專利名稱：白光發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種白光發(fā)光裝置，其尤指一種發(fā)光元件及其制造方法，其利用二發(fā)光層的發(fā)光元件與至少一螢光粉，以達(dá)具有高演色性的白光發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種固態(tài)的半導(dǎo)體元件，LED因其使用的材料不同，其內(nèi)電子、電洞所占的能階也有所不同，能階的高低差影響結(jié)合后光子的能量而產(chǎn)生不同波長(zhǎng)的光，也就是不同顏色的光，如紅、橙光、黃、綠、藍(lán)或不可見(jiàn)光等。
LED主要分為可見(jiàn)光與不可見(jiàn)光，其中可見(jiàn)光LED產(chǎn)品包括紅、黃及橘光等LED產(chǎn)品，應(yīng)用面為手機(jī)背光源及按鍵、PDA背光源、資訊與消費(fèi)性電子產(chǎn)品的指示燈、工業(yè)儀表設(shè)備、汽車用儀表指示燈與煞車燈、大型廣告看板、交通號(hào)志等，而不可見(jiàn)光LED包括IrDA、VCSEL及LD等，應(yīng)用面以通訊為主，主要分為二種，短波長(zhǎng)紅外光應(yīng)用在無(wú)線通訊用(如IrDA模組)、遙控器、感測(cè)器，長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外光則用在短距離中通訊用光源。
目前白光LED的應(yīng)用，在照明方面，主要是供汽車內(nèi)閱讀燈、裝飾燈等使用，其余約有95％以上是供LCD背光源使用，且因發(fā)光效率與壽命問(wèn)題，目前該產(chǎn)品主要是供小尺寸背光源使用，就應(yīng)用面來(lái)看，白光LED市場(chǎng)將以彩色手機(jī)的屏幕背光源及手機(jī)附數(shù)字相機(jī)的閃光燈最為看好，后續(xù)來(lái)看，白光LED目標(biāo)將在大尺寸LCD背光源以及全球照明光源替換市場(chǎng)。
高亮度藍(lán)色LED與螢光體(YAG:Ce)所構(gòu)成的白光LED更被視為新世代省能源光源。除此之外，紫外線(UV)LED與三波長(zhǎng)螢光體所構(gòu)成的白光LED也加入新世代光源的行列。
如美國(guó)專利第5,998,925號(hào)所揭示的是利用的混光式LED將GaN芯片和釔鋁石榴石(YAG)封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光(λp＝400～530nm，Wd＝30nm)，高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG螢光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍(lán)光LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層，約200-500nm。LED芯片發(fā)出的藍(lán)光一部分被YAG螢光粉吸收，另一部分藍(lán)光與YAG螢光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到白光。
但此種公知技術(shù)為欲增加紅光成份以達(dá)到高演色性，則須增加釔鋁石榴石中釔(Gd)的化學(xué)組成，但此可發(fā)紅光的YAG螢光粉的光轉(zhuǎn)換效率亦隨著釔(Gd)的化學(xué)組成的增加而降低，故此公知技術(shù)若欲得到高演色性的白光則相對(duì)會(huì)降低發(fā)光的效率。又如美國(guó)專利第6084250號(hào)所揭示的是利用可發(fā)出紫外光的LED與可吸收紫外光并分別發(fā)出R.G.B光的三種螢光粉混合而成可發(fā)白光的發(fā)光元件，但至今可吸收紫外光的螢光粉其光轉(zhuǎn)換效率均不及釔鋁石榴石系列的螢光粉，故需研發(fā)出更高效率的紫外光LED，才能達(dá)實(shí)用化。
再者，如中國(guó)臺(tái)灣公告案號(hào)第546852號(hào)的一種混光式發(fā)光二極管，其揭示提供一再不改變第一及第二發(fā)光層的組成與結(jié)構(gòu)，使其二主波峰的波長(zhǎng)固定下，僅需于兩發(fā)光層之間形成一穿遂性的障壁層，通過(guò)調(diào)整該可穿遂障壁層的寬度，來(lái)改變導(dǎo)電載子在此穿遂障壁層的穿遂機(jī)率，使得在兩個(gè)發(fā)光區(qū)域中參與光電能轉(zhuǎn)換的導(dǎo)電載子分布比例改變，即可改變兩主波峰的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度，因此第一發(fā)光層所發(fā)出的第一波長(zhǎng)第二發(fā)光層所發(fā)出的第二波長(zhǎng)范圍光相互混合，使其單顆晶粒本身即可發(fā)出特定色度的混合光(或白光)，若欲改變混合光的顏色，僅需改變?cè)摽纱┧煺媳趯拥膶挾?，?lái)調(diào)便混合光的顏色，因而簡(jiǎn)化混光式發(fā)光二極管的制造程序。此專利所揭示的結(jié)構(gòu)，理論上雖可行，但于兩發(fā)光層之間形成一穿遂性的障壁層，將增加元件的工作電壓，故以省電的目的，仍有其缺點(diǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的，在于提供一種白光發(fā)光裝置，其利用一發(fā)光二極管晶粒包含二發(fā)光層，并利用一第一螢光粉以吸收部分該二發(fā)光層的光，以發(fā)射出波長(zhǎng)較二發(fā)光層長(zhǎng)的光，且，加入一第二螢光粉以吸收部分該二發(fā)光層中之一的光，以發(fā)射出較二發(fā)光層及第一螢光粉波長(zhǎng)長(zhǎng)的光并與該二發(fā)光層的光混合，而產(chǎn)生具有高演色性的白色發(fā)光元件。
本實(shí)用新型的次要目的，在于提供一種白光發(fā)光裝置，其利用一發(fā)光二極管晶粒包含二發(fā)光層，并利用至少一螢光粉以吸收部分該二發(fā)光層的光，以發(fā)射出波長(zhǎng)較二發(fā)光層長(zhǎng)的光，并與該二發(fā)光層的光混合，而產(chǎn)生的白色發(fā)光元件。
為此，本實(shí)用新型一種白光發(fā)光裝置，其包含一發(fā)光二極管晶粒，其包含二可分別發(fā)出λ1及λ2波長(zhǎng)光的發(fā)光層；一封裝層，其封裝于該發(fā)光二極管晶粒的外側(cè)；一同時(shí)吸收該λ1及λ2部分波長(zhǎng)光、而發(fā)出λ3波長(zhǎng)光的第一螢光粉，其分布于該封裝層；以及一吸收該λ1部分波長(zhǎng)光、而發(fā)出λ4波長(zhǎng)光的第二螢光粉，其分布于該封裝層；其中，透過(guò)該λ1、λ2、λ3及λ4波長(zhǎng)的光混合成白光。
為達(dá)上述所指稱的各目的及其功效，本實(shí)用新型提出了一種白光發(fā)光裝置，其是揭示該發(fā)光元件包含二發(fā)光層，該二發(fā)光層可發(fā)射出λ1與λ2波長(zhǎng)的光，再利用一第一螢光粉以同時(shí)吸收部分該發(fā)光層的雙波長(zhǎng)而發(fā)射出λ3波長(zhǎng)的光，亦可利用另一第二螢光粉以吸收部分該發(fā)光層的其中之一波長(zhǎng)的光而發(fā)射出λ4波長(zhǎng)的光，通過(guò)該發(fā)光層的λ1與λ2波長(zhǎng)的光與單獨(dú)的λ3的光混合或亦混合λ4波長(zhǎng)的光，以達(dá)發(fā)射出白光的目的。
因此，本實(shí)用新型的白光發(fā)光裝置具有高演色性的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管包含螢光粉的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管包含螢光粉的光線示意圖；圖3A是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管包含螢光粉的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3B是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管包含螢光粉的光線示意圖；圖4A是公知技術(shù)的藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)YAG螢光粉的圖譜；圖4B是公知的藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)該第一螢光粉的圖譜；圖4C是公知的紫光發(fā)光二極管激發(fā)該第一螢光粉的圖譜；圖4D是公知的紫光發(fā)光二極管同時(shí)激發(fā)該第一及第二螢光粉的圖譜；圖4E是本實(shí)用新型的二發(fā)光層的發(fā)光二極管同時(shí)激發(fā)該第一、第二螢光粉的圖譜。
附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明1發(fā)光二極管芯片 10第一發(fā)光層 20第二發(fā)光層 30第一螢光粉40第二螢光粉 λ1光波長(zhǎng) λ2光波長(zhǎng)λ3光波長(zhǎng)λ4光波長(zhǎng) 5封裝層具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖1，其是本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖所示，本實(shí)用新型包含的發(fā)光二極管芯片1，其包含一第一發(fā)光層10及一第二發(fā)光層20，其中該發(fā)光層10及20通?？捎傻壪祷衔锇雽?dǎo)體所堆疊而成。該第一發(fā)光層10可發(fā)出一波長(zhǎng)范圍小于430nm的λ1，及該第二發(fā)光層20可發(fā)出另一波長(zhǎng)范圍的430nm≤λ2＜475nm。
請(qǐng)參閱圖2A，如圖所示，此實(shí)施例更包含一封裝層5與至少一第一螢光粉30，封裝層5封裝于發(fā)光二極管芯片1的外側(cè)，第一螢光粉30分布于封裝層5，該第一螢光粉30其是選擇自一(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、((Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn))Si2O7:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca)Al2O4:Eu、((Ba，Sr，Ca)1-xEux)(Mg，Zn)1-xMnx))Al10O17、((Ba，Sr，Ca，Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce，Tb、BAM:Eu、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce，Tb、BaMgAl10O17:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl，Eu，Mn、ZnS:Cu，Al、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua其中之一。
該第一螢光粉30可同時(shí)吸收該二發(fā)光層10及20所發(fā)出的波長(zhǎng)范圍的部分光λ1、λ2，而激發(fā)出一波長(zhǎng)范圍的520nm≤λ3＜600nm，上述的三種不同范圍的波長(zhǎng)λ1、λ2、λ3可混合而成一白光，且λ1＜λ2＜λ3，如圖2B所示。
再者，請(qǐng)參閱圖3A以及圖3B，如圖所示，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管包含一第一螢光粉30，其包含至少一成份可同時(shí)吸收該二發(fā)光層10及20所發(fā)出的波長(zhǎng)范圍λ1、λ2的部分光，而激發(fā)出一波長(zhǎng)范圍的520nm≤λ3＜600nm，且，本實(shí)用新型包含一第二螢光粉40，其可單獨(dú)吸收該發(fā)光層10部分光，而激發(fā)出一波長(zhǎng)范圍的600nm≤λ4＜680nm，上述四種不同范圍的波長(zhǎng)λ1、λ2、λ3、λ4可混合而成一寬波長(zhǎng)頻譜及高演色性的白光，且λ1＜λ2＜λ3＜λ4。
其中，該第一螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、((Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn))Si2O7:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca)Al2O4:Eu、((Ba，Sr，Ca)1-xEux)(Mg，Zn)1-xMnx))Al10O17、((Ba，Sr，Ca，Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce，Tb、BAM:Eu、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce，Tb、BaMgAl10O17:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl，Eu，Mn、ZnS:Cu，Al、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua其中之一。
該第二螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrCa2S4:Eu、Y2O3:Eu，Gd，Bi、Y2O2S:Eu，Gd，Bi、SrAl2O4:Eu、Ca(Eu1-xLax)4Si3O13、GdVO4:Eu，Bi、Y(P，V)O4:Eu，Pb、CaTiO3:Pr，Bi、Sr2P2O7:Eu，Mn、Sulfides:Eu(AES:Eu)、CaSrS:Br、Mg6As2O11:Mn、MgO MgF2GeO2:Mn、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、CaAl2O4:Eu，Nd、Bix(Y，La，Gd)1-x:Eu，Sm，Pr，Tb、Nitrido-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu2+)、GaSrS:Eu、((Sc，Y，La，Gd)x(Eu)1-x)O2S、Ca5(PO4)3Cl:Eu，Mn、CaLa2S4:Ce、(Ba1-x-aCax)Si7N10:Eu、(Ca1-aSiN2:Eua)、((Gd，La，Y)m(Ta，Zr，W，Mo，Zn)n(Al，Mg，Sr)k)Ox:Tm，Eu，Tb，Ce及SrY2S4:Eu其中之一。
又，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，該第二螢光粉40，其可單獨(dú)吸收該發(fā)光層20部分光，而激發(fā)出一波長(zhǎng)范圍的600nm≤λ4＜680nm，上述四種不同范圍的波長(zhǎng)λ1、λ2、λ3、44可混合而成一寬波長(zhǎng)頻譜及高演色性的白光，且λ1＜λ2＜λ3＜λ4。
其中，該第二螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrxGal-xS:Cl，Eu、Y2O2S:Eu，Gd，Bi、YVO4:Eu，Gd，Bi、(Ca，Sr)S:Eu，Cl，Br、SrY2S4:Eu、SrGa2S4:Eu、CaLa2S4:Ce、Ca(Eu1-xLax)4Si3O13、CaTiO3:Pr3+，Bi3+、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、Sulfides:Eu(AES:Eu2+)、Mg6As2O11:Mn、CaAl2O4:Eu，Nd、(Ca，Sr，Ba)S2:Eu、Bix(Y，La，Gd)1-x:Eu，Sm，Pr，Tb及Nitrido-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu)其中之一。
請(qǐng)參閱圖4A，其是公知的藍(lán)光發(fā)光二極管(波長(zhǎng)460nm)加入公知的YAG螢光粉后所激發(fā)的光譜波長(zhǎng)575nm，其演色性(RenderIndex)～80。請(qǐng)參閱圖4B，其是公知的藍(lán)光發(fā)光二極管(波長(zhǎng)460nm)加入本實(shí)用新型的該第一螢光粉后所激發(fā)的光譜波長(zhǎng)535nm。圖4C其是公知的紫光發(fā)光二極管(波長(zhǎng)405nm)加入該第一螢光粉所激發(fā)的光譜波長(zhǎng)為535nm。當(dāng)紫光發(fā)光二極管(波長(zhǎng)405nm)同時(shí)加入該第一螢光粉與該第二螢光粉時(shí)，該第二螢光粉會(huì)被激發(fā)其波長(zhǎng)660nm，該第一螢光粉激發(fā)其波長(zhǎng)為535nm，請(qǐng)參閱圖4D。本實(shí)用新型的二發(fā)光層同時(shí)加入該第一螢光粉及第二螢光粉以增加其演色性如圖4E所示，其演色性(RenderIndex)可高達(dá)90。
惟以上所述者，僅為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，舉凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求書(shū)所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本實(shí)用新型的權(quán)利要求書(shū)內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種白光發(fā)光裝置，其特征是，包含一發(fā)光二極管晶粒，其包含二可分別發(fā)出λ1及λ2波長(zhǎng)光的發(fā)光層；一封裝層，其封裝于該發(fā)光二極管晶粒的外側(cè)；一同時(shí)吸收該λ1及λ2部分波長(zhǎng)光、而發(fā)出λ3波長(zhǎng)光的第一螢光粉，其分布于該封裝層；以及一吸收該λ1部分波長(zhǎng)光、而發(fā)出λ4波長(zhǎng)光的第二螢光粉，其分布于該封裝層；其中，透過(guò)該λ1、λ2、λ3及λ4波長(zhǎng)的光混合成白光。
2.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，上述λ1＜λ2＜λ3＜λ4。
3.如權(quán)利要求2所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，上述λ1＜430nm、430nm≤λ2＜475nm、520nm≤λ3＜600nm、600nm≤λ4＜680nm。
4.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，該第一螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、((Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn))Si2O7:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca)Al2O4:Eu、((Ba，Sr，Ca)1-xEux)(Mg，Zn)1-xMnx))Al10O17、((Ba，Sr，Ca，Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce，Tb、BAM:Eu、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce，Tb、BaMgAl10O17:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl，Eu，Mn、ZnS:Cu，Al、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua其中之一。
5.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，該第二螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrCa2S4:Eu、Y2O3:Eu，Gd，Bi、Y2O2S:Eu，Gd，Bi、SrAl2O4:Eu、Ca(Eu1-xLax)4Si3O13、GdVO4:Eu，Bi、Y(P，V)O4:Eu，Pb、CaTiO3:Pr，Bi、Sr2P2O7:Eu，Mn、Sulfides:Eu(AES:Eu)、CaSrS:Br、Mg6As2O11:Mn、MgO MgF2·GeO2:Mn、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、CaAl2O4:Eu，Nd、Bix(Y，La，Gd)1-x:Eu，Sm，Pr，Tb、Nitrido-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu2+)、GaSrS:Eu、((Sc，Y，La，Gd)x(Eu)1-x)O2S、Ca5(PO4)3Cl:Eu，Mn、CaLa2S4:Ce、(Ba1-x-aCax)Si7N10:Eu、(Ca1-aSiN2:Eua)、((Gd，La，Y)m(Ta，Zr，W，Mo，Zn)n(Al，Mg，Sr)k)Ox:Tm，Eu，Tb，Ce及SrY2S4:Eu其中之一。
6.一種白光發(fā)光裝置，其特征是，包含一發(fā)光二極管晶粒，其包含二可分別發(fā)出λ1及λ2波長(zhǎng)光的發(fā)光層；一封裝層，其封裝于該發(fā)光二極管晶粒的外側(cè)；一同時(shí)吸收該λ1及λ2部分波長(zhǎng)光、而發(fā)出λ3波長(zhǎng)光的第一螢光粉，其分布于該封裝層；一吸收該λ2部分波長(zhǎng)光、而發(fā)出λ4波長(zhǎng)光的第二螢光粉，其分布于該封裝層；其中，透過(guò)該λ1、λ2、λ3及λ4波長(zhǎng)的光混合成白光。
7.如權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，上述λ1＜λ2＜λ3＜λ4。
8.如權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，上述λ1＜430nm，430nm≤λ2＜475nm、520nm≤λ3＜600nm，600nm≤λ4＜680nm。
9.如權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，該第一螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、((Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn))Si2O7:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca)Al2O4:Eu、((Ba，Sr，Ca)1-xEux)(Mg，Zn)1-xMnx))Al10O17、((Ba，Sr，Ca，Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce，Tb、BAM:Eu、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce，Tb、BaMgAl10O17:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl，Eu，Mn、ZnS:Cu，Al、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua其中之一。
10.如權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，該第二螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrxGa1-xS:Cl，Eu、Y2O2S:Eu，Gd，Bi、YVO4:Eu，Gd，Bi、(Ca，Sr)S:Eu，Cl，Br、SrY2S4:Eu、SrGa2S4:Eu、CaLa2S4:Ce、Ca(Eu1-xLax)4Si3O13、CaTiO3:Pr3+，Bi3+、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、Sulfides:Eu(AES:Eu2+)、Mg6As2O11:Mn、CaAl2O4:Eu，Nd、(Ca，Sr，Ba)S2:Eu、Bix(Y，La，Gd)1-x:Eu，Sm，Pr，Tb及Nitrido-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu)其中之一。
11.一種白光發(fā)光裝置，其特征是，包含一發(fā)光二極管晶粒，其包含二可分別發(fā)出λ1及λ2波長(zhǎng)光的發(fā)光層；一封裝層，其封裝于該發(fā)光二極管晶粒的外側(cè)；以及一同時(shí)吸收該λ1及λ2部分波長(zhǎng)光、而發(fā)出λ3波長(zhǎng)光的螢光粉，其分布于該封裝層；其中，透過(guò)該λ1、λ2及λ3波長(zhǎng)的光混合成白光。
12.如權(quán)利要求11所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，上述λ1＜λ2＜λ3。
13.如權(quán)利要求11所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，上述λ1＜430nm、430nm≤λ2＜475nm、520nm≤λ3＜600nm。
14.如權(quán)利要求11所述的白光發(fā)光裝置，其特征是，該螢光粉選自于(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、((Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn))Si2O7:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca)Al2O4:Eu、((Ba，Sr，Ca)1-xEux)(Mg，Zn)1-xMnx))Al10O17、((Ba，Sr，Ca，Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce，Tb、BAM:Eu、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce，Tb、BaMgAl10O17:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl，Eu，Mn、ZnS:Cu，Al、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua其中之一。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種白光發(fā)光裝置，其揭示該發(fā)光元件包含一發(fā)光二極管晶粒與一封裝層，發(fā)光二極管晶粒包含二發(fā)光層，封裝層封裝于發(fā)光二極體晶粒的外側(cè)；一第一螢光粉與一第二螢光粉分布于封裝層，該二發(fā)光層可發(fā)射出λ1與λ2波長(zhǎng)的光，再利用一第一螢光粉以同時(shí)吸收部分該發(fā)光層的雙波長(zhǎng)而發(fā)射出λ3波長(zhǎng)的光，亦可利用一第二螢光粉以吸收部分該發(fā)光層的其中之一波長(zhǎng)的光而發(fā)射出λ4波長(zhǎng)的光，通過(guò)該二發(fā)光層的λ1與λ2波長(zhǎng)的光與單獨(dú)的λ3的光混合或亦混合λ4波長(zhǎng)的光，以達(dá)到發(fā)射出白光的目的。
文檔編號(hào)C09K11/77GK2840331SQ20052010771
公開(kāi)日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2005年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月27日
發(fā)明者賴穆人 申請(qǐng)人:炬鑫科技股份有限公司