專利名稱：放射線圖像轉(zhuǎn)換板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用熒光放射增強性熒光體的放射線圖像轉(zhuǎn)換板及其制造方法。
背景技術(shù)：
X射線圖像這樣的放射線圖像大多使用在疾病診斷用途等領(lǐng)域。作為得到該X射線圖像的方法，廣泛使用所謂的放射線照相方式，即，對熒光體層(熒光屏)照射通過被照射體的X射線，由此產(chǎn)生可見光后，與拍攝通常的照片同樣，將該可見光照射在鹵化銀照相感光材料(以下也簡稱為感光材料)上，接著，實施顯影處理得到可見的銀圖像。
但是，近年來，公開了直接從熒光體層導出圖像的新方法，代替采用具有鹵化銀鹽的感光材料的圖像形成方法。作為該方法，有以下方法，使熒光體吸收通過被照射體的放射線，然后，通過用例如光或熱能激發(fā)該熒光體，使上述熒光體通過上述吸收而蓄積的放射線能以熒光形式放射出來，對該熒光進行檢測，并圖像化。
具體地，例如，已知使用美國專利第3859527號說明書以及特開昭55-12144號公報等記載的熒光放射增強性熒光體的放射線圖像轉(zhuǎn)換方法。該方法通過采用含有熒光放射增強性熒光體的使用熒光放射增強性熒光體的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，透過被照射體的放射線照射在該放射線圖像變換板的熒光放射增強性熒光體層，使之蓄積與被照射體各部分的放射線透過密度相對應的放射線能量，然后，用可見光線、紅外線等電磁波(激發(fā)光)時間序列地激發(fā)熒光放射增強性熒光體，以蓄積在熒光放射增強性熒光體中的放射線能量作為熒光放射增強發(fā)光發(fā)射出來，將該光的強弱而產(chǎn)生的信號進行例如光電轉(zhuǎn)換，得到電信號，將該信號在感光材料等記錄材料、CRT等顯示裝置上作為可視圖像再現(xiàn)。
按照上述放射線圖像的再現(xiàn)方法，與以往的采用放射線照相底片和增敏紙的組合的放射線照相法相比較，具有可以以非常少的被照射射線量得到信息量豐富的放射線圖像的優(yōu)點。
利用這些熒光放射增強性熒光體的放射線圖像轉(zhuǎn)換板由于在蓄積了放射線圖像信息后通過激發(fā)光的掃描放出蓄積能量，因此，可以在掃描后再次進行放射線圖像的蓄積，從而可以重復使用。即，在以往的放射線照相法中，每次拍攝都要消耗放射線照相底片，與此相對，該放射線圖像轉(zhuǎn)換方法中放射線圖像轉(zhuǎn)換板被重復使用，因此在資源保護、經(jīng)濟效率方面都是有利的。另外，近年來，在診斷圖像的分析中，要求更高的清晰性的放射線圖像轉(zhuǎn)換板。作為用于改善清晰性的方法，嘗試了如下方法，例如，控制形成的熒光放射增強性熒光體的形狀本身，以謀求靈敏度以及清晰性的改良。
作為這些嘗試之一，例如有如下方法，在特開昭61-142497號公報記載使用由在具有微細的凹凸圖案的支持體上堆積熒光放射增強性熒光體而形成的微細的準柱狀塊構(gòu)成的熒光放射增強性熒光體的方法。
另外，提出了以下方法如特開昭61-142500號公報中記載的，對在具有微細的圖案的支持體上堆積熒光放射增強性熒光體而得到的柱狀的塊間的裂紋實施沖擊處理(シヨツク処理)，使用具有更為發(fā)達的熒光放射增強性熒光體層的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的方法；另外，使用以下放射線圖像轉(zhuǎn)換板的方法，所述放射線圖像轉(zhuǎn)換板是使形成在支持體面上的熒光放射增強性熒光體層從其表面?zhèn)犬a(chǎn)生龜裂而成為準柱狀的放射線圖像轉(zhuǎn)換板(例如，參照專利文獻1)；以及，通過蒸鍍在支持體的上面形成具有空穴的熒光放射增強性熒光體層后，通過加熱處理使空穴成長并設(shè)置龜裂的方法等(參照專利文獻2)。
另外，提出了具有以下熒光放射增強性熒光體層的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，所述熒光放射增強性熒光體層是通過氣相成長法在支持體上形成與支持體的法線方向具有一定的傾斜的細長柱狀結(jié)晶而得到的(例如，參照專利文獻3)。
最近，提出了使用以CsBr等鹵化堿金屬為母體并用Eu活化的熒光放射增強性熒光體的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，特別是，通過以Eu為活化劑可以導出以往沒有得到的高的X射線轉(zhuǎn)換效率。
使用鋁板作為支持體時，在支持體上設(shè)置熒光放射增強性熒光體層而得到的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的支持體有時隨時間推移而發(fā)生腐蝕，放射線圖像的圖像質(zhì)量劣化。對此，為了抑制鋁板的腐蝕，提出了在支持體和熒光放射增強性熒光體層之間設(shè)置襯底層，但存在如下問題在襯底層上通過上述氣相成長法形成熒光放射增強性熒光體層時，當襯底層的耐熱性不充分時，熒光放射增強性熒光體層發(fā)生龜裂。
專利文獻1特開昭62-39737號公報專利文獻2特開昭62-110200號公報專利文獻3特開平2-58000號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于以上情況而進行的，本發(fā)明的目的在于提供襯底樹脂層的強度和耐熱性高，熒光放射增強性熒光體層無龜裂，高品質(zhì)的放射線圖像轉(zhuǎn)換板及其制造方法。
本發(fā)明的上述目的通過以下方案達到。
(方案1)一種放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其在支持體上具有熒光放射增強性熒光體層，其中，在支持體和熒光放射增強性熒光體層之間設(shè)置NCO基團/甲基的化學鍵合強度比為0.2～2.0的交聯(lián)的襯底樹脂層。
(方案2)按照方案1所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其中，交聯(lián)劑為分子內(nèi)具有2個以上NCO基團的化合物。
(方案3)按照方案1所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其中，襯底樹脂的數(shù)均分子量Mn低于8萬。
(方案4)按照方案1～3中任意一項所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其中，上述熒光放射增強性熒光體層含有下述通式(1)表示的熒光放射增強性熒光體，通式(1)M1X·aM2X′·bM3X″:eA(式中，M1表示選自Li、Na、K、Rb和Cs各原子中至少一種的堿金屬原子，M2為選自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu以及Ni各原子中至少一種的二價金屬原子，M3為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、yb、Lu、Al、Ga和In各原子中至少一種的三價金屬原子，X、X′、X″為選自F、Cl、Br以及I各原子中至少一種的鹵原子，A為選自Eu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu以及Mg各原子中至少一種金屬原子，另外，a、b、e分別表示0≤a＜0.5、0≤b＜0.5、0＜e≤0.2的范圍的數(shù)值)。
(方案5)一種放射線圖像轉(zhuǎn)換板的制造方法，其中，方案1～4中的任意一項所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的熒光放射增強性熒光體層通過氣相成長法(也叫氣相沉淀法)形成為具有50μm～1mm的膜厚。


是示出形成在支持體上的柱狀結(jié)晶形狀的一例的概要圖。
是示出通過蒸鍍在支持體上形成熒光放射增強性熒光體層的情況的一例的概要圖。
是示出本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板和放射線圖像讀取裝置的結(jié)構(gòu)的一例的概要圖。
是示出通過蒸鍍在支持體上形成熒光放射增強性熒光體層的方法的一例的概要圖。
具體實施例方式
以下詳細地說明本發(fā)明。
作為用于本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的支持體，可以使用各種玻璃、高分子材料、金屬等，但優(yōu)選例如石英、硼硅酸玻璃、化學強化玻璃等玻璃板、以及纖維素乙酸酯膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚酰胺膜、聚酰亞胺膜、三乙酸酯膜、聚碳酸酯膜等塑料膜、鋁片、鐵片、銅片等金屬片或具有該金屬氧化物包覆層的金屬片。
作為本發(fā)明涉及的襯底樹脂層的材料，沒有特別限制，但可以舉出，聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮甲醛、聚碳酸酯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、尼龍、丙烯酸或丙烯酸酯(也包括甲基丙烯酸或甲基丙烯酸酯類)、乙烯基酯類、乙烯基酮類、苯乙烯類、二烯烴類、丙烯酰胺類(也包括甲基丙烯酰胺類)、氯乙烯類(也包括偏二氯乙烯)、硝酸纖維素、乙酸纖維素、二乙酸纖維素等纖維素衍生物、聚硅氧烷樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰胺樹脂、各種合成橡膠類樹脂、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、尿素樹脂、蜜胺樹脂、苯氧基樹脂等，但從支持體和熒光放射增強性熒光體層的粘接性、支持體的耐腐蝕性的觀點來看，優(yōu)選聚酯樹脂、聚氨酯樹脂等疏水性樹脂。另外，本發(fā)明涉及的襯底樹脂的數(shù)均分子量Mn優(yōu)選8萬以上。Mn為8萬以上的情況下，在涂布設(shè)置襯底樹脂層時，襯底樹脂層的膜厚不均會變大，有時導致放射線圖像轉(zhuǎn)換板的圖像品質(zhì)劣化。
襯底樹脂層的膜厚優(yōu)選0.1～100μm。
襯底樹脂層的涂布設(shè)置可以通過在支持體上涂布襯底樹脂層涂布液并使之干燥而得到。涂布方法沒有特別的限制，例如，可以使用刮板涂布、輥涂、刮刀涂布、擠出涂布等公知的涂布方法，也可以使用旋涂進行涂布。
作為本發(fā)明涉及的交聯(lián)劑，可以舉出，例如，多官能異氰酸酯及其衍生物、蜜胺及其衍生物、氨基樹脂及其衍生物，但交聯(lián)劑優(yōu)選分子內(nèi)具有2個以上的NCO基團的化合物。作為分子內(nèi)具有2個以上的NCO基團的化合物的物質(zhì)，可以舉出，例如，1-甲基苯-2，4，6-三異氰酸酯、1，3，5-三甲基苯-2，4，6-三異氰酸酯、二苯基甲烷-2，4，4′-三異氰酸酯、三苯基甲烷-4，4′，4″-三異氰酸酯、雙(異氰酸甲苯酯基)苯基甲烷、二亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2，2-二甲基戊烷二異氰酸酯、2，2，4-三甲基戊烷二異氰酸酯、癸烷二異氰酸酯、1，3-亞苯基二異氰酸酯、1-甲基苯-2，4-二異氰酸酯、1，3-二甲基苯-2，6-二異氰酸酯、萘-1，4-二異氰酸酯、1，1′-聯(lián)萘-2，2′-二異氰酸酯、聯(lián)苯-2，4′-二異氰酸酯、二苯基甲烷-4，4′-二異氰酸酯、2，2′-二甲基二苯基甲烷-4，4′-二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷-4，4′-二異氰酸酯、亞甲苯基二異氰酸酯、1，5-亞萘基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、四亞甲基苯二甲基二異氰酸酯等。
交聯(lián)劑的使用量根據(jù)目的的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的特性、熒光放射增強性熒光體層以及支持體中使用的材料的種類、襯底樹脂層中使用的樹脂的種類等而有所不同，但如果考慮維持熒光放射增強性熒光體層對支持體的粘接強度，則優(yōu)選以相對于襯底樹脂為50質(zhì)量％以下的比例進行添加，特別優(yōu)選5～30質(zhì)量％。不足5質(zhì)量％時，交聯(lián)密度過高，襯底樹脂層的韌性降低(變脆)，襯底樹脂層龜裂。大于30質(zhì)量％時，相反地，交聯(lián)密度過低，耐熱性、強度均不充分。
在本發(fā)明中，在上述支持體上涂布設(shè)置襯底層后，涂布設(shè)置熒光放射增強性熒光體層之前，為了使襯底樹脂層中含有的樹脂和交聯(lián)的反應進一步完成，可以在40～150℃下進行1～100小時的熱處理。
對本發(fā)明的NCO基團/甲基的化學鍵強度比的測定方法進行說明。
采集涂布設(shè)置在支持體上的襯底樹脂層的一部分作為測定試樣。由通過FT-IR對本測定試樣測定得到的圖，用2970cm-1的甲基的峰高(能量吸收量)除2270cm-1的NCO峰高(能量吸收量)，將得到的值作為NCO基團/甲基的化學鍵強度比。襯底樹脂層中的交聯(lián)劑/樹脂比相同時，NCO基團/甲基的化學鍵強度比越高，未反應的交聯(lián)劑殘留得越多，可以判定交聯(lián)密度低。
NCO基團/甲基的化學鍵強度比優(yōu)選0.2～2.0?；瘜W鍵強度比過低時，交聯(lián)密度過高，襯底樹脂層的韌性降低(變脆)，襯底樹脂層發(fā)生裂紋?；瘜W鍵強度過高時，相反地，交聯(lián)密度過低，耐熱性、強度都不充分。
接著，對熒光放射增強性熒光體層進行說明。
圖1是示出在本發(fā)明的支持體上形成的柱狀結(jié)晶形狀的一例的概要圖。在圖1的a)、b)中，2為通過氣相沉淀法在支持體1上形成的熒光放射增強性熒光體的柱狀結(jié)晶，在該結(jié)晶的前端部，通過結(jié)晶成長方向的中心的垂線3和結(jié)晶前端斷面部的切線4所成角度(θ)優(yōu)選20～80°，更加優(yōu)選40～80°。
圖1的a)是在柱狀結(jié)晶的大致中心部具有尖角部的一個例子，另外，圖1的b)為柱狀結(jié)晶的前端部具有一定的傾斜，柱狀結(jié)晶的側(cè)面部具有尖角部的一個例子。另外，在本發(fā)明中，柱狀結(jié)晶的平均結(jié)晶粒徑優(yōu)選0.5～50μm，更為優(yōu)選1～50μm。
通過制成上述規(guī)定的柱狀結(jié)晶的平均結(jié)晶粒徑，可以降低熒光放射增強性熒光體層b的霧度值率，其結(jié)果是可以實現(xiàn)優(yōu)異的清晰性。作為柱狀結(jié)晶的平均結(jié)晶粒徑從與支持體平行的面觀察柱狀結(jié)晶時各柱狀結(jié)晶的截面積換算為圓時的直徑的平均值，由視野中至少含有100個以上的柱狀結(jié)晶的電子顯微鏡照片計算。柱狀結(jié)晶粒徑受到支持體溫度、真空度、蒸氣流入射角度等的影響，通過控制這些可以形成期望的大小的柱狀結(jié)晶。
例如，對于支持體溫度來說，溫度越低，越有變細的傾向，但過低時，柱狀狀態(tài)的位置變得困難。作為優(yōu)選的支持體溫度為100～300℃，更為優(yōu)選150～270℃。作為蒸氣流的入射角度優(yōu)選0～5°。另外，對于真空度，優(yōu)選1.3×10-1Pa以下。
下面，對氣相沉淀法進行詳細說明。作為可以在氣相沉淀法形成的熒光放射增強性熒光體層中使用的熒光放射增強性熒光體，可以舉出，例如，特開昭48-80487號公報中記載的用BaSO4:Ax表示的熒光體、特開昭48-80488號公報中記載的用MgSO4:Ax表示的熒光體、特開昭48-80489號公報中記載的用SrSO4:Ax表示的熒光體、特開昭51-29889號公報中記載的在Na2SO4、CaSO4以及BaSO4等中添加Mn、Dy、以及Tb中的至少一種得到的熒光體、特開昭52-30487號公報中記載的BeO、LiF、MgSO4以及CaF2等熒光體、特開昭53-39277號公報中記載的Li2B4O7:Cu、Ag等熒光體、特開昭54-47883號公報中記載的Li2O·(Be2O2)x:Cu、Ag等熒光體、美國專利第3859527號說明書中記載的用SrS:Ce、Sm、SrS:Eu、Sm、La2O2S:Eu、Sm以及(Zn、Cd)S:Mnx表示的熒光體。
另外，可以舉出，特開昭55-12142號公報記載的ZnS:Cu、Pb熒光體、用通式BaO·xAl2O3:Eu表示的鋁酸鋇熒光體以及通式M(II)O·xSiO2:A表示的堿土金屬硅酸鹽類熒光體。
另外，特開昭55-12143號公報中記載的用通式(Ba1-x-yMgxCay)Fx:Eu2+表示的堿土金屬氟化鹵化物熒光體、特開昭55-12144號公報中記載的用通式LnOX:xA表示的熒光體、特開昭55-12145號公報中記載的用通式(Ba1-xM(II)x)Fx:yA表示的熒光體、特開昭55-84389號記載的用通式BaFx:xCe、yA表示的熒光體、特開昭55-160078號公報中記載的用通式M(II)F·xA:yLn表示的稀土類元素活化二價金屬氟化鹵化物熒光體、用通式ZnS:A、CdS:A、(Zn、Cd)S:A、X表示的熒光體、特開昭59-38278號公報中記載的下述任意一個通式表示的熒光體、通式xM3(PO4)2·NX2:yA、xM3(PO4)2:yA、特開昭59-155487號公報中記載的下述任何一個通式表示的熒光體、通式nReX3·mAX′2:xEu、nReX3·mAX′2:xEu、ySm表示的熒光體、特開昭61-72087號公報中記載的下述通式、M(I)X·aM(II)X′2·bM(III)X″3:cA表示的堿金屬鹵化物熒光體以及特開昭61-228400號公報中記載的通式M(I)X:xBi表示的鉍活化堿金屬鹵化物熒光體等。特別是，堿金屬鹵化物熒光體可以通過蒸鍍、濺射等方法很容易形成柱狀的熒光放射增強性熒光體層，因此優(yōu)選。
接著，對用本發(fā)明的上述通式(1)表示的熒光放射增強性熒光體進行說明。在本發(fā)明的上述通式(1)表示的熒光放射增強性熒光體中，M1表示選自Na、K、Rb和Cs各原子中至少一種的堿金屬原子，其中，優(yōu)選選自Rb和Cs等各原子中至少一種的堿金屬原子，更加優(yōu)選Cs原子。M2為選自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu以及Ni等各原子中至少一種的二價金屬原子，其中，優(yōu)選使用的是選自Be、Mg、Ca、Sr和Ba等各原子的二價金屬原子。M3為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga和In等各原子中至少一種的三價金屬原子，其中，優(yōu)選使用的是選自Y、Ce、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Ga和In等各原子中三價金屬原子。A為選自Eu、Tb、In、Ga、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu以及Mg各原子中至少一種金屬原子。從提高熒光放射增強性熒光體的熒光放射增強性發(fā)光亮度的觀點來看，X、X′以及X″表示選自F、Cl、Br以及I各原子中至少一種的鹵原子，但優(yōu)選選自F、Cl和Br中的至少一種鹵原子，更為優(yōu)選選自Br以及I各原子中至少一種的鹵原子。另外，在通式(1)中，b值表示0≤b＜0.5，優(yōu)選，0≤b＜10-2。
本發(fā)明的通式(1)表示的熒光放射增強性熒光體可以通過例如以下所述的制造方法進行制造。作為熒光體原料，可以使用(a)選自NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr以及CsI中至少一種或2種以上的化合物；(b)MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaBr2·2H2O、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、NiBr2和NiI2的化合物中的至少一種或2種以上的化合物；(c)在上述通式(1)中，具有選自Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu以及Mg等各原子中的金屬原子的化合物。用通式(I)表示的化合物中，a為0≤a＜0.5、優(yōu)選0≤a＜0.01、b為0≤b＜0.5、優(yōu)選0≤b≤10-2、e為0＜e≤0.2、優(yōu)選0＜e≤0.1。
按照上述數(shù)值范圍的混合組成稱量上述(a)～(c)的熒光體原料，使用乳缽、球磨機、混煉機等充分混合。接著，將得到的熒光體原料混合物填充到石英坩堝或氧化鋁坩堝等耐熱性容器中，在電爐中進行焙燒。適當?shù)谋簾郎囟葹?00～1000℃。焙燒時間根據(jù)原料混合物的填充量、焙燒溫度等而不同，但通常適當?shù)臅r間為0.5～6小時。作為焙燒氣體氛圍，優(yōu)選含有少量氫氣的氮氣氛圍、含有少量一氧化碳的二氧化碳氣體氛圍等弱還原性氣體氛圍、氮氣氛圍、氬氣氛圍等中性氣體氛圍或者含有少量氧氣的弱氧化性氣體氛圍。另外，在上述焙燒條件下進行一次焙燒之后，從電爐中取出焙燒物粉碎，然后，再將焙燒物粉末填充到耐熱性容器中，放入電爐中，在與上述相同的條件下進行再焙燒，可以進一步提高熒光體的發(fā)光亮度。另外，將焙燒物從焙燒溫度冷卻到室溫時，將焙燒物從電爐中取出，在空氣中放置冷卻，由此也可以得到期望的熒光體，但與焙燒時相同，也可以在弱還原性氣體氛圍或中性氣體氛圍下冷卻。另外，在電爐內(nèi)將焙燒物從加熱部分向冷卻部分移動，在弱還原性氣體氛圍、中性氣體氛圍或弱氧化性氣體氛圍中急冷，可以進一步提高得到的熒光體由于熒光放射增強而產(chǎn)生的發(fā)光亮度。
另外，本發(fā)明涉及的熒光放射增強性熒光體層的特征在于，其通過氣相成長法而形成。作為熒光放射增強性熒光體的氣相成長法，可以使用蒸鍍法、濺射法、CVD法、離子鍍法、其他方法。
在本發(fā)明中，可以舉出，例如，以下方法。第1方法的蒸鍍法是，首先將支持體設(shè)置在蒸鍍裝置內(nèi)之后，將裝置內(nèi)氣體排出，使成為1.333×10-4Pa左右的真空度。接著，用電阻加熱法、電子束法等方法使上述熒光放射增強性熒光體的至少一部分加熱蒸發(fā)，在上述支持體表面上使熒光放射增強性熒光體成長為期望的厚度。其結(jié)果是，形成不含粘合劑的熒光放射增強性熒光體層，但在上述蒸鍍工序中，也可以分多次形成熒光放射增強性熒光體層。
另外，在上述蒸鍍工序中，使用多個電阻加熱器或電子束進行共蒸鍍，與合成作為目的的熒光放射增強性熒光體的同時，也可以在支持體上形成熒光放射增強性熒光體層。蒸鍍結(jié)束后，視需要，優(yōu)選通過在與上述熒光放射增強性熒光體層的支持體側(cè)相反的一側(cè)設(shè)置保護層而制造本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板。另外，也可以采用在保護層上形成熒光放射增強性熒光體層后，設(shè)置支持體的順序。另外，在上述蒸鍍法中，蒸鍍時，視需要，可以冷卻或加熱被蒸鍍體(支持體、保護層或中間層)。
另外，可以在蒸鍍結(jié)束后對熒光放射增強性熒光體層進行加熱處理。另外，在上述蒸鍍法中，視需要，可以進行導入O2、H2等氣體進行蒸鍍的反應性蒸鍍。
作為第2方法的濺射法，與蒸鍍法同樣，在濺射裝置內(nèi)設(shè)置具有保護層或中間層的支持體后，將裝置內(nèi)一次性排氣，使成為1.333×10-4Pa左右的真空度，然后，將作為濺射用氣體的Ar、Ne等非活性氣體導入濺射裝置內(nèi)，制成1.333×10-1Pa左右的氣體壓力。接著，以上述熒光放射增強性熒光體作為靶，通過濺射在上述支持體上使熒光放射增強性熒光體層成長為期望的厚度。在上述濺射工序中，與蒸鍍法同樣地，可以使用各種應用處理。
作為第3方法，有CVD法，另外，作為第4方法，有離子鍍法。
另外，上述氣相成長中的熒光放射增強性熒光體層的成長速度優(yōu)選0.05～300μm/分鐘。成長速度不足0.05μm/分鐘時，本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的生產(chǎn)性低，因此不優(yōu)選。另外，成長速度超過300μm/分時，難以控制成長速度，故不優(yōu)選。
通過上述真空蒸鍍法、濺射法等得到放射線圖像轉(zhuǎn)換板時，由于不存在粘合劑，因此，可以增大熒光放射增強性熒光體的填充密度，可以得到靈敏度、析像力優(yōu)異的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，因此優(yōu)選。
上述熒光放射增強性熒光體層的膜厚根據(jù)放射線圖像轉(zhuǎn)換板的使用目的或熒光放射增強性熒光體的種類不同而不同，但從得到本發(fā)明的效果的觀點來看，優(yōu)選50μm～1mm，更加優(yōu)選100～600μm，尤其優(yōu)選300～600μm。
在采用上述氣相成長法制作熒光放射增強性熒光體層時，形成熒光放射增強性熒光體層的支持體的溫度優(yōu)選設(shè)定為100℃以上，更加優(yōu)選150℃以上，特別優(yōu)選150～400℃。
本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的熒光放射增強性熒光體層優(yōu)選在支持體上使上述通式(1)表示的熒光放射增強性熒光體氣相成長而形成，更加優(yōu)選在形成層時，該熒光放射增強性熒光體形成柱狀結(jié)晶。為了采用蒸鍍、濺射等方法形成柱狀的熒光放射增強性熒光體層，可以使用上述通式(1)表示的化合物(熒光放射增強性熒光體)，但其中，特別優(yōu)選使用CsBr類熒光體。
另外，在本發(fā)明中，柱狀結(jié)晶優(yōu)選具有作為主要成分的下述通式(2)表示的熒光放射增強性熒光體。
通式(2)CsX:A在通式(2)中，X表示Br或I，A表示Eu、In、Tb或Ce。
作為通過氣相沉淀法在支持體上形成熒光體層的方法，可以舉出如下方法供給熒光放射增強性熒光體的蒸氣或該原料，通過蒸鍍等氣相成長(沉淀)方法，可以得到由獨立的細長柱狀結(jié)晶構(gòu)成的熒光放射增強性熒光體層。
在這些情況下，支持體和坩堝的最短部分的間隔與熒光放射增強性熒光體的平均射程吻合，通常優(yōu)選設(shè)置為10～60cm。
作為蒸發(fā)源的熒光放射增強性熒光體均勻溶解或通過加壓、熱壓成型后放入坩堝內(nèi)。此時，優(yōu)選進行脫氣處理。從蒸發(fā)源使熒光放射增強性熒光體蒸發(fā)的方法通過采用電子槍發(fā)出的電子束的掃描來進行，但也可以采用除此以外的方法使之蒸發(fā)。另外，蒸發(fā)源并不一定必須是熒光放射增強性熒光體，也可以是混合了熒光放射增強性熒光體原料的物質(zhì)。另外，也可以在隨后向熒光體母體中摻雜活化劑。例如，也可以在僅蒸鍍了作為母體的RbBr后，摻雜作為活化劑的T1。即，由于結(jié)晶是獨立的，即使膜很厚也可以充分摻雜，這是因為，由于不易引起結(jié)晶成長，故而MTF不會降低。摻雜可以將摻雜劑(活化劑)通過熱擴散或離子注入到形成的熒光體的母體層中而進行。
另外，各柱狀結(jié)晶間的間隙的大小優(yōu)選30μm以下，更加優(yōu)選5μm以下。即，間隙超過30μm時，熒光體層中的激光的散射增加，清晰性降低。
接著，用圖2說明本發(fā)明的熒光放射增強性熒光體層的形成。圖2是示出通過蒸鍍在支持體上形成熒光放射增強性熒光體層的情況的圖，通過在熒光放射增強性熒光體蒸氣流16與支持體面的法線方向的入射角度為0～5°的范圍內(nèi)入射，可以形成柱狀結(jié)晶。
這樣在支持體上形成的熒光放射增強性熒光體層由于不含有粘合劑，因此指向性優(yōu)異，熒光放射增強激發(fā)光和熒光放射增強發(fā)光的指向性高，與具有將熒光放射增強性熒光體分散在粘合劑中而得到的分散型熒光放射增強性熒光體層的放射線圖像轉(zhuǎn)換板相比，可以使層厚更薄。另外，在熒光放射增強激發(fā)光的熒光放射增強性熒光體層中的散射減少，因此圖像的清晰性提高。
另外，可以在柱狀結(jié)晶間的間隙中填充粘合劑等填充物，作為熒光放射增強性熒光體層的補強，此外，還可以填充光吸收高的物質(zhì)、光反射率高的物質(zhì)等，由此除了可以帶來上述補強效果以外，對于降低入射到熒光放射增強性熒光體層的熒光放射增強激發(fā)光向橫方向的光擴散也是有效的。所謂反射率高的物質(zhì)是指對熒光放射增強激發(fā)光(500～900nm，特別是600～800nm)的反射率高的物質(zhì)，例如，可以使用鋁、鎂、銀、銦以及其他金屬等白色顏料以及綠色到紅色區(qū)域的著色材料。
從得到高靈敏度的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的觀點來看，本發(fā)明的熒光放射增強性熒光體層的反射率優(yōu)選20％以上，更為優(yōu)選30％以上，特別優(yōu)選40％以上。另外，上限為100％。所謂反射率高的物質(zhì)是指對熒光放射增強激發(fā)光(500～900nm，特別是600～800nm)的反射率高的物質(zhì)，例如，可以使用鋁、鎂、銀、銦以及其他金屬等白色顏料以及綠色到紅色區(qū)域的著色材料。
在本發(fā)明中，在基板上進行鋁等反射光的鏡面處理(例如，蒸鍍等)時，測定熒光放射增強性熒光體層的反射率。這里，反射率的測定使用以下測定裝置在同樣的測定條件下進行。
裝置HITACHI557型分光光度計(Spectrophotometer)(測定條件)
測定光的波長680nm掃描速度120nm/分重復次數(shù)10次響應自動設(shè)定白色顏料還可以反射熒光放射增強發(fā)光。作為白色顏料，可以舉出，TiO2(銳鈦礦型、尖晶石型)、MgO、PbCO3·Pb(OH)2、BaSO4、Al2O3、M(II)FX(其中，M(II)為Ba、Sr和Ca中的至少一種，X為Cl和Br中的至少一種)、CaCO3、ZnO、Sb2O3、SiO2、ZrO2、鋅鋇白(BaSO4·ZnS)、硅酸鎂、堿式硅硫酸鹽、堿式磷酸鉛、硅酸鋁等。這些白色顏料遮蔽力強，折射率大，因此，反射或折射光，由此，容易散射熒光放射增強發(fā)光，可以顯著提高得到的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的靈敏度。
作為光吸收率高的物質(zhì)，可以使用，例如，炭黑、氧化鉻、氧化鎳、氧化鐵等以及藍色著色材料。其中，炭黑也吸收熒光放射增強發(fā)光。
另外，著色材料可以是有機或無機類著色材料的任意一種。作為有機類著色材料，可以使用ザボンフア一ストブル一3G(ヘキスト制造)、エストロ一ルブリルブル一N-3RL(住友化學制造)、D&Gブル一No.1(ナシヨナルアニリン制造)、スピリツトブル一(保土谷化學制造)、オイルブル一No.603(オリエント制造)、キトンブル一A(チバガイギ-制造)、アイゼンカチロンブル一GLH(保土ケ谷化學制造)、レイクブル一AFH(協(xié)和產(chǎn)業(yè)制造)、プリモシアニン6GX(稻煙產(chǎn)業(yè)制造)、ブリルアシツドグリ一ン6BH(保土谷化學制造)、シアンブル一BNRCS(東洋インク制造)、アイオノイルブル一SL(東洋インク制造)等。另外，顏料索引No.24411、23160、74180、74200、22800、23154、23155、24401、14830、15050、15760、15707、17941、74220、13425、13361、13420、11836、74140、74380、74350、74460等有機類金屬配位鹽著色材料。作為無機類著色材料，可以舉出，群青、鈷藍、賽璐里安藍、氧化鉻、TiO2-ZnO-Co-NiO類顏料。
另外，本發(fā)明涉及的熒光放射增強性熒光體層可以具有保護層。保護層可以在熒光放射增強性熒光體層上直接涂布保護層用涂布液而形成，也可以在熒光放射增強性熒光體層上粘接預先另行形成的保護層。或者，采用在另行形成的保護層上形成熒光放射增強性熒光體層的順序。作為保護層的材料，可以使用乙酸纖維素、硝酸纖維素、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮甲醛、聚碳酸酯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚偏二氯乙烯、尼龍、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、偏二氯乙烯-氯乙烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物等通常的保護層用材料。另外，也可以使用透明玻璃基板作為保護層。另外，該保護層可以通過蒸鍍法、濺射法等疊層SiC、SiO2、SiN、Al2O3等無機物質(zhì)而形成。這些保護層的厚度通常優(yōu)選0.1～2000μm左右。
圖3是示出本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板和放射線圖像讀取裝置的結(jié)構(gòu)的一例的概要圖。
在圖3中，21為放射線發(fā)生裝置、22為被照射體、23為具有包含熒光放射增強性熒光體的可見光至紅外光熒光放射增強性熒光體層的放射線圖像轉(zhuǎn)換板、24為用于使放射線圖像轉(zhuǎn)換板23的放射線潛像以熒光放射增強發(fā)光的形式放出的熒光放射增強激發(fā)光源、25為檢測從放射線圖像轉(zhuǎn)換板23放出的輝緊發(fā)光的光電轉(zhuǎn)換裝置、26為將用光電轉(zhuǎn)換裝置25檢測出來的光電轉(zhuǎn)換信號再現(xiàn)為圖像的圖像再現(xiàn)裝置、27為顯示再現(xiàn)的圖像的圖像顯示裝置、28為用于截斷來自熒光放射增強激發(fā)光源24的反射光，并僅透過由放射線圖像轉(zhuǎn)換板23放出的光的濾光片。另外，圖3為得到被照射體的放射線透過圖像的情況的例子，但被照射體22本身放射放射線時，并不特別需要上述放射線發(fā)生裝置21。
另外，光電轉(zhuǎn)換裝置25以后只要是可以以任何形式將來自放射線圖像轉(zhuǎn)換板23的光信息再現(xiàn)為圖像即可，并不限定于上述的。
如圖3所示，將被照射體22設(shè)置在放射線發(fā)生裝置21和放射線圖像轉(zhuǎn)換板23之間照射放射線R時，放射線R按照被照射體22的各部分的放射線透過率的變化而透過，其透過圖像RI(即，放射線強弱的圖像)射入放射線圖像轉(zhuǎn)換板23。該入射的透過像RI被放射線圖像轉(zhuǎn)換板23的熒光放射增強性熒光體層吸收，由此，產(chǎn)生與吸收在熒光放射增強性熒光體層中的放射線量成比例的數(shù)目的電子和/或空穴，其被蓄積在熒光放射增強性熒光體的捕捉水平。即，形成蓄積了放射線透過圖像的能量的潛像。接著，用光能激發(fā)該潛像進行顯影化。即，通過照射可見光或紅外區(qū)域的光的熒光放射增強激發(fā)光源24照射到熒光放射增強性熒光體層上，趕出蓄積在捕捉水平的電子和/或空穴，蓄積的能量以熒光放射增強發(fā)光的形式放出。這樣放出的熒光放射增強發(fā)光的強弱與蓄積的電子和/或空穴的數(shù)目、即吸收在放射線圖像轉(zhuǎn)換板23的熒光放射增強性熒光體層中的放射線能量的強弱成比例，該光信號通過例如光電子增倍管等的光電轉(zhuǎn)換裝置25轉(zhuǎn)換為電信號，通過圖像再現(xiàn)裝置26再現(xiàn)為圖像，通過圖像顯示裝置27顯示該圖像。圖像再現(xiàn)裝置26不僅將電信號作為圖像信號而再現(xiàn)，而且如果使用能進行所謂的圖像處理或圖像的運算、圖像的存儲、保存等裝置則更為有效。
另外，通過光能激發(fā)時，有必要將熒光放射增強激發(fā)光的反射光和從熒光放射增強性熒光體層放出的熒光放射增強發(fā)光分離，以及，接受從熒光放射增強性熒光體層放出的所發(fā)生的光的光電轉(zhuǎn)換器通常對600nm以下的短波長的光能靈敏度高，從該理由來看，從熒光放射增強性熒光體層放射的熒光放射增強發(fā)光優(yōu)選盡可能在短波長區(qū)域具有光譜分布。
由于本發(fā)明涉及的熒光放射增強性熒光體的發(fā)光波長區(qū)域為300～500nm，另一方面，熒光放射增強激發(fā)波長區(qū)域為500～900nm，因此，同時滿足上述條件，但是，最近，診斷裝置的小型化正在進展，放射圖像轉(zhuǎn)換板的圖像讀取中使用的激發(fā)波長優(yōu)選輸出功率高且容易小型化的半導體激光，該激光的波長是680nm，本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板中安裝的熒光放射增強性熒光體在使用680nm的激發(fā)波長時顯示出極為良好的清晰性。
即，本發(fā)明涉及的熒光放射增強性熒光體都是在500nm以下顯示具有主峰的發(fā)光，由于容易分離熒光放射增強激發(fā)光并且與受光器的分光靈敏度一直，因此，可以高效地受光，其結(jié)果是，可以鞏固受像系統(tǒng)的靈敏度。
作為熒光放射增強性激發(fā)光源24，可以使用含有放射線圖像轉(zhuǎn)換板23中使用的熒光放射增強性熒光體的熒光放射增強激發(fā)波長的光源。特別是，使用激光時，光學系統(tǒng)變得簡單，另外，由于可以增大熒光放射增強激發(fā)光強度，因此，可以提高熒光放射增強發(fā)光效率，得到更為優(yōu)選的結(jié)果。
在本發(fā)明中，照射到熒光放射增強性熒光體層上的激光的直徑優(yōu)選100μm以下，更為優(yōu)選80μm以下。
作為激光，有He-Ne激光、He-Cd激光、Ar離子激光、Kr離子激光、N2激光、YAG激光及其第2高次諧波、紅寶石激光、半導體激光、各種色素激光、銅蒸氣激光等金屬蒸氣激光等。通常優(yōu)選He-Ne激光或Ar離子激光這樣的連續(xù)振蕩的激光，但如果使板1像素的掃描時間與脈沖同步，也可以使用脈沖振蕩的激光。另外，不使用濾光片28而采用特開昭59-22046號公報中所示的利用發(fā)光的延遲進行分離的方法時，與使用連續(xù)振蕩激光進行調(diào)制相比，優(yōu)選使用脈沖振蕩的激光。
在上述各種激光光源中，半導體激光小型而廉價，并且不需要調(diào)制器，因此特別優(yōu)選使用。
作為濾光片28，由于是透過從放射線圖像轉(zhuǎn)換板23放射的熒光放射增強發(fā)光，并截斷熒光放射增強激發(fā)光的裝置，因此，其由放射線圖像轉(zhuǎn)換板23所含的熒光放射增強性熒光體的熒光放射增強發(fā)光波長和熒光放射增強激發(fā)光源24的波長組合而決定。例如，在熒光放射增強激發(fā)波長為500～900nm，熒光放射增強發(fā)光波長為300～500nm這樣的實用上優(yōu)選的組合的情況下，作為濾光片，可以使用東芝公司制造的C-39、C-40、V-40、V-42、V-44、コ一ニング公司制造的7-54、7-59、スペクトロフイルム公司制造的BG-1、BG-3、BG-25、BG-37、BG-38等紫～藍色玻璃濾光片。另外，使用干涉濾光片時，可以選擇某種程度或任意特性的濾光片使用。作為光電轉(zhuǎn)換裝置25，可以是光電管、光電子倍增管、光電二極管、光敏晶體三極管、太陽能電池、光導電元件等光量的變化可以被轉(zhuǎn)換為電子信號的變化的裝置中的任意一種。
實施例以下，舉出實施例詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些。另外，只要沒有特別說明，實施例中的“％”表示“質(zhì)量％”。
實施例1《放射線圖像轉(zhuǎn)換板的制作》(襯底樹脂層涂布液的1～5的制備)將聚酯樹脂(バイロン53SS、東洋紡績(株)公司制造，數(shù)均分子量Mn＝17000)和作為交聯(lián)劑的多官能異氰酸酯化合物コロネ一ト3041(日本聚氨酯工業(yè)(株)制造，甲苯二異氰酸酯，分子內(nèi)含有2個NCO基團)混合，將該混合物添加到甲乙酮/甲苯的1/1混合溶劑中，通過螺旋槳式攪拌式混合器分散，制備襯底層涂布液1。
在襯底樹脂層涂布液1的制備中，按照表1的記載改變異氰酸酯化合物/聚酯樹脂的比例，其他同樣地制備襯底樹脂層涂布液2～5。
(涂有襯底樹脂層的試樣1～5)使用刮刀涂布法在厚度500μm、10cm見方的鋁板支持體上分別涂布上述制備的襯底層涂布液1～5，并使干燥膜厚為2μm后，在表1所示的干燥條件下進行干燥，制作涂布有襯底樹脂層的試樣1～5。
(放射線圖像轉(zhuǎn)換板1～5的制作)使用圖4所示的蒸鍍裝置分別在涂布有襯底樹脂層的試樣1～5上形成具有熒光放射增強性熒光體(CsBr:Eu)的熒光放射增強性熒光體層。使用圖4所示的蒸鍍裝置，并采用鋁制的縫型模(スリツト)，支持體和縫型模之間的距離d為60cm，邊在與上述玻璃支持體平行的方向上傳送玻璃支持體，邊進行蒸鍍，使熒光放射增強性熒光體層的厚度為300μm地進行制備。
另外，在蒸鍍時，在蒸鍍器內(nèi)設(shè)置上述涂布有襯底樹脂層的試樣，接著以熒光體原料(CsBr:Eu)為蒸鍍源，加壓成型，并放入水冷坩堝。然后，將蒸鍍器內(nèi)一次性排氣，接著導入N2氣體，將真空度調(diào)整為0.133Pa后，在將涂布有襯底樹脂層的試樣的溫度(也稱為基板溫度)保持在約240℃的同時，進行蒸鍍。熒光放射增強性熒光體層的膜厚達到300μm時，結(jié)束蒸鍍，得到放射線圖像轉(zhuǎn)換板試樣1～5。
《評價》使用以上制作的各放射線圖像轉(zhuǎn)換板，進行以下評價。得到的結(jié)果示于表1。
(襯底樹脂層的龜裂評價)將涂布襯底樹脂層并進行熱處理后的試樣獨立地在23℃、55％RH以及20％RH的氣體氛圍下調(diào)濕3小時，然后，通過肉眼觀察試樣表面有無龜裂發(fā)生，通過下述的等級評價。
○無龜裂△產(chǎn)生了裂紋大小為2mm以下的龜裂×產(chǎn)生了裂紋大小為數(shù)cm以上的龜裂(熒光放射增強性熒光體層的龜裂評價)將制作的放射線圖像轉(zhuǎn)換板獨立地在23℃、55％RH以及20％RH的氣體氛圍下調(diào)濕3小時，然后，通過肉眼觀察試樣表面有無龜裂發(fā)生，通過下述的等級評價。
○無龜裂△產(chǎn)生了裂紋大小為2mm以下的龜裂×產(chǎn)生了裂紋大小為數(shù)cm以上的龜裂

(*)用2970cm-1的甲基的峰高度(能量吸收量)除2270cm-1的NCO的峰高度(能量吸收量)得到的值由表1可以得知，本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板與比較例相比，在襯底樹脂層、熒光放射增強性熒光體層中的任意一個中，龜裂的發(fā)生都少。
工業(yè)實用性通過本發(fā)明，可以提供襯底樹脂層的強度和耐熱性高，并且熒光放射增強性熒光體層不龜裂的高品質(zhì)放射線圖像轉(zhuǎn)換板及其制造方法。
權(quán)利要求
1.一種放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其在支持體上具有熒光放射增強性熒光體層，其中，在支持體和熒光放射增強性熒光體層之間設(shè)置NCO基團/甲基的化學結(jié)合強度比為0.2～2.0的交聯(lián)的襯底樹脂層。
2.按照權(quán)利要求1所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其中，交聯(lián)劑為分子內(nèi)具有2個以上NCO基團的化合物。
3.按照權(quán)利要求1所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其中，襯底樹脂的數(shù)均分子量Mn低于8萬。
4.按照權(quán)利要求1所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其中，上述熒光放射增強性熒光體層含有下述通式(1)表示的熒光放射增強性熒光體，通式(1)M1X·aM2X′·bM3X″:eA(式中，M1為選自Li、Na、K、Rb和Cs各原子中至少一種的堿金屬原子，M2為選自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu以及Ni各原子中至少一種的二價金屬原子，M3為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga和In各原子中至少一種三價金屬原子，X、X′、X″為選自F、Cl、Br以及I各原子中至少一種鹵原子，A為選自Eu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu以及Mg各原子中至少一種金屬原子，另外，a、b、e分別表示0≤a＜0.5、0≤b＜0.5、0＜e≤0.2的范圍的數(shù)值)。
5.一種放射線圖像轉(zhuǎn)換板的制造方法，其中，權(quán)利要求1所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的熒光放射增強性熒光體層通過氣相成長法(也叫氣相沉淀法)形成為具有50μm～1mm的膜厚。
6.一種放射線圖像轉(zhuǎn)換板的制造方法，其中，權(quán)利要求2所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的熒光放射增強性熒光體層通過氣相成長法(也叫氣相沉淀法)形成為具有50μm～1mm的膜厚。
7.一種放射線圖像轉(zhuǎn)換板的制造方法，其中，權(quán)利要求3所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的熒光放射增強性熒光體層通過氣相成長法(也叫氣相沉淀法)形成為具有50μm～1mm的膜厚。
8.一種放射線圖像轉(zhuǎn)換板的制造方法，其中，權(quán)利要求4所述的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的熒光放射增強性熒光體層通過氣相成長法(也叫氣相沉淀法)形成為具有50μm～1mm的膜厚。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高品質(zhì)的放射線圖像轉(zhuǎn)換板及其制造方法，所述高品質(zhì)的放射線圖像轉(zhuǎn)換板的襯底層的強度和耐熱性高、熒光放射增強性熒光體層沒有微細裂紋。本發(fā)明的放射線圖像轉(zhuǎn)換板是在支持體上具有熒光放射增強性熒光體層的放射線圖像轉(zhuǎn)換板，其特征在于，支持體和熒光放射增強性熒光體層之間設(shè)置有NCO/甲基的化學鍵強度比為0.2～2.0的交聯(lián)的襯底樹脂層。
文檔編號C09K11/61GK101053042SQ20058003750
公開日2007年10月10日 申請日期2005年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月4日
發(fā)明者岡村真一, 柳多貴文 申請人:柯尼卡美能達醫(yī)療印刷器材株式會社