專利名稱：包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光器件和制備方法，特別涉及一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，芯片的集成度越來越高。人們的生活、生產(chǎn)和國防等方方面面要求越來越快的集成電路芯片運(yùn)算速度。但是由于最近20年來集成電路工藝線寬的急劇減小，單個(gè)MOS晶體管的運(yùn)算速度越來越快，靠改善單個(gè)晶體管的運(yùn)算速度來提高集成電路芯片的運(yùn)算速度卻由于物理效應(yīng)的因素馬上就要達(dá)到極限；而且隨著芯片集成度的提高，制約芯片運(yùn)算速度的往往不是單個(gè)晶體管的運(yùn)算速度，更多地來自于晶體管之間信號(hào)傳遞的延遲。這種延遲是由于充當(dāng)晶體管之間的連線的金屬材料導(dǎo)致的布線電容所造成的。隨著集成度的增加，金屬連線的長度越來越長?，F(xiàn)在的英特爾奔四(Pentium IV)CPU芯片上金屬連線的長度已經(jīng)達(dá)到5千米，在將來還會(huì)進(jìn)一步增加。連線的長度越長，信號(hào)在傳輸線上的延遲也就越大。所以要增加芯片的運(yùn)算速度，必須想辦法改善芯片的晶體管之間的信號(hào)傳遞的效率。
相對(duì)于利用電子來實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸上不可避免的延遲效應(yīng)，如果采用光子作為信號(hào)傳輸?shù)妮d體，則可以避免信號(hào)延遲的問題。由于硅集成電路工藝已經(jīng)發(fā)展得非常成熟，采用與硅基材料兼容度很差的III-V族材料作為光子信號(hào)產(chǎn)生的有源層從工藝上和集成度上來說是不現(xiàn)實(shí)的。所以要解決將來的集成電路工藝發(fā)展的瓶頸問題，出路只能是實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有硅集成電路工藝完全兼容的硅基高效發(fā)光器件。
在硅基高效發(fā)光薄膜材料的制備工藝中，雜質(zhì)摻雜一直是最重要的幾種手段之一。這是由于硅基系列材料為間接帶隙半導(dǎo)體，躍遷需要聲子的輔助，是一個(gè)多體過程，躍遷幾率很低，所以硅基材料的本征室溫發(fā)光量子效率不到萬分之一。因此要提高硅基薄膜的發(fā)光強(qiáng)度，一般都是通過引入外來雜質(zhì)元素來實(shí)現(xiàn)。據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，硅基稀土摻雜薄膜材料實(shí)現(xiàn)了外量子效率可同III-V族化合物半導(dǎo)體材料制作的發(fā)光二極管相媲美的電注入發(fā)光器件。
然而，硅基稀土材料摻雜也有它的局限性，這就是它的有效摻雜濃度不能太高，高的摻雜濃度往往導(dǎo)致稀土離子的團(tuán)簇化而發(fā)生濃度淬滅，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光特性的急劇下降。研究證實(shí)，在硅基材料中稀土雜質(zhì)的濃度即使只是達(dá)到1018/cm3時(shí)候即發(fā)生濃度淬滅，而且，在一般的硅基薄膜材料研究體系中，要實(shí)現(xiàn)有效的稀土材料摻雜和可容忍的濃度淬滅，摻雜的稀土雜質(zhì)離子的原子百分比在0.1％以下。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明專利的目的是提供一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件及制備方法。其核心是在硅基二氧化硅薄膜材料中離子注入摻雜稀土材料的基礎(chǔ)上進(jìn)行適當(dāng)比例的其它雜質(zhì)元素的注入。通過這種辦法，可以有效的提高硅基二氧化硅薄膜材料中具有光學(xué)活性的稀土離子的濃度，從而實(shí)現(xiàn)高效的稀土摻雜硅基薄膜材料的發(fā)光，并在此基礎(chǔ)上利用這種高效硅基發(fā)光材料制備出金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的硅基電致發(fā)光器件。它的優(yōu)點(diǎn)在于與現(xiàn)有的微電子工藝完全兼容，工藝簡單，容易實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件，在稀上離子注入的基礎(chǔ)上，利用大劑量的雜質(zhì)離子注入的辦法在硅基二氧化硅薄膜里引入大量的非橋鍵氧原子，這種非橋鍵氧原子和稀土離子結(jié)合形成有效的稀土發(fā)光中心，其特征在于，其中包括一p-型或n-型硅襯底；一摻雜層，該摻雜層制作在p-型或n-型硅襯底上，該摻雜層是在p-型或n-型硅襯底上生長的二氧化硅上用離子注入的方法形成的，該摻雜層是發(fā)光器件的有源區(qū)；一n-型或p-型多晶硅層，該n-型或p-型多晶硅層制作在摻雜層上；
一二氧化硅隔離層，該二氧化硅隔離層生長在摻雜層和n-型或p-型多晶硅層上；一電極，該電極制作在n-型或p-型多晶硅層上；另一電極，該電極制作在p-型或n-型硅襯底上；在二氧化硅隔離層表面留有一出光口。
其中所述的摻雜層中注入的稀土離子包括所有16種稀土材料，它們是釔、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥或它們的組合。
其中所述的摻雜層中注入的雜質(zhì)離子包括硼、鋁、鎵、銦、磷、砷、銻、鉍或它們的組合。
其中注入到二氧化硅薄膜中雜質(zhì)離子的摻雜濃度與稀土離子的摻雜濃度的比值在0.1到20之間。
本發(fā)明一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟步驟S10基于n-型或p-型的硅襯底；步驟S20在硅襯底表面生長一層二氧化硅薄膜；步驟S30通過離子注入手段將稀土離子和雜質(zhì)離子注入到二氧化硅薄膜中；步驟S40在不同的溫度、氣氛下退火，制備出高效的室溫發(fā)光硅基二氧化硅薄膜材料；利用這種高效硅基發(fā)光材料，制備出金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的硅基電致發(fā)光器件。
其中所述的稀土離子包括所有16種稀土材料，它們是釔、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥或它們的組合。
其中所述的雜質(zhì)離子包括硼、鋁、鎵、銦、磷、砷、銻、鉍或它們的組合。
其中注入到二氧化硅薄膜中雜質(zhì)離子的摻雜濃度與稀土離子的摻雜濃度的比值在0.1到20之間。
其中硅基二氧化硅薄膜通過硅片熱生長、在硅片表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積、磁控濺射等方法制備。
其中硅基二氧化硅薄膜的化學(xué)表示式為SiOx，x的取值在1到2之間。
其中注入離子時(shí)，選擇原位加熱；或選擇在注入離子之后再在高溫100℃到1100℃下不同氣氛下退火。
其中退火氣氛選擇惰性氣氛和/或還原氣氛退火，或選擇在真空條件下退火，或選擇氧氣氣氛退火。


為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實(shí)例及附圖對(duì)本發(fā)明作一詳細(xì)的描述，其中圖1是利用大劑量雜質(zhì)離子和稀土離子共同注入到硅基二氧化硅薄膜中制備硅基高效室溫發(fā)光SiO2薄膜材料的流程圖；圖2是制備出的Al3+，Yb3+/SiO2薄膜材料在經(jīng)過高純氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下不同溫度30分鐘退火之后樣品的室溫?zé)晒夤庾V，激發(fā)光源采用氬離子激光器，光源波長為488納米，激發(fā)功率為60毫瓦，斬波器頻率為273赫茲；圖3是制備出的P3+，Yb3+/SiO2薄膜材料在經(jīng)過高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘之后樣品的室溫?zé)晒夤庾V，激發(fā)光源采用氬離子激光器，光源波長為488納米，激發(fā)功率為60毫瓦，斬波器頻率為273赫茲；圖4是制備出的Al3+，Tb3+/SiO2薄膜材料在經(jīng)過高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘之后然后再同樣溫度下氧氣氣氛退火30分鐘之后樣品的室溫?zé)晒夤庾V，激發(fā)光源采用氙燈，光源波長為243納米；圖5是制備出的Al3+，Er3+/SiO2薄膜材料在經(jīng)過高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘之后樣品的室溫?zé)晒夤庾V，激發(fā)光源采用氬離子激光器，光源波長為488納米，激發(fā)功率為60毫瓦，斬波器頻率為273赫茲；圖6為在采用稀土離子注入和大劑量的雜質(zhì)離子注入形成的硅基稀土摻雜發(fā)光材料的基礎(chǔ)上制備硅基金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光器件的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明在我們多次實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，提出一種與現(xiàn)有微電子工藝完全兼容的可以實(shí)現(xiàn)高效室溫發(fā)光的硅基稀土摻雜發(fā)光材料和包含這種材料的電致發(fā)光器件。研究表明，適當(dāng)比例的雜質(zhì)元素的加入可以顯著增加硅基二氧化硅薄膜中有效的稀土材料摻雜度，并實(shí)現(xiàn)了稀土摻雜硅基二氧化硅薄膜材料的室溫高效發(fā)光；與沒有摻入雜質(zhì)元素相比，發(fā)光強(qiáng)度和溫度淬滅效應(yīng)有明顯的改善。
請(qǐng)參閱圖6所示，本發(fā)明一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件，在稀土離子注入的基礎(chǔ)上，利用大劑量的雜質(zhì)離子注入的辦法在硅基二氧化硅薄膜里引入大量的非橋鍵氧原子，這種非橋鍵氧原子和稀土離子結(jié)合形成有效的稀土發(fā)光中心，其中包括一p-型或n-型硅襯底10；一摻雜層20，該摻雜層20制作在硅襯底10上，該摻雜層20是在硅襯底10上生長的二氧化硅上用離子注入的方法形成的，該摻雜層20是發(fā)光器件的有源區(qū)；其中所述的摻雜層20中注入的稀土離子包括所有16種稀土材料，它們是釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)或它們的組合；其中所述的摻雜層20中注入的雜質(zhì)離子包括硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)或它們的組合；其中注入到二氧化硅薄膜中雜質(zhì)離子的摻雜濃度與稀土離子的摻雜濃度的比值在0.1到20之間；一n-型或p-型多晶硅層30，該n-型或p-型多晶硅層30制作在摻雜層20上；二氧化硅隔離層40生長在摻雜層20和n-型多晶硅層30上；一電極60，該電極60制作在n-型或p-型多晶硅層30上；另一電極50，該電極50制作在p-型或n-型硅襯底10上；在二氧化硅隔離層40表面留有一出光口。
請(qǐng)參閱圖1所示本發(fā)明一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟步驟S10基于n-型或p-型的硅襯底1；步驟S20在硅襯底1表面生長一層二氧化硅薄膜2；其中硅基二氧化硅薄膜2通過硅片熱生長、在硅片表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積、磁控濺射等方法制備；其中硅基二氧化硅薄膜2的化學(xué)表示式為SiOx，x的取值在1到2之間。
步驟S30通過離子注入手段將稀土離子和雜質(zhì)離子注入到二氧化硅薄膜2中；其中所述的稀土離子包括所有16種稀土材料，它們是釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)或它們的組合；其中所述的雜質(zhì)離子包括硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)或它們的組合；其中注入到二氧化硅薄膜中雜質(zhì)離子的摻雜濃度與稀土離子的摻雜濃度的比值在0.1到20之間；步驟S40在不同的溫度、氣氛下退火，制備出高效的室溫發(fā)光硅基二氧化硅薄膜材料；利用這種高效硅基發(fā)光材料，制備出金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的硅基電致發(fā)光器件。
其中注入離子時(shí)，選擇原位加熱；或選擇在注入離子之后再在高溫100℃到1100℃下不同氣氛下退火；退火氣氛選擇惰性氣氛和/或還原氣氛退火，或選擇在真空條件下退火，或選擇氧氣氣氛退火。
圖2為硅基高效室溫發(fā)光Al3+，Yb3+/SiO2薄膜材料的室溫?zé)晒夤庾V，采用的激發(fā)光源為氬離子激光器，光源波長采用488納米，功率選擇為60毫瓦，斬波器頻率為273赫茲。其中Al3+，Yb3+/SiO2薄膜材料的制備條件為300納米厚的二氧化硅層通過干氧氧化生成，在室溫下進(jìn)行大劑量的離子注入，注入?yún)?shù)為Yb3+離子，注入電壓450千伏，注入劑量3×1015/cm2；Al3+離子，注入電壓82千伏，注入劑量1.8×1015/cm2，然后在高純氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下不同溫度退火30分鐘。
圖3是制備出的P3+，Yb3+/SiO2薄膜材料在經(jīng)過高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘之后樣品的室溫?zé)晒夤庾V，激發(fā)光源采用氬離子激光器，光源波長為488納米，激發(fā)功率為60毫瓦，斬波器頻率為273赫茲；其中P3+，Yb3+/SiO2薄膜材料的制備條件為300納米厚的二氧化硅層通過干氧氧化生成，在室溫下進(jìn)行大劑量的離子注入，注入?yún)?shù)為Yb3+離子，注入電壓450千伏，注入劑量3×1015/cm2；P3+離子，注入電壓119千伏，注入劑量4.29×1016/cm2，然后在高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘。
圖4是制備出的Al3+，Tb3+/SiO2薄膜材料在經(jīng)過高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘之后然后再同樣溫度下氧氣氣氛退火30分鐘之后樣品的室溫?zé)晒夤庾V，激發(fā)光源采用氙燈，光源波長為243納米；其中Al3+，Tb3+/SiO2薄膜材料的制備條件為40納米厚的二氧化硅層通過干氧氧化生成，在室溫下進(jìn)行大劑量的離子注入，注入?yún)?shù)為Tb3+離子，注入電壓40千伏，注入劑量1.1×1015/cm2；Al3+離子，注入電壓30千伏，注入劑量1×1016/cm2，然后在高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘之后然后在同樣溫度下氧氣氣氛退火30分鐘。
圖5是制備出的Al3+，Er3+/SiO2薄膜材料在經(jīng)過高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘之后樣品的室溫?zé)晒夤庾V，激發(fā)光源采用氬離子激光器，光源波長為488納米，激發(fā)功率為60毫瓦，斬波器頻率為273赫茲；其中Al3+，Er3+/SiO2薄膜材料的制備條件為300納米厚的二氧化硅層通過干氧氧化生成，在室溫下進(jìn)行大劑量的離子注入，注入?yún)?shù)為Er3+離子，注入電壓450千伏，注入劑量3×1015/cm2；Al3+離子，注入電壓80千伏，注入劑量1.6×1016/cm2，然后在高純氮?dú)夂蜌錃膺€原氣氛下800退火30分鐘。
圖6為在采用稀土離子注入和大劑量的雜質(zhì)離子注入形成的硅基稀土摻雜發(fā)光材料的基礎(chǔ)上制備硅基金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光器件的示意圖。具體的方法為在p+型(n+型)硅片襯底10上通過熱氧化形成二氧化硅層20，然后采用稀土離子注入和大劑量的雜質(zhì)離子注入；在合適的溫度和氣氛退火的基礎(chǔ)上，利用等離子體化學(xué)氣相淀積(PECVD)在二氧化硅層20上淀積一層300納米厚的n+型(p+型)多晶硅層30；在多晶硅層30上面利用PECVD生長一層200納米厚的二氧化硅層40作為電極50、60之間的隔離層；在隔離層40上刻蝕出兩個(gè)圓心為同一點(diǎn)的不同半徑大小的圓環(huán)窗口，一個(gè)刻蝕到硅襯底10表面，另外一個(gè)刻蝕到多晶硅層30表面。最后在上表面淀積一層作為電極50、60的金屬鋁，通過在氮?dú)鈿夥障碌蜏赝嘶鹦纬闪己玫臍W姆接觸，即可制備出硅基稀土摻雜發(fā)光材料金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光器件。
權(quán)利要求
1.一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件，在稀土離子注入的基礎(chǔ)上，利用大劑量的雜質(zhì)離子注入的辦法在硅基二氧化硅薄膜里引入大量的非橋鍵氧原子，這種非橋鍵氧原子和稀土離子結(jié)合形成有效的稀土發(fā)光中心，其特征在于，其中包括一p-型或n-型硅襯底；一摻雜層，該摻雜層制作在p-型或n-型硅襯底上，該摻雜層是在p-型或n-型硅襯底上生長的二氧化硅上用離子注入的方法形成的，該摻雜層是發(fā)光器件的有源區(qū)；一n-型或p-型多晶硅層，該n-型或p-型多晶硅層制作在摻雜層上；一二氧化硅隔離層，該二氧化硅隔離層生長在摻雜層和n-型或p-型多晶硅層上；一電極，該電極制作在n-型或p-型多晶硅層上；另一電極，該電極制作在p-型或n-型硅襯底上；在二氧化硅隔離層表面留有一出光口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件，其特征在于，其中所述的摻雜層中注入的稀土離子包括所有16種稀土材料，它們是釔、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥或它們的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件，其特征在于，其中所述的摻雜層中注入的雜質(zhì)離子包括硼、鋁、鎵、銦、磷、砷、銻、鉍或它們的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2、3所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件，其特征在于，其中注入到二氧化硅薄膜中雜質(zhì)離子的摻雜濃度與稀土離子的摻雜濃度的比值在0.1到20之間。
5.一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟步驟S10基于n-型或p-型的硅襯底；步驟S20在硅襯底表面生長一層二氧化硅薄膜；步驟S30通過離子注入手段將稀土離子和雜質(zhì)離子注入到二氧化硅薄膜中；步驟S40在不同的溫度、氣氛下退火，制備出高效的室溫發(fā)光硅基二氧化硅薄膜材料；利用這種高效硅基發(fā)光材料，制備出金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的硅基電致發(fā)光器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其中所述的稀土離子包括所有16種稀土材料，它們是釔、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥或它們的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其中所述的雜質(zhì)離子包括硼、鋁、鎵、銦、磷、砷、銻、鉍或它們的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求6、7所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其中注入到二氧化硅薄膜中雜質(zhì)離子的摻雜濃度與稀土離子的摻雜濃度的比值在0.1到20之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其中硅基二氧化硅薄膜通過硅片熱生長、在硅片表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積、磁控濺射等方法制備。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其中硅基二氧化硅薄膜的化學(xué)表示式為SiOx，x的取值在1到2之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其中注入離子時(shí)，選擇原位加熱；或選擇在注入離子之后再在高溫100℃到1100℃下不同氣氛下退火。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，其中退火氣氛選擇惰性氣氛和/或還原氣氛退火，或選擇在真空條件下退火，或選擇氧氣氣氛退火。
全文摘要
一種包含硅基稀土摻雜發(fā)光材料的電致發(fā)光器件，在稀土離子注入的基礎(chǔ)上，利用大劑量的雜質(zhì)離子注入的辦法在硅基二氧化硅薄膜里引入大量的非橋鍵氧原子，這種非橋鍵氧原子和稀土離子結(jié)合形成有效的稀土發(fā)光中心，其中包括一p－型或n－型硅襯底；一摻雜層，該摻雜層制作在硅襯底上，該摻雜層是在硅襯底上生長的二氧化硅上用離子注入的方法形成的，該摻雜層是發(fā)光器件的有源區(qū)；一n－型或p－型多晶硅層，該n－型或p－型多晶硅層制作在摻雜層上；一二氧化硅隔離層，該二氧化硅隔離層生長在摻雜層和多晶硅層上；一電極，該電極制作在n－型或p－型多晶硅層上；另一電極，該電極制作在p－型或n－型硅襯底上；在二氧化硅隔離層表面留有一出光口。
文檔編號(hào)C09K11/00GK1725919SQ200410070848
公開日2006年1月25日 申請(qǐng)日期2004年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月23日
發(fā)明者張建國, 成步文, 余金中, 王啟明 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所