(huán)烷基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0266] 運里使用的C2-C10雜環(huán)烷基可W指包括作為成環(huán)原子的從N、0、P和S中選擇的至少 一種雜原子和2至10個碳原子的單價單環(huán)基。其非限制性示例可W包括四氨巧喃基和四氨 嚷吩基。運里使用的C2-C10亞雜環(huán)烷基可W指與C2-C10雜環(huán)烷基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0267] 運里使用的C3-C10環(huán)締基可W指在其環(huán)中具有3至10個碳原子和至少一個雙鍵并 且不具有芳香性的單價單環(huán)基。其非限制性示例可W包括環(huán)戊締基、環(huán)己締基和環(huán)庚締基。 運里使用的C3-C10亞環(huán)締基可W指與C3-C10環(huán)締基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0268] 運里使用的C2-C10雜環(huán)締基可W指在其環(huán)中包括作為成環(huán)原子的從N、0、P和S中選 擇的至少一種雜原子、2至10個碳原子和至少一個雙鍵的單價單環(huán)基。C2-C10雜環(huán)締基的非 限制性示例可W包括2,3-二氨巧喃基和2,3-二氨嚷吩基。運里使用的C2-C10亞雜環(huán)締基可 W指與C2-C10雜環(huán)締基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0269] 運里使用的C6-C60芳基可W指包括具有6至60個碳原子的碳環(huán)芳香體系的單價基 團。運里使用的C6-C60亞芳基可W指包括具有6至60個碳原子的碳環(huán)芳香體系的二價基團。 C6-C60芳基的非限制性示例可W包括苯基、糞基、蔥基、菲基、巧基和蘆基。當(dāng)C6-C60芳基和/ 或C6-C60亞芳基包括多個環(huán)時，各個環(huán)可W彼此稠合。
[0270] 運里使用的C1-C60雜芳基可W指具有包括作為成環(huán)原子的從N、0、P和S中選擇的至 少一種雜原子和1至60個碳原子的碳環(huán)芳香體系的單價基團。運里使用的Ci-Cso亞雜芳基可 W指具有包括作為成環(huán)原子的從N、0、P和S中選擇的至少一種雜原子和1至60個碳原子的碳 環(huán)芳香體系的二價基團。C1-C60雜芳基的非限制性示例可W包括化晚基、喀晚基、化嗦基、化 嗦基、Ξ嗦基、哇嘟基和異哇嘟基。當(dāng)Ci-Cso雜芳基和/或Ci-Cso亞雜芳基包括多個環(huán)時，各個 環(huán)可W彼此稠合。
[0271 ] 運里使用的Cs-Cso芳氧基可W指由-〇Ai〇2(其中，Ai〇2是Cs-Cso芳基）表不的基團。運 里使用的C6-C60芳硫基可W指由-SAi〇3 (其中，Ai〇3是C6-C60芳基)表示的基團。
[0272] 運里使用的單價非芳香縮合多環(huán)基可W指具有彼此縮合的兩個或更多個環(huán)且僅 具有碳原子作為成環(huán)原子(例如，碳原子的數(shù)量可W在8至60的范圍內(nèi)）的單價基團，其中， 該基團的分子結(jié)構(gòu)作為整體是非芳香性的。單價非芳香縮合多環(huán)基的非限制性示例是巧 基。運里使用的二價非芳香縮合多環(huán)基可W指與單價非芳香縮合多環(huán)基具有相同的結(jié)構(gòu)的 二價基團。
[0273] 運里使用的單價非芳香縮合雜多環(huán)基可W指具有彼此縮合的兩個或更多個環(huán)、具 有作為成環(huán)原子的從N、0、P和S中選擇的至少一種雜原子和碳原子(例如，碳原子的數(shù)量可 W在2至60的范圍內(nèi)）的單價基團，其中，該基團的分子結(jié)構(gòu)作為整體是非芳香性的。單價非 芳香縮合雜多環(huán)基的非限制性示例包括巧挫基。運里使用的二價非芳香縮合雜多環(huán)基可W 指與單價非芳香縮合雜多環(huán)基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
[0274] 取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的C2-C10亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C10亞環(huán)締基、取代的 C2-C10亞雜環(huán)締基、取代的C6-C60亞芳基、取代的打-C60亞雜芳基、取代的二價非芳香縮合多 環(huán)基、取代的二價非芳香縮合雜多環(huán)基、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60 烘基、取代的Cl-Cso烷氧基、取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締 基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取 代的C1-C60雜芳基、取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基中的 至少一個取代基可W選自于：
[0275] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[0276] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C1日環(huán)烷基、C2-Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-則911)地2)、-51地3)(914)(915)和-8他6)地7)中的至少 一者的Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣Cso烷氧基；
[0277]肺烷基、Cs-ClD雜環(huán)烷基、肺締基、Cs-ClD雜環(huán)締基、Cs-CsD芳基、Cs-Cso芳 氧基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基； [0278]均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、 C6-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (化2 )、-Si ( Q23 )(化4) ( Q2日）和-B ( Q26)(化7)中的至少一者的C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3- Cio環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、Cl-CsQ雜芳基、單價非芳 香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；w及
[0279] -N(跑1) (Q32)、-Si (Q33) (Q34) (Q35)和-B(Q36) (Q37)，
[0280] 其中，Qii至Qi7、Q2適〇27和〇31至跑7可W均獨立地選自于氨、気、-F、-C1、-B;r、-I、美圣 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-Cso 烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、 C2-C1日雜環(huán)締基、C6-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多 環(huán)基。
[0281] 例如，取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的C2-C10亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C10亞環(huán)締基、取 代的C2-C10亞雜環(huán)締基、取代的C6-C60亞芳基、取代的C1-C60亞雜芳基、取代的二價非芳香縮 合多環(huán)基、取代的二價非芳香縮合雜多環(huán)基、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60締基、取代的 C2-C6D烘基、取代的Cl-Ceo烷氧基、取代的C3-C1肺烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10 環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫 基、取代的C1-C60雜芳基、取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基 中的至少一個取代基可W選自于：
[0282] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸 基或其鹽、憐酸基或其鹽、C廣C6Q烷基、C2-C6Q締基、C2-C6Q烘基和C廣C6Q烷氧基；
[0283] 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、 苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、歳基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、惹基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、 咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異 嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃 基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基、 咪挫并喀晚基、-N(Qii) (Qi2)、-Si(Qi3) (Qi4) (Qi5)和-B(Qi6) (Qi7)中的至少一者的Ci-Cs偏基、 Cs-Cso締基、Cs-Cso烘基和C廣Cso烷氧基；
[0284] 環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘 菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、 恩基、欠恩基、苯并[9,10]非基、巧基、涵基、并四苯基、畦基、巧基、戊分基、并六苯基、并五 苯基、玉紅省基、惹基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、 嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇 嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚 基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并 嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、 苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；
[0285] 均取代有選自于気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇 酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán) 基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、 巧蔥基、苯并[9,10]菲基、巧基、歳基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、 玉紅省基、惹基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫 基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、 異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚 基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、 異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫 基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-N(化1)(Q22)、-Si (化3)(924) 地5)和-B(Q26)(Q27)中的至少一者的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、并 環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并巧基、二 苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9，10]菲基、巧基、藩基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、惹基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、 化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、 嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并 巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚 基；W及
[0286] -N(跑1) (Q32)、-Si (Q33) (Q34) (Q35)和-B(Q36) (Q37)，
[0巧7] 其中，Qii至化7、化適〇27和〇31至跑7可W均獨立地選自于氨、気、-F、-C1、-B;r、-I、美圣 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-Cso 烷基、〔2-〔6日締基、〔2-〔6日烘基、打-〔6日烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、 苯基、并環(huán)戊二締基、巧基、糞基、甘菊環(huán)基、庚搭締基、引達省基、起基、巧基、螺巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并[9，10]菲基、巧基、麗基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、惹基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、 咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異 嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻嗦基、糞晚基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃 基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、嚷二挫基、咪挫并化晚基 和咪挫并喀晚基。
[028引運里使用的"Ph"可W指苯基。"Me"可W指甲基。"Et"可W指乙基。
[0289] "Ter-Bu"或"Bu"' 可 W 指叔下基。
[0290] 在下文中，將更加詳細(xì)地參照示例描述根據(jù)本公開的一個或更多個實施例的有機 發(fā)光器件。
[0291] 合成示例
[0292] 合成示例1:化合物1的合成
[0293]
[0巧4] 在氮氣氣氛下，將1.8g(4mmol)的中間體A、1.9g(4mmol)的中間體B、231mg (0.2mmol)的Pd(P化3)4和1. lg(12mmol)的叔下醇鋼添加至IjlOO血的甲苯和25血的乙醇，將得 到的溶液回流大約24小時。
[0巧日]一旦反應(yīng)完成，通過蒸發(fā)去除溶劑。分別加入800mL的二氯甲燒和800mL的水用于 清洗。由此獲得有機層，通過使用無水硫酸儀(MgS化)將獲得的有機層干燥。將得到的殘留 物重結(jié)晶并通過硅膠層析分離，從而獲得1. Ig的化合物1(產(chǎn)率:40% )。
[0296] 質(zhì)譜(基質(zhì)輔助激光解析/電離-飛行時間）(MS(MALDI-TOF) )m/z :712[M] +。
[0297] 合成示例2:化合物8的合成 [029引
[0299] 除了使用中間體C代替中間體B之外，W與化合物1的合成相同（或基本相同）的方 式合成1.3g的化合物8(產(chǎn)率:43%)。
[0300] MS(MALDI-T0F)m/z:836[M]+。
[0301] 合成示例3:化合物9的合成 「nw)l
[0303] 除了使用中間體D代替中間體B之外，W與化合物1的合成相同（或基本相同）的方 式合成1.7g的化合物9(產(chǎn)率:45%)。
[0304] MS(MALDI-T0F)m/z:867[M]+。
[0305] 合成示例4:化合物28的合成
[0306]
[0307] 除了使用中間體E代替中間體B之外，W與化合物1的合成相同（或基本相同）的方 式合成2g的化合物28(產(chǎn)率:41%)。
[0308] MS(MALDI-T0F)m/z:752[M]+。
[0309] 合成示例5:化合物41的合成
[0310]
[0311 ]除了使用中間體F代替中間體A和使用中間體G代替中間體B之外，W與化合物1的 合成相同（或基本相同）的方式合成1. Og的化合物41 (產(chǎn)率:35% )。
[0；312] MS(MALDI-T0F)m/z:878[M] +。
[0313] 合成示例6:化合物48的合成
[0314]
[0315] 除了使用中間體F代替中間體A和使用中間體C代替中間體B之外，W與化合物1的 合成相同（或基本相同）的方式合成1.3g的化合物48(產(chǎn)率:37% )。
[0；316] MS(MALDI-T0F)m/z ： 1002[M] + 〇 [0317]合成示例7:化合物53的合成
[031 引
[0319] 除了使用中間體Η代替中間體A和使用中間體I代替中間體B之外，W與化合物1的 合成相同（或基本相同）的方式合成1. Ig的化合物53(產(chǎn)率:41 % )。
[0320] MS(MALDI-T0F)m/z:793[M]+。
[0321] 合成示例8:化合物59的合成
[0322]
[0323] 除了使用中間體Η代替中間體A和使用中間體D代替中間體B之外，W與化合物1的 合成相同（或基本相同）的方式合成0.9g的化合物59(產(chǎn)率:31 % )。
[0324] MS(MALDI-T0F)m/z:872[M]+。
[0325] 合成示例9:化合物60的合成
[0326]
[0327] 除了使用中間體Η代替中間體A和使用中間體C代替中間體B之外，W與化合物1的 合成相同（或基本相同）的方式合成1. Ig的化合物60(產(chǎn)率:33%)。
[032引 MS(MALDI-T0F)m/z:841[M] +。
[0329]合成示例10:化合物66的合成
[0330]
[0331] 除了使用中間體J代替中間體A和使用中間體Κ代替中間體B之外，W與化合物1的 合成相同（或基本相同）的方式合成1.9g的化合物66(產(chǎn)率:47% )。
[0332] MS(MALDI-T0F)m/z:717[M]+。
[0333] 合成示例11:化合物68的合成
[0334]
[0335] 除了使用中間體F代替中間體A和使用中間體L代替中間體B之外，W與化合物1的 合成相同（或基本相同）的方式合成0.9g的化合物68(產(chǎn)率:34% )。
[0336] MS(MALDI-T0F)m/z:712[M]+。
[0337] 示例 1
[033引將口 0玻璃基底切割成50mm X 50mm X 0.5mm的尺寸。然后，將玻璃基底在丙酬、異丙 醇和純水的每個溶劑中超聲大約15分鐘，并通過暴露于紫外線和臭氧30分鐘來進行清洗。 W大約lA/秒的沉積速率在其上真空沉積HT-1W形成具有大約600A的厚度的空穴注入 層。W大約1.A/渺'的沉積速率在空穴注入層上真空沉積0-NPDW形成具有大約300A的厚度 的空穴傳輸層。接著，分別W大約化15A/渺和大約lA/秒的沉積速率在空穴傳輸層上均真 空沉積Ir(ppy)3和化合物1(作為主體）W形成具有大約400A的厚度的發(fā)射層。之后，在發(fā) 射層上真空沉積BCPW形成具有大約100A的厚度的電子傳輸層。在電子傳輸層上真空沉積 LiFW形成具有大約10Λ的厚度的電子注入層，并在電子注入層上真空沉積A1W形成具有 大約20:004的厚度的陰極，從而完成有機發(fā)光器件的制造。
[0339]
[0340] 示例 2
[0341] 除了使用化合物8作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本相 同）的方式制造具有IT0/HT-1 (600A )/a-NPD( 300矣）/15% Ir(ppy)3+化合物8(400A)/ BCP (1 ΟαΑ) /LiF( 1OA) /A1 (2000A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0；342]示例3
[0343] 除了使用化合物9作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本相 同）的方式制造具有IT0/HT-] (600Λ )/a-NPD( 300A )/15% Ir(ppy)3+化合物9(400A)/ BCP( l〇〇A)/LiF( lOA )/Al (20說)A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0344] 示例4
[0345] 除了使用化合物28作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有 IT0/HT-1 (600A)/日-NPD( 300A )/15% Ir (卵y )3+化合物 28( 400A )/BCP ( IOQA ) /LiF( 1々A) /A1 (2000A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0；346]示例5
[0347]除了使用化合物41作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有口0/HT-1 ( 600Λ ) /a-NPD ( 300A ) /15 % Ir (卵y) 3+化合物41 ( 4Q()A )/BCP α OOA) /LiF( 1OA) /A1 (2000A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0；34引 示例6
[0349]除了使用化合物48作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有口0/HT-1 (600A) /a-NPD ( 3ΟΟΛ ) /15 % Ir (卵y) 3+化合物48 (400A )/BCP (1 QQA )/LiF( 1 QA )/A1 ( 200QA )的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0；350]示例7
[0351]除了使用化合物53作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有ITO/HT-l(60〇A)/a-NPD(3〇〇A)/15%Ir(卵y)3+化合物53(4說茲 )/BCP (100 A) /LiF( 10 A) /A1 (2000A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0；352]示例8
[0353]除了使用化合物59作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有口0/HT-1 (600違）/a-NPD( 300A )/15% Ir(卵y)3+化合物59( 400A )/BCP( lOOA) /LiF( lOA) /A1 (2000或）的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0；354]示例9
[0355]除了使用化合物60作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有IT0/HT-1 ( 600Λ )/a-NPD(抓QA )/15 % Ir (卵y)3+化合物60(40QA )/BCP(1OOA) /LiF( 1OA) /A1 (2000Λ )的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0：356]示例10
[0357]除了使用化合物66作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有IT0/HT-1 ( 600A )/a-NPD( 300A )/15 % Ir (卵y)3+化合物66 (400A )/BCP(l〇;〇爲(wèi))/LiF(l〇A)/Al(200〇A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0巧引示例11
[0359] 除了使用化合物68作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有IT0/HT-1 ( 600Λ )/a-NPD(3?0Α)/15 % Ir (卵y)3+化合物68(40姐L )/BCP(l〇〇A)/LiF(l〇A)/Al(200〇A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0360] 對比示例1
[0361] 除了使用化合物100作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有 IT0/HT-1 (:600A )/a-NPD( 300A)/15% Ir(ppy)3+化合物 100( 400A )/BCP(1OOA)/LiF( 10A)/A1 ( 2000A )的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[0362]
[0363] 對比示例2
[0364] 除了使用化合物200作為主體代替化合物1之外，W與示例1中的方式相同（或基本 相同）的方式制造具有 ITO/HT-l(60〇A)/a-NPD(3〇〇A)/15%Ir(ppy)3+化合物 200(4Q0A )/BCP( l〇〇A)/LiF( lOA )/Al ( 2000A)的結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件。
[03 化]
[0366] 測量示例1至示例11和對比示例1和對比示例2中制造的有機發(fā)光器件的電流效率 (cd/A)和壽命(T90)的結(jié)果示出在表1中。
[0367] 表 1
[036引
[0370] 參照表1，發(fā)現(xiàn)，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的由式1表示的化合物被用作有 機發(fā)光器件中的發(fā)射層主體時，與對比示例中制造的有機發(fā)光器件比較，有機發(fā)光器件可 W具有優(yōu)異的電流-電壓-亮度(I-V-L)特性，W及顯著改善的效率和優(yōu)異的壽命特性。
[0371] 如上面描述的，根據(jù)一個或更多個示例實施例，由式1表示的化合物可W具有優(yōu)異 的發(fā)射特性。因此，式1的化合物適用于用于紅色、綠色、藍(lán)色和/或白色的巧光和/或憐光器 件的發(fā)射材料。使用式1的化合物的有機發(fā)光器件可W具有高效率、低電壓、高亮度和長壽 命。
[0372] 如運里使用的，當(dāng)沒有另外提供特定的限定時，將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或 基底的元件被稱作"在"另一元件"上"時，該元件可W直接在所述另一元件上或者還可W存 在中間元件。
[0373] 另外，如運里使用的，術(shù)語"使用"及其變型可W被認(rèn)為與術(shù)語"利用"及其變型同 義。
[0374] 如運里使用的，術(shù)語"基本上（基本Γ、"大約"和相似術(shù)語是用作近似的術(shù)語而不 是用作程度的術(shù)語，并意圖解釋本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可識別的測量值或計算值中的固 有偏差。
[0375] 另外，運里陳述的任何數(shù)值范圍意圖包括在所陳述的范圍內(nèi)包含的相同數(shù)值精度 的所有子范圍。例如，范圍"1.0至10.ο"意圖包括所陳述的最小值1.0與所陳述的最大值 10.0之間（包括所陳述的最小值1.0和所陳述的最大值10.0)的所有子范圍，即，具有等于或 大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，諸如W2.4至7.6為例。運里陳述的任何最大 數(shù)值限制意圖包括其中包含的所有較低數(shù)值限制，在本說明書中陳述的任何最小數(shù)值限制 意圖包括其中包含的所有較高數(shù)值限制。因此，
【申請人】保留修改本說明書(包括權(quán)利要求） 的權(quán)利，W明確地記述在運里明確陳述的范圍內(nèi)包含的任何子范圍。
[0376] 將理解的是，運里描述的示例實施例應(yīng)僅W描述性的意思來考慮，而不是為了限 制的目的。在每個示例實施例內(nèi)的特征或方面的描述應(yīng)通常被認(rèn)為可用于其它示例實施例 中的其它相似特征或方面。
[0377] 雖然已經(jīng)參照附圖描述了一個或更多個示例實施例，但是本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人 員將理解的是，在此可W做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變，而不脫離由權(quán)利要求及其等同物 限定的本公開的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種化合物，所述化合物由式1表示： 式1其中，在式1中， Ri至R8均獨立地選自于氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺 基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、取代的或未取代的Ci-Cso烷基、取代的或 未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Cl-Cso烷氧基、取代 的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán) 締基、取代的或未取代的C2-C1G雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C6G芳基、取代的或未取代的 C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的Cl-CsO雜芳基、取代的或 未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基； a、b、e和f均獨立地為選自于1至4的整數(shù)； C和d均獨立地為選自于1至3的整數(shù)； 取代的Ci-Cso烷基、取代的C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的Ci-Cso烷氧基、取代的 C3-C10環(huán)烷基、取代的C2-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)締基、取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的 C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的Cl-CsO雜芳基、取代的單價非 芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基中的至少一個取代基選自于： 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或 其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣C60烷氧基； 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基 或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、C2-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、C2-C10 雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、 單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(Qll)地2)、-Si地3) (Qi4)地5)和-B(Qi6) (Qi7)中的至少一者的 C廣Cso烷基、Cs-Cso締基、Cs-Cso烘基和打-Cso烷氧基； C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧 基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基； 均取代有選自于気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基 或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Cl-CsO烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Ci-Cs日烷氧基、 C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs- C60芳硫基、C1-C6O雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(化1) (〇22)、-Si (化3) (〇24)(化日）和-Β(026)(化7)中至少一者的Cs-ClO環(huán)烷基、Cs-ClO雜環(huán)烷基、Cs-ClO 環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧基、Cs-CsQ芳硫基、Cl-CsQ雜芳基、單價非芳香 縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；w及 -P(=〇)Q3iQ32， 其中，Qn至化7、Q2i至Q27和Q31至Q32均獨立地選自于氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、 硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、Ci-C日日烷基、C2- CsO締基、C2-C6Q烘基、C廣CsQ烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C2-C1Q雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、C2-C1Q雜環(huán) 締基、C6-C60芳基、C廣C60雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基， 當(dāng)a至f均獨立地為2或更大時，多個R3彼此相同或彼此不同，多個R4彼此相同或彼此不 同，多個Rs彼此相同或彼此不同，多個R6彼此相同或彼此不同，多個化彼此相同或彼此不同， 多個Rs彼此相同或彼此不同。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，在式1中，化至R8均獨立地為氨或気。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，在式1中，扣和R2均獨立地選自于取代的或未取 代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的 或未取代的C1-C60雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的 單價非芳香縮合雜多環(huán)基。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，在式1中，Ri和R2均獨立地選自于式2a至式2c:其中，在式2a至式2c中， Zl選自于氨、気、面族、氯基、硝基、徑基、簇基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或 未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合 多環(huán)基、取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基和-P(=0)化1〇32; 式2a中的P為選自于1至5的整數(shù)，式2b和式2c中的P為選自于1至7的整數(shù)，當(dāng)P為2或更 大時，相應(yīng)的多個Zi彼此相同或彼此不同； *表不結(jié)合位。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，由式1表示的所述化合物由式2表示： 式2一 J 其中，在式5中，Rii和化2均獨立地與R3至R8相同地進行定義，m和η均獨立地為選自于1至 5的整數(shù)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，由式1表示的所述化合物由式6表示： 式6其中，在式6中，R21和R22均獨立地與R3至Rs相同地進行定義，ο為選自于1至5的整數(shù)，p為 選自于1至7的整數(shù)。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，由式1表示的所述化合物由式7表示： 式7其中，在式7中，R31與化和化至R8相同地進行定義，q為選自于1至4的整數(shù)。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中，由式1表示的所述化合物由化合物1至化合物 69中的一個表不：12. 一種有機發(fā)光器件，包括： 第一電極； 第二電極，面對所述第一電極； 有機層，位于所述第一電極與所述第二電極之間并包括發(fā)射層，其中，所述有機層包括 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光器件，其中： 所述第一電極是陽極， 所述第二電極是陰極， 所述有機層還包括i)空穴傳輸區(qū)域，位于所述第一電極與所述發(fā)射層之間，所述空穴 傳輸區(qū)域包括選自于空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層中的至少一個，W及ii)電子傳 輸區(qū)域，位于所述發(fā)射層與所述第二電極之間，所述電子傳輸區(qū)域包括選自于空穴阻擋層、 電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光器件，其中，所述發(fā)射層包括由式1表示的所述化 合物。15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光器件，其中，所述發(fā)射層包括由式1表示的所述化 合物作為主體。16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光器件，其中，所述發(fā)射層包括選自于銀配合物、銷 配合物、餓配合物和銅配合物中的至少一種作為滲雜劑。17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸區(qū)域包括電荷產(chǎn)生材 料。18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸區(qū)域包括金屬配合物。19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸區(qū)域包括選自于化合物 ET-D1和化合物ET-D2中的至少一種：20.-種平板顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光器件，其中，所述有機發(fā) 光器件的所述第一電極電結(jié)合到薄膜晶體管的源電極或漏電極。
【文檔編號】H01L51/54GK106083721SQ201610278462
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月28日 公開號201610278462.9, CN 106083721 A, CN 106083721A, CN 201610278462, CN-A-106083721, CN106083721 A, CN106083721A, CN201610278462, CN201610278462.9
【發(fā)明人】申東雨, 金瑟雍, 金允善, 李廷涉, 伊藤尚行
【申請人】三星顯示有限公司