專利名稱：拋光組合物和拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于拋光磁盤基片等物體的拋光組合物，以及使用所述拋光組合物拋光物體的拋光方法。
背景技術(shù)：
一張磁盤基片的制造通常要經(jīng)過(guò)若干個(gè)拋光步驟。一般而言，在第一拋光步驟中，所用拋光組合物含有氧化鋁、有機(jī)酸和水(如參見(jiàn)日本公開(kāi)專利Nos.2-84485和2003-170349)。為達(dá)到所得基片不含凹陷等表面缺陷的目的，拋光組合物所含氧化鋁的顆粒尺寸要盡可能的小。但是，絕大多數(shù)含有小顆粒尺寸氧化鋁的拋光組合物卻不能對(duì)基片進(jìn)行快速的拋光。另一方面，隨著磁盤容量越來(lái)越大，要求其基片平整度也越高。導(dǎo)致基片平整度下降的一個(gè)因素是表面缺陷，布滿缺陷的基片其平整度會(huì)較差。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種適合用于拋光磁盤基片表面的拋光組合物，以及提供使用所述拋光組合物的拋光方法。
根據(jù)本發(fā)明的目的，為了達(dá)到上述以及其它目的，提供了一種拋光組合物。這種拋光組合物含有熱解法氧化鋁、非熱解法氧化鋁、膠體二氧化硅、第一有機(jī)酸、第二有機(jī)酸、氧化劑和水。第一有機(jī)酸是檸檬酸或蘋果酸。
本發(fā)明還提供了一種拋光磁盤基片的拋光方法。該方法包括制備上述拋光組合物，以及使用所制備的拋光組合物拋光基片表面。
本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面對(duì)本發(fā)明原理所舉實(shí)施例的描述得以顯而易見(jiàn)。
具體實(shí)施例方式
下面描述本發(fā)明的第一實(shí)施方式。
第一實(shí)施方式的拋光組合物由熱解法氧化鋁、非熱解法氧化鋁、膠體二氧化硅、檸檬酸或蘋果酸中的一種(第一有機(jī)酸)、非檸檬酸或蘋果酸的有機(jī)酸(第二有機(jī)酸)、氧化劑和水組成。
熱解法氧化鋁是作為機(jī)械拋光物體的磨料。如果熱解法氧化鋁的平均一次顆粒尺寸太小，拋光組合物有時(shí)會(huì)沒(méi)有足夠的拋光能力。因此，熱解法氧化鋁的平均一次顆粒尺寸優(yōu)選5nm或更大，進(jìn)一步優(yōu)選10nm或更大。另一方面，如果熱解法氧化鋁的平均一次顆粒尺寸太大，拋光組合物中有時(shí)會(huì)產(chǎn)生沉淀。因此，熱解法氧化鋁的平均一次顆粒尺寸優(yōu)選0.5μm或更小，進(jìn)一步優(yōu)選0.1μm或更小。熱解法氧化鋁的平均一次顆粒尺寸是通過(guò)如使用BET法測(cè)量熱解法氧化鋁的比表面積而得到的。
如果熱解法氧化鋁的平均二次顆粒尺寸太大，拋光組合物中有時(shí)會(huì)產(chǎn)生沉淀。因此，熱解法氧化鋁的平均二次顆粒尺寸優(yōu)選1.5μm或更小。熱解法氧化鋁的平均二次顆粒尺寸是通過(guò)如激光衍射散射法測(cè)得的。
如果拋光組合物中熱解法氧化鋁的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中熱解法氧化鋁的含量?jī)?yōu)選為0.02wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.06wt％或更多，最優(yōu)選0.1wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中熱解法氧化鋁的含量太大，對(duì)拋光組合物的處理會(huì)因其粘度太大而變得困難。因此，拋光組合物中熱解法氧化鋁的含量?jī)?yōu)選為3wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選2wt％或更小，最優(yōu)選0.6wt％或更小。
與熱解法氧化鋁相類似，非熱解法氧化鋁在拋光組合物中也是作為機(jī)械拋光物體的磨料。平均顆粒尺寸為0.1μm或更大的氧化鋁具有較強(qiáng)的拋光能力，而平均顆粒尺寸為0.2μm或更大的氧化鋁具有特別強(qiáng)的拋光能力。因此，非熱解法氧化鋁的平均顆粒尺寸優(yōu)選為0.1μm或更大，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2μm或更大。
另一方面，如果非熱解法氧化鋁的平均顆粒尺寸超過(guò)1.0μm，用該拋光組合物拋光的物體表面的粗糙度會(huì)變大，并出現(xiàn)刮擦痕跡；如果非熱解法氧化鋁的平均顆粒尺寸超過(guò)1.2μm，這種不利效果會(huì)頻繁出現(xiàn)。如果非熱解法氧化鋁的平均顆粒尺寸為0.8μm或更小，用該拋光組合物拋光的物體表面狀況就特別令人滿意。因此，非熱解法氧化鋁的平均顆粒尺寸優(yōu)選為1.2μm或更小，進(jìn)一步優(yōu)選1.0μm或更小，最優(yōu)選0.8μm或更小。
如果拋光組合物中非熱解法氧化鋁的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中非熱解法氧化鋁的含量?jī)?yōu)選為0.01wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.1wt％或更多，最優(yōu)選0.2wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中非熱解法氧化鋁的含量太大，對(duì)拋光組合物的處理會(huì)因其粘度太大而變得困難。因此，拋光組合物中非熱解法氧化鋁的含量?jī)?yōu)選為8wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選7wt％或更小，最優(yōu)選5wt％或更小。
膠體二氧化硅也是作為機(jī)械拋光物體的磨料。如果膠體二氧化硅的平均顆粒尺寸小于10nm，用該拋光組合物拋光的物體的表面有時(shí)會(huì)產(chǎn)生凹陷；平均顆粒尺寸為15nm或更大的膠體二氧化硅具有強(qiáng)的拋光能力。因此，膠體二氧化硅的平均顆粒尺寸優(yōu)選為10nm或更大，進(jìn)一步優(yōu)選15nm或更大。
另一方面，平均顆粒尺寸為200nm或更小的膠體二氧化硅很容易獲取，而平均顆粒尺寸為100nm或更小的膠體二氧化硅具有令人滿意的穩(wěn)定性。因此，膠體二氧化硅的平均顆粒尺寸優(yōu)選為200nm或更小，進(jìn)一步優(yōu)選為100nm或更小。
如果拋光組合物中膠體二氧化硅的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中膠體二氧化硅的含量?jī)?yōu)選為0.2wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.6wt％或更多，最優(yōu)選1wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中膠體二氧化硅的含量太大，對(duì)拋光組合物的處理會(huì)因其粘度太大而變得困難。因此，拋光組合物中膠體二氧化硅的含量?jī)?yōu)選為14wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選12wt％或更小，最優(yōu)選10wt％或更小。
膠體二氧化硅可以是單分散的，還可以包含高縱橫比的聯(lián)合顆粒。
第一和第二有機(jī)酸具有通過(guò)對(duì)物體發(fā)生化學(xué)作用而促進(jìn)磨料拋光物體的功能。第二有機(jī)酸，即非檸檬酸或蘋果酸的有機(jī)酸，是例如琥珀酸、亞氨乙酰乙酸、衣康酸、馬來(lái)酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸，優(yōu)選琥珀酸、亞氨乙酰乙酸、衣康酸、馬來(lái)酸或丙二酸，進(jìn)一步優(yōu)選琥珀酸。這是因?yàn)殓晁?、亞氨乙酰乙酸、衣康酸、馬來(lái)酸或丙二酸對(duì)用磨料拋光物體的促進(jìn)作用很強(qiáng)，而琥珀酸對(duì)用磨料拋光物體的促進(jìn)作用尤其強(qiáng)。
如果拋光組合物中第一有機(jī)酸的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中第一有機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為0.02wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.1wt％或更多，最優(yōu)選0.2wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中第一有機(jī)酸的含量太大，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)過(guò)剩而不經(jīng)濟(jì)，同時(shí)還會(huì)減弱膠體二氧化硅在拋光組合物中的穩(wěn)定性。因此，拋光組合物中第一有機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為3wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選2wt％或更小，最優(yōu)選1.4wt％或更小。
如果拋光組合物中第二有機(jī)酸的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中第二有機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為0.002wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.02wt％或更多，最優(yōu)選0.1wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中第二有機(jī)酸的含量太大，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)過(guò)剩而不經(jīng)濟(jì)，同時(shí)還會(huì)減弱膠體二氧化硅在拋光組合物中的穩(wěn)定性。因此，拋光組合物中第二有機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為2wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選1wt％或更小，最優(yōu)選0.6wt％或更小。
氧化劑具有氧化物體以促進(jìn)磨料對(duì)物體拋光的作用。氧化劑的具體例子包括過(guò)氧化氫、硝酸鐵、硝酸鋁、過(guò)二硫酸、高碘酸、高氯酸和次氯酸。這些氧化劑中，優(yōu)選過(guò)氧化氫和高碘酸，更優(yōu)選過(guò)氧化氫。這是因?yàn)檫^(guò)氧化氫和高碘酸對(duì)用磨料拋光物體的促進(jìn)作用很強(qiáng)，而過(guò)氧化氫易于處理。
如果拋光組合物中氧化劑的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中氧化劑的含量?jī)?yōu)選為0.02wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.2wt％或更多，最優(yōu)選0.5wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中氧化劑的含量太大，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)過(guò)剩而不經(jīng)濟(jì)，有時(shí)還會(huì)減弱拋光組合物的穩(wěn)定性，對(duì)其處理也變得困難起來(lái)。因此，拋光組合物中氧化劑的含量?jī)?yōu)選為12wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選10wt％或更小，最優(yōu)選8wt％或更小。
上文提及的水是作為分散介質(zhì)，用來(lái)分散熱解法氧化鋁、非熱解法氧化鋁和膠體二氧化硅，同時(shí)水還作為用于溶解有機(jī)酸和氧化劑的溶劑。優(yōu)選的是水中的雜質(zhì)要盡可能的少。水的優(yōu)選例包括離子交換水、純水、超純水以及蒸餾水。
下面描述本發(fā)明的第二實(shí)施方式。
第二實(shí)施方式的拋光組合物由熱解法氧化鋁、非熱解法氧化鋁、膠體二氧化硅、檸檬酸(第一有機(jī)酸)、蘋果酸(第二有機(jī)酸)、氧化劑和水組成。
如果第二實(shí)施方式的拋光組合物中檸檬酸的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中檸檬酸的含量?jī)?yōu)選為0.02wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.1wt％或更多，最優(yōu)選0.2wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中檸檬酸的含量太大，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)過(guò)剩而不經(jīng)濟(jì)，同時(shí)還會(huì)減弱膠體二氧化硅在拋光組合物中的穩(wěn)定性。因此，拋光組合物中檸檬酸的含量?jī)?yōu)選為3wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選2wt％或更小，最優(yōu)選1.4wt％或更小。
如果第二實(shí)施方式的拋光組合物中蘋果酸的含量太小，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)不足。因此，拋光組合物中蘋果酸的含量?jī)?yōu)選為0.02wt％或更多，進(jìn)一步優(yōu)選0.1wt％或更多，最優(yōu)選0.2wt％或更多。另一方面，如果拋光組合物中蘋果酸的含量太大，拋光組合物的拋光能力有時(shí)會(huì)過(guò)剩而不經(jīng)濟(jì)，同時(shí)還會(huì)減弱膠體二氧化硅在拋光組合物中的穩(wěn)定性。因此，拋光組合物中蘋果酸的含量?jī)?yōu)選為3wt％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選2wt％或更小，最優(yōu)選1.4wt％或更小。
根據(jù)第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物用于拋光如磁盤基片的表面。該拋光組合物優(yōu)選在通常制造基片工藝中數(shù)個(gè)拋光步驟的第一步驟中使用。
當(dāng)使用本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物拋光物體時(shí)，即使非熱解法氧化鋁的顆粒尺寸很小，也可對(duì)物體進(jìn)行快速拋光；此外，拋光后物體的表面缺陷減少了。對(duì)于這些事實(shí)，可能有下面兩種主要原因。
一個(gè)主要原因是，拋光組合物中膠體二氧化硅可能與熱解法氧化鋁的表面和非熱解法氧化鋁的表面發(fā)生靜電鍵合，從而適當(dāng)削弱了熱解法氧化鋁和非熱解法氧化鋁的拋光能力。當(dāng)物體被拋光時(shí)，可以推斷，分別與膠體二氧化硅發(fā)生鍵合的熱解法氧化鋁和非熱解法氧化鋁對(duì)受到有機(jī)酸和氧化劑作用而發(fā)生脆化的物體進(jìn)行拋光。
另一個(gè)主要原因可能是，同膠體二氧化硅鍵合的熱解法氧化鋁的拋光與同膠體二氧化硅鍵合的非熱解法氧化鋁的拋光相結(jié)合了起來(lái)；由于熱解法氧化鋁的顆粒尺寸相對(duì)較小，因此前者的拋光較精細(xì)，而非熱解法氧化鋁的顆粒尺寸相對(duì)較大，所以后者的拋光較粗糙。
對(duì)熟知該技術(shù)領(lǐng)域的人而言，顯而易見(jiàn)的是本發(fā)明可以在不違背其精神或范圍的條件下，以其他許多具體形式來(lái)實(shí)施。特別應(yīng)當(dāng)了解，本發(fā)明可以以下列形式實(shí)施。
根據(jù)本第一實(shí)施方式的拋光組合物可包含兩個(gè)或更多除檸檬酸和蘋果酸以外的有機(jī)酸。
根據(jù)本第二實(shí)施方式的拋光組合物可進(jìn)一步包含除檸檬酸和蘋果酸以外的有機(jī)酸。
每種根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物可進(jìn)一步包含已知的傳統(tǒng)拋光組合物中通常使用的添加劑如表面活性劑、螯合劑、防腐劑等。
每種根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物可以被分成兩個(gè)或多個(gè)包含至少一種拋光組合物組分的部分來(lái)運(yùn)輸或保存。在這種情況下，在使用之前，將兩個(gè)或多個(gè)部分混合在一起而制得每種拋光組合物。
每種根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物各自可通過(guò)用水稀釋未稀釋溶液制得，所制備的未稀釋溶液僅包含較高濃度的組分而不含有水。每種根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物的未稀釋溶液中熱解法氧化鋁的含量?jī)?yōu)選為0.01～5wt％，進(jìn)一步優(yōu)選0.05～4wt％，最優(yōu)選0.1～3wt％。每種根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物的未稀釋溶液中非熱解法氧化鋁的含量?jī)?yōu)選為0.05～40wt％，進(jìn)一步優(yōu)選0.5～35wt％，最優(yōu)選1～25wt％。每種根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物的未稀釋溶液中膠體二氧化硅的含量?jī)?yōu)選為1～70wt％，進(jìn)一步優(yōu)選3～60wt％，最優(yōu)選5～50wt％。根據(jù)本第一實(shí)施方式的拋光組合物的儲(chǔ)備溶液中第一有機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為0.1～15wt％，進(jìn)一步優(yōu)選0.5～10wt％，最優(yōu)選1～7wt％。根據(jù)本第一實(shí)施方式的拋光組合物的儲(chǔ)備溶液中第二有機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為0.01～10wt％，進(jìn)一步優(yōu)選0.1～5wt％，最優(yōu)選0.5～3wt％。每種根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物的儲(chǔ)備溶液中氧化劑的含量?jī)?yōu)選為0.1～10wt％，進(jìn)一步優(yōu)選1～8.5wt％，最優(yōu)選2.5～7.5wt％。
根據(jù)本第一和第二實(shí)施方式的拋光組合物可用于非磁盤基片物體的拋光。
下面描述本發(fā)明的實(shí)施例和對(duì)照例。
將磨料和有機(jī)酸用水混合，而后混入氧化劑，如有需要，制備拋光組合物的未稀釋溶液。然后，每份未稀釋溶液用5份水稀釋以制得拋光組合物。每種未稀釋溶液中的磨料、有機(jī)酸和氧化劑由表1～3詳細(xì)顯示。表1～3中的“熱解法氧化鋁”是指一次平均顆粒尺寸為13nm、二次平均顆粒尺寸為1μm的熱解法氧化鋁。表1中的“氧化鋁”是指非熱解法氧化鋁，其平均顆粒尺寸為0.6μm。表2中的“氧化鋁”是指非熱解法氧化鋁，其平均顆粒尺寸為0.8μm。表3中的“氧化鋁”是指非熱解法氧化鋁，其平均顆粒尺寸為0.3μm。表1～3中的“膠體二氧化硅”是指平均顆粒尺寸為40nm的膠體二氧化硅。
拋光條件拋光機(jī)雙面拋光機(jī)“9.5B-5P”，System Seiko有限公司制造。
拋光板聚安酯板“CR200”，Kanebo有限公司制造。
被拋光物體15片直徑3.5英寸(約95mm)的磁盤用基片，其是通過(guò)在由鋁合金制成的空白材料的表面上鍍覆無(wú)電鍍磷化鎳而形成的。
拋光載荷10kPa上壓盤轉(zhuǎn)速24rpm下壓盤轉(zhuǎn)速16rpm拋光組合物供給速率150mL/分鐘切削量總共2μm厚，包括每個(gè)基片的兩個(gè)表面表1～3中標(biāo)題為“切削率”的一欄顯示當(dāng)在上述拋光條件下分別使用拋光組合物拋光物體(磁盤基片)時(shí)，用下面的計(jì)算式得到的切削率。
RP＝(WS1-WS2)/(AS×DS×TP×10-4)在上面的計(jì)算式中，RP表示切削率(μm/分鐘)，WS1表示基片拋光前的重量(g)，WS2表示基片拋光后的重量(g)，AS表示被拋基片表面的面積(cm2)，DS表示基片的密度(g/cm3)，TP表示拋光時(shí)間(分鐘)。
表1～3中標(biāo)題為“凹陷”的一欄顯示評(píng)價(jià)的結(jié)果，基于當(dāng)在上述拋光條件下分別使用拋光組合物拋光物體時(shí)在每個(gè)物體表面上觀察到凹陷的數(shù)目，分為“好”(G)和“不好”(NG)兩個(gè)級(jí)別。
表1～3中標(biāo)題為“微波紋”的一欄顯示當(dāng)在上述拋光條件下分別使用拋光組合物拋光物體時(shí)在每個(gè)物體表面上測(cè)得的微波等級(jí)。表1～3中標(biāo)題為“微波紋”一欄中的連字符“-”表示不可測(cè)量。微波等級(jí)是粗糙度Ra之值，使用Phase Shift公司制造的非接觸性表面形貌測(cè)由于自由水的電荷作用植物能吸收到自由水，各種養(yǎng)分也隨之被植物吸收，因此可促進(jìn)植物根系的生長(zhǎng)發(fā)育。植物根系的發(fā)達(dá)不僅能提高抗逆性還能使植物從更大范圍內(nèi)吸收更多的水分和養(yǎng)分，使植物的營(yíng)養(yǎng)生長(zhǎng)、生殖生長(zhǎng)旺盛，達(dá)到提高肥料利用率，提高產(chǎn)量的作用。
本發(fā)明的土壤改良劑的多孔構(gòu)造可成為土壤有益微生物的巢穴，吸附的水、氣又可促進(jìn)有益微生物的繁殖，隨著有益微生物的大量增加，土壤中有益微生物產(chǎn)生的各種生長(zhǎng)激素、抗生素和酶又加速植物健康生長(zhǎng)，達(dá)到改良土壤提高作物產(chǎn)量的作用本發(fā)明的土壤改良劑不僅適用于逐漸酸化的土壤，也適用于堿性土壤使用，還適用于連作病害嚴(yán)重和微量元素不足的土壤施用，也適合于各種作物。
由于本上壤改良劑不僅可以提高化肥的利用效率、減少化肥的施用量，而且能提高農(nóng)產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量，減輕連作病害，是現(xiàn)代農(nóng)業(yè)發(fā)展中難得的新型土壤改良材料。
實(shí)施例1 本發(fā)明的土壤改良劑按粉煤灰66.7％重量百分比，賦形劑28.5％混合，然后添加活化劑4.8％，經(jīng)團(tuán)粒法造粒，成為具有連續(xù)多孔構(gòu)造的土壤改良劑。其主成份以氧化物的重量百分比計(jì)算為SiO235.0-40.0％，Al2O315.0-19.0％，F(xiàn)e2O35.0-12.0％，CaO10.0-15.0％，MgO1.0-3.0％，Na2O(含K2O)2.0-6.0％，微量的Mn、B、Zn、Mo、Cu。
實(shí)施例2 本發(fā)明的土壤改良劑按粉煤灰47.62％重量百分比，爐渣粉9.5％，沸石14.29％，賦形劑23.8％混合，然后添加活化劑4.76％，經(jīng)團(tuán)粒法造粒，成為具有連續(xù)多孔構(gòu)造的土壤改良劑。其主成份以氧化物的重量百分比計(jì)算為SiO235.0-40.0％，Al2O314.0-18.0％，F(xiàn)e2O33.0-10.0％，CaO10.0-15.0％，MgO1.0-3.0％，Na2O(含K2O)2.0-6.0％，微量的Mn、B、Zn、Mo、Cu。
實(shí)施例3 本發(fā)明的土壤改良劑按粉煤灰50％重量百分比，鋼渣20％，賦形劑25％，活化劑5％配合，經(jīng)擠壓法造粒而成。其主成份以氧化物的重量百分比計(jì)算為SiO225.0-30.0％，Al2O310.0-15.0％，F(xiàn)e2O35.0-10.0％，CaO15.0-20.0％，MgO1.0-3.0％，Na2O(含K2O)1.0-5.0％，微量的Mn、B、Zn、Mo、Cu。
用實(shí)施例1、2以及3所制造的土壤改良劑與復(fù)合肥料(N、P、K≥64％)分別進(jìn)行加工番茄栽培試驗(yàn)，畝施用量是按同樣成本進(jìn)行施用的，其結(jié)果如下表

本實(shí)施例和實(shí)施方式僅用于說(shuō)明而非限制本發(fā)明，本發(fā)明不受限于這里提到的細(xì)節(jié)，而可以在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)或同等條件下做改變。
權(quán)利要求
1.一種拋光組合物，它由熱解法氧化鋁、非熱解法氧化鋁、膠體二氧化硅、第一有機(jī)酸、第二有機(jī)酸、氧化劑和水組成，所述第一有機(jī)酸是檸檬酸或蘋果酸。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述第二有機(jī)酸為琥珀酸、亞氨乙酰乙酸、衣康酸、馬來(lái)酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其特征在于，所述第二有機(jī)酸為琥珀酸。
4.如權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其特征在于，所述第一有機(jī)酸在拋光組合物中的含量為0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
5.如權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其特征在于，所述第二有機(jī)酸在拋光組合物中的含量為0.002wt％或更多以及2wt％或更少。
6.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述第一有機(jī)酸為琥珀酸而所述第二有機(jī)酸為蘋果酸。
7.如權(quán)利要求6所述的拋光組合物，其特征在于，所述第一有機(jī)酸在拋光組合物中的含量為0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
8.如權(quán)利要求6所述的拋光組合物，其特征在于，所述第二有機(jī)酸在拋光組合物中的含量為0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
9.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述熱解法氧化鋁的平均一次顆粒尺寸為5nm或更大以及0.5μm或更小。
10.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述熱解法氧化鋁的平均二次顆粒尺寸為1.5μm或更小。
11.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述熱解法氧化鋁在拋光組合物中的含量為0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
12.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述非熱解法氧化鋁的平均顆粒尺寸為0.1μm或更大以及1.2μm或更小。
13.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述非熱解法氧化鋁在拋光組合物中的含量為0.01wt％或更多以及8wt％或更少。
14.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述膠體二氧化硅的平均顆粒尺寸為10nm或更大以及200nm或更小。
15.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述膠體二氧化硅在拋光組合物中的含量為0.2wt％或更多以及14wt％或更少。
16.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述氧化劑包括過(guò)氧化氫、硝酸鐵、硝酸鋁、過(guò)二硫酸、高碘酸、高氯酸或次氯酸。
17.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述氧化劑在拋光組合物中的含量為0.02wt％或更多以及12wt％或更少。
18.如權(quán)利要求1到權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物是用于拋光磁盤基片的表面。
19.一種拋光磁盤基片的拋光方法，該方法包括制備如權(quán)利要求1到權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的拋光組合物；以及使用所制備的所述拋光組合物拋光基片表面。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述拋光組合物的制備包括制備所述拋光組合物的未稀釋溶液；以及稀釋所制備的所述未稀釋溶液而制得所述拋光組合物。
全文摘要
一種拋光組合物，它包括熱解法氧化鋁、非熱解法氧化鋁、膠體二氧化硅、第一有機(jī)酸、第二有機(jī)酸、氧化劑和水。當(dāng)?shù)诙袡C(jī)酸是檸檬酸時(shí)，第一有機(jī)酸優(yōu)選為蘋果酸，而當(dāng)?shù)诙袡C(jī)酸是蘋果酸時(shí)，第一有機(jī)酸優(yōu)選為檸檬酸。當(dāng)?shù)诙袡C(jī)酸是琥珀酸、亞氨乙酰乙酸、衣康酸、馬來(lái)酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸時(shí)，第一有機(jī)酸優(yōu)選為檸檬酸或蘋果酸。該拋光組合物適用于拋光磁盤基片的表面。
文檔編號(hào)C09K3/14GK1640974SQ20041010448
公開(kāi)日2005年7月20日 申請(qǐng)日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月25日
發(fā)明者宇野貴規(guī), 杉山博保, 大脅壽樹 申請(qǐng)人:福吉米株式會(huì)社