專利名稱：拋光組合物和拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)硬盤(pán)等作為信息記錄介質(zhì)的玻璃基片拋光用的拋光組合物。本發(fā)明還涉及用所述拋光組合物的拋光方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上已知一種用于信息記錄介質(zhì)用玻璃基片的拋光的拋光組合物。日本公開(kāi)專利公報(bào)NO.2001-89748披露了一種拋光組合物(下文稱第一先前技術(shù)的拋光組合物)，其含有以稀土金屬氧化物如氧化鈰作為主要成分的磨料；以及水。日本公開(kāi)專利公報(bào)NO.2000-144112披露了一種拋光組合物(下文稱第二先前技術(shù)的拋光組合物)，其含有由選自含鐵的氧化物和含鐵基的化合物中的至少一種組成的磨料；以及水。第一先前技術(shù)和第二先前技術(shù)的拋光組合物通過(guò)研磨對(duì)玻璃基片進(jìn)行機(jī)械式拋光。
玻璃基片拋光所用的拋光組合物應(yīng)當(dāng)滿足以下要求(1)拋光后，玻璃基片的表面粗糙度變小；(2)拋光組合物容易被洗去，即，通過(guò)清洗很容易把拋光組合物從玻璃基片上除去；(3)磨料在拋光組合物中具有很好的分散性；以及(4)拋光組合物具有較高的切削率，也就是，拋光組合物對(duì)玻璃基片具有很強(qiáng)的拋光能力。
然而，第一先前技術(shù)和第二先前技術(shù)的拋光組合物并不能滿足上述要求，應(yīng)當(dāng)加以改善。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種非常適合在拋光玻璃基片中使用的拋光組合物。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供使用所述拋光組合物的拋光方法。
根據(jù)本發(fā)明的目的，為了達(dá)到上述以及其它目標(biāo)，提供了一種拋光組合物。這種用于玻璃基片拋光用的拋光組合物含有二氧化硅、酸和水。
本發(fā)明還提供了一種拋光玻璃基片的拋光方法。該方法包括制備上述拋光組合物，以及使用所制備的拋光組合物拋光玻璃基片的表面。
本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面對(duì)本發(fā)明原理所舉實(shí)施例的描述得以顯而易見(jiàn)。
具體實(shí)施例方式
下面描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。
用作信息記錄介質(zhì)如磁盤(pán)的玻璃基片由例如鋁硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、鈉鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、石英玻璃或微晶玻璃所構(gòu)成。微晶玻璃的主晶相可以是鋰輝石，莫來(lái)石，硼酸鋁晶體，β-石英固熔體，α-石英，堇青石，頑輝石，鋇長(zhǎng)石，鈣硅石，鈣長(zhǎng)石，鎂橄欖石，硅酸鋰，或焦硅酸鋰。玻璃基片通常經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)而獲得鏡面加工面。
為了提高切削率以及改善拋光后玻璃基片的表面質(zhì)量，一般把玻璃基片的拋光過(guò)程分成數(shù)個(gè)拋光步驟進(jìn)行。這數(shù)個(gè)拋光步驟包括，例如，玻璃基片表面的粗拋步驟和玻璃基片表面的超細(xì)拋步驟。換句話說(shuō)，數(shù)個(gè)拋光步驟包括，例如，玻璃基片表面的預(yù)拋步驟和玻璃基片表面的精拋步驟。本實(shí)施方式的拋光組合物用于，例如，這數(shù)個(gè)拋光步驟中的最終拋光步驟(精拋步驟)。為了提高抗沖擊和抗振動(dòng)性，拋光后的玻璃基片通常還要進(jìn)行低溫離子交換法等化學(xué)增強(qiáng)處理。
本實(shí)施方式的拋光組合物包含二氧化硅，酸，以及水。
二氧化硅是作為機(jī)械拋光玻璃基片的磨料。二氧化硅可以是膠體二氧化硅，熱解法二氧化硅，或沉淀法二氧化硅。其中，因膠體二氧化硅和熱解法二氧化硅能在拋光后降低玻璃基片的表面粗糙度而受到優(yōu)選，且進(jìn)一步優(yōu)選膠體二氧化硅。拋光組合物中可含有一種或多種二氧化硅。
如果二氧化硅是膠體二氧化硅，用BET法通過(guò)測(cè)定膠體二氧化硅的比表面積而得到的平均粒徑DSA優(yōu)選在5～300nm的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在5～200nm的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在5～120nm的范圍內(nèi)。用激光衍射散射法測(cè)得的膠體二氧化硅的平均粒徑DN4優(yōu)選在5～300nm的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在5～200nm的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在5～150nm的范圍內(nèi)。如果二氧化硅是熱解法二氧化硅，熱解法二氧化硅的平均粒徑DSA優(yōu)選在10～300nm的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在10～200nm的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在10～120nm的范圍內(nèi)。熱解法二氧化硅的平均粒徑DN4優(yōu)選在30～500nm的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在40～400nm的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在50～300nm的范圍內(nèi)。如果膠體二氧化硅的平均粒徑DSA或DN4太小，或者熱解法二氧化硅的平均粒徑DSA或DN4太小，則難以獲得足夠高的切削率。如果膠體二氧化硅的平均粒徑DSA或DN4太大，或者熱解法二氧化硅的平均粒徑DSA或DN4太大，則拋光后玻璃基片的表面粗糙度將極有可能變大，或者拋光后玻璃基片表面會(huì)出現(xiàn)刮擦痕跡。
二氧化硅在拋光組合物中的含量?jī)?yōu)選在0.1～50mass％的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在1～40mass％的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在3～30mass％的范圍內(nèi)。如果二氧化硅的含量小于0.1mass％，將難以獲得足夠高的切削率，或者由于較高的拋光阻力而難以對(duì)玻璃基片進(jìn)行拋光。如果二氧化硅的含量大于50mass％，拋光組合物的粘度將會(huì)極大的增加，使拋光組合物易發(fā)生凝膠化，導(dǎo)致拋光組合物的操作性下降。
酸是作為用來(lái)促進(jìn)二氧化硅機(jī)械拋光的拋光促進(jìn)劑。酸促進(jìn)機(jī)械拋光的原理被認(rèn)為是酸作用于二氧化硅的表面，從而增大了二氧化硅的機(jī)械拋光力。作為副作用，酸還會(huì)對(duì)玻璃基片表面進(jìn)行侵蝕或蝕刻，從而對(duì)玻璃基片表面進(jìn)行化學(xué)拋光。酸的化學(xué)拋光作用比二氧化硅的機(jī)械拋光作用弱。酸可以是無(wú)機(jī)酸也可以是有機(jī)酸。
無(wú)機(jī)酸的例子包括鹽酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亞磷酸，以及硼酸。有機(jī)酸的例子包括乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，檸檬酸，馬來(lái)酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，蘋(píng)果酸，葡萄糖酸，丙胺酸，甘氨酸，乳酸，羥基亞乙基二磷酸(縮寫(xiě)HEDP)，氮基三(亞甲基磷酸)(縮寫(xiě)NTMP)，以及磷酰基丁烷三羧酸(縮寫(xiě)PBTC)。其中，優(yōu)選鹽酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亞磷酸，乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，檸檬酸，馬來(lái)酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，蘋(píng)果酸，葡萄糖酸，乳酸，HEDP，NTMP，或PBTC，因?yàn)檫@些酸對(duì)二氧化硅的機(jī)械拋光具有較強(qiáng)的促進(jìn)作用。在這些優(yōu)選的酸當(dāng)中，進(jìn)一步優(yōu)選鹽酸，磷酸，膦酸，酒石酸，檸檬酸，馬來(lái)酸，或丙二酸。拋光組合物中可含有一種或多種酸。
酸在拋光組合物中的含量?jī)?yōu)選在0.05～10mass％的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在0.1～8mass％的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在0.3～5mass％的范圍內(nèi)。如果酸的含量小于0.05mass％，則難以獲得足夠高的切削率，因?yàn)樗岽龠M(jìn)二氧化硅機(jī)械拋光的作用很弱。如果酸的含量大于10mass％，拋光組合物的粘度將會(huì)極大的增加，使拋光組合物易發(fā)生凝膠化，這是不經(jīng)濟(jì)的，而且增大了玻璃基片在拋光后表面變粗糙的機(jī)會(huì)。
水用于溶解或分散拋光組合物中除水以外的各組分。水優(yōu)選含有盡可能少的雜質(zhì)，以避免阻礙其他組分的作用。具體說(shuō)，優(yōu)選用離子交換樹(shù)脂除去雜質(zhì)離子后再用過(guò)濾器除去污染物而得到的純水或超純水，或蒸餾水。
拋光組合物可根據(jù)需要進(jìn)一步含有螯合劑，表面活性劑，防腐劑等。
拋光組合物是通過(guò)將除水以外的各組分與水混合而成的?；旌现锌墒褂萌~片式攪拌器或超聲波分散器。除水以外的備組分混合到水中的次序沒(méi)有限定。
拋光組合物的pH值優(yōu)選不超過(guò)9，進(jìn)一步優(yōu)選在0.5～6的范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在1～4的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在1～2.5的范圍內(nèi)。如果pH值大于9，將難以獲得足夠高的切削率。如果pH值小于0.5，拋光組合物的操作性將惡化。當(dāng)拋光組合物的pH值設(shè)定在0.5～6的范圍內(nèi)，拋光組合物對(duì)玻璃基片的拋光能力很強(qiáng)，從而提高了切削率。拋光組合物的pH值是通過(guò)改變酸的含量來(lái)調(diào)節(jié)的。
本實(shí)施方式的拋光組合物可用水稀釋后使用，也可不經(jīng)稀釋使用。當(dāng)拋光組合物用水稀釋，稀釋比(體積比)優(yōu)選不超過(guò)50倍，進(jìn)一步優(yōu)選不超過(guò)20倍，最優(yōu)選不超過(guò)10倍。如果稀釋比超過(guò)50倍，稀釋后拋光組合物中二氧化硅和酸的含量會(huì)變得非常低，導(dǎo)致不能獲得足夠高的切削率。
下面描述通過(guò)進(jìn)行包含粗拋步驟和超細(xì)拋步驟在內(nèi)的二階段拋光工藝拋光玻璃基片的情況。首先，在粗拋步驟中，使用含有氧化鈰的拋光漿料對(duì)玻璃基片進(jìn)行相對(duì)粗糙的拋光。其次，在作為最終拋光步驟的超細(xì)拋步驟中，使用本實(shí)施方式的拋光組合物對(duì)玻璃基片表面進(jìn)行超細(xì)拋光。在超細(xì)拋光中，連有拋光頭的玻璃基片以一定的壓力被保持壓在轉(zhuǎn)盤(pán)上的拋光墊片，當(dāng)拋光頭和轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)將拋光組合物供給拋光墊片的表面。
須注意的是，玻璃基片的分步拋光工藝可以被使用本實(shí)施方式的拋光組合物的單步拋光工藝所替代。
本實(shí)施方式具有如下優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)施方式的拋光組合物含有二氧化硅作為磨料。與含有氧化鈰作為磨料的拋光組合物相比，該拋光組合物在拋光后降低了玻璃基片的表面粗糙度。這被認(rèn)為是由于氧化鈰的基本粒子具有無(wú)定形而二氧化硅的基本粒子為球形之故。就是說(shuō)，認(rèn)為，由于具有球形的基本粒子，二氧化硅能夠?qū)⒉ＡЩ砻鎾伒帽妊趸嫺?xì)，從而降低了拋光后玻璃基片的表面粗糙度。
此外，二氧化硅對(duì)玻璃基片的反應(yīng)性比氧化鈰的低。由于這個(gè)原因，粘附在玻璃基片上二氧化硅不會(huì)與玻璃基片材料反應(yīng)，也不會(huì)粘在玻璃基片上而很容易從玻璃基片上清洗掉。因此可以說(shuō)本實(shí)施方式的拋光組合物具有易于清除的性質(zhì)。
此外，二氧化硅的抗凝聚性和在拋光組合物中的分散性比氧化鈰的好(比較后文的實(shí)施例1～37和對(duì)照例4和5)。因此可以說(shuō)本實(shí)施方式的拋光組合物還含有分散性良好的粘結(jié)劑。
拋光組合物中的酸用于加速二氧化硅的機(jī)械拋光以及化學(xué)拋光玻璃基片表面。通過(guò)所述酸的作用，拋光組合物拋光玻璃基片的能力得到增強(qiáng)，并導(dǎo)致切削率的提高。須注意的是，在酸通過(guò)活化二氧化硅表面以及蝕刻玻璃基片表面而幫助提高切削率的同時(shí)，它并不被認(rèn)為會(huì)氧化玻璃基片表面而使其變脆。
下面將描述本發(fā)明的實(shí)施例和對(duì)照例。
根據(jù)實(shí)施例1～37和對(duì)照例1～5，將磨料和拋光促進(jìn)劑與水混合制得拋光組合物。所用磨料及拋光促進(jìn)劑的種類如表1所示。對(duì)制備的實(shí)施例1～37和對(duì)照例1～5的拋光組合物的pH值進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量結(jié)果見(jiàn)表1。
使用實(shí)施例1～37和對(duì)照例1～5的每個(gè)拋光組合物按照下述拋光條件對(duì)玻璃基片表面進(jìn)行拋光。這里，測(cè)量了玻璃基片在拋光前后的質(zhì)量，切削率按照下述公式計(jì)算。根據(jù)得到的切削率，將每個(gè)拋光組合物按四個(gè)級(jí)別評(píng)定非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具體而言，當(dāng)切削率不小于0.12μm/分鐘時(shí)將拋光組合物評(píng)為非常好；當(dāng)切削率不小于0.08μm/分鐘但小于0.12μm/分鐘時(shí)評(píng)為好；當(dāng)切削率不小于0.05μm/分鐘但小于0.08μm/分鐘時(shí)評(píng)為稍差；當(dāng)切削率小于0.05μm/分鐘時(shí)評(píng)為差。評(píng)定結(jié)果顯示在表1中的“切削率”一欄中。
拋光條件拋光機(jī)φ15”的單面拋光機(jī)(3片/盤(pán))，Engis公司(日本)生產(chǎn)。
被拋光材料2.5英寸(外徑63.5mm)玻璃基片，其通過(guò)使用含氧化鈰的拋光漿料粗拋增強(qiáng)玻璃表面而制得，得到的表面粗糙度Ra為0.8nm。
拋光墊片絨面革型拋光墊片“Belatrix N0058”，Kanebo公司制造拋光壓力100g/cm2(＝9.8kPa)轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)速102rpm拋光組合物供給速率50ml/分鐘拋光時(shí)間20分鐘計(jì)算公式切削率[μm/分鐘]＝(玻璃基片拋光前后質(zhì)量差[g]÷(30.02625[cm2]×2.52[g/cm3])×10000[μm/cm])÷拋光時(shí)間[分鐘]拋光后的玻璃基片經(jīng)過(guò)30秒的擦洗和45秒的超聲清洗，再進(jìn)行180秒的甩干。而后，用“NanoScope IIIa Dimension 3000”原子力顯微鏡(掃描面積10μm×10μm，掃描頻率1.00Hz，樣品管線256，Digital Instruments公司制造)觀察玻璃基片的表面。根據(jù)觀察到的玻璃基片表面上粘著物的數(shù)目將每個(gè)拋光組合物按四個(gè)等級(jí)評(píng)定非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具體而言，當(dāng)觀察到的玻璃基片表面上粘著物的數(shù)目為0時(shí)將拋光組合物評(píng)為非常好；當(dāng)粘著物數(shù)目小于3時(shí)評(píng)為好；當(dāng)粘著物數(shù)目不小于3但小于5時(shí)評(píng)為稍差；當(dāng)粘著物數(shù)目不小于5時(shí)評(píng)為差。評(píng)定結(jié)果顯示在表1中的“清除難易度”一欄中。
玻璃基片在甩干后使用“NanoScope IIIa Dimension 3000”原子力顯微鏡(掃描面積10μm×10μm，掃描頻率1.00Hz，樣品管線256，脫機(jī)濾光器平直自動(dòng)指令2)測(cè)定其表面粗糙度Ra。根據(jù)測(cè)得的玻璃基片的表面粗糙度Ra，將每個(gè)拋光組合物按四個(gè)等級(jí)評(píng)定非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具體而言，當(dāng)表面粗糙度Ra小于0.2nm時(shí)將拋光組合物評(píng)為非常好；當(dāng)表面粗糙度Ra不小于0.2nm但小于0.25nm時(shí)評(píng)為好；當(dāng)表面粗糙度Ra不小于0.25nm但小于0.3nm時(shí)評(píng)為稍差；當(dāng)表面粗糙度Ra不小于0.3時(shí)評(píng)為差。評(píng)定結(jié)果顯示在表1中的“表面粗糙度”一欄中。
將實(shí)施例1～37和對(duì)照例1～5的每個(gè)拋光組合物加入到內(nèi)徑2.5cm的比色管中靜置1小時(shí)。而后，測(cè)量每個(gè)比色管內(nèi)拋光組合物的沉淀高度。根據(jù)沉淀物的高度，將每個(gè)拋光組合物按四個(gè)等級(jí)評(píng)定非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具體而言，當(dāng)沉淀高度小于1cm時(shí)將拋光組合物評(píng)為非常好；當(dāng)沉淀高度不小于1cm但小于2cm時(shí)評(píng)為好；當(dāng)沉淀高度不小于2cm但小于3cm時(shí)評(píng)為稍差；當(dāng)沉淀高度不小于3cm時(shí)評(píng)為差。評(píng)定結(jié)果顯示在表1中的“分散性”一欄中。
根據(jù)對(duì)上述四項(xiàng)(切削率、清除難易度、表面粗糙度以及分散性)的評(píng)定結(jié)果，將每個(gè)拋光組合物綜合按四個(gè)等級(jí)評(píng)定非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具體而言，5點(diǎn)、3點(diǎn)、1點(diǎn)和0點(diǎn)分別代表非常好、好、稍差和差，并相應(yīng)的為每個(gè)拋光組合物計(jì)算總評(píng)價(jià)點(diǎn)數(shù)。當(dāng)四項(xiàng)的總點(diǎn)數(shù)為20時(shí)將拋光組合物評(píng)為非常好，總點(diǎn)數(shù)在16～19之間評(píng)為好，總點(diǎn)數(shù)在10～15之間評(píng)為稍差，總點(diǎn)數(shù)為9或更少評(píng)為差。評(píng)定結(jié)果顯示在表1中的“綜合等級(jí)”一欄中。
表1


在表1中的“磨料”一欄內(nèi)“膠體二氧化硅”為平均顆粒尺寸DSA為80nm和平均顆粒尺寸DN4為80nm的膠體二氧化硅；“熱解法二氧化硅”為平均顆粒尺寸DSA為30nm和平均顆粒尺寸DN4為90nm的熱解法二氧化硅；“氧化鈰”為平均顆粒尺寸D50為450nm的氧化鈰(Ce2O3)；“氧化鐵”為平均顆粒尺寸D50為450nm的氧化鐵(α-Fe2O3)。
氧化鈰和氧化鐵的平均粒徑D50是使用Beckman Coulter公司的Coulter計(jì)數(shù)器“LS-230”測(cè)定的。
如表1所示，實(shí)施例1～37的每個(gè)拋光組合物在任何評(píng)定項(xiàng)里都沒(méi)有被評(píng)為差，在“綜合等級(jí)”一欄中或者被評(píng)為非常好，或者被評(píng)為好。該結(jié)果表明實(shí)施例1～37的拋光組合物適用于玻璃基片的拋光。從實(shí)施例2、實(shí)施例6、實(shí)施例7和實(shí)施例9的拋光組合物的評(píng)定結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)酸(拋光促進(jìn)劑)為馬來(lái)酸、有機(jī)酸時(shí)，通過(guò)把二氧化硅(磨料)的含量設(shè)定為不少于10mass％，更具體的在10～40mass％范圍內(nèi)，可顯著提高切削率。從實(shí)施例11、實(shí)施例14、實(shí)施例15和實(shí)施例17的拋光組合物的評(píng)定結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)酸為磷酸、無(wú)機(jī)酸時(shí)，通過(guò)把二氧化硅(磨料)的含量設(shè)定為不少于20mass％，更具體的在20～40mass％范圍內(nèi)，可顯著提高切削率。從實(shí)施例1～5和實(shí)施例10～13的拋光組合物的評(píng)定結(jié)果還可以發(fā)現(xiàn)，把酸的含量設(shè)定為不少于0.1mass％，更具體的在0.1～3mass％范圍內(nèi)可顯著提高切削率。
本實(shí)施例和實(shí)施方式僅是示范性而不具限制性，本發(fā)明并不受限于這里給出的細(xì)節(jié)，可對(duì)本發(fā)明在所附權(quán)利要求書(shū)中的范圍和等同條件下做調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種用于拋光玻璃基片的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物由二氧化硅、酸和水組成。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述二氧化硅為膠體二氧化硅、熱解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其特征在于，所述二氧化硅為膠體二氧化硅。
4.如權(quán)利要求3所述的拋光組合物，其特征在于，用BET法通過(guò)測(cè)定所述膠體二氧化硅的比表面積而得到的所述膠體二氧化硅的平均粒徑DSA為5～300nm。
5.如權(quán)利要求3所述的拋光組合物，其特征在于，用激光衍射散射法測(cè)得的所述膠體二氧化硅的平均粒徑DN4為5～300nm。
6.如權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其特征在于，所述二氧化硅是平均粒徑DSA為10～300nm的熱解法二氧化硅，所述平均粒徑DSA是用BET法測(cè)定所述膠體二氧化硅的比表面積而得到的。
7.如權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其特征在于，所述二氧化硅是平均粒徑DN4為30～500nm的熱解法二氧化硅，所述平均粒徑DN4是用激光衍射散射法測(cè)得的。
8.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中二氧化硅的含量為0.1～50mass％。
9.如權(quán)利要求8所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中二氧化硅的含量為3～30mass％。
10.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸為鹽酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亞磷酸，或硼酸。
11.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸為乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，檸檬酸，馬來(lái)酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，蘋(píng)果酸，葡萄糖酸，丙胺酸，甘氨酸，乳酸，羥基亞乙基二磷酸，氮基三(亞甲基磷酸)，或磷?；⊥槿人?。
12.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中酸的含量為0.05～10mass％。
13.如權(quán)利要求12所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物中酸的含量為0.3～5mass％。
14.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物的pH值為0.5～6。
15.如權(quán)利要求14所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物的pH值為1～2.5。
16.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，其進(jìn)一步含有螯合劑、表面活性劑或防腐劑。
17.一種拋光玻璃基片的方法，其特征在于根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)制備拋光組合物；以及使用所制備的拋光組合物拋光玻璃基片表面。
18.如權(quán)利要求17所述的拋光玻璃基片的方法，其特征在于，所述玻璃基片的表面拋光包括對(duì)玻璃基片表面的預(yù)拋；以及對(duì)預(yù)拋后的玻璃基片表面的精拋，其特征在于，所述拋光組合物是用于對(duì)預(yù)拋后的玻璃基片表面的精拋。
19.如權(quán)利要求17所述的拋光玻璃基片的方法，其特征在于，所述拋光組合物的制備包含用水稀釋所述拋光組合物。
20.如權(quán)利要求19所述的拋光玻璃基片的方法，其特征在于，稀釋拋光組合物所用的水的體積不超過(guò)稀釋前拋光組合物體積的50倍。
全文摘要
本發(fā)明的拋光組合物含有二氧化硅、酸和水。二氧化硅是例如膠體二氧化硅、熱解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。酸是例如鹽酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亞磷酸，硼酸，乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，檸檬酸，馬來(lái)酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，蘋(píng)果酸，葡萄糖酸，丙胺酸，甘氨酸，乳酸，羥基亞乙基二磷酸，氮基三(亞甲基磷酸)，或磷?；⊥槿人?。該拋光組合物的pH值優(yōu)選在0.5～6范圍內(nèi)。該拋光組合物非常適用于拋光玻璃基片。
文檔編號(hào)C09G1/02GK1626599SQ20041009253
公開(kāi)日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2004年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月4日
發(fā)明者大橋圭吾, 大脅壽樹(shù) 申請(qǐng)人:福吉米株式會(huì)社