專利名稱：筒狀晶圓加工用粘合片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及筒狀晶圓加工用粘合片、晶圓加工用粘合片、以及帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片。另外，本發(fā)明還涉及使用晶圓加工用粘合片或帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片的半導(dǎo)體元件的制造方法、由該制造方法得到的半導(dǎo)體元件。本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片，在各種半導(dǎo)體制造工序中的對半導(dǎo)體晶圓的背面進行磨削的磨削工序中，作為用于保護晶圓表面的粘合片、以及在將半導(dǎo)體晶圓切斷/分割成元件小片并以拾取的方式自動回收該元件小片的切割工序中作為粘附在晶圓背面的固定支撐用粘合片等，是有用的。
背景技術(shù)：
在晶圓制造工序中，一般地，要對形成圖形后的晶圓進行背面研磨工序，直至將晶圓削減到通常規(guī)定的厚度。此時，出于保護晶圓的目的等，一般的方法是在晶圓表面上貼合作為晶圓粘合片的粘合片進行磨削。另外，當(dāng)將晶圓等切成單個的芯片時，一般的方法是在晶圓表面上貼合作為保持片的粘合片進行劃片。
另外，近來的8英寸或12英寸的晶圓大型化、在IC卡用途等方面的晶圓薄型化正在不斷進展。作為加工它們時使用的上述粘合片，由于能夠在加工后對半導(dǎo)體晶圓進行簡單的剝離，所以大多數(shù)情況下使用設(shè)置了放射線固化性粘合層的粘合片，所述的放射線固化性粘合片通過紫外線照射等能夠使粘合層的粘合力降低。關(guān)于該放射線固化性的粘合片，通過照射紫外線等放射線而使粘合層固化、收縮，從而降低與作為被附著體的半導(dǎo)體晶圓的粘合力。
放射線固化性粘合劑將基礎(chǔ)聚合物、重均分子量20000以下且分子內(nèi)具有碳—碳雙鍵的放射線聚合性化合物(單體、低聚物)、以及放射線聚合引發(fā)劑作為必需材料，進而適當(dāng)添加交聯(lián)劑等各種添加劑，由此調(diào)制而成。這種粘合劑因為在放射線照射之后其粘合力極度降低，所以作為放射線聚合性化合物，使用分子內(nèi)具有2個以上碳—碳雙鍵的多官能化合物。(專利文獻1、2)。
另外，也公開有通過在基礎(chǔ)聚合物的主鏈或側(cè)鏈內(nèi)引入碳—碳雙鍵以作為放射線反應(yīng)性聚合物、而不使用具有2個以上碳—碳雙鍵的放射線聚合性化合物的技術(shù)(專利文獻3)。
但問題是，這些晶圓加工用粘合片的粘合劑因為具有反應(yīng)性，在制造后使用前這一段的保管期間內(nèi)，逐漸發(fā)生反應(yīng)，粘合片到使用時已完全固化。這種現(xiàn)象是因為通過粘合劑組合物中含有的光聚合引發(fā)劑、或在合成基礎(chǔ)聚合物時使用而殘留的熱聚合引發(fā)劑等的作用，而逐漸發(fā)生自由基聚合鏈鎖反應(yīng)。
為了抑制這種在保管期間的聚合反應(yīng)，使用在粘合劑組合物中添加聚合抑制劑、抗氧化劑等使自由基鏈鎖反應(yīng)失活的添加劑的方法。
但是，聚合抑制劑或抗氧化劑等在粘合劑組合物中沒有達到某種程度以上，則沒有效果，相反，在含量過多的情況下使用粘合片時，粘合劑不發(fā)生反應(yīng)固化，或者反應(yīng)不足造成晶圓上有糊料殘留。進而，有可能通過放出這些添加劑而污染半導(dǎo)體晶圓自身。
專利文獻1特許第2119328號說明書專利文獻2特許第2126520號說明書專利文獻3特開2000-355678號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種保存穩(wěn)定性、放射線固化性以及對晶圓的低污染性優(yōu)良的筒狀晶圓加工用粘合片。另外，本發(fā)明的目的還在于，提供切斷該筒狀晶圓加工用粘合片而成的晶圓加工用粘合片、以及帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片。進而，本發(fā)明的目的還在于，提供使用了晶圓加工用粘合片或帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片的半導(dǎo)體元件的制造方法、以及通過該制造方法而得到的半導(dǎo)體元件。
本發(fā)明者等為了解決上述課題，進行了潛心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過如下所示的晶圓加工用粘合片能夠達到上述目的，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明涉及一種筒狀晶圓加工用粘合片，是將由基材薄膜、放射線固化性粘合劑層、以及脫模薄膜按照該順序進行層疊而成的層疊薄膜，多重纏繞而形成的筒狀晶圓加工用粘合片，其特征在于，上述基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻娴妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra，算術(shù)平均粗糙度)為1μm以上，且上述放射線固化性粘合劑層中所含的自由基聚合抑制劑的重量不到1000ppm。
本發(fā)明者等發(fā)現(xiàn)，通過將上述構(gòu)成的層疊薄膜的基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻娴妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為1μm以上，且將該層疊薄膜纏繞成筒狀以進行保存，即使在放射線固化性粘合劑層中含有的自由基聚合抑制劑極少的情況下，也能夠有效地抑制自由基聚合鏈鎖反應(yīng)，得到保存穩(wěn)定性良好的筒狀晶圓加工用粘合片。另外，本發(fā)明的粘合片的粘合劑層含有極少量的自由基聚合抑制劑，所以使用粘合片時，不會出現(xiàn)粘合劑不發(fā)生反應(yīng)固化，也不會出現(xiàn)反應(yīng)不足造成晶圓上有糊料殘留。出現(xiàn)這種明顯效果的原因尚不清楚，不過當(dāng)將由基材薄膜、放射線固化性粘合劑層、以及脫模薄膜按照該順序?qū)盈B而成的層疊薄膜，多重纏繞成筒狀時，通?；谋∧ず兔撃１∧っ芙咏佑|。使上述基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻孀兊么植?，由此在兩薄膜之間形成空氣層，該空氣中所含的氧氣可以透過上述薄膜而有效地阻礙粘合劑的自由基聚合反應(yīng)。其中，不使基材薄膜或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的表面變得粗糙，是因為粘合劑層非常柔軟，即使將與粘合劑層接觸的表面?zhèn)茸兊么植?，粘合劑也會逐漸吸收該凹凸不平，不能維持空氣層的形成。
上述基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻娴妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)優(yōu)選1.5μm以上，進一步優(yōu)選2μm以上。當(dāng)上述薄膜表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)不到1μm時，在基材薄膜和脫模薄膜之間沒有充分形成空氣層，降低空氣(氧氣)的流入而成為密封狀態(tài)，所以不能有效阻礙保管期間的自由基聚合反應(yīng)。
另外，上述放射線固化性粘合劑層中含有的自由基聚合抑制劑的重量優(yōu)選不到800ppm，進一步優(yōu)選不到600ppm。當(dāng)自由基聚合抑制劑的重量達到1000ppm以上時，聚合阻礙作用明顯，阻礙使用粘合片時的放射線聚合反應(yīng)，放射線固化性粘合劑層的特性有喪失的趨勢。其中，當(dāng)過少時，因有缺乏高溫時或長期保存時的穩(wěn)定性的趨勢，所以優(yōu)選10ppm以上，進一步優(yōu)選50ppm以上。
在本發(fā)明中，進一步優(yōu)選上述基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻娴奈⒂^不平度十點高度(Rz、十點平均粗糙度)為8μm以上，進一步優(yōu)選10μm以上，特別優(yōu)選12μm以上。如果上述薄膜表面的微觀不平度十點高度(Rz)為8μm以上，能夠進一步有效地阻礙保管期間的自由基聚合反應(yīng)。
另外，本發(fā)明涉及一種筒狀晶圓加工用粘合片，是將由基材薄膜、放射線固化性粘合劑層、以及脫模薄膜按照該順序?qū)盈B而成的層疊薄膜，多重纏繞而形成的筒狀晶圓加工用粘合片，其特征在于，在上述基材薄膜或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的其它面上層疊襯紙薄膜，該襯紙薄膜的單側(cè)或雙側(cè)表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)為1μm以上，且上述放射線固化性粘合劑層中所含的自由基聚合抑制劑的重量不到1000ppm。
沒有如上所述地使基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻孀兊么植?，而是使用襯紙薄膜，可以將該襯紙薄膜的單側(cè)或雙側(cè)表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)做成1μm以上。為了進行粘合片的外觀檢查、以及貼合粘合片之后的晶圓表面檢查，有必要使粘合片具有透明性，不過當(dāng)基材薄膜或脫模薄膜的表面變得粗糙時，有難以得到透明性的趨勢。因此，通過使用襯紙薄膜，無需使基材薄膜或脫模薄膜的表面變得粗糙，就能夠在該薄膜之間形成空氣層。然后，在使用粘合片時，能夠通過剝離襯紙薄膜而很好地進行外觀檢查等。
上述襯紙薄膜的單側(cè)或雙側(cè)表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)優(yōu)選1.5μm以上，進一步優(yōu)選2μm以上。當(dāng)上述襯紙薄膜表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)不到1μm時，在基材薄膜和脫模薄膜之間沒有充分形成空氣層，空氣(氧氣)的流入降低而成為密封狀態(tài)，所以不能有效阻礙保管期間的自由基聚合反應(yīng)。
另外，上述放射線固化性粘合劑層中含有的自由基聚合抑制劑的重量優(yōu)選與上述相同、即不到800ppm，進一步優(yōu)選不到600ppm。
在本發(fā)明中，進一步優(yōu)選上述襯紙薄膜的單側(cè)或雙側(cè)表面的微觀不平度十點高度(Rz)為8μm以上，進一步優(yōu)選10μm以上，特別優(yōu)選12μm以上。如果上述襯紙薄膜的微觀不平度十點高度(Rz)為8μm以上，能夠進一步有效阻礙保管期間的自由基聚合反應(yīng)。
上述輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)以及微觀不平度十點高度(Rz)是以JIS B 0601-1994為基準(zhǔn)而計算出來的值，詳細內(nèi)容如實施例所述。
本發(fā)明的晶圓加工用粘合片是將上述筒狀晶圓加工用粘合片對應(yīng)半導(dǎo)體晶圓的形狀切斷而成的粘合片。其中，無需嚴(yán)密對應(yīng)半導(dǎo)體晶圓的形狀進行切斷，能夠根據(jù)使用目的等進行適當(dāng)調(diào)整。
本發(fā)明涉及具有在上述筒狀晶圓加工用粘合片的放射線固化性粘合劑層上貼合半導(dǎo)體晶圓的工序、對應(yīng)半導(dǎo)體晶圓的形狀切斷上述粘合片的工序的帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片的制造方法，以及通過該方法制造的帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片。其中，與上述相同，無需嚴(yán)密對應(yīng)半導(dǎo)體晶圓的形狀進行切斷，能夠根據(jù)使用目的等進行適當(dāng)調(diào)整。
另外，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體晶圓上貼合有上述晶圓加工用粘合片的放射線固化性粘合劑層，并在此狀態(tài)下對半導(dǎo)體晶圓實施加工。
另外，本發(fā)明還涉及半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，對上述帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片的半導(dǎo)體晶圓實施加工。
進而，本發(fā)明涉及通過上述方法制造的半導(dǎo)體元件。


圖1是表示本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片的構(gòu)成的概略圖。
圖2是表示本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片的其他構(gòu)成的概略圖。
圖中1—筒狀晶圓加工用粘合片，2—基材薄膜，3—放射線固化性粘合劑層，4—脫模薄膜，5—襯紙薄膜。
具體實施例方式
如圖1所示，本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片1是將由基材薄膜2、放射線固化性粘合劑層3、以及脫模薄膜4按照該順序?qū)盈B而成的層疊薄膜，多重纏繞而形成帶狀的粘合片。從使用時的便利性來看，優(yōu)選將數(shù)十或數(shù)百米左右長的粘合片纏繞成圓筒。
基材薄膜的材料能夠沒有特別限制地使用晶圓加工用粘合片中所使用的各種材料，但為了使粘合劑層發(fā)生放射線固化，而使用至少透過一部分X線、紫外線、電子射線等放射線的材料。例如，作為該材料，可以列舉出低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯—醋酸乙烯酯共聚物，離聚物樹脂，乙烯—(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯—(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物，乙烯—丁烯共聚物，乙烯—己烯共聚物，聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯，聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氟樹脂、纖維素系樹脂以及它們的交聯(lián)體等的聚合物。上述各基材薄膜能夠適宜選擇使用同種或者不同種的材料，必要時能夠使用混合了數(shù)種的材料。
基材薄膜可以無拉伸使用，必要時也可以使用實施了單向或雙向拉伸處理的薄膜。在基材薄膜的表面上，必要時能夠?qū)嵤╉脊馓幚?、電暈放電處理、襯底層鍍膜處理、交聯(lián)處理(化學(xué)交聯(lián)(硅烷))等常用的物理或化學(xué)處理。另外，上述基材薄膜的厚度通常為10～400μm，優(yōu)選30～250μm左右。
作為用于放射線固化型粘合劑層的形成的放射線固化型粘合劑，可以舉例為添加型的粘合劑(混合型)，該添加型的粘合劑是在丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏性粘合劑中配合了放射線固化性的單體成分或低聚物成分。其中，從對半導(dǎo)體晶圓或各基材薄膜的粘合性、分子設(shè)計的容易程度等觀點來看，優(yōu)選將丙烯酸類聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類粘合劑。另外，作為放射線固化性粘合劑，特別優(yōu)選通過紫外線照射而降低粘合力的粘合劑。
作為形成上述丙烯酸類聚合物的單體成分，可以列舉出如(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2—乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一酯、十二酯、十三酯、十四酯、十六酯、十八酯、二十酯等烷基的碳原子數(shù)1～30、特別是碳原子數(shù)4～18的直鏈或支鏈烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)等。它們可以單獨使用，也可以合用2種以上。其中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，是完全和本發(fā)明的(甲基)相同的意思。
上述丙烯酸類聚合物必要時可以含有與能夠和上述單體成分共聚的其他單體成分相對應(yīng)的單元，以進行內(nèi)聚力、耐熱性等的改性。作為這種單體成分，可以列舉出如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸以及巴豆酸等含羧基單體，馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體，(甲基)丙烯酸2—羥乙酯、(甲基)丙烯酸2—羥丙酯、(甲基)丙烯酸4—羥丁酯、(甲基)丙烯酸6—羥己酯、(甲基)丙烯酸8—羥辛酯、(甲基)丙烯酸10—羥癸酯、(甲基)丙烯酸12—羥基月桂酯、以及(甲基)丙烯酸(4—羥基甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2—(甲基)丙烯酰胺—2—甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰羥基萘磺酸等含磺酸基單體，2—羥乙基丙烯酰磷酸等含磷酸基單體，丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可以共聚的單體成分能夠使用1種或2種以上。這些可以共聚的單體的使用量優(yōu)選為整個單體成分的40重量％以下。
而且，上述丙烯酸類聚合物為了進行交聯(lián)，也可以根據(jù)需要作為共聚用單體成分含有多官能性單體等。作為這種多官能性單體，可以舉例為己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、以及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體可以使用1種或2種以上。從粘合特性等觀點來看，多官能單體的使用量優(yōu)選為整個單體成分的30重量％以下。
上述丙烯酸類聚合物可以通過聚合單一的單體或2種以上的單體混合物而成。聚合也能夠通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、或懸浮聚合等適宜的方式而進行。從防止半導(dǎo)體晶圓等的污染的觀點來看，粘合劑層如前所述優(yōu)選其低分子量成分的含量小。從這一點出發(fā)，丙烯酸類聚合物的重均分子量優(yōu)選10萬～200萬，進一步優(yōu)選30萬～120萬左右。
上述基礎(chǔ)聚合物可以是1種，也可以是混合2種以上，在混合2種以上的情況下，優(yōu)選將分子量10萬以下的低分子量成分的含量調(diào)整成15重量％以下。
另外，也能夠在上述粘合劑中添加外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可以舉出添加聚異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂交聯(lián)劑而使其反應(yīng)的方法。當(dāng)使用外部交聯(lián)劑時，其使用量根據(jù)和應(yīng)該交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡，進而根據(jù)作為粘合劑的使用用途而適宜確定。一般地，相對上述基礎(chǔ)聚合物100重量份，優(yōu)選配合1～5重量份左右。進而，除了上述成分之外，必要時在粘合劑中使用以往公知的各種增稠劑、抗老化劑等添加劑。
作為配合在粘合劑中的放射線固化性的單體成分，可以列舉出如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇一羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、以及1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，作為放射線固化性低聚物成分，可以舉例為氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在100～30000左右的范圍內(nèi)的低聚物比較合適。放射線固化性單體成分或低聚物成分的配合量，能夠根據(jù)上述粘合劑層的種類而適宜確定可以降低粘合劑層的粘合力的量。一般地，相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，優(yōu)選0.1～200重量份，進一步優(yōu)選0.1～150重量份。
另外，作為放射線固化性粘合劑，除了上述說明的添加型放射線固化性粘合劑之外，作為基礎(chǔ)聚合物，還可以舉出使用了在聚合物側(cè)鏈或主鏈、或者主鏈末端具有碳—碳雙鍵的內(nèi)在型放射線固化性粘合劑(加成型)。內(nèi)在型的放射線固化性粘合劑，因為不需要含有作為低分子成分的低聚物成分等，或者沒有大量含有，因此低聚物成分等不會經(jīng)時地在粘合劑內(nèi)移動，從而能夠形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，所以優(yōu)選。
具有上述碳—碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物能夠沒有特別限制地使用具有碳—碳雙鍵且具有粘合性的聚合物。作為這種基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選將丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以舉出上述例示的丙烯酸類聚合物。
對將碳—碳雙鍵向上述丙烯酸類聚合物中的引入法沒有特別限制，能夠采用各種方法，但碳—碳雙鍵引入到聚合物側(cè)鏈的分子設(shè)計較容易。可以舉例為，事先，在丙烯酸類聚合物中共聚具有官能團的單體之后、使具有可以和該官能團發(fā)生反應(yīng)的官能團以及碳—碳雙鍵的化合物在維持其碳—碳雙鍵的放射線固化性的同時使其發(fā)生縮合或加成反應(yīng)的方法。
作為這些官能團的組合的例子，可以列舉出羧基和環(huán)氧基、羧基和氮丙啶基、羥基和異氰酸酯基等。在這些官能團的組合當(dāng)中，從反應(yīng)追蹤的容易程度來看，優(yōu)選羥基和異氰酸酯基的組合。另外，通過這些官能團的組合，如果使生成具有上述碳—碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，官能團可以在丙烯酸類聚合物和上述化合物的任何一側(cè)，當(dāng)在上述優(yōu)選的組合中，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基，上述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳—碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉出如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰羥乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用共聚了上述例示的含羥基單體或2-羥乙基乙烯醚、4-羥丁基乙烯醚、雙甘醇單乙烯醚的醚類化合物等的聚合物。
上述內(nèi)在型的放射線固化性粘合劑，能夠單獨使用具有上述碳—碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，但在不使其特性惡化的程度下，也能夠配合上述放射線固化性單體成分或低聚物成分。相對于基礎(chǔ)聚合物100重量份，放射線固化性低聚物成分等通常為200重量份以下，優(yōu)選100重量份以下。
在上述放射線固化性粘合劑中含有光聚合引發(fā)劑以使其在紫外線等的作用下發(fā)生固化。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉出如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α-乙酮醇類化合物，甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮類化合物，類似苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物，芐基二甲基縮酮等縮酮類化合物，2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物，1-苯酮-1，1-propanedione-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物，二苯酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯酮等二苯酮類化合物，硫雜蒽酮、2-氯硫雜蒽酮、2-甲基硫雜蒽酮、2，4-二甲基硫雜蒽酮、異丙基硫雜蒽酮、2，4-二氯硫雜蒽酮、2，4-二乙基硫雜蒽酮、2，4-二異丙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類化合物，樟腦醌，鹵化酮，酰基氧化膦以及?；⑺狨サ?。關(guān)于光聚合引發(fā)劑的配合量，相對于構(gòu)成粘合劑的(甲基)丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為1～10重量份左右，優(yōu)選3～5重量份左右。
作為添加到上述放射線固化性粘合劑中的自由基聚合抑制劑，如果是酚類、胺類、磷類、硫類等能夠發(fā)揮效果的制劑，則沒有特別限制，但優(yōu)選使用酚類。可以列舉如氫醌、甲基醌(MEHQ氫醌單甲基醚)、對苯醌、酚噻嗪、一叔丁基氫醌、兒茶酚、對叔丁基兒茶酚、苯醌、2，5-二叔丁基氫醌、蒽醌、2，6-二叔丁基羥基甲苯(BHT)等。
其中，上述交聯(lián)劑、光聚合引發(fā)劑、放射線固化性的單體成分或低聚物成分等各種添加劑是低分子量成分，也是可以和聚合物反應(yīng)的材料，在反應(yīng)后摻入而作為該聚合物鏈的一部分，所以不會成為轉(zhuǎn)印污染源。
對放射線固化性粘合劑層的厚度沒有特別限制，通常為1～300μm，優(yōu)選3～200μm，進一步優(yōu)選5～100μm。
作為脫模薄膜的形成材料，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等合成樹脂薄膜等。必要時在脫模薄膜的表面上可以實施硅酮處理、長鏈烷基處理、氟處理等脫模處理，以便提高從粘合劑層的剝離性。脫模薄膜的厚度通常為10～200μm，優(yōu)選25～100μm左右。
作為將和上述基材薄膜和/或脫模薄膜的放射線固化性粘合劑層粘合的面的其它面的表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)設(shè)置成1μm以上、將微觀不平度十點高度(Rz)進一步被設(shè)置成8μm以上的方法，可以舉例為在將該薄膜進行加熱擠壓成形之后、立即使其接觸形成有微小凹凸的金屬滾筒等的方法，向成形后的薄膜噴砂并接觸(噴砂法)的方法，或使用堿性溶液對成形后的薄膜進行蝕刻的方法等。
本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片的制作，例如能夠通過在基材薄膜上形成粘合劑層并在該粘合劑層上貼合脫模薄膜而進行的。另外，對粘合劑層的形成方法沒有特別限制，能夠采用在基材薄膜上直接涂敷粘合劑而形成的方法、另一方面，在脫模薄膜上形成粘合劑層之后將它們貼合于基材薄膜上的方法等。如此，能夠通過使制成的粘合片的長幅多重纏繞成圓形的筒而成為筒狀而制成。在纏繞時，可以將基材薄膜纏繞在內(nèi)側(cè)，或者可以將脫模薄膜纏繞在內(nèi)側(cè)。
另外，如圖2所示，本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片1，是至少由基材薄膜2、放射線固化性粘合劑層3、以及脫模薄膜4按順序?qū)盈B而成的層疊薄膜，可以將在上述基材薄膜2或脫模薄膜4與放射線固化性粘合劑層3接觸的面的另一個面上層疊有襯紙薄膜5的薄膜進行多次卷纏而成為帶狀。
對襯紙薄膜的形成材料沒有特別限制，可以舉例為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯類薄膜，雙向拉伸聚丙烯、低密度聚乙烯等聚烯烴類薄膜，以及含有該薄膜的多層薄膜等。厚度優(yōu)選8～100μm，進一步優(yōu)選10～40μm。當(dāng)厚度不到8μm時，在纏繞上述層疊薄膜的工序中，當(dāng)在卷曲部分插入襯紙薄膜時，皺褶容易進入且?guī)瓮庥^有變壞的趨勢。另一方面，當(dāng)厚度超過100μm時，筒狀晶圓加工用粘合片的滾筒尺寸增大，且在運費以及廢物處理方面，其成本增高。
作為將上述襯紙薄膜的單側(cè)或雙側(cè)表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)設(shè)置成1μm以上、將微觀不平度十點高度(Rz)進一步設(shè)置成8μm以上的方法，能夠采用上述記載的方法。其中，與上述襯紙薄膜接觸的基材薄膜和/或脫模薄膜的表面可以是平整的狀態(tài)，也可以是粗糙的狀態(tài)。
作為本發(fā)明的具有襯紙薄膜的筒狀晶圓加工用粘合片的制作方法，例如當(dāng)在基材薄膜或脫模薄膜上形成粘合劑層之后，將脫模薄膜或基材薄膜層疊在粘合劑層上以制作層疊薄膜。然后，可以列舉出1)在基材薄膜或脫模薄膜的另一個面?zhèn)壬蠈盈B襯紙薄膜并使制作的粘合片的長幅多重纏繞成圓形的筒而成為筒狀的方法，2)當(dāng)將上述層疊薄膜纏繞成筒狀時在基材薄膜和脫模薄膜之間插入襯紙薄膜而進行纏繞的方法，3)當(dāng)將層疊薄膜纏繞成筒狀之后、一邊卷曲一邊在基材薄膜和脫模薄膜之間插入襯紙薄膜而進行纏繞的方法，4)按照制品尺寸切斷上述層疊薄膜、并在切斷后一邊夾持襯紙薄膜一邊纏繞的方法等。為了檢查筒狀晶圓加工用粘合片中的異物，優(yōu)選4)的方法。當(dāng)在纏繞時，可以將襯紙薄膜纏繞在內(nèi)側(cè)，或者以使襯紙薄膜在外側(cè)的方式進行纏繞。
從使用時的作業(yè)性的觀點來看，本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片優(yōu)選是將1～500m、進一步優(yōu)選10～200m、特別優(yōu)選20～100m的長幅連續(xù)卷筒成筒狀的狀態(tài)。如上所述，通過在特定薄膜上實施表面粗糙處理，在連續(xù)卷曲成筒狀時，在基材薄膜和脫模薄膜之間浸入空氣(氧氣)。浸入的氧氣進一步透過基材薄膜或脫模薄膜而滲透至粘合劑層中，從而抑制自由基聚合反應(yīng)，所以即使聚合抑制劑的量是微量的，也能夠有效抑制運輸、保管時的聚合反應(yīng)。
本發(fā)明的筒狀晶圓加工用粘合片通過切斷成與用途相對應(yīng)的形狀(沖裁)而能夠成為標(biāo)簽形的晶圓加工用粘合片。例如，在各種半導(dǎo)體的制造工序當(dāng)中，可以在對半導(dǎo)體晶圓的背面進行磨削的磨削工序中用作保護晶圓表面而使用的粘合片、或在將半導(dǎo)體晶圓切斷并分割成元件小片且通過拾取方式對該元件小片進行自動回收的切割工序中用作貼附在晶圓背面的固定支撐用粘合片等。
另外，可以對上述筒狀晶圓加工用粘合片進行開卷，并在開卷后的粘合片的放射線固化性粘合劑層上貼合半導(dǎo)體晶圓，然后，結(jié)合半導(dǎo)體晶圓的形狀而切斷上述粘合片，從而成為帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片。
其中，粘合劑層的粘合力可以根據(jù)使用目的等而進行適宜確定，但一般是根據(jù)相對半導(dǎo)體晶圓的密接維持性和從晶圓的剝離性等方面來確定的。當(dāng)固定并保護晶圓時，優(yōu)選放射線照射前的180°剝離(23℃，拉伸速度300mm/min)粘合力為1N/20mm帶寬以上。例如，優(yōu)選將放射線照射后粘合劑層的180°剝離粘合力調(diào)節(jié)至0.5N/20mm以下。
本發(fā)明的晶圓加工用粘合片可以按照常用方法使用。粘合片向半導(dǎo)體晶圓的圖形面的貼附，是以使圖形面朝上的方式將半導(dǎo)體晶圓載置于平臺上，在其上將粘合片的粘合劑層重疊在圖形面上，通過壓接滾筒等按壓機構(gòu)一邊按壓一邊貼附。另外，在可加壓的容器(例如高壓鍋等)中，如上所述地重疊半導(dǎo)體晶圓和粘合片，通過向容器內(nèi)加壓而能夠貼附在晶圓上。此時，可以通過按壓機構(gòu)一邊按壓一邊貼附。另外，也能夠在真空室內(nèi)進行與上述相同的貼附。貼附方法并不限于這些，在貼附時，也能夠加熱至基材薄膜的熔點以下。
例如，可以采用常用方法進行薄膜加工。作為薄型加工機，可以舉出磨削機(背面研磨)、CMP墊片等。進行薄型加工直至半導(dǎo)體晶圓達到希望的厚度。在薄型加工后從半導(dǎo)體晶圓上剝離粘合片，對放射線固化性粘合劑層照射放射線以降低粘合力而進行剝離。對放射線照射的機構(gòu)沒有特別限制，例如可以通過紫外線照射等進行。
下面，通過實施例說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實施例。
<輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)以及微觀不平度十點高度(Rz)的測定>
以JIS B 0601-1994為基準(zhǔn)，使用超深度形狀測定顯微鏡(キ一エンス公司制，VK-8510型)在下述條件下進行測定。
倍率1000倍測定模式彩色超深度測定測定(掃描)距離13～20μm掃描間距0.02μm激光增益自動激光敏感性Gamma 1<粘合力的測定>
結(jié)合硅反射鏡晶圓的尺寸將制作的保存前的筒狀加工用粘合片切斷，制作標(biāo)簽狀的晶圓加工用粘合片。從該晶圓加工用粘合片上剝離脫模薄膜(根據(jù)情況也有襯紙薄膜)，將粘合劑層貼附在硅反射鏡晶圓上。然后，使用オリエンテツク社制的TENSILONRTM-100型，在下述的條件下測定放射線固化前的粘合劑層的粘合力。進而，對該粘合劑層在下述條件下照射紫外線，并和上述同樣地測定放射線固化后的粘合劑層的粘合力。
另外，在50℃、濕度60％的條件下將制作的筒狀晶圓加工用粘合片保存30小時后，將從該筒狀晶圓加工用粘合片的起始端的50m內(nèi)側(cè)部分的粘合片切出來。然后，與上述同樣地將粘合劑層貼合在硅反射鏡晶圓上，測定放射線固化前的粘合劑層的粘合力。進而，對該粘合劑層在下述條件下照射紫外線，并和上述同樣地測定放射線固化后的粘合劑層的粘合力。
測定溫度、濕度23℃、60％剝離角度180°剝離速度300mm/min紫外線(UV)照射裝置日東精機(株)制，NEL UM-810紫外線照射積分光量500mJ/cm2實施例1(層疊薄膜的制作)使由丙烯酸乙酯(MEHQ濃度100ppm)100重量份、2-丙烯酸羥乙酯(MEHQ濃度300ppm)25重量份、以及作為聚合引發(fā)劑的過氧化苯甲酰0.2重量份構(gòu)成的配合組合物在甲苯中為40重量％而進行配合，在氮氣氣氛且60℃下使其發(fā)生共聚反應(yīng)6小時，得到丙烯酸類共聚聚合物溶液。接著，相對該丙烯酸類共聚聚合物100重量份，在存在有機錫催化劑(二月桂酸二丁基錫)0.1重量份的情況下，在50℃下使2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(BHT濃度400ppm)20重量份發(fā)生加成反應(yīng)12小時，在聚合物分子內(nèi)側(cè)鏈上引入碳—碳雙鍵而得到放射線固化性聚合物溶液。放射線固化性聚合物(固態(tài)成分)中的聚合抑制劑(BHT+MEHQ)的殘留總濃度為50ppm(這些聚合抑制劑含在原料單體中)。然后，相對該聚合物(固態(tài)成分)100重量份，在溶液中對聚異氰酸酯類交聯(lián)劑(日本聚氨酯工業(yè)(株)制，Coronate L)1重量份、光聚合引發(fā)劑(Chiba Specialtychemicals制、Irgacure 651)2.5重量份進行混合而得到粘合劑組合物。然后，添加2，6-二叔丁基羥基甲苯(BHT)以使粘合劑組合物中的固態(tài)成分的聚合抑制劑的總濃度為100ppm，從而得到放射線固化性粘合劑。
通過事先進行噴砂處理，在單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)調(diào)節(jié)成1.6μm以及微觀不平度十點高度(Rz)調(diào)節(jié)成15.0μm的基材薄膜(PET、厚度50μm)的另一面?zhèn)韧糠笊鲜龇派渚€固化性粘合劑，干燥，形成放射線固化性粘合劑層(厚30μm)。進而，通過將一側(cè)的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的脫模薄膜(PET、厚38μm)的另一面?zhèn)?已進行剝離處理)貼合在上述粘合劑層上，制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)在300mm寬的上述層疊薄膜上插入切刀以使其寬為230mm，一邊繞著直徑為75mm的ABS樹脂制的卷筒芯進行卷取，一邊切斷層疊薄膜的兩端部，制作筒狀晶圓加工用粘合片。粘合片的卷取長度為100m。
實施例2(層疊薄膜的制作)使由丙烯酸乙酯(MEHQ濃度100ppm)30重量份、丙烯酸2-乙基己酯(MEHQ濃度100ppm)70重量份、丙烯酸10重量份、以及作為聚合引發(fā)劑的過氧化苯甲酰0.2重量份構(gòu)成的配合組合物在醋酸乙酯中為35重量％而進行配合，在氮氣氣氛且60℃下使其發(fā)生共聚反應(yīng)6小時，得到丙烯酸類共聚聚合物溶液。接著，相對該丙烯酸類共聚聚合物100重量份，在溶液中添加二季戊四醇六丙烯酸酯(MEHQ濃度500ppm)100重量份。該溶液中的固態(tài)成分的聚合抑制劑(MEHQ)的濃度為270ppm。然后，對于丙烯酸類共聚聚合物100重量份，在溶液中混合環(huán)氧類交聯(lián)劑(三菱瓦斯化學(xué)社制，テトラツドC)0.1重量份、光聚合引發(fā)劑(ChibaSpecialty chemicals制、Irgacure 651)2.5重量份，得到粘合劑組合物。然后，添加2，6-二叔丁基羥基甲苯(BHT)，以使粘合劑組合物中的固態(tài)成分的聚合抑制劑的總濃度為500ppm，而得到放射線固化性粘合劑。
通過事先進行噴砂處理，在單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)調(diào)節(jié)成2.6μm以及微觀不平度十點高度(Rz)調(diào)節(jié)成16.0μm的基材薄膜(PET、厚度50μm)的另一面?zhèn)韧糠笊鲜龅姆派渚€固化性粘合劑，干燥，形成粘合劑層(厚30μm)。進而，通過將另一側(cè)的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的脫模薄膜(PET、厚38μm)的另一面?zhèn)?已進行剝離處理)貼合在上述粘合劑層上，制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。
實施例3(層疊薄膜的制作)從模具中擠壓出已加熱、熔化的乙烯—醋酸乙烯酯共聚物，成型為薄膜狀。成型后馬上使該薄膜接觸輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)為3.5μm以及微觀不平度十點高度(Rz)為12μm的硅橡膠滾筒，并同時冷卻，制作了一面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為1.5μm、微觀不平度十點高度(Rz)為8.3μm的基材薄膜(乙烯—醋酸乙烯酯共聚物、厚115μm)。
然后，除了使用上述制作的基材薄膜之外，采用和實施例1同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。
實施例4(層疊薄膜的制作)使用單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的基材薄膜(PET、厚50μm)，以及預(yù)先經(jīng)過噴砂處理而將輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)調(diào)節(jié)成1.6μm、微觀不平度十點高度(Rz)為15.0μm的脫模薄膜(PET，厚38μm)；除此之外，采用和實施例1同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。
實施例5(層疊薄膜的制作)使用單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的基材薄膜(PET、厚50μm)，以及單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的脫模薄膜(PET，厚38μm)；除此之外，采用和實施例1同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)卷取時在基材薄膜和脫模薄膜之間插入寬230mm的襯紙薄膜(PET、厚25μm、基材薄膜側(cè)連同脫模薄膜側(cè)的Ra＝1.6μm、Rz＝15μm)，除此之外，采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。粘合片的卷取長度為100m。
實施例6
(層疊薄膜的制作)采用和實施例5相同的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)除了使用寬230mm的襯紙薄膜(PET、厚25μm、基材薄膜側(cè)的Ra＝1.6μm、Rz＝15μm，脫模薄膜側(cè)的Ra＝0.3μm、Rz＝5.0μm)之外，采用與實施例5相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。粘合片的卷取長度為100m。
實施例7(層疊薄膜的制作)采用和實施例5相同的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)除了使用寬230mm的襯紙薄膜(PET、厚25μm、基材薄膜側(cè)的Ra＝0.3μm、Rz＝5.0μm，脫模薄膜側(cè)的Ra＝1.6μm、Rz＝15μm)之外，采用與實施例5相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。粘合片的卷取長度為100m。
比較例1(層疊薄膜的制作)除了使用單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的基材薄膜(PET、厚50μm)之外，采用和實施例1同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。
比較例2(層疊薄膜的制作)除了使用單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.5μm、微觀不平度十點高度(Rz)為6.5μm的基材薄膜(PET、厚50μm)之外，采用和實施例2同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。
比較例3
(層疊薄膜的制作)除了使用單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.4μm、微觀不平度十點高度(Rz)為7.8μm的基材薄膜(乙烯—醋酸乙烯酯共聚物、厚115μm)之外，采用和實施例1同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。
比較例4(層疊薄膜的制作)添加2，6-二叔丁基羥基甲苯(BHT)，以使粘合劑組合物中的固態(tài)成分的聚合抑制劑的總濃度為1000ppm，并使用單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的基材薄膜(PET、厚50μm)，除此之外，采用和實施例1同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。
比較例5(層疊薄膜的制作)添加2，6-二叔丁基羥基甲苯(BHT)，以使粘合劑組合物中的固態(tài)成分的聚合抑制劑的總濃度為10000ppm，并使用單面?zhèn)鹊妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為0.3μm、微觀不平度十點高度(Rz)為5.0μm的基材薄膜(PET、厚50μm)，除此之外，采用和實施例1同樣的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)采用與實施例1相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片比較例6(層疊薄膜的制作)采用和實施例5相同的方法制作層疊薄膜。
(筒狀晶圓加工用粘合片的制作)除了使用寬230mm的襯紙薄膜(PET、厚25μm、基材薄膜側(cè)以及脫模薄膜側(cè)的Ra＝0.3μm、Rz＝5.0μm)之外，采用與實施例5相同的方法制作筒狀晶圓加工用粘合片。粘合片的卷取長度為100m。
表1

由表1可知，當(dāng)基材薄膜或脫模薄膜的表面粗糙時(實施例1～4)，保管后的粘合力降低小。這是因為粘合劑層的自由基聚合反應(yīng)受到抑制。然后，紫外線照射后粘合力充分降低。另一方面，當(dāng)基材薄膜或脫模薄膜的表面不粗糙時(比較例1～3)，保管后的粘合力降低大。這是因為粘合劑層的自由基聚合反應(yīng)在保管過程中進行。當(dāng)粘合劑層中的聚合抑制劑的量多時(比較例4、5)，保管后的粘合力降低受到抑制，但明顯阻礙紫外線照射造成的粘合力降低。
另外，當(dāng)襯紙薄膜的表面粗糙時(實施例5～7)，保管后的粘合力也幾乎沒有降低。這是因為粘合劑層的自由基聚合反應(yīng)受到抑制。然后，紫外線照射后粘合力充分降低。另一方面，當(dāng)襯紙薄膜的表面不粗糙時(比較例1～3)，保管后的粘合力降低大。這是因為粘合劑層的自由基聚合反應(yīng)在保管過程中進行。
權(quán)利要求
1.一種筒狀晶圓加工用粘合片，是將由基材薄膜、放射線固化性粘合劑層、以及脫模薄膜按照該順序進行層疊而成的層疊薄膜，多重纏繞而形成的筒狀晶圓加工用粘合片，其特征在于，所述基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻娴妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為1μm以上，且所述放射線固化性粘合劑層中所含的自由基聚合抑制劑的重量低于1000ppm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀晶圓加工用粘合片，其特征在于，所述基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻娴奈⒂^不平度十點高度(Rz)為8μm以上。
3.一種筒狀晶圓加工用粘合片，是將由基材薄膜、放射線固化性粘合劑層、以及脫模薄膜按照該順序進行層疊而成的層疊薄膜，多重纏繞而形成的筒狀晶圓加工用粘合片，其特征在于，在所述基材薄膜或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的其它面上層疊襯紙薄膜，該襯紙薄膜的單側(cè)或雙側(cè)表面的輪廓算術(shù)平均偏差(Ra)為1μm以上，且所述放射線固化性粘合劑層中所含的自由基聚合抑制劑的重量低于1000ppm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的筒狀晶圓加工用粘合片，其特征在于，所述襯紙薄膜的單側(cè)或雙側(cè)表面的微觀不平度十點高度(Rz)為8μm以上。
5.一種晶圓加工用粘合片，其特征在于，是將權(quán)利要求1～4中任意一項所述的筒狀晶圓加工用粘合片對應(yīng)于半導(dǎo)體晶圓的形狀進行切斷而成。
6.一種帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片的制造方法，其特征在于，含有在權(quán)利要求1～4中任意一項所述的筒狀晶圓加工用粘合片的放射線固化性粘合劑層上貼合半導(dǎo)體晶圓的工序、和對應(yīng)半導(dǎo)體晶圓的形狀切斷所述粘合片的工序。
7.一種帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片，其特征在于，通過權(quán)利要求6所述的方法制造。
8.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在將權(quán)利要求5所述的晶圓加工用粘合片的放射線固化性粘合劑層貼合在半導(dǎo)體晶圓的狀態(tài)下對半導(dǎo)體晶圓實施加工。
9.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，對權(quán)利要求7所述的帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片的半導(dǎo)體晶圓實施加工。
10.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，通過權(quán)利要求8或者9所述的方法制造。
全文摘要
一種保存穩(wěn)定性、放射線固化性以及對晶圓的低污染性優(yōu)異的筒狀晶圓加工用粘合片，是將由基材薄膜、放射線固化性粘合劑層、以及脫模薄膜按順序?qū)盈B而成的層疊薄膜，多重纏繞而形成的筒狀晶圓加工用粘合片，所述基材薄膜和/或脫模薄膜的與放射線固化性粘合劑層接觸的面的另外面?zhèn)缺砻娴妮喞阈g(shù)平均偏差(Ra)為1μm以上，且所述放射線固化性粘合劑層中所含的自由基聚合抑制劑的重量低于1000ppm。另外本發(fā)明還提供切斷筒狀晶圓加工用粘合片而成的晶圓加工用粘合片、以及帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片。進而本發(fā)明還提供使用了晶圓加工用粘合片或帶半導(dǎo)體晶圓的粘合片的半導(dǎo)體元件的制造方法、以及通過該制造方法得到的半導(dǎo)體元件。
文檔編號C09J7/02GK1660952SQ200510051660
公開日2005年8月31日 申請日期2005年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月26日
發(fā)明者橋本浩一, 山本和彥 申請人:日東電工株式會社