專(zhuān)利名稱(chēng)：：電子照相感光體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電子照相感光體(下面簡(jiǎn)稱(chēng)為感光體)及其制造方法，具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及由有機(jī)材料于導(dǎo)電基片上形成的光敏層中包括改進(jìn)的光敏材料的感光體，從而顯示出優(yōu)良的電位保持率。這種電子照相用感光體適用于采用電子照相法的打印機(jī)、復(fù)印機(jī)或傳真機(jī)。本發(fā)明還涉及這種感光體的制造方法。電子照相感光體一般需要具有在黑暗中保持表面電荷，受光后產(chǎn)生電荷并且受光后轉(zhuǎn)移電荷的功能。已知類(lèi)型的感光體包括所謂的單層型感光體(它在單一層中具有所述功能)和所謂功能分離的疊層型感光體，疊層型感光體具有一層主要用于產(chǎn)生電荷的層和一層用于在黑暗中保持表面電荷而受光轉(zhuǎn)移電荷的層。這些類(lèi)型的感光體用于用已知的電子照相方法(如Carlson法)形成影象。用這種方法形成影象是通過(guò)在黑暗中利用電暈放電對(duì)感光體充電，在該感光體帶電表面上形成靜電潛影(如原文的字符或圖畫(huà))，用上色劑粉末顯影如此形成的靜電影象并將構(gòu)成影象的該上色劑粉末轉(zhuǎn)移并固定在載體(如紙)上而實(shí)現(xiàn)的。上色劑粉末轉(zhuǎn)移后，使感光體消除靜電，除去殘留的上色劑粉末，用光照抹去殘留的電荷就可重新使用該感光體。對(duì)于電子照相感光體的光敏材料，業(yè)已使用的有分散在樹(shù)脂粘合劑中的無(wú)機(jī)光電導(dǎo)劑，如硒、硒合金、氧化鋅和氧化鎘，以及例如分散在樹(shù)脂粘合劑中或者真空沉積的有機(jī)光電導(dǎo)劑，如聚N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、酞菁化合物或雙偶氮化合物。在這些有機(jī)光敏材料中，已對(duì)酞菁化合物的合成方法進(jìn)行了廣泛的研究，包括研究在合成過(guò)程中作為副產(chǎn)品的衍生雜質(zhì)。日本未審查專(zhuān)利公開(kāi)No.平3-35245公開(kāi)了對(duì)合成鈦氧基氧代酞菁過(guò)程中副產(chǎn)品氯化鈦氧基酞菁的研究結(jié)果，確認(rèn)過(guò)去的實(shí)施例中氯的含量為0.38-5重量％。該文獻(xiàn)還公開(kāi)了對(duì)不產(chǎn)生氯化酞菁副產(chǎn)品的鈦氧基氧代酞菁合成方法的詳細(xì)研究結(jié)果。另外，如I.M.Keen和B.W.Malerbi在J.Inorg.Nucl.Chem.,Vol.27,p1311-1319(1965)所述，已知酞菁化合物分子結(jié)構(gòu)，可以鄰苯二甲腈化合物作為配位體。作為分子結(jié)構(gòu)中鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物的例子，該文獻(xiàn)公開(kāi)了鄰苯二甲腈(酞菁)氯合釕(Ⅲ)、鄰苯二甲腈(酞菁)氯合鋨(Ⅲ)、鄰苯二甲腈(酞菁)二氧合鋨(Ⅵ)和鄰苯二甲腈(一氯酞菁)氯合銥(Ⅲ)。但是除了上述I.M.Keen等的文獻(xiàn)以外，其它文獻(xiàn)均未提到過(guò)這類(lèi)金屬酞菁。具體地說(shuō)，該文獻(xiàn)例舉的金屬酞菁限于鉑族元素，未公開(kāi)過(guò)帶有鄰苯二甲腈化合物作為配位體的其它金屬酞菁化合物。因此，從未研究過(guò)感光體中這類(lèi)金屬酞菁的用量與電位保持率之間的關(guān)系。日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)No.平5-273775和平9-230615報(bào)道了鈦氧基酞菁與二元醇反應(yīng)形成鈦配合物。但是，這些文獻(xiàn)的目的是要獲得高靈敏度的感光體，而與獲得高電位保持率無(wú)關(guān)。另外，這些文獻(xiàn)未提到帶有鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物。如上所述，已知在感光體中使用酞菁化合物作為光敏材料，并且對(duì)該化合物的合成、純化和副產(chǎn)品進(jìn)行了許多研究工作。但是，目前為止不知道不含氯的鄰苯二甲腈化合物的聚合產(chǎn)物與電子照相感光體特性的關(guān)系。盡管已經(jīng)公開(kāi)了酞菁化合物的各種合成方法，但是不知道合成酞菁化合物時(shí)的副產(chǎn)品的類(lèi)型和含量與電子照相特性，尤其是電位保持率之間的關(guān)系。具體地說(shuō)，帶有鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁的含量與電位保持率之間的關(guān)系從未得到過(guò)研究。因此，本發(fā)明的目的是通過(guò)了解這種關(guān)系，提供一種具有優(yōu)良電子照相特性，尤其是電位保持率的電子照相感光體。本發(fā)明另一個(gè)目的是提供一種電子照相感光體的制造方法，它包括涂覆涂料液形成光敏層的步驟，該涂覆步驟能形成具有優(yōu)良電位保持率的光敏層。本發(fā)明人經(jīng)過(guò)對(duì)解決問(wèn)題的方法進(jìn)行大量研究以后，發(fā)現(xiàn)光敏層中當(dāng)帶有鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物(下面也稱(chēng)之為帶配位體的金屬酞菁)在含酞菁化合物的層中的含量在特定的范圍內(nèi)時(shí)，可明顯提高感光體的電位保持率。本發(fā)明是在該發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上完成的。因此，本發(fā)明電子照相感光體包括導(dǎo)電基片和在該導(dǎo)電基片上至少含有酞菁化合物作為光敏材料的光敏層，其中，按1摩爾酞菁化合物計(jì)，所述含酞菁化合物的光敏層包括100nmol-200mmol帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物。另外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在含酞菁化合物和帶配位體的金屬酞菁化合物(相對(duì)于前者，后者的含量在一定的范圍內(nèi))的感光體的制造方法中，在涂覆步驟中使用這種含電荷產(chǎn)生劑的涂料液時(shí)，可明顯提高感光體的電位保持率。在該發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上完成了本發(fā)明制造方法。因此，本發(fā)明感光體的制造方法包括用含電荷產(chǎn)生劑的涂料液涂覆導(dǎo)電基片形成光敏層的方法，其中所述涂料液包括酞菁化合物和帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物，按1摩爾酞菁化合物計(jì)，金屬酞菁的含量為100nmol-200mmol。本發(fā)明感光體的光敏層可以是單層型或疊層型的，并且不限于某種類(lèi)型。本發(fā)明制造方法中的涂覆方法可選自浸涂、噴涂和其它各種方法，并且不限于任何特定的方法。下面將參照較好的實(shí)例和附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。圖1是本發(fā)明負(fù)電荷充電疊層型感光體一個(gè)例子的剖面圖；圖2是本發(fā)明帶配位體金屬酞菁化合物的鈦氧基氧代酞菁的TOF-MS光譜的一個(gè)例子中，表示陽(yáng)離子檢測(cè)分析結(jié)果的譜圖；圖3是本發(fā)明帶配位體金屬酞菁化合物的鈦氧基氧代酞菁的TOF-MS光譜的一個(gè)例子，表示質(zhì)量數(shù)為704的帶配位體的金屬酞菁化合物分子離子的MS/MS分析結(jié)果譜圖；圖4是本發(fā)明帶配位體金屬酞菁化合物的鈦氧基氧代酞菁的TOF-MS光譜的一個(gè)例子，表示陰離子檢測(cè)分析結(jié)果的譜圖；圖5是本發(fā)明一個(gè)實(shí)例中帶配位體金屬酞菁化合物的鈦氧基氧代酞菁的TOF-MS光譜的一個(gè)例子，表示陽(yáng)離子檢測(cè)分析結(jié)果的譜圖。附圖中標(biāo)號(hào)1表示導(dǎo)電基片，標(biāo)號(hào)2表示底涂層，標(biāo)號(hào)3表示電荷產(chǎn)生層，標(biāo)號(hào)4表示電荷轉(zhuǎn)移層，標(biāo)號(hào)5表示光敏層。電子照相感光體具有數(shù)種已知的類(lèi)型，如負(fù)電荷充電疊層型感光體、正電荷充電疊層型感光體和正電荷充電單層型感光體。盡管下面以負(fù)電荷充電疊層型感光體作為例子進(jìn)行詳細(xì)描述，但是除了涉及金屬酞菁化合物(其金屬原子帶有鄰苯二甲腈配位體)的材料和方法以外，用于形成和制造本發(fā)明感光體的材料和方法可適當(dāng)?shù)剡x自任何已知的材料和方法。圖1是負(fù)電荷充電疊層型感光體，它包括導(dǎo)電基片1，疊合在該基片上的底涂層2，和疊合在底涂層上的光敏層5。光敏層5包括電荷產(chǎn)生層3和疊合在該電荷產(chǎn)生層上的電荷轉(zhuǎn)移層4。因此，該光敏層是由獨(dú)立的電荷產(chǎn)生層3和電荷轉(zhuǎn)移層4組成的功能獨(dú)立型光敏層。在上述類(lèi)型的感光體中底涂層2是非必要的。導(dǎo)電基片1用作感光體的電極，還用于支承其它各層。導(dǎo)電基片1可具有圓筒形、平面形或薄膜形的形狀，并可由金屬或合金(如鋁、不銹鋼或鎳)或者經(jīng)處理具有合適導(dǎo)電性的玻璃或樹(shù)脂制成。底涂層2可由醇溶性聚酰胺、可溶劑溶解的芳族聚酰胺或熱固性聚氨酯樹(shù)脂等制成。所述醇溶性聚酰胺較好是，如尼龍6、尼龍8、尼龍12、尼龍66、尼龍610或尼龍612等的共聚物，或者N-烷基改性的或N-烷氧基烷基改性的尼龍。上述化合物的具體例子有AMILANCM8000(一種購(gòu)自TorayIndustriesInc.的6/66/610/12共聚尼龍)、ELBAMIDE9061(一種購(gòu)自DuPontJapanCo.,Ltd的6/66/612共聚尼龍)和DAIAMIDET-170(一種購(gòu)自Daicel-HuelsCo.,Ltd的主要含尼龍12的共聚尼龍)。底涂層2還可包括無(wú)機(jī)細(xì)粉末，如二氧化鈦、二氧化錫、氧化鋁、碳酸鈣或二氧化硅。受光產(chǎn)生電荷的電荷產(chǎn)生層3是將有機(jī)光電導(dǎo)性物質(zhì)的顆粒真空沉積在底涂層2上，或者將由有機(jī)光電導(dǎo)性物質(zhì)的粒子分散在樹(shù)脂粘合劑中形成的涂料液涂覆底涂層2而制得的。重要的是電荷產(chǎn)生層3能高效地將產(chǎn)生的電荷注入電荷轉(zhuǎn)移層4并且能高效地產(chǎn)生電荷。也就是說(shuō)，要求電荷產(chǎn)生層3能產(chǎn)生電荷而很少依賴(lài)電場(chǎng)，并即使在弱電場(chǎng)中也能很好地使電荷注入。盡管要求本發(fā)明電荷產(chǎn)生劑至少含有一種酞菁化合物，但是還可并用例如選自偶氮化合物、醌化合物、靛藍(lán)化合物、花青化合物、squarilium化合物和azurenium化合物的其它顏料或染料。按1摩爾酞菁化合物計(jì)，本發(fā)明感光體中電荷產(chǎn)生層3包括100nmol-200mmol帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物。當(dāng)光敏層所含的帶配位體的金屬酞菁化合物相對(duì)于酞菁化合物的量在該具體的范圍內(nèi)時(shí)，可明顯提高電位保持率。盡管其作用機(jī)理未完全了解，但是這可能是下列原因造成的。低于100nmol的少量帶配位體的金屬酞菁會(huì)使酞菁化合物太純，使晶體生長(zhǎng)太快，或者破壞了分散性能，這兩種因素均會(huì)導(dǎo)致電位保持率下降。另一方面，超過(guò)200mmol的較高含量會(huì)使酞菁化合物晶體結(jié)構(gòu)的無(wú)序性太高，或者帶鄰苯二甲腈化合物配位體的金屬酞菁本身會(huì)產(chǎn)生不利的作用，導(dǎo)致電位保持率下降。適用于本發(fā)明的酞菁化合物的合成可采用已知的方法，例如，C.C.Lenzoff等在VCHPublishers,Inc1989年出版的“酞菁”或者F.H.Moser等在CRCPress1983年出版的“酞菁”中所述的方法。本發(fā)明酞菁化合物較好是鈦氧基氧代酞菁或無(wú)金屬酞菁。酞菁的中心金屬元素可選自過(guò)渡金屬，尤其是鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋯和鈮。酞菁的中心金屬元素還可選自銦、鎵、鋁、鍺和錫。如通式(1)所示酞菁化合物可以是具有各種官能團(tuán)的酞菁化合物其中M代表氫原子、金屬原子、金屬氧化物、金屬鹵化物、金屬氫氧化物、硅化合物或磷化合物；R1-R16各自為氫原子、鹵原子、羥基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物可選自各種化合物，包括如J.Inorg.Nucl.Chem,Vol.27,p1311-1319(1965)所述的一鄰苯二甲腈(酞菁)氯合釕(Ⅲ)、一鄰苯二甲腈(酞菁)氯合鋨(Ⅲ)、一鄰苯二甲腈(酞菁)二氧合鋨(Ⅵ)和一鄰苯二甲腈(一氯酞菁)氯合銥(Ⅲ)。較好的是，金屬酞菁化合物是鈦氧基氧代酞菁化合物，作為配位體的鄰苯二甲腈化合物可如通式(2)所示具有取代基其中R17-R20各種表示氫原子、鹵原子、羥基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。下面描述本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)的帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物的組合物體系。起初，在合成鈦氧基氧代酞菁過(guò)程中發(fā)現(xiàn)一種副產(chǎn)品。該副產(chǎn)品的分子結(jié)構(gòu)中一個(gè)相應(yīng)于鄰苯二甲腈化合物的結(jié)構(gòu)額外地作為鈦氧基氧代酞菁化合物的金屬配位結(jié)合。該副產(chǎn)品的化學(xué)式為(C8H4N2)5OTi，分子量為704.5，下面將其稱(chēng)為鈦氧基氧代五聚物。本發(fā)明人成功地大量制得該副產(chǎn)品并分離之。為了了解該鈦氧基氧代五聚物的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明人使用激光切斷電離飛行時(shí)間質(zhì)譜法(簡(jiǎn)稱(chēng)TOF-MS)對(duì)含鈦氧基氧代五聚物副產(chǎn)品的鈦氧基氧代酞菁試樣進(jìn)行分析。圖2-4是含鈦氧基氧代五聚物的鈦氧基氧代酞菁的TOF-MS譜圖的例子。圖2是陽(yáng)離子檢測(cè)分析結(jié)果，表明除了質(zhì)量數(shù)為576的鈦氧基氧代酞菁分子的離子外，還測(cè)得質(zhì)量數(shù)為704的鈦氧基氧代五聚物分子的離子。隨后，將注意力集中在質(zhì)量數(shù)為704的鈦氧基氧代五聚物分子的該離子上，對(duì)該離子進(jìn)行陽(yáng)離子檢測(cè)MS-MS分析。結(jié)果如圖3所示。結(jié)果表明由質(zhì)量數(shù)為704的五聚物離子產(chǎn)生質(zhì)量數(shù)為576的片斷離子，并且鈦氧基氧代五聚物分子的離子結(jié)構(gòu)中分子量為128的鄰苯二甲腈位于酞菁環(huán)的外面。圖4是同樣的試樣的陰離子探測(cè)結(jié)果。結(jié)果高靈敏度地測(cè)得鈦氧基氧代酞菁的質(zhì)量數(shù)為576的分子離子。對(duì)于鈦氧基氧代五聚物，不僅未測(cè)得該分子的離子，而且未測(cè)得反映鈦氧基氧代五聚物結(jié)構(gòu)的任何其它離子。上面的分析表明，對(duì)于鈦氧基氧代五聚物的結(jié)構(gòu)，難以產(chǎn)生能直接反映鈦氧基氧代五聚物分子結(jié)構(gòu)的其它離子，附加的鄰苯二甲腈是作為配位體連接在鈦氧基氧代酞菁上的。在本發(fā)明酞菁化合物是鈦氧基氧代酞菁時(shí)，質(zhì)量數(shù)為704的帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的鈦氧基氧代酞菁化合物的質(zhì)譜峰強(qiáng)度較好占質(zhì)量數(shù)為576的鈦氧基氧代酞菁的峰強(qiáng)度的10-5％-20％。通過(guò)升華可控制用于本發(fā)明的帶鄰苯二甲腈作為配位體的金屬酞菁化合物的含量?？蓪⒑铣芍械慕饘偬几碑a(chǎn)品作為用作本發(fā)明感光體的金屬酞菁。電荷產(chǎn)生層3的膜厚度決定于電荷產(chǎn)生劑的吸光系數(shù)，較好控制在不超過(guò)5微米，最好不超過(guò)1微米。電荷產(chǎn)生層3含有電荷產(chǎn)生劑作為主要組分并可加入電荷轉(zhuǎn)移劑和其它物質(zhì)。用于電荷產(chǎn)生層3的樹(shù)脂粘合劑可選自聚碳酸酯、聚酯、聚酰胺、聚氨酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧化合物、硅氧烷、甲基丙烯酸酯的聚合物、共聚物以及這些物質(zhì)的鹵化物和氰乙基化合物等的適當(dāng)組合。按100重量份樹(shù)脂粘合劑計(jì)，用于電荷產(chǎn)生層的電荷產(chǎn)生劑的用量較好為10-5000重量份，更好為50-1000重量份。電荷轉(zhuǎn)移層4是一層涂層膜，它是由電荷轉(zhuǎn)移劑溶解在樹(shù)脂粘合劑中的材料制成的。電荷轉(zhuǎn)移劑可例如選自腙化合物、苯乙烯基化合物、胺化合物及其衍生物，它們可單獨(dú)使用或適當(dāng)?shù)亟M合使用。在黑暗中電荷轉(zhuǎn)移層4作為絕緣層用于保留感光體的電荷，并在受光后用于轉(zhuǎn)移來(lái)自電荷產(chǎn)生層的電荷。用于電荷轉(zhuǎn)移層的粘合劑樹(shù)脂可例如選自聚碳酸酯、聚酯、聚苯乙烯和甲基丙烯酸酯等聚合物、聚合物混合物和共聚物。與電荷轉(zhuǎn)移劑的相容性以及機(jī)械、化學(xué)和電氣穩(wěn)定性和粘性對(duì)樹(shù)脂粘合劑的選擇是重要的。按100重量份樹(shù)脂粘合劑計(jì)，電荷轉(zhuǎn)移劑的用量較好為20-500重量份，更好為30-300重量份。電荷轉(zhuǎn)移層4的膜厚較好控制在3-50微米，更好控制在15-40微米以保持實(shí)際有效的表面電位。下面參照實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1制造底涂層將70重量份購(gòu)自TorayIndustries,Inc.的聚酰胺樹(shù)脂AMILANCM8000和930重量份甲醇(和光純藥工業(yè)(株)制)混合在一起制得用于底涂層的涂料液。用浸涂法將該涂料液涂覆在鋁基片上，干燥后形成0.5微米厚的底涂層。合成鈦氧基氧代酞菁將800g鄰苯二甲腈(東京化成工業(yè)(株)制)和1.8升喹啉(東京化成工業(yè)(株)制)加入反應(yīng)容器中并攪拌之。接著在氮?dú)夥罩械渭?97g四氯化鈦(KishidaChemicalCo.,Ltd)并攪拌之，接著在2小時(shí)內(nèi)加熱至180℃并在該溫度下攪拌15小時(shí)。使反應(yīng)液冷卻至130℃，過(guò)濾，用3升N-甲基-2-吡咯烷酮(關(guān)東化學(xué)(株)制)洗滌之。在1.8升N-甲基-2-吡咯烷酮中在氮?dú)夥罩袑⑿纬傻臐駷V餅在160℃加熱攪拌1小時(shí)。冷卻形成的混合物并過(guò)濾。隨后用3升N-甲基-2-吡咯烷酮、2升丙酮(關(guān)東化學(xué)(株)制)、2升甲醇(關(guān)東化學(xué)(株)制)和4升溫純水依次洗滌，得到濕濾餅。將如此形成的鈦氧基氧代酞菁濕濾餅在用360ml36％鹽酸(關(guān)東化學(xué)(株)制)和4升水制得的稀鹽酸中在80℃加熱攪拌1小時(shí)，使之冷卻并過(guò)濾，用4升溫水洗滌，并干燥。得到的產(chǎn)物真空升華3次進(jìn)行純化并干燥。隨后，邊冷卻和攪拌邊在-5℃將200g如此制得的干產(chǎn)物加至4kg96％硫酸(關(guān)東化學(xué)(株)制)中，使得液體溫度保持在-5℃或更低。在-5℃進(jìn)一步攪拌并冷卻1小時(shí)。將形成的硫酸溶液加至35升水和5kg冰的混合物中，使溫度保持在10℃或更低，將其冷卻并攪拌1小時(shí)。過(guò)濾并用10升溫水洗滌。將如此得到的產(chǎn)物與由10升水和770ml36％鹽酸組成的稀鹽酸相混合，并在80℃將其加熱攪拌1小時(shí)。冷卻、過(guò)濾并用10升溫水洗滌，干燥后得到鈦氧基氧代酞菁，經(jīng)升華純化后得到純的鈦氧基氧代酞菁。合成帶配位體的金屬酞菁化合物重復(fù)與上面鈦氧基氧代酞菁合成方法相同的步驟，但是在干燥氮?dú)夥罩袑?shí)施的步驟改成在空氣中進(jìn)行，同時(shí)向反應(yīng)容器中持續(xù)吹入外界空氣。本方法制得帶有附加鄰苯二甲腈與鈦氧基氧代酞菁金屬原子相連的結(jié)構(gòu)的帶配位體的金屬酞菁與鈦氧基氧代酞菁的混合物。圖5是帶配位體的金屬酞菁化合物混合鈦氧基氧代酞菁的TOF-MS陽(yáng)離子檢測(cè)結(jié)果的譜圖。在TOF-MS陽(yáng)離子檢測(cè)分析中測(cè)得鈦氧基氧代酞菁和帶配位體的金屬酞菁的峰強(qiáng)度比為1∶1。用升華法對(duì)混合物進(jìn)行純化，得到純的帶配位體的金屬酞菁化合物。帶配位體的金屬酞菁的產(chǎn)率按鄰苯二甲腈計(jì)為10-15％。制造電荷產(chǎn)生層將100nmol如此制得的帶配位體的金屬酞菁化合物加至1mol鈦氧基氧代酞菁中。將該混合物與0.5升水和1.5升鄰二氯苯(KantoChemicalCo.,Ltd制)一起加至帶6.6kg直徑為8mm的氧化鋯球的球磨機(jī)中研磨24小時(shí)。用1.5升丙酮和1.5升甲醇取出，過(guò)濾，用水1.5升洗滌，干燥。將10重量份該含帶配位體的金屬酞菁化合物的鈦氧基氧代酞菁與10重量份聚氯乙烯樹(shù)脂(MR-110,NipponZeonCo.,Ltd制)、686重量份二氯甲烷和294重量份1,2-二氯乙烷相混合，超聲波分散后制得用于電荷產(chǎn)生層的涂料液。用浸涂法將該涂料液涂覆在上述底涂層上，干燥后形成厚0.2微米的電荷產(chǎn)生層。制造電荷轉(zhuǎn)移層將100重量份4-(二苯基氨基)苯甲醛苯基(2-噻吩基甲基)腙(FujiElectricCo.,Ltd制)、100重量份聚碳酸酯樹(shù)脂(PANLITEK-1300，購(gòu)自TeijinChemicalCo.,Ltd)、800重量份二氯甲烷、1重量份硅烷偶聯(lián)劑(KP-340，購(gòu)自Shin’etsuChemicalCo.,Ltd)和4重量份苯基亞膦酸二(2,4-二叔丁基苯基)酯(FujiElectricCo.,Ltd制)混合在一起制得用于電荷轉(zhuǎn)移層的涂料液。用浸涂法將該涂料液涂覆在上述帶有電荷產(chǎn)生層的基片上，干燥后形成厚度為20微米的電荷轉(zhuǎn)移層。從而制得感光體。實(shí)施例2用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例3用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例4用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例5用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例6用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是在加入實(shí)施例1的帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸(關(guān)東化學(xué)(株)制)對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘合處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例7用與實(shí)施例6相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例8用與實(shí)施例6相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例9用與實(shí)施例6相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例10用與實(shí)施例6相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例1用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例2用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例3用與實(shí)施例6相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例4用與實(shí)施例6相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用KawaguchiElectricWorksCo.,Ltd制造的EPA-8200型靜電記錄紙?jiān)囼?yàn)儀分別測(cè)定實(shí)施例1-10和比較例1-4的感光體的電氣特性。在黑暗中將感光體電暈充電至表面電位為-600V，并在黑暗中靜置5秒鐘。測(cè)定其間的電位保持率。結(jié)果列于表1。表1<tablesid="table1"num="001"><table>試樣電位保持率實(shí)施例198.1實(shí)施例297.9實(shí)施例398.2實(shí)施例497.6實(shí)施例597.6實(shí)施例698.3實(shí)施例798.0實(shí)施例898.2實(shí)施例998.1實(shí)施例1097.7比較例191.5比較例290.4比較例391.3比較例490.2</table></tables>由表1可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例11用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的無(wú)金屬酞菁代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例12用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例13用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例14用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例15用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例16用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸(關(guān)東化學(xué)(株)制)對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例17用與實(shí)施例16相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例18用與實(shí)施例16相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例19用與實(shí)施例16相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例20用與實(shí)施例16相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例5用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例6用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例7用與實(shí)施例16相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例8用與實(shí)施例16相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾無(wú)金屬酞菁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例11-20和比較例5-8的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表2。表2由表2可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例21用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁釩代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例22用與實(shí)施例21相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例23用與實(shí)施例21相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例24用與實(shí)施例21相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例25用與實(shí)施例21相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例26用與實(shí)施例21相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸(關(guān)東化學(xué)(株)制)對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例27用與實(shí)施例26相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例28用與實(shí)施例26相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例29用與實(shí)施例26相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例30用與實(shí)施例26相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例9用與實(shí)施例21相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例10用與實(shí)施例21相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例11用與實(shí)施例26相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例12用與實(shí)施例26相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁釩中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例21-30和比較例9-12的感光體的電氣特性，得出電位保持率。結(jié)果列于表3。表3<tablesid="table3"num="003"><table>試樣電位保持率(％)實(shí)施例2195.2實(shí)施例2295.1實(shí)施例2395.3實(shí)施例2495.0實(shí)施例2595.1實(shí)施例2695.2實(shí)施例2794.9實(shí)施例2895.2實(shí)施例2995.0實(shí)施例3095.1比較例987.9比較例1088.6比較例1188.2比較例1288.4</table></tables>由表3可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例31用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁鈮代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例32用與實(shí)施例31相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例33用與實(shí)施例31相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例34用與實(shí)施例31相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例35用與實(shí)施例31相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例36用與實(shí)施例31相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例37用與實(shí)施例36相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例38用與實(shí)施例36相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例39用與實(shí)施例36相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例40用與實(shí)施例36相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例13用與實(shí)施例31相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例14用與實(shí)施例31相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例15用與實(shí)施例36相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例16用與實(shí)施例36相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鈮中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例31-40和比較例13-16的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表4。表4<tablesid="table4"num="004"><table>試樣電位保持率實(shí)施例3195.2實(shí)施例3294.8實(shí)施例3395.2實(shí)施例3495.0實(shí)施例3595.1實(shí)施例3695.3實(shí)施例3794.9實(shí)施例3895.0實(shí)施例3995.3實(shí)施例4095.2比較例1389.2比較例1488.4比較例1588.2比較例1687.4</table></tables>由表4可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例41用與實(shí)施例11相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁銦代替實(shí)施例1的無(wú)金屬酞菁。實(shí)施例42用與實(shí)施例41相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例43用與實(shí)施例41相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例44用與實(shí)施例41相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例45用與實(shí)施例41相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例46用與實(shí)施例41相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例47用與實(shí)施例46相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例48用與實(shí)施例46相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例49用與實(shí)施例46相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例50用與實(shí)施例46相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例17用與實(shí)施例41相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例18用與實(shí)施例41相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例19用與實(shí)施例46相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例20用與實(shí)施例46相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁銦中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例41-50和比較例17-20的感光體的電氣特性，得出電位保持率。結(jié)果列于表5。表5由表5可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例51用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁鎵代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例52用與實(shí)施例51相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例53用與實(shí)施例51相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例54用與實(shí)施例51相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例55用與實(shí)施例51相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例56用與實(shí)施例51相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例57用與實(shí)施例56相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例58用與實(shí)施例56相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例59用與實(shí)施例56相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例60用與實(shí)施例56相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例21用與實(shí)施例51相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例22用與實(shí)施例51相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例23用與實(shí)施例56相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例24用與實(shí)施例56相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鎵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例51-60和比較例21-24的感光體的電氣特性，得出電位保持率。結(jié)果列于表6。表6<tablesid="table6"num="006"><table>試樣電位保持率(％)實(shí)施例5195.5實(shí)施例5295.3實(shí)施例5395.0實(shí)施例5495.3實(shí)施例5595.1實(shí)施例5695.4實(shí)施例5794.9實(shí)施例5895.2實(shí)施例5995.3實(shí)施例6095.1比較例2189.4比較例2288.7比較例2389.8比較例2489.0</table></tables>由表6可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例61用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁鋯代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例62用與實(shí)施例61相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例63用與實(shí)施例61相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例64用與實(shí)施例61相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例65用與實(shí)施例61相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例66用與實(shí)施例61相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例67用與實(shí)施例66相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例68用與實(shí)施例66相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例69用與實(shí)施例66相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例70用與實(shí)施例66相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例25用與實(shí)施例61相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例26用與實(shí)施例61相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例27用與實(shí)施例66相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例28用與實(shí)施例66相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋯中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例61-70和比較例25-28的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表7。表7<tablesid="table7"num="007"><table>試樣電位保持率(％)實(shí)施例6195.1實(shí)施例6295.5實(shí)施例6395.3實(shí)施例6495.5實(shí)施例6595.2實(shí)施例6695.6實(shí)施例6795.1實(shí)施例6895.4實(shí)施例6995.3實(shí)施例7095.1比較例2588.8比較例2689.0比較例2789.2比較例2888.7</table></tables>由表7可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例71用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁鍺代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例72用與實(shí)施例71相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例73用與實(shí)施例71相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例74用與實(shí)施例71相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例75用與實(shí)施例71相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例76用與實(shí)施例71相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例77用與實(shí)施例76相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例78用與實(shí)施例76相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例79用與實(shí)施例76相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例80用與實(shí)施例76相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例29用與實(shí)施例71相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例30用與實(shí)施例71相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例31用與實(shí)施例76相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例32用與實(shí)施例76相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鍺中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例71-80和比較例29-32的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表8。表8<tablesid="table8"num="008"><table>試樣電位保持率(％)實(shí)施例7195.4實(shí)施例7295.1實(shí)施例7395.3實(shí)施例7495.0實(shí)施例7595.1實(shí)施例7695.2實(shí)施例7794.9實(shí)施例7895.0實(shí)施例7995.2實(shí)施例8095.2比較例2988.3比較例3087.7比較例3188.2比較例3288.0</table></tables>由表8可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例81用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的1,2,3,4,8,9,10,11,15,16,17,18,22,23,24,25-十六氟-29H,31H-酞菁鐵(Ⅱ)(下面簡(jiǎn)稱(chēng)為酞菁氟鐵)代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例82用與實(shí)施例81相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例83用與實(shí)施例81相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例84用與實(shí)施例81相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例85用與實(shí)施例81相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例86用與實(shí)施例81相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例87用與實(shí)施例86相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例88用與實(shí)施例86相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例89用與實(shí)施例86相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例90用與實(shí)施例86相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例33用與實(shí)施例81相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例34用與實(shí)施例81相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例35用與實(shí)施例86相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例36用與實(shí)施例86相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁氟鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例81-90和比較例33-36的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表9。表9由表9可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例91用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁錫代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例92用與實(shí)施例91相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例93用與實(shí)施例91相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例94用與實(shí)施例91相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例95用與實(shí)施例91相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例96用與實(shí)施例91相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例97用與實(shí)施例96相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例98用與實(shí)施例96相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例99用與實(shí)施例96相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例100用與實(shí)施例96相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例37用與實(shí)施例91相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例38用與實(shí)施例91相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例39用與實(shí)施例96相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例40用與實(shí)施例96相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錫中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例91-100和比較例37-40的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表10。表10<tablesid="table10"num="010"><table>試樣電位保持率(％)實(shí)施例9195.0實(shí)施例9294.8實(shí)施例9394.7實(shí)施例9494.9實(shí)施例9594.6實(shí)施例9694.8實(shí)施例9794.9實(shí)施例9895.0實(shí)施例9994.8實(shí)施例10094.6比較例3787.9比較例3887.1比較例3988.0比較例4087.4</table></tables>由表10可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例101用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁錳代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例102用與實(shí)施例101相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例103用與實(shí)施例101相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例104用與實(shí)施例101相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例105用與實(shí)施例101相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例106用與實(shí)施例101相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例107用與實(shí)施例106相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例108用與實(shí)施例106相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例109用與實(shí)施例106相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例110用與實(shí)施例106相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例41用與實(shí)施例101相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例42用與實(shí)施例101相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例43用與實(shí)施例106相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例44用與實(shí)施例106相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁錳中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例101-110和比較例41-44的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表11。表11<tablesid="table11"num="011"><table>試樣電位保持率(％)實(shí)施例10195.5實(shí)施例10295.7實(shí)施例10395.2實(shí)施例10495.5實(shí)施例10595.4實(shí)施例10695.6實(shí)施例10795.5實(shí)施例10895.0實(shí)施例10995.3實(shí)施例11095.1比較例4187.6比較例4286.9比較例4387.1比較例4487.3</table></tables>由表11可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例111用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁鋁代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例112用與實(shí)施例111相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例113用與實(shí)施例111相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例114用與實(shí)施例111相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例115用與實(shí)施例111相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例116用與實(shí)施例111相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例117用與實(shí)施例116相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例118用與實(shí)施例116相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例119用與實(shí)施例116相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例120用與實(shí)施例116相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例45用與實(shí)施例111相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例46用與實(shí)施例111相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例47用與實(shí)施例116相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁化合物中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例48用與實(shí)施例116相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鋁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例111-120和比較例45-48的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表12。表12由表12可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例121用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法合成的酞菁鐵代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例122用與實(shí)施例121相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例123用與實(shí)施例121相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例124用與實(shí)施例121相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例125用與實(shí)施例121相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例126用與實(shí)施例121相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例127用與實(shí)施例126相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例128用與實(shí)施例126相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例129用與實(shí)施例126相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例130用與實(shí)施例126相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例49用與實(shí)施例121相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例50用與實(shí)施例121相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例51用與實(shí)施例126相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例52用與實(shí)施例126相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾酞菁鐵中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例121-130和比較例49-52的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表13。表13由表13可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例131用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用常用方法(特開(kāi)平3-94264號(hào)公報(bào)揭示)合成的鈦氧基四氯酞菁代替鈦氧基氧代酞菁。實(shí)施例132用與實(shí)施例131相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例133用與實(shí)施例131相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例134用與實(shí)施例131相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例135用與實(shí)施例131相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。實(shí)施例136用與實(shí)施例131相同的方法制得感光體，但是在加入帶配位體的金屬酞菁化合物后，用96％硫酸(關(guān)東化學(xué)制)對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例137用與實(shí)施例136相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成10微摩爾。實(shí)施例138用與實(shí)施例136相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成1mmol。實(shí)施例139用與實(shí)施例136相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成100mmol。實(shí)施例140用與實(shí)施例136相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成200mmol。比較例53用與實(shí)施例131相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例54用與實(shí)施例131相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。比較例55用與實(shí)施例136相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成50nmol。比較例56用與實(shí)施例136相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基四氯酞菁中的帶配位體的金屬酞菁化合物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例131-140和比較例53-56的感光體的電氣特性，得出電位保持率。結(jié)果列于表14。表14由表14可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。實(shí)施例141用與實(shí)施例1相同的方法制得感光體，但是用文獻(xiàn)J.Inorg.Nucl.Chem,1965,Vol.27,p1311-1319所述方法合成的鄰苯二甲腈(-氯酞菁)氯合銥(Ⅲ)(下面簡(jiǎn)稱(chēng)為銥五聚物)代替帶配位體的金屬酞菁化合物。實(shí)施例142用與實(shí)施例141相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成10微摩爾。實(shí)施例143用與實(shí)施例141相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成1mmol。實(shí)施例144用與實(shí)施例141相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成100mmol。實(shí)施例145用與實(shí)施例141相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成200mmol。實(shí)施例146用與實(shí)施例141相同的方法制得感光體，但是在加入銥五聚物后，用96％硫酸對(duì)形成的混合物進(jìn)行酸糊粘結(jié)處理，接著用水洗滌，然后干燥。實(shí)施例147用與實(shí)施例146相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成10微摩爾。實(shí)施例148用與實(shí)施例146相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成1mmol。實(shí)施例149用與實(shí)施例146相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成100mmol。實(shí)施例150用與實(shí)施例146相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成200mmol。比較例57用與實(shí)施例141相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成50nmol。比較例58用與實(shí)施例141相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成300mmol。比較例59用與實(shí)施例146相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁化合物中的銥五聚物的量改成50nmol。比較例60用與實(shí)施例146相同的方法制得感光體，但是將加入1摩爾鈦氧基氧代酞菁中的銥五聚物的量改成300mmol。用與上述實(shí)施例和比較例相同的方法測(cè)定實(shí)施例141-150和比較例57-60的感光體的電氣特性，得出電位保持率(％)。結(jié)果列于表15。表15<tablesid="table15"num="015"><table>試樣電位保持率(％)實(shí)施例14197.5實(shí)施例14297.7實(shí)施例14397.6實(shí)施例14497.4實(shí)施例14597.3實(shí)施例14697.9實(shí)施例14797.4實(shí)施例14897.5實(shí)施例14997.6實(shí)施例15097.4比較例5790.1比較例5889.4比較例5990.7比較例6089.8</table></tables>由表15可見(jiàn)所有實(shí)施例試樣均具有高的良好的電位保持率，而相比之下所有比較例的試樣均具有較低的電位保持率。本發(fā)明感光體包括含有至少一種酞菁化合物作為光敏材料的光敏層，其中該光敏層含有帶相當(dāng)于鄰苯二甲腈化合物的結(jié)構(gòu)作為配位體的分子結(jié)構(gòu)的金屬酞菁化合物。在本發(fā)明感光體中，按1摩爾酞菁化合物計(jì)，光敏層中帶配位體的金屬酞菁的含量為100nmol-200mmol，使電子照相感光體具有優(yōu)良的電位保持率。本發(fā)明還提供一種感光體的制造方法，包括用含電荷產(chǎn)生劑的涂料液涂覆導(dǎo)電基片形成感光層的步驟，其中該涂料液還含有帶相當(dāng)于鄰苯二甲腈化合物的結(jié)構(gòu)作為配位體分子結(jié)構(gòu)的金屬酞菁化合物。在本發(fā)明方法中，按1摩爾酞菁化合物計(jì)，用于光敏層的涂料液中帶配位體的金屬酞菁的含量為100nmol-200mmol，使電子照相感光體具有優(yōu)良的電位保持率。權(quán)利要求1．一種電子照相感光體，它包括導(dǎo)電基片，和在該導(dǎo)電基片上含有至少一種酞菁化合物作為光敏材料的光敏層，其中，按1摩爾所述酞菁化合物計(jì)，所述光敏層包括100nmol-200mmol帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物。2．如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其特征在于所述酞菁化合物是鈦氧基酞菁。3．如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其特征在于所述酞菁化合物是無(wú)金屬氧代酞菁。4．如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其特征在于所述酞菁化合物的中心元素是過(guò)渡金屬。5．如權(quán)利要求4所述的電子照相感光體，其特征在于所述過(guò)渡金屬選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋯和鈮。6．如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其特征在于所述酞菁化合物的中心元素選自銦、鎵、鋁、鍺和錫。7．如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其特征在于所述酞菁化合物由式(1)表示其中M代表氫原子、金屬原子、金屬氧化物、金屬鹵化物、金屬氫氧化物、硅化合物或磷化合物；R1-R16各自為氫原子、鹵原子、羥基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。8．如權(quán)利要求1-7中任何一項(xiàng)所述的電子照相感光體，其特征在于所述金屬酞菁化合物是鈦氧基氧代酞菁。9．如權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的電子照相感光體，其特征在于所述鄰苯二甲腈化合物由式(2)表示其中R17-R20各自表示氫原子、鹵原子、羥基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。10．如權(quán)利要求2所述的電子照相感光體，其特征在于所述光敏層中含有作為電荷產(chǎn)生劑的質(zhì)量數(shù)為576的鈦氧基氧代酞菁和質(zhì)量數(shù)為704的帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的鈦氧基氧代酞菁，在質(zhì)譜中相對(duì)質(zhì)量數(shù)為576的化合物的峰強(qiáng)度，質(zhì)量數(shù)為704的化合物的峰強(qiáng)度為10-5％-20％。11．一種電子照相感光體的制造方法，包括用含電荷產(chǎn)生劑的涂料液涂覆導(dǎo)電基片，形成光敏層的步驟，其中該涂料液含有酞菁化合物和帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物，按1摩爾所述酞菁化合物計(jì)，所述金屬酞菁化合物的含量為100nmol-200mmol。全文摘要公開(kāi)一種電子照相感光體,它包括導(dǎo)電基片和在該導(dǎo)電基片上至少含有酞菁化合物作為光敏材料的光敏層,其中,按1摩爾所述酞菁化合物計(jì),所述光敏層包括100nmol—200mmol帶鄰苯二甲腈化合物作為配位體的金屬酞菁化合物。該感光體具有優(yōu)良的電位保持率。還提供該感光體的制造方法,包括用涂料液涂覆形成光敏層的步驟,從而使得到的光敏層具有高的電位保持率。文檔編號(hào)C09B47/04GK1298123SQ0012835公開(kāi)日2001年6月6日申請(qǐng)日期2000年11月24日優(yōu)先權(quán)日1999年11月24日發(fā)明者佐佐木輝夫,原健一,中村洋一,鈴木信二郎,喜納秀樹(shù)申請(qǐng)人:富士電機(jī)影像器材有限公司