專利名稱：n型單晶硅片的表面處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種n型單晶硅片的表面處理方法，用于全硅光電子器件、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和功能材料等領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
1956年，美國貝爾實驗室的A.Uhlirs等(Bell Syst.Tech.J..1956，35，333)對單晶硅片在氫氟酸溶液中進行電化學(xué)拋光時發(fā)現(xiàn)，在單晶硅片的表面生成了一種有光澤的黑色、棕色或暗紅色的薄膜，這層薄膜就是新的硅基材料——多孔硅，由于是在單晶硅片表面生成了一層多孔硅，故稱這種硅片為多孔單晶硅片。在當時他們認為這種多孔硅薄膜是一種硅的不完全氧化物，因此沒有給予足夠的重視。1990年英國科學(xué)家L.T.Canham(Appl.Phys.Lett.，1990.571046)首次發(fā)現(xiàn)多孔硅室溫發(fā)射有效可見光后引起了物理學(xué)家和材料學(xué)家的廣泛興趣，這不單是因為它打破了硅作為間隙能帶材料難于實現(xiàn)高效率發(fā)光的禁錮，更在于若能實現(xiàn)有效的硅可見光光學(xué)器件并將它和成熟的硅大規(guī)模、超大規(guī)模集成工藝結(jié)合，就可實現(xiàn)完全的單一的光電集成，鑒于硅基發(fā)光材料在光電子領(lǐng)域的巨大潛在應(yīng)用前景，有關(guān)多孔單晶硅的制備光致、電致發(fā)光特征以及發(fā)光器件等方面的研究迅速成為當今國際凝聚態(tài)物理和材料研究領(lǐng)域中的熱點。
雖然多孔硅的研究和應(yīng)用領(lǐng)域不斷有新的進展，但多孔硅光致發(fā)光過程出現(xiàn)的發(fā)光效率相對較低和發(fā)光強度隨時間衰減并伴隨發(fā)光峰位移動等仍然是多孔硅商業(yè)應(yīng)用面臨的主要問題。其產(chǎn)生的原因主要因為通過電化學(xué)陽極氧化法形成的多孔單晶硅片表面存在大量的Si-Hx鍵表面態(tài)，在大氣或加熱的條件下H會從多孔單晶硅片的表面熱脫附出來，從而增加多孔單晶硅片表面懸掛鍵的密度，而氧化的同時又會引起缺陷以致形成非輻射發(fā)光中心，導(dǎo)致多孔硅發(fā)光強度降低和發(fā)光峰位的藍移(Appl.Phys.Lett..1992.60.639，Appl.Phys.Lett..19942.64.1983，Appl.Phys.Lett..1995.66.639)。因此，解決多孔硅發(fā)光的不穩(wěn)定性已經(jīng)成為多孔硅實用化的關(guān)鍵性問題。
n型多孔單晶硅片制備的現(xiàn)有技術(shù)主要以電化學(xué)陽極氧化為主，n型單晶硅片主要采用晶面方向(100)，電阻率1.5-15Ω·cm的單面拋光材料。n型多孔單晶硅片的制備主要包括n型單晶硅片的前處理、陽極氧化兩個步驟。前處理是將n型單晶硅片先后置于無水乙醇、丙酮、1％～20％的氫氟酸、堿洗液、酸洗液，目的是除去n型單晶硅片表面的灰塵、油漬、二氧化硅以及其他雜質(zhì)，其中堿洗液的組成為氨水、過氧化氫、蒸餾水，體積比為1∶1∶3～1∶1∶10、酸洗液的組成為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水，體積比為1∶1∶3～1∶1∶10(Biosensors&Bioelectronics Vol.13.No.3-4，1998，439-449)，然后將n型單晶硅片置于盛有電解液的電解槽內(nèi)通過電化學(xué)陽極氧化一步制得n型多孔單晶硅片(Appl.Phys.Lett.，1990.571046)，電化學(xué)陽極氧化的電解液為40％(Wt)氫氟酸、無水乙醇、蒸餾水的混合液，三者的體積比例在1∶1∶1～3∶1∶1之間(Thin Solid Films 313-314(1998)825-830)，電流密度選擇5～50mA/cm2，電解時間小于40min，溫度為室溫，在電化學(xué)陽極氧化的過程中需同時采用200～300W的碘鎢燈對單晶硅片拋光面照射(Sensors and Actuators A 95(2002)202-207；Applied SurfaceScience 216(2003)334-339)。
電化學(xué)陽極氧化形成的n型多孔單晶硅片表面含大量Si-Hx(x＝1，2，3)鍵，這些硅-氫鍵有極強的化學(xué)反應(yīng)活性，能夠通過Si-C、Si-O、Si-Fe等化學(xué)鍵將不同性質(zhì)的分子連接到多孔單晶硅片表面，實現(xiàn)n型多孔單晶硅片的發(fā)光穩(wěn)定化。STEWART M.P等(Phys StateSol，2000，A182(109)109-115.)提出的基于Lewis酸、電化學(xué)、白光、熱等引發(fā)的n型多孔單晶硅片與烯烴、炔烴之間的氫化硅烷化反應(yīng)；SAILOR M.J等(Adv Mater，1997，9(7)783-793)開展的通過有機鹵化物電化學(xué)還原、烷基鋰和芳基鋰試劑引發(fā)光、電化學(xué)酯化等途徑實現(xiàn)的烷基化反應(yīng)等。對于STEWARTM.P等提出的基于白光引發(fā)的氫化硅烷化反應(yīng)而言，具有顯著優(yōu)點，因為該方法不涉及易燃易爆的引發(fā)劑，不需要苛刻的反應(yīng)條件，但由于該過程對于手套箱內(nèi)的環(huán)境要求較為嚴格，無疑增加了實驗控制的難度。對于SAILOR M.J等提出的烷基化反應(yīng)，由于實驗過程中使用了易燃易爆且有劇毒的引發(fā)劑，使得實驗條件苛刻，難于控制，而且不能用于大規(guī)模的生產(chǎn)。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李新建等在CN1241611A提出一種發(fā)光的鐵鈍化n型多孔單晶硅片的水熱制備方法，該法將n型單晶硅片置于含有一定濃度的硝酸鐵(Fe(NO3)3)和氫氟酸(HF)的水熱介質(zhì)中，在100～240℃保持25min～15hr，一步獲得具有較高發(fā)光強度的n型多孔單晶硅片。具體處理工藝包括(1)n型單晶硅片的前處理，先后將n型單晶硅片置于丙酮或者乙醇中浸泡10～15分鐘，除去表面的雜質(zhì)，然后用蒸餾水反復(fù)沖洗幾次；(2)將清洗后的硅片用聚四氟乙烯制成的樣品架固定在水熱反應(yīng)釜中；(3)注入配制好的水熱腐蝕液，封好反應(yīng)室內(nèi)蓋，然后置于不銹鋼內(nèi)罩中，擰緊外蓋；(4)將水熱釜放入能夠自動控溫的烘箱中，先加熱到設(shè)定的溫度，然后保持特定的時間，并記錄下該時間，此時間為水熱腐蝕的時間；(5)將水熱釜從烘箱中取出，自然冷卻到室溫；(6)從水熱釜中取出樣品，用蒸餾水浸泡、洗凈，然后在室溫空氣中自然涼干。
該工藝還存在以下不足(1)實驗中使用了高溫高壓水熱反應(yīng)釜，對于釜內(nèi)溫度、壓強、填充度的控制嚴格，可控制范圍窄，不容易操作，其中包括加熱、恒溫、冷卻等步驟，達到反應(yīng)條件所需的時間長(一般在1～2hr)；(2)n型單晶硅片的化學(xué)浸蝕溶液中含有硝酸鐵(Fe(NO3)3)，在腐蝕過程中在n型多孔單晶硅的表面鈍化Si-H鍵形成Si-Fe鍵，這樣在n型多孔單晶硅片中引入了Fe雜質(zhì)，與半導(dǎo)體工業(yè)中嚴格限制金屬雜質(zhì)的要求不相符合。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種n型單晶硅片的表面處理方法，該方法不僅能增強其發(fā)光強度，而且發(fā)光強度穩(wěn)定。
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是1.對n型單晶硅片進行前處理，除去其表面的灰塵、油漬、二氧化硅及其他雜質(zhì)；2.用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，且同時用200-300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥；3.對n型多孔單晶硅片進行后處理；(31)按以下組分和重量百分比配制后處理溶液有機強酸 20-70％，醇30-80％，其中有機強酸為鹽酸、硝酸、硫酸和磷酸中任意一種酸，鹽酸、硫酸、硝酸和磷酸的濃度為3-6％；或上述4種酸中任意兩種酸的混合，其混合重量百分比分別是10-35％，10-35％；或上述4種酸中任意三種酸的混合，其混合重量百分比分別是7-25％，7-25％，6-20％；或上述4種酸的混合，其混合重量百分比分別是5-15％，5-20％，5-15％，5-20％；
醇為乙醇、乙二醇、丙三醇和正丁醇中任意一種醇；或上述4種醇中任意兩種醇的混合，其混合重量百分比分別是15-40％，15-40％；或上述4種醇中任意三種醇的混合，其混合重量百分比分別是10-25％，10-25％，10-30％；或上述4種醇的混合，其混合重量百分比分別是8-20％，7-20％，8-20％，7-20％；(32)將配制的后處理溶液置于容器內(nèi)，把n型多孔單晶硅片放入后處理溶液中，在紫外光的照射下靜置30-60分鐘，紫外燈工作電壓為200-250v，紫外燈的功率為250-400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5-20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10-20分鐘取出，室溫下干燥。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下明顯效果本發(fā)明大大地增強了n型多孔單晶硅片的發(fā)光強度，且發(fā)光強度穩(wěn)定，方法簡單。
圖4、5為n型多孔單晶硅片經(jīng)本發(fā)明方法處理前后光致發(fā)光光譜圖。其中a為制備的n型多孔單晶硅片用光譜儀測試得到的光譜曲線，b為n型多孔單晶硅片經(jīng)后處理用光譜儀測試得到的光譜曲線，從譜圖中直觀地看出經(jīng)后處理的n型多孔單晶硅片發(fā)光強度一般為制備的n型多孔單晶硅片的2～3倍，在空氣中擱置3個月后發(fā)光強度不衰減，峰位不藍移。
本發(fā)明所用設(shè)備簡單、容易操作。


圖1為本發(fā)明工藝流程圖；圖2為本發(fā)明所用裝置示意圖；圖3、圖4為n型多孔單晶硅片經(jīng)后處理前后用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試得到的發(fā)光光譜圖。
在圖2中，1為n型多孔單晶硅片、2為后處理溶液、3為容器、4為紫外燈。
在圖3中，a為制備的n型多孔單晶硅片的發(fā)光光譜曲線，b為用硝酸/正丁醇混合溶液進行后處理的n型多孔單晶硅片的發(fā)光光譜曲線。
在圖4中，a為制備的n型多孔單晶硅片的發(fā)光光譜曲線，b為鹽酸/硝酸/乙醇混合溶液進行后處理的n型多孔單晶硅片的發(fā)光光譜曲線。
具體實施例方式
實施例1(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率1.5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度20mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％鹽酸51％
乙醇49％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光采用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長為390nm，發(fā)射波長位于610nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2倍，空氣中儲存3個月后其發(fā)光強度沒有衰減，峰位沒有藍移。
實施例2(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率2Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度30mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％鹽酸44％乙二醇56％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長為390nm，發(fā)射波長位于600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2倍，空氣中儲存3個月后其發(fā)光強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例3(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率2.5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度35mA/cm2，電解15min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為5％鹽酸42％丙三醇58％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm，；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長為390nm，發(fā)射波長位于610nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2倍，空氣中儲存3個月后其發(fā)光強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例4(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率3Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度40mA/cm2，電解20min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為6％鹽酸56％正丁醇44％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為608nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例5(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率3.5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度40mA/cm2，電解20min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為3％硝酸56％乙醇44％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為610nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例6(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率4Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度45mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為4％硝酸49％乙二醇51％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例7(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率7Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度50mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為5％硝酸47％丙三醇53％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為610nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.25倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例8(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率8Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度45mA/cm2，電解25min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為6％硝酸61％正丁醇39％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為608nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.25倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例9(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率9Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度40mA/cm2，電解30min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為3％硫酸55％乙醇45％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.25倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例10(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度45mA/cm2，電解30min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為4％硫酸48％乙二醇52％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為595nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例11(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度50mA/cm2，電解40min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為5％硫酸46％丙三醇54％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例12(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度20mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為6％硫酸60％
正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為610nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例13(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度30mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％磷酸58％乙醇42％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為598nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例14(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度35mA/cm2，電解15min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為4％磷酸50％乙二醇50％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例15(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率3Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度15mA/cm2，電解15min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為5％磷酸49％丙三醇51％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為595nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例16(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度18mA/cm2，電解20min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為6％磷酸62％正丁醇38％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例17(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度18mA/cm2，電解20min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸濃度都為5％鹽酸20％硝酸30％乙醇50％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例18(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度30mA/cm2，電解20min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為5％鹽酸30％硝酸30％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例19(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度50mA/cm2，電解30min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中磷酸濃度為4％，硝酸濃度為6％磷酸20％硝酸15％乙二醇65％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例20(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度20mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％，硝酸濃度為4％磷酸25％硝酸20％丙三醇55％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例21(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度25mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為4％，硫酸濃度為5％鹽酸20％硝酸15％硫酸15％乙醇50％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例22(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度20mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％，硝酸濃度為5％，硫酸濃度為6％鹽酸20％硝酸20％磷酸20％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例23(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度35mA/cm2，電解30min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸濃度都為5％鹽酸10％硝酸10％硫酸10％磷酸10％乙醇60％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為605nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例24(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度35mA/cm2，電解30min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％、硫酸4％，磷酸6％鹽酸20％硝酸20％
硫酸10％磷酸10％正丁醇40％(32)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例25(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度40mA/cm2，電解35min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％鹽酸30％乙醇30％乙二醇40％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例26(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率8Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度20mA/cm2，電解18min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％鹽酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇40％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例27(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度25mA/cm2，電解20min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸10％硝酸30％乙醇20％丙三醇40％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例28(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度30mA/cm2，電解40min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(32)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例29(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率5Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度20mA/cm2，電解15min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％鹽酸10％硫酸15％硝酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇25％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為600nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.25倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例30(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率10Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度25mA/cm2，電解20min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(32)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為610nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的2.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
實施例31(1)對n型單晶硅片進行前處理制備n型多孔單晶硅片的材料為單面拋光的n型單晶硅片，晶面方向(100)，電阻率15Ω·cm。前處理溶液包括無水乙醇、丙酮、5％氫氟酸溶液、堿洗液為氨水、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5；酸洗液為鹽酸、過氧化氫、蒸餾水的混合溶液，三者的體積比為1∶1∶5。上述各個步驟處理時間控制在5分鐘，其中堿洗、酸洗在80℃條件下進行，其余為常溫。
(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥在前處理后的n型單晶硅片背面墊一層鋁箔，將鐵電極放在鋁箔上面，再將n型單晶硅片置于陽極氧化槽的底部，然后將配制好的電解液注入到氧化槽內(nèi)，以鐵電極作為陽極，鉑電極作為陰極進行電化學(xué)陽極氧化；電流密度40mA/cm2，電解30min，同時采用功率為300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面。
(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇15％乙二醇10％丙三醇20％正丁醇15％(32)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
光致發(fā)光使用島津PF-5301PC型熒光光譜儀測試，激發(fā)波長390nm，發(fā)射波長為595nm。發(fā)光強度為制備的n型多孔單晶硅片的3.5倍，空氣中放置3個月后，強度沒有衰減，峰位沒有明顯藍移。
權(quán)利要求
1.一種n型單晶硅片的表面處理方法，其特征在于該方法按以下的順序步驟進行(1)對n型單晶硅片進行前處理除其表面的灰塵、油漬、二氧化硅和其他雜質(zhì)；(2)用電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，且同時用200-300W的碘鎢燈照射n型單晶硅片的拋光面，然后將n型多孔單晶硅片置于乙醇中清洗，取出在室溫下干燥；(3)對n型多孔單晶硅片進行后處理(31)按以下組分和重量百分比配制后處理溶液，有機強酸20-70％，醇 30-80％，其中有機強酸為鹽酸、硝酸、硫酸和磷酸中任意一種酸，鹽酸、硫酸、硝酸和磷酸的濃度為3-6％；或上述4種酸中任意兩種酸的混合，其混合重量百分比分別是10-35％，10-35％；或上述4種酸中任意三種酸的混合，其混合重量百分比分別是7-25％，7-25％，6-20％；或上述4種酸的混合，其混合重量百分比分別是5-15％，5-20％，5-15％，5-20％；醇為乙醇、乙二醇、丙三醇和正丁醇中任意一種醇；或上述4種醇中任意兩種醇的混合，其混合重量百分比分別是15-40％，15-40％；或上述4種醇中任意三種醇的混合，其混合重量百分比分別是10-25％，10-25％，10-30％；或上述4種醇的混合，其混合重量百分比分別是8-20％，7-20％，8-20％，7-20％；(32)將配制的后處理溶液置于容器內(nèi)，把n型多孔單晶硅片放入后處理溶液中，在紫外光的照射下靜置30-60分鐘，紫外燈工作電壓為200-250v，紫外燈的功率為250-400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5-20cm；(33)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10-20分鐘取出，室溫下干燥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％鹽酸51％乙醇49％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％鹽酸44％乙二醇56％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為5％鹽酸42％丙三醇58％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm，；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為6％鹽酸56％正丁醇44％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為3％硝酸56％乙醇44％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為4％硝酸 49％乙二醇51％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為5％硝酸 47％丙三醇53％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
9.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硝酸濃度為6％硝酸 61％正丁醇39％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
10.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為3％硫酸55％乙醇45％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
11.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為4％硫酸 48％乙二醇52％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
12.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為5％硫酸 46％丙三醇54％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
13.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度為6％硫酸 60％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
14.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％磷酸58％乙醇42％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
15.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為4％磷酸 50％乙二醇50％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
16.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為5％磷酸49％丙三醇51％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
17.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為6％磷酸 62％正丁醇38％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
18.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸濃度都為5％鹽酸20％硝酸30％乙醇50％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
19.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為5％鹽酸30％硝酸30％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
20.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中磷酸濃度為4％，硝酸濃度為6％磷酸20％硝酸15％乙二醇65％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
21.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用磷酸濃度為3％，硝酸濃度為4％磷酸25％硝酸20％丙三醇55％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
22.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硝酸濃度為4％，硫酸濃度為5％鹽酸20％硝酸15％硫酸15％乙醇50％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
23.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為4％，硝酸濃度為5％，硫酸濃度為6％鹽酸20％硝酸20％磷酸20％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
24.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸濃度都為5％鹽酸10％硝酸10％硫酸10％磷酸10％乙醇60％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
25.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％、硫酸4％，磷酸6％鹽酸20％硝酸20％硫酸10％磷酸10％正丁醇40％(12)在紫外光的照射下靜置60分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
26.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％鹽酸30％乙醇30％乙二醇40％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
27.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硝酸濃度5％鹽酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇40％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
28.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸10％硝酸30％乙醇20％丙三醇40％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離10cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
29.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用硫酸濃度4％，硝酸濃度5％硫酸20％硝酸20％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(12)在紫外光的照射下靜置50分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為350W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
30.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％鹽酸10％硫酸15％硝酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇25％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為250W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離5cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡20分鐘取出，室溫下干燥。
31.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇20％乙二醇20％丙三醇20％(12)在紫外光的照射下靜置40分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為300W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離15cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡10分鐘取出，室溫下干燥。
32.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的n型多孔單晶硅片的表面處理方法，其特征在于n型多孔單晶硅片具體的表面處理方法是(1)對n型多孔單晶硅片進行后處理(11)按以下具體組分和重量百分比配制后處理溶液，其中所用鹽酸濃度為3％，硫酸濃度5％，硝酸濃度6％，磷酸濃度4％鹽酸10％硫酸15％硝酸5％磷酸10％乙醇15％乙二醇10％丙三醇20％正丁醇15％(12)在紫外光的照射下靜置30分鐘，紫外燈工作電壓為220v，紫外燈的功率為400W，紫外燈的燈泡與n型多孔單晶硅片上表面之間距離20cm；(13)將用紫外燈照射后的n型多孔單晶硅片取出，用蒸餾水清凈，然后放入乙醇中浸泡15分鐘取出，室溫下干燥。
全文摘要
一種n型單晶硅片的表面處理方法，用于全硅光電子器件、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和功能材料等領(lǐng)域。本發(fā)明包括n型單晶硅片的前處理、電化學(xué)陽極氧化法制備n型多孔單晶硅片，需同時用碘鎢燈照射其拋光面、然后對n型多孔單晶硅片進行后處理，得到具有發(fā)光強度高且在空氣中長期存放發(fā)光不衰減，峰位不藍移的n型多孔單晶硅片。
文檔編號C09K11/59GK1865542SQ20061005424
公開日2006年11月22日 申請日期2006年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月25日
發(fā)明者黎學(xué)明, 楊建春, 王力春, 黃輝, 聶福德, 郁衛(wèi)飛 申請人:重慶大學(xué)