專利名稱：光刻膠涂覆裝置及其方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于光刻工藝中的光刻膠涂覆裝置，特別涉及一種在光刻工藝過程中，光刻膠噴頭與晶片之間的位置能夠被精確定位的光刻膠涂覆裝置及方法。
背景技術：
光刻工藝是芯片制造技術中用得最頻繁、最關鍵的技術之一，凡是半導體元件、光電器件等，都需要用光刻工藝將所需元件的基本組成單元和線路的掩膜圖形轉移到襯底表面的光刻膠圖形上，例如晶片或玻璃基板上。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等三大步驟。涂膠工藝的目的是在晶片表面建立薄而均勻、并且沒有缺陷的光刻膠膜。目前常用的涂膠工藝是采用動態(tài)噴涂的方法，先將晶片置于光刻膠涂覆裝置的晶片承載臺上，然后承載臺以低速旋轉，此時光刻膠噴嘴將光刻膠噴涂于晶片表面。低速旋轉的作用是幫助光刻膠最初的擴散。用這種方法可以用較少量的光刻膠達到均勻的光刻膠膜。光刻膠擴展開之后，承載臺加速至高速甩開光刻膠使光刻膠擴展得到光刻膠膜。
光刻膠膜最終的厚度和均勻性由光刻膠黏度、表面張力、光刻膠的干燥屬性等決定。專利號為ZL98101653.7的韓國專利公開了一種光刻膠噴涂的裝置和方法，其光刻膠以掃描方式進行噴涂，如圖1所示，晶片11的轉速相對于晶片上被噴涂光刻膠的位置不同而不同，從而減少用于涂層的光刻膠的用量。其噴涂的方式是在噴嘴10對所述晶片11從邊緣向其中心掃描的同時噴涂光刻膠，在掃描過程中，晶片的旋轉速度隨著噴嘴自邊緣向中心的移動而逐漸增加。這種噴涂方式的光刻膠膜厚度的均勻性與晶片上每一點的速度、離心力、表面張力、噴頭移動速度、晶片旋轉的加速度等因素存在復雜的力學關系，難以精確控制。光刻膠膜最終的厚度和均勻性是很重要的，若是利用膜厚不均勻的光刻膠膜進行光刻工藝，會嚴重影響到半導體元件線條的臨界尺寸(critical dimension，CD)，進而降低產(chǎn)品的良品率。在實踐中，光刻膠黏度、表面張力、光刻膠的干燥屬性等決定是光刻膠的自身性質，而光刻膠液是否由晶片的圓心開始擴展對光刻膠膜最終的厚度和均勻性起著至關重要的作用。也就是說，光刻膠噴嘴要準確地與晶片同心且位于晶片上方確定高度，這樣噴膠時膠液能夠滴落在晶片的中心，晶片高速旋轉后才能使其表面形成厚度均勻的光刻膠膜?，F(xiàn)有技術的光刻膠涂覆裝置中沒有提供調整光刻膠噴頭與晶片的同心度和光刻膠噴頭距離晶片的高度的手段，只能靠工程師目測調整，結果很不準確，而且每次光刻前都需要進行調整，十分不便且不利于提高生產(chǎn)效率。因此需要能夠精確定位光刻膠噴頭與晶片的同心度和高度且使用方便的的光刻膠涂覆裝置和方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠精確校準光刻膠噴嘴與晶片表面的同心度和高度且使用方便的光刻膠涂覆裝置及其方法。
為達到上述目的，本發(fā)明提供的一種光刻膠噴涂裝置包括噴涂光刻膠的噴嘴；放置至少一個光刻膠噴嘴的噴嘴卡槽；抓取光刻膠噴嘴并可帶動噴嘴移動和升降的噴嘴抓取臂；承載需要噴涂光刻膠的晶片的晶片承載臺；帶動晶片承載臺進行旋轉的旋轉機構；置于噴嘴卡槽、校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度的偽噴嘴；以及控制系統(tǒng)，控制噴嘴抓取臂的移動并記憶噴嘴抓取臂抓取噴嘴的起始位置，和旋轉機構帶動晶片承載臺旋轉的速度；供膠系統(tǒng)，為所述噴嘴供應光刻膠的。
晶片承載臺具有中心孔和吸盤。
所述偽噴嘴包括外罩和標尺軸，標尺軸置于外罩內(nèi)，所述外罩的外形尺寸與噴嘴的外形尺寸相同，所述標尺軸包括軸體和止動帽，止動帽位于軸體頂部。
所述外罩內(nèi)沿軸向設有臺階狀通孔，臺階狀通孔上部的直徑大于臺階狀通孔下部的直徑；所述標尺軸的軸體的直徑與所述臺階狀通孔下部的直徑相配合，所述標尺軸的止動帽的直徑與所述外罩的上部通孔的內(nèi)徑相配合。
所述標尺軸伸出所述外罩的下端表面特定長度。
在所述外罩外表側面的特定位置設有一個螺紋通孔。
所述標尺軸的下部設有刻度線。
所述標尺軸刻度線的最小分辨率為0.5mm。
相應地，本發(fā)明還提供了一種利用上述光刻膠噴涂裝置噴涂光刻膠的方法，包括步驟a.噴嘴抓取臂抓取偽噴嘴校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度；b.噴嘴抓取臂抓取噴嘴移動到需要噴涂光刻膠的晶片表面；c.向晶片表面噴涂光刻膠。
所述步驟a進一步包括a1.將偽噴嘴的標尺軸的軸體穿過外罩的下部通孔并伸出所述外罩的下端特定長度；a2.用螺釘旋入外表面的特定位置的螺紋通孔固定外罩內(nèi)的標尺軸；a3.噴嘴抓取臂移動到噴嘴卡槽抓取偽噴嘴，將偽噴嘴移動到晶片承載臺上方；a4.噴嘴抓取臂帶動偽噴嘴下降，使伸出外罩下端的標尺軸穿過晶片承載臺的中心孔；a5.噴嘴抓取臂提升偽噴嘴，將試片放在晶片承載臺的表面；a6.噴嘴抓取臂帶動偽噴嘴下降，使標尺軸的下端面貼于試片表面；a7.控制系統(tǒng)記憶此刻的噴嘴抓取臂抓取噴嘴的位置。
所述步驟b進一步包括b1.噴嘴抓取臂將偽噴嘴放入噴嘴卡槽，抓取實際使用的噴嘴；b2.移去試片，將需要進行噴涂光刻膠的晶片放在晶片承載臺上；所述步驟c進一步包括c1.噴嘴抓取臂將噴嘴移動到記憶位置；c2.旋轉機構帶動晶片承載臺開始低速旋轉，噴嘴開始向晶片表面噴涂光刻膠；c3.晶片承載臺以高速旋轉得到均勻的光刻膠膜。
由控制系統(tǒng)控制噴嘴抓取臂的移動，并記憶噴嘴抓取臂抓取噴嘴的起始位置，以及晶片承載臺的轉速。
由供膠系統(tǒng)為噴嘴供應光刻膠。
所述標尺軸的下部設有刻度線。
所述標尺軸刻度線的最小分辨率為0.5mm。
由于采用了上述技術方案，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(1)本發(fā)明采用了與噴嘴外形尺寸完全相同的偽噴嘴，在進行光刻工藝正式噴涂光刻膠之前，首先由控制系統(tǒng)控制噴嘴抓取臂抓取偽噴嘴，通過令偽噴嘴中的標尺軸穿過晶片承載臺的中心孔來定位噴嘴與晶片承載臺的同心度，由于晶片的放置是以晶片的圓心與晶片承載臺中心通孔同心的方式，所以偽噴嘴與晶片承載臺同心也就保證了噴嘴與晶片的同心。用試片來校準光刻膠噴嘴距晶片表面的高度，通過令偽噴嘴中的標尺軸伸出偽噴嘴下端面預定長度，當令標尺軸的底面接觸到試片時，偽噴嘴的下端面距試片表面的高度就是標尺軸伸出偽噴嘴下端面的預定長度，這一長度就是偽噴嘴的下端面距試片表面的高度。由于試片與晶片的厚度一致，所以一旦準確定位了偽噴嘴的下端面距試片表面的高度，噴嘴距晶片的高度也就精確定位了。由控制系統(tǒng)控制噴嘴抓取臂的移動并記憶噴嘴抓取臂在晶片承載臺上方的位置，在更換噴嘴時也能夠精確地定位噴嘴與晶片表面調整好的同心度和高度。這樣，在噴涂的過程中，噴嘴噴出的光刻膠液就能夠準確地落在晶片的圓心，經(jīng)承載臺高速旋轉便在晶片表面形成了均勻的光刻膠膜。
(2)由于利用噴嘴抓取臂抓取偽噴嘴來校準光刻膠噴嘴與晶片表面的同心度和高度并由控制系統(tǒng)記憶校準后的位置，再由噴嘴抓取臂抓取噴嘴運行到記憶的位置，噴嘴就與晶片表面準確地同心并位于預定高度，使得只要通過一次校準就可以使后續(xù)抓取的噴嘴精確定位于晶片上方，不必反復調整，提高了光刻工藝中光刻膠噴涂的效率。


圖1為現(xiàn)有技術的光刻膠噴涂裝置示意圖；圖2為本發(fā)明光刻膠噴涂裝置的結構示意圖；
圖3為本發(fā)明的偽噴嘴外形圖；圖4為本發(fā)明的偽噴嘴的剖面圖；圖5為本發(fā)明夾裝偽噴嘴校準光刻膠噴嘴與晶片表面的同心度和高度的說明圖；圖6為本發(fā)明光刻膠噴涂裝置夾裝噴嘴噴涂光刻膠的狀態(tài)圖；圖7為本發(fā)明噴涂光刻膠的方法流程圖。
符號說明10、噴嘴 11、晶片、20、光刻膠噴涂裝置21、晶片承載臺、22、偽噴嘴23、噴嘴24、噴嘴卡槽 25、噴嘴抓取臂26、旋轉機構 31、外罩32、標尺軸33、螺紋通孔41、外罩 42、標尺軸43、止動帽51、外罩52、標尺軸53、噴嘴抓取臂54、試片 55、晶片承載臺56、旋轉機構 57、偽噴嘴58、晶片承載臺中心孔 59、螺紋通孔61、噴嘴抓取臂62、噴嘴63、晶片 64、晶片承載臺65、旋轉機構具體實施方式
下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細說明。
本發(fā)明光刻膠噴涂裝置在光刻工藝過程中起著將光刻膠噴涂在晶片表面以便在晶片表面形成均勻的光刻膠膜的關鍵作用。本發(fā)明利用偽噴嘴校準噴嘴和晶片的同心度以及噴嘴距晶片表面的高度。在優(yōu)選實施例中，將偽噴嘴中的標尺軸伸出外罩下端面5±0.1mm，亦即將噴嘴距晶片表面的高度調整為5±0.1mm。用優(yōu)選實施例來說明本發(fā)明的實現(xiàn)過程和本質內(nèi)容所在。
圖2為本發(fā)明光刻膠噴涂裝置的結構示意圖。如圖2所示，本發(fā)明的光刻膠噴涂裝置包括晶片承載臺21、旋轉機構26、噴嘴卡槽24、噴涂光刻膠的噴嘴23、校準用偽噴嘴22、噴嘴抓取臂25、控制系統(tǒng)和供膠系統(tǒng)。晶片承載臺21用于承載需要噴涂光刻膠的晶片，旋轉機構26用于帶動晶片承載臺進行旋轉。在晶片承載臺21的表面具有吸盤，其與氣路系統(tǒng)連接，氣路系統(tǒng)在晶片承載臺的表面形成負壓，從而可將晶片吸附在晶片承載臺21的表面。晶片承載臺21的中心設有中心孔，晶片以其圓心與中心孔同心的方式放置在晶片承載臺21上。在晶片承載臺21的旁邊布置有噴嘴卡槽24，用于放置至少一個噴涂光刻膠的噴嘴23。噴嘴卡槽24上通常放置若干個噴嘴23，噴嘴23的連接管路與不同的光刻膠儲存容器連接，以配合不同的光刻工藝提供不同的光刻膠。噴嘴卡槽24上通常會有空閑的位置，本發(fā)明的偽噴嘴22即與實際使用的噴嘴并排置于噴嘴卡槽24的空閑的位置上。偽噴嘴22用于校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度，與實際使用的噴嘴并排放置的目的是為了便于噴嘴抓取臂25抓取并可帶動噴嘴移動和升降。本發(fā)明光刻膠噴涂裝置還包括控制系統(tǒng)，借助光刻系統(tǒng)本身的控制軟件來控制噴嘴抓取臂25抓取噴嘴的移動方向并記憶噴嘴抓取臂抓取噴嘴停留的起始位置。此外還包括供膠系統(tǒng)，用于為噴嘴23供應所需的光刻膠。由控制系統(tǒng)控制噴嘴抓取臂25抓取噴嘴23移動到晶片上方時光刻膠的噴涂。
圖3為本發(fā)明光刻膠噴涂裝置的偽噴嘴的外形圖。如圖3所示，本發(fā)明的偽噴嘴由外罩31和標尺軸32兩部分組成。標尺軸32伸出外罩31下端表面。外罩31的外形尺寸與實際使用的噴嘴完全相同，以便保證校準的一致性。外罩31的外表面具有螺紋，可螺設于噴嘴抓取臂。在外罩的外表面靠近下端的位置設有一個螺紋通孔33，通過將一個螺絲釘旋入螺紋孔可固定外罩31內(nèi)的標尺軸32使之不致脫落。
圖4為本發(fā)明光刻膠噴涂裝置的偽噴嘴的剖面圖。參見圖4，偽噴嘴包括外罩41和標尺軸42兩部分，標尺軸在使用時置于外罩內(nèi)。外罩的外形尺寸被設計得與噴嘴的外形尺寸相同，上部為圓柱體，下部為錐體。在外罩內(nèi)沿軸向設有臺階狀通孔，臺階狀通孔上半部分的直徑大于臺階狀通孔下半部分的直徑。標尺軸的頂部具有止動帽43，標尺軸42的軸體直徑被設計成與外罩內(nèi)部臺階狀通孔下半部分的直徑相配合，使標尺軸42的軸體可穿過外罩內(nèi)部臺階狀通孔下半部分并伸出外罩的下端。標尺軸42的軸體頂部的止動帽43的直徑被設計成與所述外罩的上部通孔的內(nèi)徑相配合。這樣，在軸體穿過外罩內(nèi)部臺階狀通孔下半部分并伸出外罩的下端達到一定長度時，止動帽43便碰到臺階起道止動作用，使標尺軸42不會從外罩中掉出。本發(fā)明光刻膠噴涂裝置的偽噴嘴的標尺軸42伸出外罩的下端表面特定長度，在優(yōu)選實施例中的特定長度設為5±0.5mm。為了保證標尺軸伸出外罩的下端表面的長度準確，在標尺軸42的下部標有刻度線，且標尺軸刻度線的每根刻度線之間的距離為0.5mm。這樣通過數(shù)算標尺軸伸出外罩的下端表面的刻度線就可計算出標尺軸伸出外罩的下端表面的準確長度。
圖5為本發(fā)明夾裝偽噴嘴校準光刻膠噴嘴與晶片表面的同心度和高度的說明圖。如圖5所示，通過將螺絲釘旋入外罩表面的螺紋孔59便可固定外罩內(nèi)的標尺軸，從而將標尺軸伸出外罩的下端表面的長度固定?？刂葡到y(tǒng)控制噴嘴抓取臂53抓取偽噴嘴57并將帶動偽噴嘴移動到晶片承載臺55上方，隨后下降偽噴嘴57使得伸出外罩的下端表面的標尺軸52穿過晶片承載臺上的中心孔58。通過令偽噴嘴57中的標尺軸52穿過晶片承載臺的中心孔58來定位偽噴嘴57與晶片承載臺55的同心度，由于晶片的放置是以晶片的圓心與晶片承載臺55中心孔58同心的方式，偽噴嘴57外罩的外形尺寸與實際使用的噴嘴的外形尺寸完全相同，所以偽噴嘴57與晶片承載臺55同心也就保證了噴嘴與晶片的同心。將試片54放在晶片承載臺55上，用試片54來校準光刻膠噴嘴距晶片表面的高度，將偽噴嘴57中的標尺軸52伸出偽噴嘴下端面的長度設置為5mm，當令標尺軸52的底面接觸到試片54時，由于偽噴嘴57的下端面距試片54表面的高度是標尺軸52伸出偽噴嘴57下端面的長度，這一長度也就是偽噴嘴57的下端面距試片54表面的高度。由于試片54與實際要噴涂光刻膠的晶片的厚度一致，所以一旦準確定位了偽噴嘴57的下端面距試片54表面的高度，噴嘴距晶片的5mm的高度也就確定了。
圖6為本發(fā)明光刻膠噴涂裝置夾裝噴嘴噴涂光刻膠的狀態(tài)圖。如圖6所示，由控制系統(tǒng)控制噴嘴抓取臂61的移動并記憶噴嘴抓取臂61在晶片承載臺64上方的位置，在將偽噴嘴更換為實際使用的噴嘴62時也能夠精確地定位噴嘴62與晶片63表面調整好的同心度和高度。這樣，在噴涂的過程中，噴嘴62噴出的光刻膠液就能夠準確地落在晶片63的圓心，經(jīng)旋轉機構65帶動承載臺64高速旋轉便在晶片63表面形成了均勻的光刻膠膜。
圖7為本發(fā)明噴涂光刻膠的方法流程圖。本發(fā)明利用光刻膠噴涂裝置噴涂光刻膠的方法主要包括三個步驟，即1.噴嘴抓取臂抓取偽噴嘴校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度；2.噴嘴抓取臂抓取噴嘴移動到需要噴涂光刻膠的晶片表面；3.向晶片表面噴涂光刻膠。
其中，步驟1又具體包括如下幾個步驟將偽噴嘴的標尺軸的軸體穿過外罩的下部通孔并伸出所述外罩的下端特定長度；用螺釘旋入外表面的特定位置的螺紋通孔固定外罩內(nèi)的標尺軸；噴嘴抓取臂移動到噴嘴卡槽抓取偽噴嘴，將偽噴嘴移動到晶片承載臺上方；噴嘴抓取臂帶動偽噴嘴下降，使伸出外罩下端的標尺軸穿過晶片承載臺的中心孔；噴嘴抓取臂提升偽噴嘴，將試片放在晶片承載臺的表面；噴嘴抓取臂帶動偽噴嘴下降，使標尺軸的下端面貼于試片表面；控制系統(tǒng)記憶此刻的噴嘴抓取臂抓取噴嘴的位置。
步驟2進一步包括噴嘴抓取臂將偽噴嘴放入噴嘴卡槽，抓取實際使用的噴嘴；移去試片，將需要進行噴涂光刻膠的晶片放在晶片承載臺上。
步驟3還包括
噴嘴抓取臂將噴嘴移動到記憶位置；晶片承載臺開始低速旋轉，噴嘴開始向晶片表面噴涂光刻膠；晶片承載臺高速旋轉從而在晶片表面得到均勻的光刻膠膜。
通過上述過程，本發(fā)明光刻膠噴涂裝置能夠精確校準光刻膠噴嘴與晶片表面的同心度和高度。由于利用噴嘴抓取臂抓取偽噴嘴來校準光刻膠噴嘴與晶片表面的同心度和高度并由控制系統(tǒng)記憶校準后的位置，再由噴嘴抓取臂抓取噴嘴運行到記憶的位置，噴嘴就與晶片表面準確地同心并位于預定高度，使得只要通過一次校準就可以使后續(xù)抓取的噴嘴精確定位于晶片上方，不必反復調整，提高了光刻工藝中光刻膠噴涂的效率。
雖然通過實施例描繪了本發(fā)明，本領域普通技術人員知道，本發(fā)明有許多變形和變化而不脫離本發(fā)明的精神，希望所附的權利要求包括這些變形和變化而不脫離本發(fā)明的精神。
權利要求
1.一種光刻膠噴涂裝置，所述裝置包括噴涂光刻膠的噴嘴；放置至少一個光刻膠噴嘴的噴嘴卡槽；抓取光刻膠噴嘴并可帶動噴嘴移動和升降的噴嘴抓取臂；承載需要噴涂光刻膠的晶片的晶片承載臺；帶動晶片承載臺進行旋轉的旋轉機構；置于噴嘴卡槽、校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度的偽噴嘴；以及控制系統(tǒng)，控制噴嘴抓取臂的移動并記憶噴嘴抓取臂抓取噴嘴的起始位置，和旋轉機構帶動晶片承載臺旋轉的速度；供膠系統(tǒng)，為所述噴嘴供應光刻膠的。
2.如權利要求1所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于晶片承載臺具有中心孔和吸盤。
3.如權利要求1所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于所述偽噴嘴包括外罩和標尺軸，標尺軸置于外罩內(nèi)，所述外罩的外形尺寸與噴嘴的外形尺寸相同，所述標尺軸包括軸體和止動帽，止動帽位于軸體頂部。
4.如權利要求3所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于所述外罩內(nèi)沿軸向設有臺階狀通孔，臺階狀通孔上部的直徑大于臺階狀通孔下部的直徑；所述標尺軸的軸體的直徑與所述臺階狀通孔下部的直徑相配合，所述標尺軸的止動帽的直徑與所述外罩的上部通孔的內(nèi)徑相配合。
5.如權利要求4所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于所述標尺軸伸出所述外罩的下端表面特定長度。
6.如權利要求3所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于在所述外罩外表側面的特定位置設有一個螺紋通孔。
7.如權利要求3或4所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于所述標尺軸的下部設有刻度線。
8.如權利要求7所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于所述標尺軸刻度線的最小分辨率為0.5mm。
9.一種利用權利要求1所述光刻膠噴涂裝置噴涂光刻膠的方法，包括步驟a.噴嘴抓取臂抓取偽噴嘴校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度；b.噴嘴抓取臂抓取噴嘴移動到需要噴涂光刻膠的晶片表面；c.向晶片表面噴涂光刻膠。
10.如權利要求9所述的噴涂光刻膠的方法，其特征在于所述步驟a進一步包括a1.將偽噴嘴的標尺軸的軸體穿過外罩的下部通孔并伸出所述外罩的下端特定長度；a2.用螺釘旋入外表面的特定位置的螺紋通孔固定外罩內(nèi)的標尺軸；a3.噴嘴抓取臂移動到噴嘴卡槽抓取偽噴嘴，將偽噴嘴移動到晶片承載臺上方；a4.噴嘴抓取臂帶動偽噴嘴下降，使伸出外罩下端的標尺軸穿過晶片承載臺的中心孔；a5.噴嘴抓取臂提升偽噴嘴，將試片放在晶片承載臺的表面；a6.噴嘴抓取臂帶動偽噴嘴下降，使標尺軸的下端面貼于試片表面；a7.控制系統(tǒng)記憶此刻的噴嘴抓取臂抓取噴嘴的位置。
11.如權利要求9所述的噴涂光刻膠的方法，其特征在于所述步驟b進一步包括b1.噴嘴抓取臂將偽噴嘴放入噴嘴卡槽，抓取實際使用的噴嘴；b2.移去試片，將需要進行噴涂光刻膠的晶片放在晶片承載臺上；
12.如權利要求9所述的噴涂光刻膠的方法，其特征在于所述步驟c進一步包括c1.噴嘴抓取臂將噴嘴移動到記憶位置；c2.旋轉機構帶動晶片承載臺開始低速旋轉，噴嘴開始向晶片表面噴涂光刻膠；c3.晶片承載臺以高速旋轉得到均勻的光刻膠膜。
13.如權利要求9或10所述的噴涂光刻膠的方法，其特征在于由控制系統(tǒng)控制噴嘴抓取臂的移動，并記憶噴嘴抓取臂抓取噴嘴的起始位置，以及晶片承載臺的轉速。
14.如權利要求12所述的噴涂光刻膠的方法，其特征在于由供膠系統(tǒng)為噴嘴供應光刻膠。
15.如權利要求10所述的噴涂光刻膠的方法，其特征在于所述標尺軸的下部設有刻度線。
16.如權利要求15所述的光刻膠噴涂裝置，其特征在于所述標尺軸刻度線的最小分辨率為0.5mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻膠噴涂裝置，所述裝置包括噴涂光刻膠的噴嘴；放置至少一個光刻膠噴嘴的噴嘴卡槽；抓取光刻膠噴嘴并可帶動噴嘴移動和升降的噴嘴抓取臂；承載需要噴涂光刻膠的晶片的晶片承載臺；帶動晶片承載臺進行旋轉的旋轉機構；置于噴嘴卡槽、校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度的偽噴嘴；控制噴嘴抓取臂的移動并記憶噴嘴抓取臂抓取噴嘴的位置的控制系統(tǒng)；以及為所述噴嘴供應光刻膠的光刻膠供應系統(tǒng)。本發(fā)明還相應提供了一種噴涂光刻膠的方法，包括噴嘴抓取臂抓取偽噴嘴校準噴嘴與晶片表面的同心度和高度；噴嘴抓取臂抓取噴嘴移動到需要噴涂光刻膠的晶片表面；向晶片表面噴涂光刻膠。
文檔編號B05C11/08GK1987652SQ20051011167
公開日2007年6月27日 申請日期2005年12月19日 優(yōu)先權日2005年12月19日
發(fā)明者陳林炯, 胡曉明, 張峻銘 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司