專利名稱：p型單晶硅片的表面處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種p型單晶硅片的表面處理方法，用于全硅光電子器件、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和功能材料等領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的A.Uhlirs等(Bell Syst.Tech.J..1956，35，333)早在1956年對(duì)單晶硅片在氫氟酸溶液中進(jìn)行電化學(xué)拋光時(shí)發(fā)現(xiàn)，在單晶硅片的表面生成了一種有光澤的黑色、棕色或暗紅色的薄膜，這層薄膜就是新的硅基材料——多孔硅，由于是在單晶硅片表面生成了一層多孔硅，故稱這種硅片為多孔單晶硅片。在當(dāng)時(shí)他們認(rèn)為這中多孔硅是一種硅的不完全氧化物，因此沒有給予足夠的重視。直到1990年英國科學(xué)家L.T.Canham(Appl.Phys.Lett.，1990.571046)首次發(fā)現(xiàn)多孔硅室溫發(fā)射有效可見光后引起了物理學(xué)家和材料學(xué)家的廣泛興趣，這不單是因?yàn)樗蚱屏斯枳鳛殚g隙能帶材料難于實(shí)現(xiàn)高效率發(fā)光的禁錮，更在于若能實(shí)現(xiàn)有效的硅可見光光學(xué)器件并將它和成熟的硅大規(guī)模、超大規(guī)模集成工藝結(jié)合，就可實(shí)現(xiàn)完全的單一的光電集成，鑒于硅基發(fā)光材料在光電子領(lǐng)域的巨大潛在應(yīng)用前景，有關(guān)多孔硅的制備光致、電致發(fā)光特征以及發(fā)光器件等方面的研究迅速成為當(dāng)今國際凝聚態(tài)物理和材料研究領(lǐng)域中的熱點(diǎn)。
雖然多孔硅的研究和應(yīng)用領(lǐng)域不斷有新的進(jìn)展，但多孔硅光致發(fā)光過程出現(xiàn)的發(fā)光效率相對(duì)較低和發(fā)光強(qiáng)度隨時(shí)間衰減并伴隨發(fā)光峰位移動(dòng)等仍然是多孔硅商業(yè)應(yīng)用面臨的主要問題。其產(chǎn)生的原因主要因?yàn)橥ㄟ^電化學(xué)陽極氧化法形成的多孔單晶硅片表面存在大量的Si-Hx鍵表面態(tài)，在大氣或加熱的條件下H會(huì)從多孔單晶硅片的表面熱脫附出來，從而增加多孔單晶硅片表面懸掛鍵的密度，而氧化的同時(shí)又會(huì)引起缺陷以致形成非輻射發(fā)光中心，導(dǎo)致多孔硅發(fā)光強(qiáng)度降低和發(fā)光峰位的藍(lán)移(Appl.Phys.Lett..1992.60.639，Appl.Phys.Lett..19942.64.1983，Appl.Phys.Lett..1995.66.639)。因此，解決多孔硅發(fā)光的不穩(wěn)定性已經(jīng)成為多孔硅實(shí)用化的關(guān)鍵性問題。
p型多孔單晶硅片制備的現(xiàn)有技術(shù)主要以電化學(xué)陽極氧化為主，p型單晶硅片主要采用晶面方向(100)，電阻率2-20Ω·cm的單面拋光材料。p型多孔單晶硅片的制備主要包括p型單晶硅片的前處理、陽極氧化兩個(gè)步驟。前處理是將p型單晶硅片先后置于無水乙醇、丙酮、1％～20％的氫氟酸、堿洗液、酸洗液，目的是除去硅片表面的灰塵、油漬、二氧化硅膜以及其他雜質(zhì)，其中堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶1～1∶1∶10；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶1～1∶1∶10(Biosensors & Bioelectronics Vol.13.No.3-4，1998，439-449)，然后將多孔單晶硅置于盛有電解液的電解槽內(nèi)通過電化學(xué)陽極氧化一步制得p型多孔單晶硅片(Appl.Phys.Lett.，1990.571046)，電化學(xué)陽極溶解的電解液為40％(Wt)氫氟酸、無水乙醇、蒸餾水的混合液，三者的體積比為1∶1∶1～3∶1∶1，電流密度選擇5～50mA/cm2，電解時(shí)間小于40min，溫度為室溫(Thin Solid Films 313-314(1998)825-830)。
電化學(xué)陽極氧化形成的p型多孔單晶硅片表面含大量Si-Hx(x＝1，2，3)鍵，在大氣或加熱的條件下H會(huì)從多孔單晶硅片的表面熱脫附出來，從而增加p型多孔單晶硅表面懸掛鍵的密度，而氧化的同時(shí)又會(huì)引起缺陷以致形成非輻射發(fā)光中心，導(dǎo)致p型多孔單晶硅片發(fā)光強(qiáng)度降低和發(fā)光峰位的藍(lán)移(Appl.Phys.Lett..1992.60.639，Appl.Phys.Lett..19942.64.1983，Appl.Phys.Lett..1995.66.639)。因此，解決多孔p型單晶硅發(fā)光的不穩(wěn)定性已經(jīng)成為p型多孔單晶硅實(shí)用化的關(guān)鍵性問題。這些硅-氫鍵有極強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)活性，能夠通過Si-C、Si-O、Si-Fe等化學(xué)鍵將不同性質(zhì)的分子連接到多孔單晶硅表面，實(shí)現(xiàn)多孔單晶硅的穩(wěn)定化。J.Linsmeier等(Thin Solid Films 297(1997)26-30)將電化學(xué)陽極氧化制備的p型多孔單晶硅片立即浸入四乙氧基硅烷、乙醇、水組成的混合溶液中處理3-232小時(shí)，引發(fā)p型多孔單晶硅片的氫化硅烷化反應(yīng)，以實(shí)現(xiàn)p型多孔單晶硅片的表面穩(wěn)定化；Y.F.Hu等(Journal ofElectron Spectroscopy and Related Phenomena 135(2004)143-147)將新鮮腐蝕的p型多孔單晶硅片浸入到去氧溶液中，如稀烴、醛、酸，在85-120℃下處理24小時(shí)實(shí)現(xiàn)的烷基化反應(yīng)。上述技術(shù)雖然能解決p型多孔單晶硅片表面的穩(wěn)定性，但是都采用了高碳鏈的烴類化合物，價(jià)格昂貴且安全性較差，實(shí)驗(yàn)時(shí)間都在幾小時(shí)到幾百小時(shí)，不能很好地滿足工業(yè)生產(chǎn)。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李新建等在CN1241611A提出一種發(fā)光的鐵鈍化p型多孔單晶硅片的水熱制備方法，該法將p型單晶硅片置于含有一定濃度的硝酸鐵(Fe(NO3)3)和氫氟酸(HF)的水熱介質(zhì)中，在100～240℃保持25min～15hr，一步獲得具有較高發(fā)光強(qiáng)度的p型多孔單晶硅片。具體處理工藝包括(1)p型單晶硅片的前處理。先后將p型單晶硅片置于丙酮或者乙醇中浸泡10～15分鐘，除去表面的雜質(zhì)，然后用蒸餾水反復(fù)沖洗幾次；(2)將清洗后的硅片用聚四氟乙烯制成的樣品架固定在水熱反應(yīng)釜中；(3)注入配制好的水熱腐蝕液，封好反應(yīng)室內(nèi)蓋，然后置于不銹鋼內(nèi)罩中，擰緊外蓋；(4)將水熱釜放入能夠自動(dòng)控溫的烘箱中，先加熱到設(shè)定的溫度，然后保持特定的時(shí)間，并記錄下該時(shí)間，此時(shí)間為水熱腐蝕的時(shí)間；(5)將水熱釜從烘箱中取出，自然冷卻到室溫；(6)從水熱釜中取出樣品，用蒸餾水浸泡、洗凈，然后在室溫下干燥。
該工藝還存在以下不足(1)實(shí)驗(yàn)中使用了高溫高壓水熱反應(yīng)釜，對(duì)于釜內(nèi)溫度、壓強(qiáng)、填充度的控制嚴(yán)格，可控制范圍窄，不容易操作，其中包括加熱、恒溫、冷卻等步驟，達(dá)到反應(yīng)條件所需的時(shí)間長(一般在1～2hr)；(2)對(duì)p型單晶硅片的化學(xué)浸蝕溶液中含有硝酸鐵(Fe(NO3)3)，在腐蝕過程中在p型多孔單晶硅片的表面鈍化Si-H鍵形成Si-Fe鍵，這樣在p型多孔單晶硅片中引入了Fe雜質(zhì)，與半導(dǎo)體工業(yè)中嚴(yán)格限制金屬雜質(zhì)的要求不相符合。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種p型單晶硅片的表面處理方法，該方法能大大地增強(qiáng)其發(fā)光強(qiáng)度，且其發(fā)光強(qiáng)度穩(wěn)定。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是1.對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理，除去其表面的灰塵、油漬、二氧化硅和其他雜質(zhì)；2.用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔硅單晶硅片，將p型多孔硅單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥；3.p型多孔硅單晶硅片的后處理(31)按以下組分和重量百分比配制后處理溶液，有機(jī)強(qiáng)酸 20-70％，醇30-80％，其中有機(jī)強(qiáng)酸為鹽酸、硝酸、硫酸和磷酸任意一種酸，鹽酸、硫酸、硝酸和磷酸的濃度為3-6％；或上述4種酸中任意兩種酸的混合，其混合重量百分比分別是10-35％，10-35％；或上述4種酸中任意三種酸的混合，其混合重量百分比分別是7-25％，7-20％，6-25％；
或上述4種酸的混合，其混合重量百分比分別是5-15％，5-20％，5-15％，5-20％；醇為乙醇、乙二醇、丙三醇和正丁醇中的任一種醇；或上述4種醇中任意兩種醇的混合，其混合重量百分比分別是15-40％，1540％；或上述4種醇中任意三種醇的混合，其混合重量百分比分別是10-25％，10-25％，10-30％；或上述4種醇的混合，其混合重量百分比分別是7-20％，8-20％，8-20％，7-20％；(32)將配制的后處理溶液置于容器內(nèi)，把p型多孔單晶硅片放入后處理溶液中，在紫外光的照射下靜置30-60分鐘，紫外燈工作電壓為200-250v，紫外燈的功率為250-400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5-20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10-20分鐘取出，室溫下干燥。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果本發(fā)明大大地增強(qiáng)了p型多孔單晶硅片的發(fā)光強(qiáng)度，且發(fā)光強(qiáng)度穩(wěn)定，方法簡單。
圖3、4為p型多孔單晶硅片經(jīng)本發(fā)明方法處理前后光致發(fā)光光譜圖。其中a為制備的p型多孔單晶硅片用光譜儀測試得到的光譜曲線，b為p型多孔單晶硅片經(jīng)后處理用光譜儀測試得到的光譜曲線，從譜圖中直觀地看出經(jīng)后處理的p型多孔單晶硅片的發(fā)光強(qiáng)度一般為制備的p型多孔單晶硅片的2～5倍，在空氣中擱置3個(gè)月后發(fā)光強(qiáng)度不衰減，峰位不藍(lán)移。
本發(fā)明所用設(shè)備簡單、容易操作；


圖1為本發(fā)明的工藝流程圖；圖2為本發(fā)明裝置示意圖；圖3、圖4都為p型多孔單晶硅片經(jīng)后處理前后用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試得到的發(fā)光光譜圖。
在圖2中1為p型多孔單晶硅片，2為后處理溶液，3為容器，4為紫外燈。
在圖3中a為制備的p型多孔單晶硅片用光譜儀測試得到的光譜曲線，b為經(jīng)硝酸/正丁醇混合溶液處理后的p型多孔單晶硅片用光譜儀測試得到的光譜曲線。
在圖4中a為制備的p型多孔單晶硅片用光譜儀測試得到的光譜曲線，b為經(jīng)鹽酸/硝酸/正丁醇混合溶液處理后的p型多孔單晶硅片用光譜儀測試得到的光譜曲線。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率2Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度10mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％
鹽酸50％乙醇50％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光采用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長為390nm，發(fā)射波長位于610nm。發(fā)光強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中儲(chǔ)存3個(gè)月后其發(fā)光強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有藍(lán)移。
實(shí)施例2(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％鹽酸45％乙二醇55％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長為390nm，發(fā)射波長位于600nm。發(fā)光強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2倍，空氣中儲(chǔ)存3個(gè)月后其發(fā)光強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例3(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為5％鹽酸40％丙三醇60％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長為390nm，發(fā)射波長位于610nm。發(fā)光強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中儲(chǔ)存3個(gè)月后其發(fā)光強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例4(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度30mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為6％鹽酸60％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為608nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.6倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例5(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為3％；硝酸56％乙醇44％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為610nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例6(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度25mA/cm2，電解25min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為4％硝酸50％乙二醇50％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例7(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率20Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度30mA/cm2，電解25min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為5％硝酸47％丙三醇53％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為610nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例8(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為6％硝酸60％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為608nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例9(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度15mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為3％硫酸55％乙醇45％(32)紫外燈所用電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm，照射時(shí)間30分鐘；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例10(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為4％硫酸45％乙二醇55％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為595nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例11(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解30min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為5％硫酸46％丙三醇54％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例12(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率20Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度35mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為6％硫酸60％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為610nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例13(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率20Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度35mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％磷酸57％乙醇43％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為598nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例14(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度10mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為4％磷酸50％乙二醇50％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例15(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為5％磷酸50％丙三醇50％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為595nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例16(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為6％磷酸60％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例17(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸濃度都為5％鹽酸20％硝酸20％乙醇60％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例18(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度30mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為5％；鹽酸25％硝酸25％
正丁醇50％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例19(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率20Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度30mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中磷酸濃度為4％，硝酸濃度為6％磷酸25％硝酸20％乙二醇55％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例20(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％，硝酸濃度為4％磷酸30％硝酸30％丙三醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例21(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解25min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為4％，硫酸濃度為5％鹽酸15％硝酸15％硫酸20％乙醇50％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例22(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解30min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％，硝酸濃度為5％，硫酸濃度為6％鹽酸20％硝酸20％磷酸20％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例23(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率20Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度30mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸濃度都為5％鹽酸10％硝酸10％硫酸10％磷酸10％乙醇60％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；
(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例24(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解15min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％、硫酸4％，磷酸6％鹽酸20％硝酸20％硫酸10％磷酸10％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例25(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解35min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％鹽酸30％乙醇30％乙二醇40％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例26(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解25min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％鹽酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇40％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例27(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度20mA/cm2，電解30min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸10％硝酸30％乙醇20％丙三醇40％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的2倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例28(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率20Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度30mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為595nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例29(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率20Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度35mA/cm2，電解25min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％鹽酸10％硫酸15％硝酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇25％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例30(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度40mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理
(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
實(shí)施例31(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理制備p型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的p型硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω-cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5、酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水組成的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個(gè)步驟處理時(shí)間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進(jìn)行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥。
在前處理后的p型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化，電流密度40mA/cm2，電解20min。
(3)對(duì)p型多孔硅片進(jìn)行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇15％乙二醇10％丙三醇20％正丁醇15％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。強(qiáng)度為新鮮制備p型多孔單晶硅的3.5倍，空氣中放置3個(gè)月后，強(qiáng)度沒有衰減，峰位沒有明顯藍(lán)移。
權(quán)利要求
1.一種p型單晶硅片的表面處理方法，其特征在于該方法按以下的順序步驟進(jìn)行(1)對(duì)p型單晶硅片進(jìn)行前處理除其表面的灰塵、油漬和二氧化硅及其他雜質(zhì)；(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，將p型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，然后取出在室溫下干燥；(3)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(31)按以下組分和重量百分比配制后處理溶液，有機(jī)強(qiáng)酸20-70％，醇 30-80％，其中有機(jī)強(qiáng)酸為鹽酸、硝酸、硫酸和磷酸任意一種酸，鹽酸、硫酸、硝酸和磷酸的濃度為3-6％或上述4種酸中任意兩種酸的混合，其混合重量百分比分別是10-35％，10-35％；或上述4種酸中任意三種酸的混合，其混合重量百分比分別是7-25％，7-20％，6-25％；或上述4種酸的混合，其混合重量百分比分別是5-15％，5-20％，5-15％，5-20％；醇為乙醇、乙二醇、丙三醇和正丁醇中的任一種醇；或上述4種醇中任意兩種醇的混合，其混合重量百分比分別是15-40％，15-40％；或上述4種醇中任意三種醇的混合，其混合重量百分比分別是10-25％，10-25％，10-30％；或上述4種醇的混合，其混合重量百分比分別是7-20％，8-20％，8-20％，7-20％；(32)將配制的后處理溶液置于容器內(nèi)，把p型多孔單晶硅片放入后處理溶液中，在紫外光的照射下靜置30-60分鐘，紫外燈工作電壓為200-250v，紫外燈的功率為250-400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5-20cm；(33)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10-20分鐘取出，室溫下干燥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％鹽酸50％乙醇50％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％鹽酸 45％乙二醇55％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為5％鹽酸 40％丙三醇60％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為6％鹽酸 60％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為3％硝酸56％乙醇44％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為4％硝酸 50％乙二醇50％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為5％硝酸 47％丙三醇53％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
9.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為6％硝酸 60％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
10.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為3％硫酸55％乙醇45％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈所用電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm，照射時(shí)間30分鐘；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
11.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為4％硫酸 45％乙二醇55％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
12.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為5％硫酸46％丙三醇54％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
13.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為6％硫酸 60％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
14.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％磷酸57％乙醇43％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
15.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為4％磷酸 50％乙二醇50％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
16.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為5％磷酸 50％丙三醇50％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
17.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為6％磷酸 60％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
18.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸濃度都為5％鹽酸20％硝酸20％乙醇60％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
19.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為5％；鹽酸25％硝酸25％正丁醇50％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
20.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中磷酸濃度為4％，硝酸濃度為6％磷酸25％硝酸20％乙二醇55％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
21.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％，硝酸濃度為4％磷酸30％硝酸30％丙三醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
22.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為4％，硫酸濃度為5％鹽酸15％硝酸15％硫酸20％乙醇50％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
23.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％，硝酸濃度為5％，硫酸濃度為6％鹽酸20％硝酸20％磷酸20％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
24.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸濃度都為5％鹽酸10％硝酸10％硫酸10％磷酸10％乙醇60％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
25.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％、硫酸4％，磷酸6％鹽酸20％硝酸20％硫酸10％磷酸10％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
26.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％鹽酸30％乙醇30％乙二醇40％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
27.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％鹽酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇40％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
28.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸10％硝酸30％乙醇20％丙三醇40％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
29.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
30.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％鹽酸10％硫酸15％硝酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇25％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
31.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
32.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的p型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于p型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇15％乙二醇10％丙三醇20％正丁醇15％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與p型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的p型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清洗，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
全文摘要
一種p型單晶硅片的表面處理方法，用于全硅光電子器件、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和功能材料等領(lǐng)域。本發(fā)明包括p型單晶硅片的前處理、電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理，得到具有發(fā)光強(qiáng)度高且在空氣中長期存放發(fā)光不衰減，峰位不藍(lán)移的p型多孔單晶硅片。
文檔編號(hào)C09K11/59GK1865541SQ20061005424
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月25日
發(fā)明者黎學(xué)明, 劉成倫, 王力春, 黃輝, 聶福德, 黃亨健 申請(qǐng)人:重慶大學(xué)