專利名稱：磷光體及利用該磷光體的發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磷光體及利用該磷光體的發(fā)光器件，具體涉及由任意波長(zhǎng)的光激發(fā)并發(fā)射其它波長(zhǎng)光的磷光體以及利用該磷光體的發(fā)光器件。更具體而言，本發(fā)明涉及由特定波長(zhǎng)的光激發(fā)而發(fā)射白光的磷光體以及利用該磷光體的發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
全球范圍內(nèi)近年來(lái)蓬勃發(fā)展的制造白光發(fā)光器件的方法分為磷光體應(yīng)用方法和多芯片方法，所述磷光體應(yīng)用方法通過將磷光體加到單芯片形式的發(fā)射藍(lán)色或紫外線的器件上而獲得白光，所述多芯片方法通過以多芯片的形式將多個(gè)發(fā)光芯片相互結(jié)合在一起而獲得白色。
具體而言，實(shí)現(xiàn)多芯片形式的白光發(fā)光器件的典型方法是通過結(jié)合三個(gè)RGB芯片(紅色、綠色和藍(lán)色)來(lái)制造。然而，該方法的問題在于每一個(gè)芯片中的工作電壓不均勻，并且由于每一個(gè)芯片輸出變化依賴于環(huán)境溫度而導(dǎo)致彩色坐標(biāo)(colorcoordinate)變化。由于這些問題，多芯片方法可通過電路結(jié)構(gòu)來(lái)調(diào)節(jié)每一個(gè)發(fā)光器件的亮度，從而適當(dāng)?shù)赜糜谛枰@示各種顏色的特定照明的目的，而不只是白光發(fā)光器件實(shí)施方案。
在這種背景下，在這些實(shí)現(xiàn)白光發(fā)光器件方法中的優(yōu)選方法主要利用將藍(lán)色發(fā)光器件和磷光體相結(jié)合的系統(tǒng)，其中所述藍(lán)色發(fā)光器件具有較容易的制作方法和優(yōu)異效率，所述磷光體由藍(lán)色發(fā)光器件激發(fā)并發(fā)射黃色光。這樣，利用磷光體發(fā)射白光的系統(tǒng)的典型實(shí)例采用藍(lán)色發(fā)光器件作為激發(fā)光源，采用由藍(lán)色發(fā)光器件發(fā)射的激發(fā)光激發(fā)利用稀土三價(jià)離子鈰離子(Ce3+)作為激發(fā)劑的釔鋁石榴石(YAG)磷光體，即YAG:Ce磷光體。
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，白光發(fā)光器件可用作各種形式的封裝。典型的白光發(fā)光器件被大致分為以表面安裝器件(SMD)形式制作、用于便攜式電話的背光照明的芯片發(fā)光器件(芯片LED)，和用在電子計(jì)分牌、固態(tài)顯示器件與圖像顯示器中的垂直燈。
另一方面，用于分析白光發(fā)光器件的光特征的指標(biāo)是相關(guān)色溫(CCT)和顯色指數(shù)(CRI)。
在物體發(fā)出不可見光時(shí)的顏色看起來(lái)與某溫度的黑色物體輻射顏色相同時(shí)，認(rèn)為黑色物體的溫度與該物體的溫度相同，相關(guān)色溫(CCT)就是該溫度。當(dāng)色溫變高時(shí)，顏色變成耀眼而稍帶藍(lán)色的白色。即，在相同的白光中，具有低色溫的白光感覺有些溫暖，但具有高色溫的白光感覺有些冷。因此，通過調(diào)節(jié)色溫，可以滿足需要各種色感的特定發(fā)光特征。
利用YAG:Ce磷光體的白光發(fā)光器件具有6000-8000K的稍高色溫。
顯色指數(shù)(CRI)表示當(dāng)人造光照明與陽(yáng)光輻照物體相比較時(shí)物體顏色變得不同的程度，當(dāng)物體顏色等同于在陽(yáng)光下顏色時(shí)，CRI定義為100。換言之，顯色指數(shù)是顯示人造光下的物體顏色與陽(yáng)光輻照下顏色接近程度的指數(shù)，值為0-100。因此CRI接近100的白光源與陽(yáng)光下人眼辨識(shí)的物體顏色沒有區(qū)別。
白熾燈的CRI為80或更高，白色熒光燈的CRI為75或更高，而商業(yè)化白色LED的CRI大約為70-75。
因此，問題在于使用傳統(tǒng)YAG:Ce磷光體的白光發(fā)光器件的色溫稍高，而其顯色指數(shù)相對(duì)較低。此外，由于只使用YAG:Ce磷光體，難以控制彩色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。
此外，YAG在100℃或更高溫度下相對(duì)熱劣化，在天然材料中使用Y2O3以組成YAG，并且需要在1500℃或更高溫度下熱處理，因此在生產(chǎn)價(jià)格上具有劣勢(shì)。
此外，為了將YAG的發(fā)光主峰改變至紅色區(qū)，當(dāng)摻雜稀土三價(jià)離子時(shí)發(fā)光的亮度減弱。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明被設(shè)計(jì)用于解決上述問題，并且本發(fā)明的目的是提供具有比石榴石磷光體更高熱穩(wěn)定性和改善特性的磷光體，以及利用該磷光體的發(fā)光器件。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種磷光體以及使用該磷光體的發(fā)光器件，用于控制彩色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)，在所述磷光體中混有包括在發(fā)光器件模材料中的硅酸鹽磷光體。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供能獲得適合于消費(fèi)者各種需求的光的磷光體以及利用該磷光體的發(fā)光器件，以便通過調(diào)整磷光體的混合比例來(lái)控制彩色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。
本發(fā)明的又一目的是提供能夠降低磷光體和發(fā)光器件制造成本的磷光體，以及利用該磷光體的發(fā)光器件。
技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種磷光體，其中利用以固定比例混合的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種發(fā)光器件，其包含發(fā)射激發(fā)光的光源；支撐光源的基底；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和混合在光傳輸元件中的磷光體，其中具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體以固定比例混合。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種發(fā)光器件，其包含發(fā)射激發(fā)光的光源；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和容納在光傳輸元件中的磷光體，其中第一磷光體和第二磷光體以9.9∶0.1-5.0∶5.0的比例混合，所述第一磷光體對(duì)于藍(lán)色光源具有500-600nm的發(fā)光主峰，所述第二磷光體對(duì)于藍(lán)色光源具有550-600nm的發(fā)光主峰。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種表面安裝型發(fā)光器件，其包含光源；支撐光源的基底；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和混合在光傳輸元件中的磷光體，其中具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體以固定比例混合。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種燈型發(fā)光器件，其包含光源；支撐光源的基底；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和混合在光傳輸元件中的磷光體，其中具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體以固定比例混合。
有益效果根據(jù)本發(fā)明，可獲得磷光體以及具有改善特性的發(fā)光器件，并且具體可控制發(fā)光器件的彩色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。
另外，可降低磷光體和發(fā)光器件的制造成本。


通過結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的典型實(shí)施方案，本發(fā)明的上述以及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清晰，其中圖1是表示依賴于本發(fā)明磷光體中使用的第一和第二硅酸鹽磷光體的混合比例的磷光體發(fā)光譜圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的表面安裝型白光發(fā)光器件的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的垂直燈型白光發(fā)光器件的截面圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的白光發(fā)光器件的發(fā)光譜圖。
最佳實(shí)施方式現(xiàn)在將參考附圖更加完整地描述本發(fā)明，其中將示出本發(fā)明的典型實(shí)施方案。
圖1是表示依賴于本發(fā)明磷光體中使用的第一和第二硅酸鹽磷光體的混合比例的磷光體發(fā)光譜圖。各曲線示出由455nm激發(fā)光激發(fā)各個(gè)磷光體時(shí)的發(fā)光譜。
參考圖1，第一曲線1示出組成本發(fā)明的磷光體的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一硅酸鹽磷光體的發(fā)光譜。第五曲線5示出具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二硅酸鹽磷光體的發(fā)光譜。
第一硅酸鹽磷光體具有500-600nm的發(fā)光譜主峰，取決于該磷光體結(jié)構(gòu)性元素Eu(銪)的密度，第二硅酸鹽磷光體具有550-600nm的發(fā)光譜主峰，取決于結(jié)構(gòu)性元素Eu的密度。此外，本發(fā)明的磷光體益處在于，第一和第二硅酸鹽磷光體的主峰根據(jù)Eu的比重變化，其發(fā)光主峰根據(jù)第一和第二硅酸鹽磷光體的混合比例變化。
下文中，將詳細(xì)描述發(fā)光譜主峰根據(jù)第一和第二硅酸鹽磷光體的混合比例變化的過程。
第四曲線4示出第一硅酸鹽磷光體和第二硅酸鹽磷光體以8.5∶1.5的比例混合時(shí)的發(fā)光譜。第三曲線3示出第一硅酸鹽磷光體和第二硅酸鹽磷光體以9.0∶1.0的比例混合時(shí)的發(fā)光譜。第二曲線2示出第一硅酸鹽磷光體和第二硅酸鹽磷光體以9.5∶0.5的比例混合時(shí)的發(fā)光譜。
可以看出，當(dāng)?shù)谝还杷猁}磷光體的比例增加時(shí)，發(fā)光主峰的波長(zhǎng)變短。相反，當(dāng)?shù)诙杷猁}磷光體的比例增加時(shí)，發(fā)光主峰的波長(zhǎng)變長(zhǎng)。
從示出的曲線可明顯看出，根據(jù)本發(fā)明的磷光體的發(fā)光主峰光譜依據(jù)第一和第二硅酸鹽磷光體的混合比例而變化，且具有500-600nm的寬發(fā)光譜區(qū)。
考慮到這種混合比的關(guān)系，優(yōu)選第一和第二硅酸鹽磷光體的混合比例為9.9∶0.1-5.0∶5.0。
根據(jù)本發(fā)明的磷光體用于白光發(fā)光器件中時(shí)，產(chǎn)生白光并且通過由磷光體激發(fā)的光和激發(fā)光的組合發(fā)射。
現(xiàn)在，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的表面安裝型白光發(fā)光器件的截面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的表面安裝型白光發(fā)光器件包括陽(yáng)極和陰極的引線框210、用于在施加電壓時(shí)產(chǎn)生光的發(fā)光二極管芯片220、用于電連接引線框210和發(fā)光二極管芯片220的導(dǎo)線230、在發(fā)光二極管芯片220周圍成型的光傳輸樹脂240和分布于光傳輸樹脂240中的硅酸鹽磷光體241與242。
發(fā)光二極管芯片220利用近紫外線發(fā)光二極管芯片，該芯片通過施加的電壓產(chǎn)生具有400-480nm發(fā)光譜主峰的光。此外，激光二極管、表面發(fā)光激光器件、無(wú)機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)電致發(fā)光器件等也可以用作在近紫外線發(fā)光二極管芯片的相同波長(zhǎng)區(qū)域中具有發(fā)光峰的發(fā)光器件。在根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，使用氮化鎵基半導(dǎo)體的InGaN發(fā)光二極管芯片。
此外，用作模制元件的光傳輸樹脂240可利用光傳輸環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、脲樹脂、丙烯酸樹脂等。光傳輸樹脂240可優(yōu)選利用光傳輸環(huán)氧樹脂或硅樹脂等。
此外，光傳輸樹脂240可以在發(fā)光二極管芯片220周圍整體成型，但是也可以根據(jù)需要在發(fā)光部分中部分成型。即，在小型發(fā)光器件的情況下，優(yōu)選在發(fā)光二極管芯片周圍整體成型。但是在高輸出發(fā)光器件的情況下，由于發(fā)光二極管芯片220的大尺寸，整體成型對(duì)分布于光傳輸樹脂240中硅酸鹽磷光體241和242的均勻分布可能是不利的。在這種情況下，優(yōu)選在發(fā)光部分中部分成型。
由于硅酸鹽磷光體241和242分布于光傳輸樹脂240中，使用混合有上文詳細(xì)描述的化學(xué)式為Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一硅酸鹽磷光體241和化學(xué)式為Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體242的磷光體。
在此，優(yōu)選第一硅酸鹽磷光體和第二硅酸鹽磷光體的混合比例為9.9∶0.1-5.0∶5.0。
現(xiàn)在，將詳細(xì)描述基依賴于發(fā)光器件形式的磷光體的混合比例。
首先，在使用頂視型表面安裝型白光發(fā)光器件的情況下，優(yōu)選第一硅酸鹽磷光體241和第二硅酸鹽磷光體242的混合比例為9.7∶0.3-8.5∶1.5。此外，優(yōu)選磷光體241和242相對(duì)于光傳輸樹脂240的含量為10-30wt％。
此外，在使用側(cè)視型表面安裝型白光發(fā)光器件的情況下，優(yōu)選第一硅酸鹽磷光體241和第二硅酸鹽磷光體242的混合比為9.5∶0.5-8.0∶2.0。此外，優(yōu)選磷光體241和242的含量相對(duì)于光傳輸樹脂240為5-20wt％。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明的磷光體可以在PCB和層疊于PCB上的鍵墊片(keypad)之間形成并且用作照亮鍵墊片的背光光源。在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明磷光體的混合比例和當(dāng)混合并成型光傳輸樹脂時(shí)其混合比如下文所示。
首先，在白色磷光體的情況下，優(yōu)選第一硅酸鹽磷光體241和第二硅酸鹽磷光體242以9.7∶0.3-8.5∶1.5混合，并且磷光體241和242相對(duì)于光傳輸樹脂240的含量為20-50wt％。
此外，在藍(lán)白色的情況下，優(yōu)選第一硅酸鹽磷光體241和第二硅酸鹽磷光體242以9.7∶0.3-8.5∶1.5混合，并且磷光體241和242相對(duì)于光傳輸樹脂240的含量為10-40wt％。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的垂直燈型白光發(fā)光器件的截面圖。
參考圖3，垂直燈型白光發(fā)光器件包括一對(duì)引線框310、用于施加電壓時(shí)產(chǎn)生光的發(fā)光二極管芯片320、用于電連接引線框310和發(fā)光二極管芯片320的導(dǎo)線330、在發(fā)光二極管芯片320周圍成型的光傳輸樹脂340、分布于光傳輸樹脂340中的硅酸鹽磷光體341和342，以及外殼350。
光傳輸樹脂340可以在發(fā)光二極管芯片320周圍整體成型，但是也可以根據(jù)需要部分成型發(fā)光部分。
由于硅酸鹽磷光體341和342分布于光傳輸樹脂340中，對(duì)于表面安裝型白光發(fā)光器件，使用混合有化學(xué)式為Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一硅酸鹽磷光體341和化學(xué)式為Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體342的磷光體。
具體地，在光傳輸樹脂340中，具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一硅酸鹽磷光體341發(fā)射由發(fā)光二極管芯片320產(chǎn)生的400-480nm波長(zhǎng)的激發(fā)光而激發(fā)并具有500-600nm發(fā)光主峰的光，第二硅酸鹽磷光體342發(fā)射由激發(fā)光激發(fā)并具有550-600nm主峰的光，將所述第一硅酸鹽磷光體341和所述第二硅酸鹽磷光體342混合并成型以包封發(fā)光器件芯片320。
第一和第二硅酸鹽磷光體341和342各自的平均顆粒尺寸為20μm或更小。其平均顆粒尺寸優(yōu)選為約5-15μm。
在此，與光傳輸樹脂340混合的第一硅酸鹽磷光體341和第二硅酸鹽磷光體342的混合比例為9.9∶0.1-5.0∶5.0。
用于垂直燈型的白光發(fā)光器件中的結(jié)構(gòu)例如發(fā)光二極管芯片320、光傳輸樹脂340以及第一和第二硅酸鹽磷光體341和342與表面安裝型白光發(fā)光器件的一樣，因此省略具體表述。
另一方面，施加到普通發(fā)光器件的根據(jù)本發(fā)明的磷光體341和342相對(duì)于光傳輸樹脂340的含量?jī)?yōu)選為5-50wt％，但是，磷光體的含量比例可以增加，使得施加到高輸出發(fā)光器件的根據(jù)本發(fā)明的磷光體相對(duì)于光傳輸樹脂的含量為50-100wt％。
將詳細(xì)描述在根據(jù)本發(fā)明的表面安裝型白光發(fā)光器件或垂直燈型白光發(fā)光器件中實(shí)現(xiàn)白光的過程。
由InGaN發(fā)光二極管芯片220和320發(fā)射的對(duì)應(yīng)于近紫外線的藍(lán)光(400-480nm)在發(fā)射到外部之前經(jīng)過第一和第二硅酸鹽磷光體241、242、341和342。
在此，部分光激發(fā)第一和第二硅酸鹽磷光體241、242、341和342，產(chǎn)生各自具有500-600nm和550-600nm發(fā)光主峰的光，將剩余的光作為藍(lán)色光傳輸。
結(jié)果，當(dāng)在第一和第二硅酸鹽磷光體241、242、341和342中激發(fā)的光與剛傳輸?shù)乃{(lán)光混合時(shí)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白光發(fā)光器件表現(xiàn)出白光。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的白光發(fā)光器件的發(fā)光譜圖。圖4中示出的波長(zhǎng)帶的強(qiáng)度曲線表示下列情況下白光發(fā)光器件發(fā)射的發(fā)光譜具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一硅酸鹽磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體的混合比例為9.0∶1.0。
參考圖4，可以看出，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的白光發(fā)光器件發(fā)射具有400-700nm的寬波長(zhǎng)光譜的白光。如上所述，當(dāng)組成本發(fā)明磷光體的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一硅酸鹽磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二硅酸鹽磷光體的混合比變化并混合在光傳輸樹脂中時(shí)，磷光體的發(fā)光主峰變化。此外，通過利用該性質(zhì)，根據(jù)本發(fā)明可控制白光發(fā)光器件的彩色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。
發(fā)明方式根據(jù)本發(fā)明的磷光體適當(dāng)?shù)嘏c兩種硅酸鹽磷光體混合并發(fā)射白光，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件推薦了適當(dāng)應(yīng)用磷光體的詳細(xì)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。
此外，本發(fā)明的特征在于可以通過混合在某種形式的發(fā)光器件芯片中的特定磷光體發(fā)射具有不同于原始光特征的光，其中該發(fā)光器件芯片發(fā)射固定波長(zhǎng)帶的光并且在該發(fā)光器件芯片的至少一部分的外側(cè)提供有透明元件。因此，可以在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)改變發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)。
此外，在本發(fā)明中，更優(yōu)選推薦發(fā)射白光的磷光體特定混合物和適合于該混合物的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)。
雖然已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明典型實(shí)施方案具體展示和描述了本發(fā)明，本發(fā)明領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以在本發(fā)明中做出各種形式和細(xì)節(jié)上的變化而不偏離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明實(shí)質(zhì)和范圍。
工業(yè)適用性根據(jù)本發(fā)明，與利用單一磷光體的白光發(fā)光器件相比，可提供具有較低色溫和高顯色指數(shù)的白光發(fā)光器件。
此外，通過改變第一硅酸鹽磷光體和第二硅酸鹽磷光體的混合比例，可控制彩色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。因此，可以更容易地獲得消費(fèi)者所需狀態(tài)的光。
此外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件提供了實(shí)用性，用作取代便攜式電話的彩色LCD背光、LED燈以及在火車和公共汽車內(nèi)部用于顯示的LED或熒光的節(jié)能光源。
權(quán)利要求
1.一種磷光體，其中使用以固定比例混合的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體。
2.權(quán)利要求1的磷光體，其中第一磷光體由具有400-480nm主峰的光激發(fā)并具有500-600nm的發(fā)光主峰。
3.權(quán)利要求1的磷光體，其中第二磷光體由具有400-480nm主峰的光激發(fā)并具有550-600nm的發(fā)光主峰。
4.權(quán)利要求1的磷光體，其中第一磷光體和第二磷光體的比例為9.9∶0.1-5.0∶5.0。
5.權(quán)利要求1的磷光體，其中第一磷光體和第二磷光體平均顆粒尺寸為20μm或更小。
6.權(quán)利要求1的磷光體，其中第一磷光體和第二磷光體平均顆粒尺寸為5-15μm。
7.權(quán)利要求1的磷光體，其中磷光體的激發(fā)光具有400-480nm的主峰。
8.權(quán)利要求1的磷光體，其中激發(fā)磷光體的光和由磷光體激發(fā)的光組合并發(fā)射白光。
9.一種發(fā)光器件，包含光源；支撐光源的基底；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和混合在光傳輸元件中的磷光體，其中具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體以固定比例混合。
10.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中當(dāng)使用頂視型發(fā)光器件時(shí)，第一磷光體和第二磷光體的比例為9.7∶0.3-8.5∶1.5。
11.權(quán)利要求10的發(fā)光器件，其中磷光體相對(duì)于光傳輸元件的含量為10-30wt％。
12.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中當(dāng)使用側(cè)視型發(fā)光器件時(shí)，第一磷光體和第二磷光體的比例為9.5∶0.5-8.0∶2.0。
13.權(quán)利要求12的發(fā)光器件，其中磷光體相對(duì)于光傳輸元件的含量為5-20wt％。
14.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中當(dāng)發(fā)光器件用在白色背光中時(shí)，第一磷光體和第二磷光體的混合比為9.7∶0.3-8.5∶1.5。
15.權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中磷光體相對(duì)于光傳輸元件的含量為20-50wt％。
16.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中當(dāng)發(fā)光器件用在藍(lán)白色背光中時(shí)，第一磷光體和第二磷光體的混合比為9.7∶0.3-8.5∶1.5。
17.權(quán)利要求16的發(fā)光器件，其中磷光體相對(duì)于光傳輸元件的含量為10-40wt％。
18.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中光傳輸元件作為光傳輸樹脂材料成型。
19.權(quán)利要求18的發(fā)光器件，其中光傳輸樹脂元件是硅樹脂或環(huán)氧樹脂。
20.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中在穿過磷光體層之后發(fā)射白色光。
21.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中光傳輸元件全部提供在光源的外側(cè)。
22.權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中光傳輸元件部分提供在光源的外側(cè)。
23.一種發(fā)光器件，包含發(fā)射激發(fā)光的光源；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和容納在光傳輸元件中的磷光體，其中第一磷光體和第二磷光體以9.9∶0.1-5.0∶5.0的比例混合，所述第一磷光體對(duì)于藍(lán)色光源具有500-600nm的發(fā)光主峰，所述第二磷光體對(duì)于藍(lán)色光源具有550-600nm的發(fā)光主峰。
24.權(quán)利要求23的發(fā)光器件，其中由光源發(fā)射的光和由磷光體激發(fā)的光一起被發(fā)射。
25.一種表面安裝型發(fā)光器件，包含光源；支撐光源的基底；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和混合在光傳輸元件中的磷光體，其中具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體以固定比例混合。
26.一種燈型發(fā)光器件，包含光源；支撐光源的基底；光傳輸元件，其提供于光源周圍的至少一部分；和混合在光傳輸元件中的磷光體，其中具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eux2+(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的第一磷光體和具有化學(xué)式Sr3-xSiO5:Eu2+x(0＜x≤1)的第二磷光體以固定比例混合。
全文摘要
提供一種磷光體及利用該磷光體的發(fā)光器件，其中為了包含所期望波長(zhǎng)的光，在第一磷光體和第二磷光體在光傳輸元件中混合的狀態(tài)下，由激發(fā)光源激發(fā)的光以及該激發(fā)光源均發(fā)射到外部并包含白光源。另外，第一磷光體具有化學(xué)式Sr
文檔編號(hào)C09K11/79GK1898357SQ200580001326
公開日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2005年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月18日
發(fā)明者金昌海, 樸晶奎, 金相基, 金忠烈, 崔京在 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司