專利名稱：具有驅(qū)動電路的微噴射頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微噴射頭(Microinject head)的制作方法，尤其涉及一種具有驅(qū)動電路(Driving circuitry)且為一體成型的微噴射頭的制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，液珠噴射器廣泛用于噴墨打印機的打印，然而，液珠噴射器也具有眾多其他的可能應(yīng)用，例如燃料噴射系統(tǒng)(Fuel injection systems)、細胞分類(Cell sorting)、藥物釋放系統(tǒng)(Drug delivery systems)、直接噴印光刻術(shù)(Direct print lithography)以及微噴射推進系統(tǒng)(Micro jet propulsion systems)等，上述所有應(yīng)用的共同點在于其皆須一可靠(Reliable)且低成本，以及可提供高頻率(Frequency)及高空間解析度(Spatial resolution)的高品質(zhì)液滴的液珠噴射器。
然而，只有數(shù)種裝置能夠個別地射出形狀一致的液滴，在目前所知且被使用的液珠噴射系統(tǒng)中，利用熱驅(qū)動氣泡(Thermal driven bubble)以射出液珠的方式由于簡單且成本相當(dāng)?shù)土?，因此一直是這種裝置中較成功的設(shè)計。
在U.S.Pat.No.6,102,530-“以氣泡作為微噴射器中的虛擬氣閥以噴射液體的裝置和方法(Apparatus and method for using bubbles as virtual valvein microinjector to eject fluid)”中曾提到一具有虛擬氣閥(Virtual valve)的液珠噴射裝置，如圖1所示，加熱器環(huán)繞在噴射孔四周，借著加熱器電阻值的差異，使得加熱時在流體腔靠近噴嘴的位置先產(chǎn)生一第一氣泡，此第一氣泡隔絕流體腔及噴嘴，而產(chǎn)生類似氣閥的功能，可減小與相鄰流體腔產(chǎn)生相互干擾(Cross talk)的效應(yīng)；接著產(chǎn)生第二氣泡，此第二氣泡用以推擠流體，使流體從噴孔噴出，最后，第二氣泡并與第一氣泡結(jié)合，借著此二氣泡的結(jié)合以達到減少衛(wèi)星墨滴(Satellite droplet)的產(chǎn)生。
另外，在U.S.Pat.No.5,122,812-“其上具有驅(qū)動電路的熱墨水噴射打印頭及其制造方法(Thermal inkjet printhead having driver circuitry thereon andmethod for making the same)”中曾提到一種具有驅(qū)動電路的噴墨頭結(jié)構(gòu)(如圖2所示)，系將加熱元件與驅(qū)動電路整合制作于同一基板(Substrate)上，然而其制作過程所需的步驟數(shù)目仍多，而且根據(jù)其結(jié)構(gòu)還必須形成一厚度達20～30μm的厚膜(Barrier layer)130，再貼合一噴嘴平板(Orifice plate)140于厚膜上，此種作法會因必要的裝配公差(Assembly tolerance)而限制噴嘴的空間解析度，此外，貼合手續(xù)未必相容于IC制作過程，當(dāng)微噴射器陣列(Array)與驅(qū)動電路需整合成一體以減少配線并確保封裝緊密時，這個不相容的問題將更為突顯，因此，此制作過程不僅較為繁瑣，成本上亦相對較高，故現(xiàn)今提供一種成本較低、制作過程步驟較少，且能達到具有驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)的微液珠噴射頭已經(jīng)成為刻不容緩的趨勢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要的目的即是要提供一種具有驅(qū)動電路的微噴射頭，系用以同時控制一對以上的第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件與第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件，將一個以上流體腔內(nèi)部的流體由噴孔噴出，以達到由多噴孔噴射出流體的作用。
本發(fā)明的另一目的即是要提供一種具有驅(qū)動電路的微噴射頭的制作方法，系用以將驅(qū)動電路與氣泡產(chǎn)生構(gòu)件整合于同一基板上，制作過程步驟數(shù)目較少，且為一電路元件與連接線路數(shù)量較少的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其包括提供一基板；形成一介電層于該基板上，該介電層包含一第一部位以及一第二部位；形成一驅(qū)動電路于該介電層的第一部位上，該驅(qū)動電路包含一個以上的功能元件；形成一低應(yīng)力材料層于該介電層的第二部位上；蝕刻該基板與該介電層，以形成一歧管及一個以上的流體腔，且該歧管系與該流體腔相連通，以供應(yīng)流體至該流體腔；形成多個氣泡產(chǎn)生器于該低應(yīng)力材料層上，且與該驅(qū)動電路相連通；以及形成一個以上的噴孔，且連通該對應(yīng)的流體腔以噴出該流體。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其包括提供一基板；形成一介電層于該基板上，該介電層包含一第一部位以及一第二部位；形成一驅(qū)動電路于該介電層的第一部位上，該驅(qū)動電路包含一個以上的功能元件；蝕刻部分該介電層的第二部位，且形成一犧牲層于該被蝕刻的部分介電層第二部位的位置上；形成一低應(yīng)力材料層于該犧牲層上；蝕刻不具該驅(qū)動電路的該基板與犧牲層，以形成一歧管及一個以上的流體腔，且該歧管是與該流體腔相連通，以供應(yīng)流體至該流體腔；形成多個氣泡產(chǎn)生器于該低應(yīng)力材料層上，且與該驅(qū)動電路相連通；以及形成一個以上的噴孔，且連通該對應(yīng)的流體腔以噴出該流體。
根據(jù)本發(fā)明所披露的具有驅(qū)動電路的微噴射頭，其包括一個以上的流體腔、一歧管、一個以上的噴孔、一對以上的氣泡產(chǎn)生器及一驅(qū)動電路，其中氣泡產(chǎn)生器包含一第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件與一第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件。
其中，歧管系與流體腔相連通，用以供應(yīng)流體至流體腔內(nèi)；而一個以上的噴孔系與對應(yīng)的流體腔相連通。
而第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件與第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件系配置于接近對應(yīng)的噴孔處，且位于對應(yīng)流體腔的上方，當(dāng)對應(yīng)的流體腔充滿流體時，第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件在流體腔中產(chǎn)生一第一氣泡以做為一虛擬氣閥，繼第一氣泡產(chǎn)生后，第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件產(chǎn)生一第二氣泡，以導(dǎo)致流體腔中的流體由噴孔射出。
另外，驅(qū)動電路系包含一個以上的功能元件，且與一對以上的第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件與第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件形成于同一基板上，驅(qū)動電路用以分別獨立地傳送一訊號至個別的氣泡產(chǎn)生器，且用以驅(qū)動一對以上的氣泡產(chǎn)生器，以此達到同時控制一對以上的氣泡產(chǎn)生器的作用。
根據(jù)本發(fā)明所披露具有驅(qū)動電路的微噴射頭的制作方法，其包括提供一基板，再于基板上形成驅(qū)動電路，且驅(qū)動電路系包含一個以上的功能元件，再形成犧牲層于基板上，且不覆蓋住驅(qū)動電路，或是利用形成驅(qū)動電路時，最上層的介電材料層做為犧牲層，接著，形成一低應(yīng)力材料層于犧牲層上；再蝕刻基板與犧牲層以形成一歧管及一個以上的流體腔，歧管系與流體腔相連通，以供應(yīng)流體至流體腔內(nèi)。
再者，形成一對以上的第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件及第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件于低應(yīng)力材料層上，且與驅(qū)動電路相連通；最后形成一個以上的噴孔，系位于對應(yīng)的第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件與第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件之間，且連通對應(yīng)的流體腔以噴出流體，如此即可完成一具有驅(qū)動電路且為一體成型的微噴射頭。


圖1系為現(xiàn)有技術(shù)具有虛擬氣閥功能的噴射裝置的立體結(jié)構(gòu)圖；圖2系為現(xiàn)有技術(shù)具有驅(qū)動電路的噴墨頭的結(jié)構(gòu)剖面圖；以及圖3～9系為本發(fā)明制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭步驟及其微噴射頭的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖9系為本發(fā)明具有驅(qū)動電路的微噴射頭的完整結(jié)構(gòu)示意圖。
圖10～12系為本發(fā)明另一實施例制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭步驟及其微噴射頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記說明10陣列 12微噴射器14流體腔16歧管18噴孔 20第一加熱器22第二加熱器24共同電極26流體 38基板40犧牲層42低應(yīng)力層44導(dǎo)電層45、46低溫氧化層50第二部位 51介電層52第一部位 101薄氧化層102氮化硅層 105多晶硅柵極106源極 107漏極130厚膜 140噴嘴平板具體實施方式
首先，請參考如“圖1”所示的結(jié)構(gòu)，系為一微噴射器12的一陣列10，陣列10包含多個相互鄰接的微噴射器12，每一微噴射器包含一流體腔(Chamber)14、一歧管(Manifold)16、一噴孔(Orifice)18、一第一加熱器20以及一第二加熱器22。第一加熱器20及第二加熱器22系以串聯(lián)連接(In series)至一共同電極(Common electrode)24的電極。
第一加熱器20及第二加熱器22的作動方式，則為第一加熱器20產(chǎn)生第一氣泡隔絕流體腔14及噴孔18，而產(chǎn)生類似氣閥的功能，而第二加熱器22則接著產(chǎn)生第二氣泡，此第二氣泡則用以推擠流體26，使流體26從噴孔18噴出，以達到噴射流體26的作用。
其中，流體腔14內(nèi)系以流體26填滿，而流體26可包括但并未限制于下列流體墨水、汽油、油類、化學(xué)藥品(Chemicals)、生物醫(yī)藥溶液(Biomedicalsolution)及水等類似物質(zhì)，而選用何種流體系取決于特定的應(yīng)用場合。
然而本發(fā)明為了能達到同時控制一對以上的第一加熱器20與第二加熱器22，故需再加入一驅(qū)動電路于微噴射頭中方可達到此目的。
如圖3～5所示，欲將一具驅(qū)動電路的微噴射器陣列10制作于一基板38，如硅晶圓(Si wafer)上，首先，形成一薄氧化層101于基板38上，接著形成一氮化硅(SiNx)層102于薄氧化層上(如圖3所示)，將氮化硅102作曝光顯影后，進行蝕刻(如圖4所示)，再利用局部熱氧化法(Local oxidation)氧化未受保護的薄氧化層101，以形成場氧化層(Field oxide)。至此形成的一介電層51(見圖5)包含有一第一部位52以及一第二部位50，第一部位52系為薄氧化層101被氮化硅層102所覆蓋的部分，而第二部位50則為由局部熱氧化法所形成的場氧化層。此一場氧化層可于后續(xù)的制作過程中加以蝕刻，以形成流體腔14。之后，再去除氮化硅層102，地毯式布植硼離子(Blanket boron implant)于第一部位52及第二部位50上(如圖5所示)，以調(diào)整驅(qū)動電路的起始電壓(Threshold voltage)，再形成一多晶硅柵極(Polysilicongate)105于第一部位52上，并施以離子布植磷(phosphorus)至此多晶硅柵極105以降低其電阻值，最后再離子布植砷(Arsenic)離子于基板38內(nèi)，以形成一源極(Source)106及一漏極(Drain)107鄰近柵極，至此即可于基板38上形成一個以上的功能元件(如圖6所示)。
請參考圖7，其系于第二部位50上沉積一低應(yīng)力層(Low stress layer)42，如氮化硅(SiNx)材料，以做為流體腔14的上層。
請參考圖8，接下來，使用蝕刻液氫氧化鉀(KOH)從基板38的背面蝕刻以形成歧管16，做為供給流體進入的主要流道，而后再將第二部位50以蝕刻液氫氟酸(HF)移除。又精確地控制蝕刻時間下進行另一次以蝕刻液氫氧化鉀(KOH)的蝕刻，用以加大流體腔14的深度，如此流體腔14與歧管16相連通且填滿流體；在進行此蝕刻步驟期間需特別留意，因為流體腔14的凸角(Convex corner)亦會被攻擊且會被蝕刻成圓弧的形狀。
再沉積加熱器，其中加熱器包含有第一加熱器20及第二加熱器22，并對其進行圖案轉(zhuǎn)移(Patterning)，對第一加熱器20及第二加熱器22而言，較佳的材質(zhì)為鋁鉭合金(Alloys of tantalum and aluminum)，而其他材料如鉑(Platinum)、硼化鉿(HfB2)等亦可達到相同作用；另外，為了保護第一加熱器20與第二加熱器22及隔離此一個以上的功能元件，故于整個基板38上，包括柵極105、源極106、漏極107及第二部位50的范圍再沉積一低溫氧化層45以做為保護層。
接著，在第一加熱器20與第二加熱器22上形成導(dǎo)電層(Conductivelayer)44，用以導(dǎo)通第一加熱器20、第二加熱器22與驅(qū)動電路的功能元件，其中，驅(qū)動電路系用以分別獨立地傳送一訊號至個別的加熱器(第一加熱器20與第二加熱器22)，且用以驅(qū)動一對以上的加熱器(第一加熱器20與第二加熱器22)，如此即可利用數(shù)量較少的電路元件與連接線路達到相同電路控制的功效。例如在本實施例中，第一加熱器20與第二加熱器22系串聯(lián)連接，驅(qū)動電路利用矩陣(matrix)的方式來控制多個氣泡產(chǎn)生器，例如一列的氣泡產(chǎn)生器同時通電，而另一行則用以分別傳輸訊號(或稱信息)進入，來達到可以單獨控制個別的第一加熱器20與第二加熱器22的功用。而導(dǎo)電層44較佳的材質(zhì)則為如鋁硅銅合金(Alloys of Aluminum-Silicon-Copper)、鋁(Aluminum)、銅(Copper)、金(Gold)或鎢(Tungsten)等金屬材料；接著再沉積一低溫氧化層46于導(dǎo)電層44之上以做為保護層。
最后，請參考圖9，噴孔18于第一加熱器20與第二加熱器22之間形成，若光刻術(shù)(Lithography)可容許3μm的線寬，則噴孔18約可小至2μm，且噴孔18與鄰近噴孔之間的間距(Pitch)約可小至15μm。至此，即可形成一體成型且具有驅(qū)動電路的微噴射器陣列，不僅可將驅(qū)動電路與加熱器整合于同一基板上，而且不需另外貼上噴嘴平板即可完成整體微噴射頭的結(jié)構(gòu)。
以下將介紹本發(fā)明的另一實施例。與上述實施例不同的是，上述實施例圖7、8、9所示的制作過程系直接觸刻圖6所示的第二部位50，以形成流體腔14。而本實施例則先蝕刻部分的第二部位50，并另形成一犧牲層40于此被蝕刻部分的位置上，再于此犧牲層40上進行后續(xù)的制作過程。請參考圖10、圖10系接續(xù)圖6的制作過程，先將圖6所示的第二部位50進行部分蝕刻，并另沉積一氧化層于此不覆蓋驅(qū)動電路的基板38部位上，以做為之后流體腔14(參考圖11)的犧牲層(Sacrificial layer)40，而后再沉積一低應(yīng)力層42′，做為流體腔14的上層。
接下來請參考圖11、12。圖11、12系接續(xù)圖10，并與圖8、9所述的制作過程相類似。如圖11所示，首先，從背面蝕刻基板38及犧牲層40以形成歧管16及流體腔14，再沉積第一加熱器20、第二加熱器22、以及具保護作用的低溫氧化層45。再來，形成導(dǎo)電層44以導(dǎo)通第一、第二加熱器20、22及驅(qū)動電路，并沉積另一低溫氧化層46于導(dǎo)電層44之上以做為保護層。最后，如圖12所示，以光刻術(shù)形成噴孔18于第一加熱器20與第二加熱器22之間，如此亦可完成一體成型且具有驅(qū)動電路的微噴射器陣列。當(dāng)然，以上所述的制作過程步驟可依狀況調(diào)整制作過程步驟順序，并不限定于如上所述的順序，亦可形成相同具有驅(qū)動電路的微液珠噴射頭。
根據(jù)本發(fā)明所披露的具有驅(qū)動電路的微液珠噴射頭及其制作方法，其效果為1.提供一種改進后的微液珠噴射頭結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于如噴墨打印方面等技術(shù)；2.提供一種一體成型的微液珠噴射頭，將驅(qū)動電路與加熱器整合于同一基板上，且不需另外貼上噴嘴平板即可完成整體結(jié)構(gòu)；3.完成整體結(jié)構(gòu)所需的制作過程步驟數(shù)目較少，可簡化所需的制作過程步驟；以及4.整體結(jié)構(gòu)的電路元件與連接線路數(shù)量較少，可降低制作成本，且可達到相同電路控制的功效。
雖然本發(fā)明以前述的較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何業(yè)內(nèi)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其包括提供一基板；形成一介電層于該基板上，該介電層包含一第一部位以及一第二部位；形成一驅(qū)動電路于該介電層的第一部位上，該驅(qū)動電路包含一個以上的功能元件；形成一低應(yīng)力材料層于該介電層的第二部位上；蝕刻該基板與該介電層，以形成一歧管及一個以上的流體腔，且該歧管系與該流體腔相連通，以供應(yīng)流體至該流體腔；形成多個氣泡產(chǎn)生器于該低應(yīng)力材料層上，且與該驅(qū)動電路相連通；以及形成一個以上的噴孔，且連通該對應(yīng)的流體腔以噴出該流體。
2.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中形成該介電層的步驟包括形成一薄氧化層于該基板上；形成一氮化硅層于該薄氧化層上；利用局部熱氧化法氧化未被該氮化硅層覆蓋的薄氧化層，以形成一場氧化層，其中被該氮化硅層所覆蓋的該薄氧化層為該介電層的第一部位，而該場氧化層則為該介電層的第二部位；以及去除該氮化硅層。
3.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中形成該驅(qū)動電路的步驟包括布植硼離子于該介電層上；形成一多晶硅柵極于該介電層的第一部位上；以及離子布植砷離子于該基板內(nèi)，形成一源極及一漏極鄰近該柵極。
4.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該驅(qū)動電路用以分別獨立地傳送一訊號至個別的該氣泡產(chǎn)生器，且用以驅(qū)動該多個氣泡產(chǎn)生器。
5.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該功能元件系為一晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該晶體管系為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
7.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中蝕刻該基板與該介電層以形成歧管及流體腔的步驟包括背面蝕刻該基板以形成該歧管；去除該介電層的第二部位；以及再次背面蝕刻該基板以形成該流體腔。
8.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該氣泡產(chǎn)生器包含一第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件及一第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件，且該噴孔位于對應(yīng)的該第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件與該第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件之間。
9.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該形成氣泡產(chǎn)生器的步驟包括形成一電阻層于該低應(yīng)力材料層上，以形成一加熱器；以及形成一導(dǎo)電層于該電阻層上，且該導(dǎo)電層與該驅(qū)動電路相連通。
10.如權(quán)利要求9所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該導(dǎo)電層的材質(zhì)是選自于鋁、金、銅、鎢及鋁硅銅合金所構(gòu)成的族群中的任一者。
11.如權(quán)利要求9所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該加熱器的材質(zhì)是選自于鋁鉭合金、鉑及硼化鉿所構(gòu)成的族群中的任一者。
12.如權(quán)利要求9所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中于形成該電阻層與形成該導(dǎo)電層之間還包括一步驟形成一第一氧化層于該電阻層上，以保護該加熱器。
13.如權(quán)利要求1所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中還包括一步驟形成一第二氧化層于該氣泡產(chǎn)生器上，以保護該氣泡產(chǎn)生器。
14.一種制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其包括提供一基板；形成一介電層于該基板上，該介電層包含一第一部位以及一第二部位；形成一驅(qū)動電路于該介電層的第一部位上，該驅(qū)動電路包含一個以上的功能元件；蝕刻部分該介電層的第二部位，且形成一犧牲層于該被蝕刻的部分介電層第二部位的位置上；形成一低應(yīng)力材料層于該犧牲層上；蝕刻不具該驅(qū)動電路的該基板與犧牲層，以形成一歧管及一個以上的流體腔，且該歧管是與該流體腔相連通，以供應(yīng)流體至該流體腔；形成多個氣泡產(chǎn)生器于該低應(yīng)力材料層上，且與該驅(qū)動電路相連通；以及形成一個以上的噴孔，且連通該對應(yīng)的流體腔以噴出該流體。
15.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中形成該介電層的步驟包括形成一薄氧化層于該基板上；形成一氮化硅層于該薄氧化層上；利用局部熱氧化法氧化未被該氮化硅層覆蓋的薄氧化層，以形成一場氧化層，其中被該氮化硅層所覆蓋的該薄氧化層為該介電層的第一部位，而該場氧化層則為該介電層的第二部位；以及去除該氮化硅層。
16.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中形成該驅(qū)動電路的步驟包括布植硼離子于該介電層上；形成一多晶硅柵極于該介電層的第一部位上；以及離子布植砷離子于該基板內(nèi)，形成一源極及一漏極鄰近該柵極。
17.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該驅(qū)動電路用以分別獨立地傳送一訊號至個別的該氣泡產(chǎn)生器，且用以驅(qū)動該多個氣泡產(chǎn)生器。
18.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該功能元件系為一晶體管。
19.如權(quán)利要求18所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該晶體管系為一金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
20.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該蝕刻基板與犧牲層以形成岐管及流體腔的步驟包括背面蝕刻該基板以形成該岐管；去除該不覆蓋該驅(qū)動電路的犧牲層部位；以及再次背面蝕刻該基板以形成該流體腔。
21.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該氣泡產(chǎn)生器包含一第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件及一第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件，且該噴孔位于對應(yīng)的該第一氣泡產(chǎn)生構(gòu)件與該第二氣泡產(chǎn)生構(gòu)件之間。
22.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該形成氣泡產(chǎn)生器的步驟包括形成一電阻層于該低應(yīng)力材料層上，以形成一加熱器；以及形成一導(dǎo)電層于該電阻層上，且該導(dǎo)電層與該驅(qū)動電路相連通。
23.如權(quán)利要求22所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該導(dǎo)電層的材質(zhì)系選自于鋁、金、銅、鎢及鋁硅銅合金所構(gòu)成的族群中的任一者。
24.如權(quán)利要求22所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中該加熱器的材質(zhì)系選自于鋁鉭合金、鉑及硼化鉿所構(gòu)成的族群中的任一者。
25.如權(quán)利要求22所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中于形成該電阻層與形成該導(dǎo)電層之間還包括一步驟形成一第一氧化層于該電阻層上，以保護該加熱器。
26.如權(quán)利要求14所述制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，其中還包括一步驟形成一第二氧化層于該氣泡產(chǎn)生器上，以保護該氣泡產(chǎn)生器。
全文摘要
本發(fā)明公開一種制作具有驅(qū)動電路的微噴射頭的方法，包括提供一基板；形成一介電層于該基板上，該介電層包含一第一部位以及一第二部位；形成一驅(qū)動電路于該介電層的第一部位上，該驅(qū)動電路包含一個以上的功能元件；形成一低應(yīng)力材料層于該介電層的第二部位上；蝕刻該基板與該介電層，以形成一歧管及一個以上的流體腔，且該歧管系與該流體腔相連通，以供應(yīng)流體至該流體腔；形成多個氣泡產(chǎn)生器于該低應(yīng)力材料層上，且與該驅(qū)動電路相連通；以及形成一個以上的噴孔，且連通該對應(yīng)的流體腔以噴出該流體。
文檔編號B05B1/00GK1526481SQ20031012372
公開日2004年9月8日 申請日期2001年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月3日
發(fā)明者陳志清, 黃宗偉 申請人:明基電通股份有限公司