專利名稱：絕緣膜的形成方法及半導(dǎo)體器件的制造方法
相關(guān)申請(qǐng)參考本申請(qǐng)是基于并且要還應(yīng)在此之前的日本專利號(hào)No.2001-096678的優(yōu)先權(quán)，它于2001，3月29日提交，其中所有的內(nèi)容在此引入作為參考。
到目前為止各種各樣的方法已經(jīng)用來避免因運(yùn)用多層布線結(jié)構(gòu)引起的信號(hào)傳輸延遲。通常，信號(hào)傳輸延遲能用上面提到的相鄰布線層之間的寄生電容和布線電阻兩者的乘積來描述。為了改善信號(hào)傳輸延遲，很自然地需要降低相鄰布線層之間的寄生電容和布線電阻。
為了降低布線電阻，已經(jīng)嘗試把布線的主要組成材料改變?yōu)榫哂懈碗娮杪实牟牧?。例如，已?jīng)嘗試把傳統(tǒng)的鋁線改變?yōu)殂~線。然而，在這種情況下，很難通過制備傳統(tǒng)鋁線中的干蝕法把銅層加工成線的形狀。因此，為了使用銅形成布線，采用的是埋線結(jié)構(gòu)。
同時(shí)，為了降低相鄰布線層之間的寄生電容，嘗試的工藝是用CVD法代替?zhèn)鹘y(tǒng)的形成包含SiO2作為主要成分的絕緣膜的方法，形成包含SiOF作為主要成分的絕緣膜的方法，同時(shí)嘗試的工藝是通過自旋涂覆方法形成具有相對(duì)SiO2絕緣膜較低的相對(duì)介電常數(shù)的所謂“SOG(玻璃上的自旋)膜”或具有低的介電常數(shù)的絕緣膜如有機(jī)樹脂膜。
通常，過去廣泛使用的SiO2膜的相對(duì)介電常數(shù)的下限是大約3.9。另一方面，據(jù)說可能把SiOF膜的相對(duì)介電常數(shù)降到大約3.3，但是考慮到層的穩(wěn)定性，很難把SiOF絕緣膜的相對(duì)介電常數(shù)降低到低于3.3的水平。另一方面，據(jù)說可能把SOG膜或具有低介電常數(shù)的絕緣膜例如有機(jī)樹脂的相對(duì)介電常數(shù)降低到大約2.0。事實(shí)是，開發(fā)形成這些膜的工藝正在大量嘗試。
然而，具有低的介電常數(shù)的絕緣膜密度很小并且因此而易碎。導(dǎo)致低的機(jī)械強(qiáng)度。更確切地說，通過傳統(tǒng)的CVD方法形成的氧化物層的彈性模量大約為70GPa。另一方面，具有低介電常數(shù)的絕緣膜例如具有不高于3.0的相對(duì)介電常數(shù)的絕緣膜的彈性系模量著低于6GPa或更低。隨之而來的是很難在半導(dǎo)體器件的廣闊區(qū)域上使用具有低介電常數(shù)的絕緣膜作為具有低介電常數(shù)的層間絕緣膜，這種層間絕緣膜包含在有五或更多層的多層布線結(jié)構(gòu)之中并應(yīng)用于高性能的半導(dǎo)體器件中。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案制造半導(dǎo)體器件的方法包括用絕緣膜材料涂覆其中有元件形成的半導(dǎo)體襯底以形成一涂覆膜，絕緣膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相異的第一和第二聚合物；并且加熱涂覆膜同時(shí)用電子束輻照涂覆膜，形成具有低介電常數(shù)的絕緣膜。


圖1示意性地顯示了應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案形成絕緣膜的方法的熱處理裝置的結(jié)構(gòu)。
圖2是顯示了形成于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的方法所形成的絕緣膜中的布線槽的橫截面圖。
圖3是以放大方式顯示了在圖2中所示的布線槽的側(cè)壁部分的橫截面圖。
圖4是以放大方式顯示了布線槽的側(cè)壁部分的橫截面圖，這一布線槽被包含在沒有運(yùn)用電子束輻照所形成的絕緣膜中。
圖1顯示了應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案的方法的熱處理裝置1的結(jié)構(gòu)。如附圖所示，熱處理裝置1包含一工序腔，用于烘焙形成于半導(dǎo)體襯底9上的涂覆膜以便形成具有低介電常數(shù)的絕緣膜11。四個(gè)電子束輻照源3排列在工序腔2的上面部分，其中每一個(gè)輻照源都能夠向上面提到的涂覆膜的整個(gè)表面發(fā)射電子束(EB)。涂覆膜的整個(gè)表面被從電子束輻射源3中發(fā)射出來的電子束輻照。而且，用于支持半導(dǎo)體襯底9的樣品支持物5排列在工序腔2中四個(gè)電子束輻照源3之下。樣品支持物5是作為一個(gè)其中排列有加熱裝置(Joule加熱)6的熱極板排列以便于加熱形成于半導(dǎo)體襯底9的涂覆膜。當(dāng)從電子束輻照源3中的電子束輻照涂覆膜時(shí)，通過使用熱極板加熱形成于半導(dǎo)體襯底9之上的涂覆膜而形成具有低介電常數(shù)的絕緣膜11。
在烘焙涂覆膜以形成具有低介電常數(shù)的絕緣膜11的過程中，可能通過使用氣體輸入閥7和氣體提供裝置(沒有顯示)輸入需要的氣體進(jìn)入工序腔2。而且在烘干涂覆膜以形成具有低介電常數(shù)的絕緣膜的過程中，有可能通過真空排氣口8使工序腔2的內(nèi)部處在一個(gè)預(yù)先設(shè)定的低壓下。在真空排氣口的下游布置的是開-關(guān)閥(沒顯示)，壓力調(diào)節(jié)裝置(沒顯示)，排氣泵(沒顯示)，等等，以便于保持工序腔2的內(nèi)部在一預(yù)先設(shè)定的壓力下。通過使用在上面描述的結(jié)構(gòu)的熱處理裝置1，采用本發(fā)明一種實(shí)施方案的方法形成了絕緣膜11。
在這一實(shí)施方案形成絕緣膜的方法包括用絕緣膜材料涂覆襯底以形成一涂覆膜，所述絕緣膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相異的第一和第二聚合物，并且當(dāng)用電子束輻照所述涂覆膜的同時(shí)加熱所述涂覆膜。
這一實(shí)施方案的方法能被使用來在具有低介電常數(shù)的第一絕緣膜11a上形成具有低介電常數(shù)的第二絕緣膜11b，例如如圖2所示。先在半導(dǎo)體襯底9中形成元件。在具有低介電常數(shù)的第一絕緣膜11a中形成包含Cu作為主要成分的隱蔽布線10。這一實(shí)施方案的方法也能用來形成具有低介電常數(shù)的特殊絕緣膜11a。
在第一步中，通過自旋涂覆法用具有低介電常數(shù)的第二絕緣膜11b的材料涂覆具有低介電常數(shù)的第一絕緣膜11a，以便形成一具有基本上相同的厚度的薄膜。
為了形成具有低介電常數(shù)的第二絕緣膜11b，使用的是至少包含在平均分子重量上彼此相異的第一和第二聚合物的材料。通過混合在平均分子重量上彼此相異的至少第一和第二聚合物，有可能增加具有低介電常數(shù)的絕緣膜的機(jī)械強(qiáng)度。如此形成的具有低介電常數(shù)的絕緣膜，它具有的機(jī)械強(qiáng)度約1.5倍于使用包含單一聚合物的材料所形成的具有低介電常數(shù)的絕緣膜。特別的，需要使用第一和第二聚合物，所述第一聚合物的平均分子量至少為第二聚合物的平均分子重量的100倍高。例如，需要使用包含平均分子重量為2,000,000的第一聚合物和平均分子重量為2,000的第二聚合物的混合聚合物?？梢允褂糜扇芙庵苽涞那迤?varnish)，例如，在溶劑中的聚甲基silsesquioxane(MSQ)作為絕緣膜材料。
在第一步中，通過自旋涂覆法使用包含上面提到的聚合物的清漆涂覆具有低介電常數(shù)的絕緣膜11a以便形成具有基本上相同的厚度的涂覆膜。然后，把上面形成了涂覆膜的半導(dǎo)體襯底9放在熱極板上以便涂覆膜在50到150℃下加熱1到10分鐘，例如，在約100℃下大約2分鐘。接著在150到250℃下加熱涂覆膜1到10分鐘，例如，在約200℃下大約2分鐘。包含在涂覆膜中的溶劑或類似物質(zhì)通過涂覆膜的逐漸加熱而蒸發(fā)從而被清除掉。結(jié)果，除了MSQ之外的成分，例如包含在涂覆膜之中的溶劑，基本上完全被清除掉。結(jié)果主要是由MSQ組成的涂覆膜固定到具有低介電常數(shù)的第一絕緣膜11a。附帶說明，通過把涂覆膜放在約1×10-2到500Torr的低壓氣氛中也能清除溶劑。
在逐步的加熱完成之后，涂覆膜的溫度在例如60秒內(nèi)被熱極板提高到了預(yù)先設(shè)定的溫度以便于進(jìn)一步加熱涂覆膜。需要本步驟中的加熱在250到450℃下進(jìn)行約1到60分鐘。加熱溫度過分低或加熱時(shí)間過分短，很難有效地進(jìn)行加熱。另一方面，加熱溫度過于高或加熱時(shí)間過于長(zhǎng)，作為布線材料的Cu的擴(kuò)散和小丘的產(chǎn)生趨向提高，結(jié)果很難在低溫度和短時(shí)間內(nèi)形成高質(zhì)量的膜。
在加熱過程中，用電子束輻照涂覆膜。在用電子束輻照之前，需要通過運(yùn)行真空泵經(jīng)過真空排氣口8降低工藝腔2中的壓力到大約1到500Torr，并從氣體提供設(shè)備經(jīng)氣體輸入閥7向工藝腔2中輸入Ar氣。Ar氣的流速能夠設(shè)置在大約1到10L/Min，例如，約3L/Min。特別的，通過運(yùn)行壓力調(diào)節(jié)裝置和真空泵經(jīng)真空排氣管8在工藝腔2中已經(jīng)建立Ar氣氛并且工藝腔2中的壓力保持在約10Torr，在這種情況下，需要應(yīng)用電子束輻照。如果加熱是在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行，涂覆膜趨向被氮化。而且，如果加熱是在空氣氣氛或氧氣氣氛中進(jìn)行，涂覆膜趨向被氧化。情況是這樣，很希望在Ar氣氣氛下進(jìn)行加熱因?yàn)樵贏r氣氛中下的加熱不會(huì)帶來上面提到的困難并且加熱的成本低。
電子束輻照源3發(fā)射傳遞預(yù)定輻照能量幅值的電子束。如圖1中的箭頭表示的，涂覆膜的整個(gè)表面被從電子束輻照源3發(fā)射出來的電子束輻照。從電子束輻照源發(fā)射出來的電子束具有的能量約1到50kev，并且可以使電子束輻照涂覆膜的劑量基本上穩(wěn)定在約100到2,000μc/cm2。例如，大約1,000μc/cm2。而且，輻照時(shí)間可以設(shè)置為約1到60分鐘，例如，約30分鐘。劑量過分低，或輻照時(shí)間過分短，很難獲得電子束輻照的有效結(jié)果。另一方面，劑量過分高，或輻照時(shí)間過分長(zhǎng)，將產(chǎn)生層的收縮，這增加了應(yīng)力，導(dǎo)致裂縫的產(chǎn)生。也可能導(dǎo)致諸如相對(duì)介電常數(shù)的增加或吸濕性的增加這樣其它的問題。
如果涂覆膜被在上面提到的劑量下被具有上面提到的能量的電子束均勻的輻照，能夠取得本發(fā)明的實(shí)施方案的效果。形成電子束的方法和電子束輻照源的數(shù)量不特別作限定。
固定的涂覆膜被電子束輻照。如果沒有固定的涂覆膜被電子束輻照，除了MSQ之外的其它成分例如包含在涂覆膜中的溶劑有可能變性以致于削弱形成的具有低介電常數(shù)的絕緣膜的特性。這樣的困難能夠通過蒸發(fā)提前清除掉溶劑而提前防止。也就是說，有可能形成MSQ層，所有不需要的成分如包含在涂覆膜中的溶劑已經(jīng)被清除掉，以提供具有低介電常數(shù)并表現(xiàn)所需要特性的第二絕緣膜11b。
如果熱處理是與電子束輻照一起結(jié)合應(yīng)用于涂覆膜，則不能由熱處理單獨(dú)提供的能量能夠應(yīng)用于涂覆膜。結(jié)果，包含在涂覆膜中的聚合物的交聯(lián)反應(yīng)有效地進(jìn)行，或者不能被熱能單獨(dú)切斷的分子鏈或原子團(tuán)，能夠被切斷。
進(jìn)行電子束輻照，引起分子之間的交聯(lián)反應(yīng)，分子鏈的斷開和原子團(tuán)的分離同時(shí)發(fā)生。交聯(lián)反應(yīng)的比例，等等，它們被電子束輻照所引起，依賴于材料分子的種類，通過聯(lián)合運(yùn)用電子束輻照和熱處理，即使分子鏈斷開了或者原子團(tuán)分離了，交聯(lián)反應(yīng)進(jìn)一步進(jìn)行。特別地，在分子鏈斷開或原子團(tuán)分離的地方，斷開點(diǎn)提供一個(gè)新的交聯(lián)點(diǎn)以允許交聯(lián)反應(yīng)進(jìn)一步進(jìn)行。
如上面所描述，通過在熱處理中應(yīng)用電子束輻照，聚合物分子之間的交聯(lián)反應(yīng)能夠與分子鏈的斷開和原子團(tuán)的分離一起完成，它不能通過熱處理的單獨(dú)應(yīng)用而完成。有可能在不僅僅是平均分子重量相同的同一聚合物分子之間而且在分子重量彼此不同的聚合物分子之間發(fā)生凝結(jié)反應(yīng)或聚合反應(yīng)。在這樣形成的具有低介電常數(shù)的絕緣膜中，微細(xì)結(jié)構(gòu)成為一致以致于形成的結(jié)構(gòu)不同于由熱處理單獨(dú)形成的具有低介電常數(shù)的絕緣膜的結(jié)構(gòu)。接著通過使用在平均分子重量上彼此相異的第一和第二聚合物的混合物，例如，平均分子重量為2,000,000的聚合物和平均分子重量為2,000的另一聚合物，有可能獲得具有低介電常數(shù)和膜的質(zhì)量基本一致的層間絕緣膜。
具有高的機(jī)械強(qiáng)度和均勻膜質(zhì)量的MSQ膜以這種方式形成使得具有低的介電常數(shù)的第二層間絕緣膜11b在具有低介電常數(shù)的第一層間絕緣膜11a之上。
在這一實(shí)施方案中通過這種方法形成的MSQ膜具有的相對(duì)介電常數(shù)約為2.5到3.0，相當(dāng)?shù)氐陀谕ㄟ^CVD方法形成的傳統(tǒng)SiO2層的相對(duì)介電常數(shù)(約3.9到4.1)。因此，這樣形成的MSQ膜極可能有效的用于高速，高性能半導(dǎo)體器件。
另外，在這一實(shí)施方案中形成的MSQ膜是通過使用包含平均分子重量彼此相異的第一和第二聚合物的原材料并且通過用電子束來輻照原材料膜的同時(shí)加熱原材料而形成的。結(jié)果，形成的MSQ膜具有高的機(jī)械強(qiáng)度。例如，在這一實(shí)施方案中，使用包含第一和第二聚合物的原材料，第一聚合物的平均分子重量至少為第二聚合物分子重量的100倍高，通過這一方法形成的MSQ膜發(fā)現(xiàn)其彈性模量約為9GPa。
順便說明，通過使用包含單一種聚合物的原材料和單獨(dú)應(yīng)用熱處理，發(fā)現(xiàn)形成的MSQ膜的彈性模量約為4GPa。這樣形成的MSQ膜的機(jī)械強(qiáng)度與通過CVD方法形成的SiO2膜的機(jī)械強(qiáng)度比起來非常低，SiO2膜表現(xiàn)出來的彈性模量約為70GPa。在這一實(shí)施方案中通過這種方法形成的MSQ具有的機(jī)械強(qiáng)度至少兩倍于通過使用包含單一聚合物的原材料制成的MSQ膜的機(jī)械強(qiáng)度，因此，完全耐得住實(shí)際應(yīng)用。
在第一MSQ層之上形成了具有如上面指出的高彈性模量低介電常數(shù)的第二MSQ層的半導(dǎo)體襯底9被拿到工序腔2之外以便于進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻處理和CMP處理。例如，通過干蝕法在具有低介電常數(shù)的第二絕緣膜11b之中形成一布線槽12和一通孔，接著在整個(gè)表面上形成一阻擋金屬層13，如圖2所示。圖3以放大方式顯示了圖2中被斷線包圍的側(cè)壁14的部分。發(fā)現(xiàn)在布線槽12中根本沒有形成凹進(jìn)部分，因?yàn)榫哂械徒殡姵?shù)的第二絕緣膜11b在膜的質(zhì)量上是一致的，結(jié)果阻擋金屬層13以均勻的厚度形成。在接下來的步驟中在阻擋金屬層13上淀積Cu以形成布線層和栓塞，基本上不可能在具有低介電常數(shù)的第二絕緣膜11b中產(chǎn)生缺陷Cu泄漏。
本發(fā)明形成絕緣膜的方法和本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法不局限于上面描述的實(shí)施方案。在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)，以各種方法來修改本發(fā)明是可能的。
例如，在把本發(fā)明的技術(shù)思想應(yīng)用于具有低介電常數(shù)的單一層絕緣膜的形成或具有低介電常數(shù)且包含三或更多層絕緣膜的形成的情況下，能夠取得與上面描述類似的效果。而且，具有低介電常數(shù)的絕緣膜，它通過進(jìn)行電子束輻照的同時(shí)應(yīng)用熱處理而形成，不局限于MSQ膜。例如，有可能使用具有低介電常數(shù)的有機(jī)樹脂膜，例如聚芳基醚膜，或者，聚酰亞胺膜作為原材料，只要原材料至少包含平均分子重量彼此相異的第一和第二聚合物。在使用這種材料形成涂覆膜和對(duì)這樣形成的涂覆膜應(yīng)用熱處理和電子束輻照的情況下，有可能獲得類似的效果。雖然聯(lián)合使用不同種類的聚合物是可能的，但形成有機(jī)樹脂膜希望使用同一種聚合物。還可以聯(lián)合使用有機(jī)樹脂膜的原材料和MSQ的前體。此外，在使用包含平均分子重量彼此相異的第一，第二和第三聚合物的原材料的情況下，有可能獲得類似的效果。
為了比較，具有低介電常數(shù)并且包含MSQ膜的絕緣膜通過上面描述的方法形成，除了熱處理過程中不應(yīng)用電子束輻照。應(yīng)用于這種試驗(yàn)的原材料是通過把平均分子重量為2,000,000的聚合物和平均分子重量為2,000的另一種聚合物混和而制成的。此外，當(dāng)應(yīng)用干蝕法形成布線槽和通孔的時(shí)候，在這一過程后在具有低介電常數(shù)的絕緣膜的表面以約10nm的周期形成不均勻性。這可以合理地理解為在分子重量高的許多聚合物之間形成間隙，并且這樣形成的間隙沒有被分子重量低的聚合物有效地填充，導(dǎo)致具有低介電常數(shù)的絕緣膜的表面的不規(guī)則。更具體地，可以合理地理解為蝕刻速率上的差異來源于膜質(zhì)量上的不一致，干蝕過程之后導(dǎo)致具有低介電常數(shù)的絕緣膜的表面上的不規(guī)則。這樣的不規(guī)則也可能在CMP過程后產(chǎn)生于具有低介電常數(shù)的絕緣膜的表面上。
阻擋金屬層形成低介電常數(shù)的絕緣膜的整個(gè)表面上，并在其中形成一布線槽和一通孔。圖4以放大方式顯示了上面形成的阻擋金屬層的布線槽的側(cè)壁，如附圖所示，來源于膜質(zhì)量的不一致的凹陷部分104在干蝕過程后形成在具有低介電常數(shù)的絕緣膜102的側(cè)表面。不規(guī)則區(qū)域在接下來的步驟中有可能引起來源于諸如Cu線泄漏(沒有顯示)這樣的隔層特性的缺陷形成在阻擋金屬層103。
本領(lǐng)域熟練的技術(shù)人員很容易進(jìn)行補(bǔ)充的優(yōu)點(diǎn)和修改。因此，在更廣泛方面本發(fā)明不局限于在這里顯示和描述的具體細(xì)節(jié)和典型實(shí)施方案。因此，不離開由附加權(quán)利要求書及其等價(jià)形式所定義的總的發(fā)明概念的精神或范圍，可以做各種各樣的修改。
權(quán)利要求
1.一種形成絕緣膜的方法，包括用絕緣膜材料涂覆襯底以形成一涂覆膜，所述絕緣膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相異的第一和第二聚合物；并且加熱所述涂覆膜同時(shí)用電子束輻照所述涂覆膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中在加熱所述涂覆膜同時(shí)用電子束輻照涂覆膜之前，所述涂覆膜在50到150℃加熱1到10分鐘，接著進(jìn)一步在150到250℃加熱所述涂覆膜1到10分鐘
3.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中在加熱所述涂覆膜同時(shí)用電子束輻照涂覆膜之前，所述涂覆膜放置在一個(gè)1×10-2到500Torr的低壓氣氛中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中所述電子束的輻照量在100～2,000μc/cm2的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中加熱同時(shí)用電子束輻照涂覆膜是在1到500Torr之間范圍的低壓下進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中加熱同時(shí)用電子束輻照涂覆膜是在Ar氣氛下進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中加熱同時(shí)用電子束輻照涂覆膜是在250到450℃進(jìn)行1到60分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中所述第一聚合物平均分子重量至少為所述第二聚合物的100倍高。
9.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中所述絕緣膜有一個(gè)把甲基團(tuán)作為主要骨架的硅氧烷鍵。
10.根據(jù)權(quán)利要求1形成絕緣膜的方法，其中所述絕緣膜由有機(jī)樹脂形成。
11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括用絕緣膜材料涂覆其中有元件形成的半導(dǎo)體襯底以便形成一涂覆膜，所述絕緣膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相異的第一和第二聚合物；并且加熱所述涂覆膜同時(shí)用電子束輻照所述涂覆膜以便形成具有低介電常數(shù)的絕緣膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在加熱所述涂覆膜同時(shí)用電子束輻涂覆膜之前，所述涂覆膜在50到150℃加熱1到10分鐘，接著進(jìn)一步在150到250℃加熱所述涂覆膜1到10分鐘。
13.根據(jù)權(quán)利要求11制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在加熱所述涂覆膜同時(shí)用電子束輻涂覆膜之前，所述涂覆膜放置在一個(gè)1×10-2到500Torr的低壓氣氛中。
14.根據(jù)權(quán)利要求11制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述電子束的輻照量在100～2,000μc/cm2的范圍。
15.根據(jù)權(quán)利要求11制造半導(dǎo)體器件的方法，其中加熱同時(shí)用電子束輻照涂覆膜是在1到500Torr之間范圍的低壓下進(jìn)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求11制造半導(dǎo)體器件的方法，其中加熱同時(shí)用電子束輻照涂覆膜是在Ar氣氛下進(jìn)行。
17.根據(jù)權(quán)利要求11形成絕緣膜的方法，其中加熱同時(shí)用電子束輻照涂覆膜是在250到450℃進(jìn)行1到60分鐘。
18.根據(jù)權(quán)利要求11形成絕緣膜的方法，其中所述第一聚合物平均分子重量至少為所述第二聚合物的100倍高。
19.根據(jù)權(quán)利要求11形成絕緣膜的方法，其中具有低介電常數(shù)的所述絕緣膜有一個(gè)把甲基團(tuán)作為主要骨架的硅氧烷鍵。
20.根據(jù)權(quán)利要求11形成絕緣膜的方法，其中所述具有低介電常數(shù)的絕緣膜由有機(jī)樹脂形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求11形成絕緣膜的方法，進(jìn)一步包括在具有低介電常數(shù)的所述絕緣膜中形成布線槽和通孔中的至少一種；并且在所述布線槽和所述通孔至少一個(gè)中掩埋一Cu層，一個(gè)阻擋金屬層插入它們之間。
全文摘要
本發(fā)明公開一種形成絕緣膜的方法,包括用絕緣膜材料涂覆襯底以形成一涂覆膜,這絕緣膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相異的第一和第二聚合物,并且加熱所述涂覆膜的同時(shí)用電子束輻照所述涂覆膜。
文檔編號(hào)C09D5/25GK1379450SQ02108730
公開日2002年11月13日 申請(qǐng)日期2002年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月29日
發(fā)明者宮島秀史, 島田美代子, 中田鍊平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝