專利名稱：制造氧化物納米晶體的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造氧化物納米晶體的方法和裝置。
近年來(lái)，氧化物納米晶體，特別是摻雜的氧化物納米晶體-譬如用銪活化的氧化釔(Y2O3∶Eu)-在作為照明裝置的發(fā)光材料應(yīng)用時(shí)，越來(lái)越受到重視(US-A5455489)。出于這個(gè)原因，人們正在研究各種類型的氧化物納米晶體的性能，以將其用作發(fā)光材料。該文也介紹了制造這種納米晶體的有關(guān)方法和裝置。
舉例來(lái)講，為了制造Y2O3∶Eu，人們可利用眾所周知的氣體冷凝技術(shù)，參見譬如D．K．Williams等人，J．Phys．Chem．B102(1998)，第916頁(yè)。但這種已知的方法有個(gè)缺點(diǎn)，即得出的氧化物納米晶體的構(gòu)成為嚴(yán)重的非晶形態(tài)，且?guī)в袉涡钡木w結(jié)構(gòu)?？墒牵趸锛{米晶體在作為發(fā)光材料使用時(shí)，人們希望它能以一種立方形的平衡相存在，因?yàn)槟菢拥陌l(fā)光效率最大。
為了達(dá)到這一點(diǎn)，迄今仍通過(guò)一種附加溫度處理(在約900℃時(shí))使非晶結(jié)構(gòu)或單斜晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換成立方相。但是，這將會(huì)產(chǎn)生明顯的晶粒增長(zhǎng)，當(dāng)顆粒大小超過(guò)約50nm時(shí)，立方相便以單相形式而存在。這也意味著，一方面，在制造這種納米晶體時(shí)，能耗高且時(shí)間耗費(fèi)長(zhǎng)。另一方面，這種相當(dāng)大的顆粒尺寸大大限制了根據(jù)該技術(shù)水平方法而制造的氧化物納米晶體的應(yīng)用可能性。至今，尚不能制造小顆粒的發(fā)光材料，特別是顯示出高效率的直到20nm的顆粒。在進(jìn)行可產(chǎn)生部分凝結(jié)作用的熱處理以后，發(fā)光材料的晶粒尺寸被理解為顆粒大小。當(dāng)晶粒尚未在界面燒結(jié)，但晶粒已經(jīng)相互排列成行時(shí)，凝結(jié)便被分類為微弱級(jí)。相反，當(dāng)指的是熱處理之前的原晶粒大小時(shí)，采用粒子大小這個(gè)概念。
本發(fā)明的任務(wù)是提供一種制造氧化物納米晶體的方法，這種方法可確保不用附加的熱處理就能簡(jiǎn)單地制造出具有微小顆粒大小的、合適的立方形納米晶體。
本發(fā)明的另一任務(wù)是提供一種制造氧化物納米晶體的裝置，這種裝置克服了引言中所述的現(xiàn)有技術(shù)水平的缺點(diǎn)。
這些任務(wù)將根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的特征所述的方法和裝置得到解決。
優(yōu)選方案在附屬權(quán)利要求中說(shuō)明。
根據(jù)本發(fā)明所提出的制造氧化物納米晶體的方法包括以下步驟a)將作為金屬有機(jī)絡(luò)合物或揮發(fā)無(wú)機(jī)化合物的主晶格離子放進(jìn)至少一個(gè)第一蒸發(fā)器內(nèi)，b)將絡(luò)合物或化合物轉(zhuǎn)換成氣相，和c)利用一種或多種氣體載體和／或氣體載體混合物將形成的氣相遷移到至少一個(gè)反應(yīng)器的至少一個(gè)加熱區(qū)，并且輸入一種或多種反應(yīng)氣體和／或反應(yīng)氣體混合物(到加熱區(qū))，以及d)在1-1000毫巴的氣壓之間，在反應(yīng)器的加熱區(qū)內(nèi)分解絡(luò)合物或化合物，在此立即形成氧化物納米晶體，并且e)在至少一個(gè)吸附收集器上析出氧化物納米晶體。
蒸發(fā)器的概念在這里指的是一個(gè)蒸發(fā)器系統(tǒng)，該系統(tǒng)主要由組分槽和所屬的加熱裝置組成。
采用本發(fā)明所述的方法可制造氧化物納米晶體，該氧化物納米晶體處于熱動(dòng)態(tài)平衡相，其平均粒子尺寸最大為100nm，優(yōu)選為1-20nm，特別是粒子尺寸為約10nm，并具有一種立方形晶體結(jié)構(gòu)。這種氧化物納米晶體的凝結(jié)可以很微弱，優(yōu)選地，其平均顆粒尺寸達(dá)20nm。在制造過(guò)程中，可實(shí)現(xiàn)氧化物的立方形平衡相。立方形平衡相對(duì)于以這種氧化物為基礎(chǔ)的具有很高量子效率的發(fā)光材料特別重要，這些材料如氧化釔(Y2O3)、氧化釓(Gd2O3)或還有相關(guān)的石榴石，如YAG∶Ce或(Ygd)AG∶Ce等。其它應(yīng)用則涉及到Y(jié)AM、YAP、或BAM和CAT類型的發(fā)光材料。
利用引起適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)，可以制造尺寸分布較窄的特殊發(fā)光材料。典型的波動(dòng)寬度為平均粒子尺寸的上下2-5nm。
一般來(lái)說(shuō)，這種方法也特別適用于氧化物納米晶體或者氧硫化物納米晶體，它們優(yōu)選地在元素Y、Gd、Mg、Ca、Ba和Al以及其它稀土金屬的基礎(chǔ)上適用。
根據(jù)本發(fā)明所述方法的優(yōu)選方案，在方法步驟a)中，將作為金屬有機(jī)絡(luò)合物或揮發(fā)無(wú)機(jī)化合物的摻雜離子同主晶格離子一起放進(jìn)第二蒸發(fā)器，將其轉(zhuǎn)換成氣相。所形成的氣相借助于一種或多種氣體載體和／或氣體載體混合物被傳送到反應(yīng)器的加熱區(qū)。由此，不僅可以制造出非摻雜氧化物，而且還能制造出有摻雜的(優(yōu)選地從活化意義上講)納米晶粒氧化物。在此，可實(shí)現(xiàn)直接將摻雜物摻入主晶格。
作為發(fā)光材料，非摻雜或摻雜的納米晶粒氧化物可在低亮度或高亮度照明裝置上得到應(yīng)用。特別是在此應(yīng)想到熒光燈、惰性氣體(Xe)激發(fā)燈、顯示器以及有機(jī)和無(wú)機(jī)的LED。按照要求，主晶格離子系元素周期表Ⅱ-Ⅵ的元素。摻雜離子系指稀土元素，如Eu、Ce或Tb。在使用金屬有機(jī)絡(luò)合物的情況下，主晶格離子(或者帶有四甲基庚烷二酮酸根合氫的摻雜離子)的化合物能很好地適用于這種方法。例如，氯化物適合作為揮發(fā)性無(wú)機(jī)化合物。
根據(jù)本發(fā)明所述方法的另一種優(yōu)選方案，第一和第二蒸發(fā)器溫度均約為30℃-900℃。反應(yīng)器加熱區(qū)的溫度約為600℃-1600℃。此外，使用惰性氣體或氣體混合物作為氣體載體。在此，尤其可采用惰性氣體或氮?dú)饣蚱浠旌衔?。氧或含氧的混合物證明可作為反應(yīng)氣體。
根據(jù)本發(fā)明所述方法的另一優(yōu)選方案，系統(tǒng)中氣體載體或氣體載體混合物的流量速率為20毫升／分鐘-50毫升／分鐘。反應(yīng)氣體和／或反應(yīng)氣體混合物的流量速率為50ml／min-100升／分鐘。
根據(jù)本發(fā)明，整個(gè)系統(tǒng)的氣壓保持在1-1500毫巴。
根據(jù)本發(fā)明，制造氧化物納米晶體的裝置其組成包括至少一個(gè)蒸發(fā)器、帶有至少一個(gè)加熱區(qū)的至少一個(gè)反應(yīng)器、至少一個(gè)吸附收集器和至少一個(gè)真空泵。用這種裝置可制造所需要的氧化物納米晶體，以用做發(fā)光材料。與技術(shù)水平要求相反，為了實(shí)現(xiàn)所需要納米晶體的立方形晶體形式，不再需要在反應(yīng)器加熱區(qū)之外進(jìn)行其它的附加溫度處理。
根據(jù)本發(fā)明所述的優(yōu)選方案，蒸發(fā)器還有一個(gè)蒸發(fā)加熱裝置，它構(gòu)成為油槽的形式。油槽的溫度均為約140℃-180℃。反應(yīng)器優(yōu)選地實(shí)施為流量反應(yīng)器。
根據(jù)本發(fā)明所述裝置的另一優(yōu)選方案，在一個(gè)或多個(gè)蒸發(fā)器和反應(yīng)器之間分別配置了一個(gè)加熱管。根據(jù)本發(fā)明，由此可防止轉(zhuǎn)換成氣相的金屬有機(jī)絡(luò)合物或無(wú)機(jī)化合物過(guò)早凝結(jié)。
根據(jù)本發(fā)明所述裝置的另一優(yōu)選方案，反應(yīng)器的組成包括一個(gè)鋁管和一個(gè)圓柱形的加熱區(qū)。在加熱區(qū)一端，反應(yīng)器的內(nèi)部裝設(shè)有一個(gè)擋板。通過(guò)該裝設(shè)的擋板，可防止反方向(也即與氣相流入方向相反)形成對(duì)流，這樣，便可在反應(yīng)器加熱區(qū)的理想?yún)^(qū)域生成氧化物納米晶體。
根據(jù)本發(fā)明所述裝置的另一優(yōu)選方案，后接在第一吸附收集器上的第二吸附收集器和真空泵之間裝設(shè)了一個(gè)過(guò)濾器。第二吸附收集器和過(guò)濾器可防止真空泵受到污染。通常，吸附收集器實(shí)施為一種制冷收集器。
下面，按照?qǐng)D示的實(shí)施例來(lái)講述本發(fā)明所述的方法和裝置的其它細(xì)節(jié)、特征和優(yōu)點(diǎn)。其中

圖1為本發(fā)明制造氧化物納米晶體的裝置的簡(jiǎn)圖；圖2為本發(fā)明制造氧化物納米晶體的裝置其反應(yīng)器的一個(gè)部分區(qū)域簡(jiǎn)圖；圖3為本發(fā)明方法制造出的氧化物納米晶體的衍射圖；圖4為Y2O3的擴(kuò)散反射光譜(圖4a)以及摻雜銪的Y2O3的激發(fā)頻譜(圖4b)，分別將粗粒標(biāo)準(zhǔn)與納米晶粒粉末進(jìn)行了比較。
圖1所示制造氧化物納米晶體的裝置10包括第一和第二蒸發(fā)器12與14、帶有加熱區(qū)18的反應(yīng)器16、一個(gè)后接在反應(yīng)器16上的第一吸附收集器20、以及一個(gè)后接在吸附收集器20上并與之相連的真空泵24。在真空泵24和第一吸附收集器20之間安裝了第二制冷收集器22。
實(shí)施例中所示的裝置10被用于制造摻雜的氧化物納米晶體，也即摻有銪(Eu)的氧化釔(Y2O3∶Eu)。釔或銪的金屬有機(jī)絡(luò)合物，也即四甲基庚烷二酮酸根合釔和四甲基庚烷二酮酸根合銪(Y(TMHD)3和Eu(TMHD)3)在第一蒸發(fā)器12或第二蒸發(fā)器14中轉(zhuǎn)化成氣相。絡(luò)合物形成的氣相借助氣體載體轉(zhuǎn)送到反應(yīng)器16中。在該實(shí)施例中，采用氬作為氣體載體，氬由系統(tǒng)的氣體載體源34供給。在此，氣體載體的流量速率可借助第一流量調(diào)節(jié)器26和第二流量調(diào)節(jié)器28調(diào)節(jié)到典型的20毫升／分鐘-50升／分鐘，優(yōu)選調(diào)節(jié)到150-250毫升／分鐘。兩個(gè)蒸發(fā)器12、14的溫度均約為30℃-900℃，優(yōu)選為140℃-180℃，它們由蒸發(fā)加熱裝置產(chǎn)生，而該蒸發(fā)加熱裝置作為油槽的形式構(gòu)成。
反應(yīng)器16是作為流量反應(yīng)器而構(gòu)成的(圖2)，并且由一個(gè)鋁管52和圓柱形的加熱區(qū)18組成。在加熱區(qū)18的一端，反應(yīng)器16內(nèi)設(shè)置了一個(gè)擋板40(參見圖2)。擋板40用來(lái)控制反應(yīng)器16內(nèi)或加熱區(qū)18內(nèi)的對(duì)流。反應(yīng)器16的加熱區(qū)18的溫度約為600℃-1600℃，優(yōu)選為900℃-1100℃。
在金屬有機(jī)絡(luò)合物氣化的同時(shí)，反應(yīng)氣體或其混合物從反應(yīng)氣體源32引入反應(yīng)器16。通常，氧或其混合物被用做反應(yīng)氣體。輸入管44將反應(yīng)氣體氧以流量速率50毫升／分鐘-100升／分鐘(優(yōu)選為700-900毫升／分鐘)引進(jìn)反應(yīng)室，該流量速率受第三流量調(diào)節(jié)器30的控制。在反應(yīng)器16的加熱區(qū)18，當(dāng)氣壓為1-1000毫巴時(shí)，金屬有機(jī)絡(luò)合物產(chǎn)生分解，并迅速構(gòu)成氧化物納米晶體，特別是構(gòu)成Y2O3∶Eu-納米晶體。
第一吸附收集器20后接在反應(yīng)器16上。該吸附收集器20作為制冷收集器構(gòu)成，形成的納米晶體在該制冷收集器上分離出來(lái)。真空泵24后接在第一吸附收集器20上，該真空泵24使整個(gè)系統(tǒng)的氣壓保持在約40-60毫巴。也可考慮整個(gè)系統(tǒng)的氣壓為1-1500毫巴。為避免真空泵24發(fā)生污染，在第一吸附收集器20和真空泵24之間連接了同樣實(shí)施為制冷收集器形式的第二吸附收集器22和過(guò)濾器(圖中未示出)。
這樣制造出來(lái)的摻雜的氧化物納米晶體，亦即Y2O3∶Eu-納米晶體具有一種立方形晶體結(jié)構(gòu)，而且粒子大小位于1nm與100nm之間，尤其為5-20nm。在此，它們凝結(jié)很微弱。典型地，Y2O3∶Eu是一種發(fā)光材料。這樣制造出來(lái)的氧化物納米晶體作為發(fā)光材料在低亮度或高亮度照明裝置上得到應(yīng)用。
圖2在圖中展示了帶擋板40的反應(yīng)器16的一個(gè)部分區(qū)域，擋板40裝在反應(yīng)器16內(nèi)部區(qū)域38，也即鋁管52的內(nèi)部。此外，人們知道，鋁管52的一側(cè)可借助法蘭盤42進(jìn)行閉合。輸入管44和46則通過(guò)法蘭盤42的開口而被引入到反應(yīng)器的內(nèi)部區(qū)域和反應(yīng)器16的加熱區(qū)18。在圖2示出的實(shí)施例中，輸入管46將氣體載體和主晶格離子的氣態(tài)金屬有機(jī)絡(luò)合物送入反應(yīng)器16，輸入管44則將反應(yīng)氣體和摻雜離子的氣態(tài)金屬有機(jī)絡(luò)合物引入反應(yīng)器16。
圖3示出了按照本發(fā)明所述方法，由裝置10制造的納米晶粒Y2O3的衍射圖。相對(duì)于按本發(fā)明制造的Y2O3的衍射圖，粉末狀的Y2O3標(biāo)準(zhǔn)具有的純度為99．999％，且晶粒大小約為10μm。該標(biāo)準(zhǔn)為具有足夠粗晶粒的粉末，以便使其光特性與相應(yīng)的單晶體光特性一致。從比較可以看出，按照本發(fā)明制造的Y2O3的衍射圖和Y2O3-標(biāo)準(zhǔn)的衍射圖其凸出是一致的。它表示按照本發(fā)明制造的納米晶體呈現(xiàn)立方形晶體結(jié)構(gòu)(如同單晶體)，無(wú)須進(jìn)行附加的溫度處理。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明制造的納米晶粒Y2O3和Y2O3∶Eu，可以看出，同粗晶粒參考材料相比，屬于主晶格的吸收光譜端(位于長(zhǎng)波端)向短波長(zhǎng)(相應(yīng)于較高能量)方向偏移了約為10nm。這樣的結(jié)果是，激發(fā)的最佳狀態(tài)取決于較高的激發(fā)能量。但是，發(fā)射特性仍然不變。這種特性值得從兩個(gè)方面注意其一，提供一種可能性，以確定納米晶粒發(fā)光材料的吸收光譜端，或使其達(dá)到最佳化。按照?qǐng)D4a采用Y2O3，它將從214nm(標(biāo)準(zhǔn))偏移到204nm，相當(dāng)于能量差0．2eV(從5．85提高到6．05eV)。粒子尺寸越小，偏移則越大，特別是粒子尺寸小于20nm時(shí)更是如此。圖4a示出了在標(biāo)準(zhǔn)(平均粒子尺寸10μm)和根據(jù)本發(fā)明所述的粉末(平均粒子尺寸10nm)之間的比較。
其二，提供一種擴(kuò)大活化應(yīng)用的可能性。例如銪作為主晶格Y2O3中的活化劑能最佳地(圖4b)發(fā)光。在使用足夠的納米晶粒粉末時(shí)，也可考慮其它的稀土金屬作為活化劑。
權(quán)利要求
1.制造氧化物納米晶體的方法，其特征在于，該方法包括下列步驟a)將作為金屬有機(jī)絡(luò)合物或揮發(fā)無(wú)機(jī)化合物的主晶格離子放進(jìn)至少一個(gè)第一蒸發(fā)器(12)內(nèi)，b)將絡(luò)合物或化合物轉(zhuǎn)換成氣相，和c)利用一種或多種氣體載體和／或氣體載體混合物將得到的氣相遷移到至少一個(gè)反應(yīng)器(16)的至少一個(gè)加熱區(qū)(18)內(nèi)，并且引入一種或多種反應(yīng)氣體和／或反應(yīng)氣體混合物，以及d)在1-1000毫巴的氣壓之間，在反應(yīng)器(16)的加熱區(qū)(18)內(nèi)分解絡(luò)合物或化合物，在此立即形成氧化物納米晶體，并且e)在至少一個(gè)吸附收集器(20)上析出氧化物納米晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在方法步驟a)中，將作為金屬有機(jī)絡(luò)合物或揮發(fā)無(wú)機(jī)化合物的摻雜離子同主晶格離子一起放進(jìn)第二蒸發(fā)器(14)，并將絡(luò)合物或無(wú)機(jī)化合物轉(zhuǎn)換成氣相，所形成的氣相借助于一種或多種氣體載體和／或氣體載體混合物被傳送到反應(yīng)器(16)的加熱區(qū)(18)。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，主晶格離子是元素周期表Ⅱ-Ⅵ的元素，特別是優(yōu)選為Y、Gd的稀土金屬以及Mg、Ca、Ba和Al。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，摻雜離子是稀土元素離子。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，金屬有機(jī)絡(luò)合物為主晶格離子的化合物，或?yàn)閹в兴募谆槎岣蠚涞膿诫s離子的化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中之一所述的方法，其特征在于，所形成的摻雜氧化物納米晶體是發(fā)光材料。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，第一和第二蒸發(fā)器(12、14)溫度約為30-900℃。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，反應(yīng)器(16)的加熱區(qū)(18)溫度約為600-1600℃。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，使用惰性氣體或氣體混合物作為氣體載體。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，使用氧或其混合物作為反應(yīng)氣體。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，氣體載體或氣體載體的混合物在系統(tǒng)中的流量速率為20毫升／分鐘-50升／分鐘。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，反應(yīng)氣體或反應(yīng)氣體的混合物在系統(tǒng)中的流量速率為50毫升／分鐘-100升／分鐘。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，整個(gè)系統(tǒng)中的氣壓約為1-1500毫巴。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所形成的氧化物納米晶體處于熱動(dòng)態(tài)平衡相。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所形成的氧化物納米晶體的粒子尺寸最大為100nm，優(yōu)選最大為20nm，并具有立方形晶體結(jié)構(gòu)。
16.制造氧化物納米晶體的裝置，其特征在于，裝置(10)的組成包括至少一個(gè)蒸發(fā)器(12、14)、至少一個(gè)帶至少一個(gè)加熱區(qū)(18)的反應(yīng)器(16)、至少一個(gè)吸附收集器(20、22)和至少一個(gè)真空泵(24)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，蒸發(fā)器(12、14)帶有蒸發(fā)加熱裝置，該裝置構(gòu)造為油槽的形式。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的裝置，其特征在于，反應(yīng)器(16)是一個(gè)流量反應(yīng)器。
19.根據(jù)權(quán)利要求16至18其中之一所述的裝置，其特征在于，在一個(gè)或多個(gè)蒸發(fā)器(12、14)和反應(yīng)器(16)之間均裝設(shè)了加熱管(48、50)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16至19其中之一所述的裝置，其特征在于，反應(yīng)器(16)組成包括一個(gè)鋁管(52)和一個(gè)圓柱形加熱區(qū)(18)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，在反應(yīng)器(16)內(nèi)的加熱區(qū)(18)的一端，裝設(shè)了一個(gè)擋板(40)。
22.根據(jù)權(quán)利要求16至21其中之一所述的裝置，其特征在于，在后接于第一吸附收集器(20)上的第二吸附收集器(22)和真空泵(24)之間裝設(shè)一個(gè)過(guò)濾器。
23.根據(jù)權(quán)利要求16至22其中之一所述的裝置，其特征在于，吸附收集器(20、22)為制冷收集器。
24.根據(jù)權(quán)利要求1至15之一所述方法而制造的氧化物納米晶體被用作低亮度或高亮度照明裝置的發(fā)光材料。
25.用于照明裝置的發(fā)光材料，它帶有由氧化物晶體組成的主晶格，該氧化物晶體尤其是金屬Y、Gd、Mg、Ca、Ba及Al的氧化物或氧硫化物，其中，主晶格用稀土金屬進(jìn)行活化，其中，發(fā)光材料由凝結(jié)很微弱的納米晶體組成，其平均顆粒大小為1-20nm，且具有立方形晶體結(jié)構(gòu)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的發(fā)光材料，其特征在于，與相同材料的標(biāo)準(zhǔn)相比，主晶格的吸收光譜端向較短的波長(zhǎng)方向進(jìn)行了偏移。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造氧化物納米晶體的方法和裝置,該方法包括步驟:將作為金屬有機(jī)絡(luò)合物或揮發(fā)無(wú)機(jī)化合物的主晶格離子放進(jìn)至少第一蒸發(fā)器內(nèi);將絡(luò)合物或化合物轉(zhuǎn)換成氣相;利用一或多種氣體載體和/或氣體載體混合物將得到的氣相遷移到至少一反應(yīng)器的至少一個(gè)加熱區(qū),并輸入一或多種反應(yīng)氣體和/或反應(yīng)氣體混合物;在1—1000毫巴氣壓之間,在反應(yīng)器的加熱區(qū)內(nèi)分解絡(luò)合物或化合物,以形成氧化物納米晶體;在至少一個(gè)吸附收集器上析出氧化物納米晶體。
文檔編號(hào)C09K11/77GK1283591SQ0012248
公開日2001年2月14日 申請(qǐng)日期2000年8月4日 優(yōu)先權(quán)日1999年8月5日
發(fā)明者T·弗里斯, A·加恩, A·康拉德, F·庫(kù)默 申請(qǐng)人:電燈專利信托有限公司