專利名稱：粘合片及其制造方法、以及制品的加工方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種粘合片及其制造方法，以及使用該粘合片加工制品的方法，尤其涉及在半導體晶圓等半導體制品和光學類制品等的精密加工工序中，用于保持或保護制品的粘合片及其制造方法、以及使用該粘合片加工制品的方法。
背景技術：
在光學產(chǎn)業(yè)或半導體產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)中，在精密加工透鏡等光學部件或半導體晶圓等半導體制品時，為了保護晶圓等的表面或防止破損而使用粘合片。
例如，在半導體芯片的制造工序中，將高純度硅單晶等切片而形成晶圓后，對晶圓的表面進行蝕刻形成IC等規(guī)定的電路圖案而安裝上集成電路，然后，通過磨削機磨削晶圓的背面，使得晶圓的厚度減薄至100～600μm左右，最后通過切割進行芯片化而制備。由于半導體晶圓本身薄且脆，并且在電路圖案中存在凹凸，因此若在向磨削工序或切割工序搬送時施加外力就容易破損。另外，為了除去在研磨加工工序中產(chǎn)生的磨削碎屑或除去在研磨時產(chǎn)生的熱，由精制水洗凈晶圓背面并進行研磨處理，因而有必要防止由磨削碎屑或磨削水等引起污染。因此，為了保護電路圖案面等、以及防止半導體晶圓的破損，在電路圖案面粘貼粘合片來進行操作。另外，在切割時，通過在晶圓背面一側貼上粘合片類，在使晶圓粘接固定的狀態(tài)下進行切割，通過探針從薄膜基材側拾取所形成的芯片，并使其固定在小片襯墊上。
作為在這里所使用的粘合片，已知有例如在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等的基材片上具有粘合劑層的粘合片。在日本專利特開昭61-10242號公報中公開了一種硅晶圓加工用薄膜，其在肖氏硬度為40以下的基材片的表面上設置了粘合層。此外，在日本專利特開平9-253964號公報中公開了一種粘合帶，其在使包含聚氨酯丙烯酸酯類低聚物和反應性稀釋單體的混合物輻射線固化而成的基材上，設置了粘合層。在日本專利特開昭61-260629號公報中公開了一種硅晶圓加工用薄膜，其在肖氏D硬度為40以下的基材薄膜一側的表面上，層疊了有肖氏D硬度比40更大的輔助薄膜，在基材的另一個表面上設有粘合劑層。在日本專利特開2000-150432號公報中公開了一種粘合片，其在拉伸試驗中的10％拉伸時的應力松弛率為1分鐘40％以上。
然而，近年來，電路圖案面的凹凸的高低差變大，此外，伴隨著芯片的小型化，半導體晶圓的厚度要求低于100μm這樣的薄型化。例如，在使用PET這樣的剛性基材的粘合片中，可以抑制薄膜磨削后的晶圓的翹曲，但不會追隨晶圓表面的電路圖案面的凹凸，因而粘合劑層和圖案面之間的粘接不充分，在晶圓加工時會產(chǎn)生薄片的剝離，或者磨削水或異物會進入圖案面。此外，在使用EVA這樣的軟質基材的粘合片中，不存在對圖案面的追隨性的問題，但由于基材的剛性不足，因此在晶圓研磨后會發(fā)生翹曲或由晶圓的自身重量帶來的撓曲。
于是，設想一種由具有剛性的基材PET與軟質基材EVA貼合而成的基材，但在通過粘合劑機械地粘貼時，貼合時所付與的應力會殘留在薄膜內(nèi)，基材會卷曲。此外，在通過T型模頭法或壓延法等形成層壓體的情況下，由于制膜時的熱收縮而在薄膜內(nèi)產(chǎn)生殘留應力。使用這樣的產(chǎn)生了殘留應力的基材的粘合片，存在如下的問題由于貼合時的拉伸應力、擠壓壓力等引起的粘合片內(nèi)的應變，導致在磨削晶圓時晶圓損壞，或者磨削后晶圓產(chǎn)生大的翹曲。
在日本專利特開2004-122758號公報中公開了一種具有復合薄膜作為中間層的粘合片，該復合薄膜含有聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物作為有效成分，公開了該粘合片對以上這些問題具有效果。
另外，晶圓在經(jīng)過切斷成各個芯片的切割工序后，實施引線接合、以樹脂密封等工序。在這些的工序中被使用的粘合片必須是不會污染晶圓等被粘附體的。已知在晶圓加工中使用粘合片的情況下對晶圓表面的污染源是與晶圓表面直接接觸的粘合劑層中所含的低分子量成分引起的，而且在具有含有聚氨酯聚合物的復合薄膜作為中間層的粘合片中，進一步發(fā)現(xiàn)在復合薄膜中所含的聚氨酯聚合物也是污染源的原因。即，可以認為上述粘合片存在由污染物引起的問題，在復合薄膜中所含的聚氨酯聚合物通過粘合劑層到達晶圓表面，使污染量增加。
已知晶圓表面的污染物對引線接合的抗剪強度產(chǎn)生影響。即，在制造半導體芯片時進行的引線接合中，要求球與焊點之間的粘接強度較高，而附著在晶圓上的鋁表面上的有機物或顆粒是阻礙金線接合到鋁表面上的主要原因，如果在鋁表面附著大量的污染物質，則污染物質成為氣孔的起點而產(chǎn)生密封樹脂被剝離、或在密封樹脂中產(chǎn)生裂紋、引線接合抗剪強度降低等問題。
特別是近年來，伴隨著半導體集成電路的高密度化和高功能化等，對半導體晶圓和由其得到的半導體芯片的電路面的污染控制變得嚴格起來。因此，對晶圓加工用粘合片，要求比以往更高的低污染性。
本發(fā)明是為了解決上述問題而進行的，本發(fā)明的目的在于，提供一種例如在半導體層晶圓等制品的加工工序中使用的粘合片及其制造方法、以及使用該粘合片加工晶圓等制品的方法，該粘合片即使研磨后的半導體晶圓是薄壁的，也不會在磨削工序中使晶圓發(fā)生破損，而且可以追隨晶圓等的表面凹凸，并且可以實現(xiàn)低污染性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的粘合片，是依次具有基材、中間層和粘合劑層的粘合片，其特征在于，所述中間層由含有聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物作為有效成分的復合薄膜形成，所述聚氨酯聚合物，其在微分分子量曲線中的分子量為1萬以下的成分的含量不足10％。
其中，上述乙烯基類聚合物可以是丙烯酸類聚合物。
此外，上述復合薄膜是如下形成的在自由基聚合性單體中，使多元醇與多異氰酸酯反應形成聚氨酯聚合物，在基材上涂布包含該聚氨酯聚合物和該自由基聚合性單體的混合物，通過照射輻射線使之固化而形成。
在本發(fā)明中，該自由基聚合性單體是丙烯酸類單體。
本發(fā)明的粘合片的制造方法，其特征在于，在基材上涂布包含聚氨酯聚合物和自由基聚合性單體的混合物，通過照射輻射線使之固化而形成復合薄膜，在該復合薄膜上設置粘合劑層。
其中，上述混合物是通過在自由基聚合性單體中使多元醇與多異氰酸酯反應形成聚氨酯聚合物而制造的。
此外，上述自由基聚合性單體是丙烯酸類單體。
本發(fā)明的制品的加工方法，其特征在于，是在將上述任意一個粘合片粘貼到被精密加工的制品上以保持和/或保護制品的狀態(tài)下進行精密加工的方法。


圖1表示本發(fā)明第1實施方式的粘合片的層結構。
具體實施例方式
以下就本發(fā)明進行詳細說明。
本發(fā)明的粘合片，是依次具有基材、中間層和粘合劑層的粘合片，其特征在于，所述中間層由含有聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物作為有效成分的復合薄膜形成。其中，所述聚氨酯聚合物，其在微分分子量曲線中的分子量為1萬以下的成分的含量不足10％。
另外，在本發(fā)明中，稱為“薄膜”時包括薄片的概念，稱為“薄片”時包括薄膜的概念。
作為構成本發(fā)明粘合片的基材，可以列舉例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯類樹脂，聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、高密度聚乙烯、雙向拉伸聚丙烯等聚烯烴類樹脂，聚酰亞胺(PI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氯乙烯類樹脂、聚酰胺類樹脂、聚氨酯類樹脂、聚苯乙烯類樹脂、丙烯酸類樹脂、氟樹脂、纖維素類樹脂、聚碳酸酯類樹脂等熱塑性樹脂，除此之外，還可以使用熱固性樹脂。其中，PET由于在精密部件的加工中使用的情況下具有適當?shù)挠捕龋虼耸沁m合的，此外，從品種的豐富程度和成本方面來說也是有利的，因此優(yōu)選使用。薄膜的材料，優(yōu)選根據(jù)用途或根據(jù)需要設定的粘合劑層的種類等而適當決定，例如在設置紫外線固化型粘合劑的情況下，優(yōu)選紫外線透過率高的基材。
根據(jù)需要，可以在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，在基材中使用通常被使用的添加劑。例如，作為添加劑，可以列舉抗老化劑、填充劑、顏料、著色劑、阻燃劑、防帶電劑、紫外線吸收劑等。
此外，在本發(fā)明中，根據(jù)需要，還可以對基材的表面施加無光澤處理、電暈放電處理、底漆處理、交聯(lián)處理(硅烷等的化學交聯(lián)處理)等常用的物理處理或化學處理。
此外，在本發(fā)明中，基材可以是單層結構，也可以是由2層以上構成的層壓體。在基材為2層以上的層壓體的情況下，形成各層的樹脂可以相同，也可以不同。
基材的厚度通常為10μm～300μm，優(yōu)選為30μm～200μm左右。
在本發(fā)明中，構成粘合片的中間層的復合薄膜，如上所述包含聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物。
構成復合薄膜的聚氨酯聚合物通過使多元醇和多異氰酸酯反應而得到。在多元醇的羥基與異氰酸酯的反應中，可以使用催化劑?？梢允褂美缍鹿鹚岫』a、辛酸錫、1，4-二氮雜雙環(huán)(2，2，2)辛烷等在聚氨酯反應中通常使用的催化劑。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用容易生成高分子量聚氨酯聚合物的錫類催化劑。
構成聚氨酯聚合物的多元醇，在1分子中具有至少2個羥基。
作為低分子量的多元醇，可以列舉乙二醇、二乙二醇、丙二醇、丁二醇、1，6-己二醇等二元醇，三羥甲基丙烷、甘油等三元醇，或季戊四醇等四元醇等。
此外，作為高分子量的多元醇，可以列舉使環(huán)氧乙烷、環(huán)氧丙烷、四氫呋喃等加成聚合而得到的聚醚多元醇；或由上述的二元醇、二丙二醇、1，4-丁二醇、1，6-己二醇、新戊二醇等醇與己二酸、壬二酸、癸二酸等二元酸的縮聚物構成的聚酯多元醇；丙烯酸多元醇；碳酸酯多元醇；環(huán)氧多元醇；己內(nèi)酯多元醇等。在這些物質中，優(yōu)選聚醚多元醇、聚酯多元醇。作為丙烯酸多元醇，可以列舉羥乙基(甲基)丙烯酸酯、羥丙基(甲基)丙烯酸酯等具有羥基的單體的共聚物，除此之外還可以列舉含羥基化合物與丙烯酸類單體的共聚物等。作為環(huán)氧多元醇，可以是胺改性環(huán)氧樹脂等。
在本發(fā)明中，考慮到基材的特性、對自由基聚合性單體的溶解性、與異氰酸酯的反應性等，可以單獨或組合使用上述多元醇。在需要強度的情況下，通過三元醇導入交聯(lián)結構、或者通過增加由低分子量二元醇形成的聚氨酯硬鏈段的量是有效的。在重視伸長率的情況下，優(yōu)選單獨使用分子量大的二元醇。此外，聚醚多元醇通常便宜且耐水性良好，聚酯多元醇強度較高。在本發(fā)明中，相應于用途和目的，可以自由地選擇多元醇的種類和量。此外，從所涂布的基材等的特性、與異氰酸酯的反應性、與丙烯酸酯的相溶性等的觀點出發(fā)，也可以適當選擇多元醇的種類、分子量和使用量。
作為多異氰酸酯，可以列舉芳香族、脂肪族、脂環(huán)族的二異氰酸酯，這些二異氰酸酯的二聚體、三聚體等。作為芳香族、脂肪族、脂環(huán)族的二異氰酸酯，可以列舉甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、氫化苯二甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、1，5-亞萘基二異氰酸酯、1，3-亞苯基二異氰酸酯、1，4-亞苯基二異氰酸酯、丁烷-1，4-二異氰酸酯、2，2，4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、2，4，4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、環(huán)己烷-1，4-二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷-4，4-二異氰酸酯、1，3-雙(異氰酸酯基甲基)環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷二異氰酸酯、m-四甲基苯二甲基二異氰酸酯等。此外，可以使用這些物質的二聚體、三聚體或聚苯基甲烷多異氰酸酯。作為三聚體，可以列舉異氰脲酸酯型、縮二脲型、脲基甲酸酯型等，可以適當使用。
這些多異氰酸酯可以單獨或組合使用。從基材的特性、對自由基聚合性單體的溶解性、與羥基的反應性等出發(fā)，可以對多異氰酸酯的種類、組合等進行適當選擇。
在本發(fā)明中，用于形成聚氨酯聚合物的多元醇成分和多異氰酸酯成分的使用量，只要能夠使聚氨酯聚合物在微分分子量曲線中分子量為1萬以下的成分的含量不足10％，就沒有特別的限制，例如，多元醇成分的使用量是，相對于多異氰酸酯成分，NCO/OH(當量比)優(yōu)選為0.8以上1.20以下，進一步優(yōu)選為0.9以上1.18以下。通過使NCO/OH為0.8～1.20，可以將聚氨酯聚合物高分子量化，可以減少分子量為1萬以下的低分子量體。NCO/OH小于0.8的話，無法充分延長聚氨酯聚合物的分子鏈長度，聚氨酯的內(nèi)聚性容易降低，薄膜強度、伸長率容易降低。此外，若NCO/OH在1.20以下，則可以充分地確保柔軟性。
聚氨酯聚合物的分子量，例如可以在充分風干聚氨酯聚合物后，使用凝膠滲透色譜法測定。其中，測定溶液是將聚氨酯聚合物溶解在洗脫液中后，以0.45μm的薄膜過濾器過濾而得到的濾液，此外，該分子量是以TSK標準聚苯乙烯換算值算出的分子量。分子量為1萬以下成分的含量可以由所得到的微分分子量曲線的面積比求得。
在構成復合薄膜的乙烯基類聚合物的形成中，優(yōu)選使用自由基聚合性單體，從反應性的觀點出發(fā)，特別優(yōu)選具有可自由基聚合的不飽和雙鍵的丙烯酸類單體。自由基聚合性單體可以考慮與聚氨酯的相溶性、輻射線等光固化時的聚合性、所得到的高分子量體的特性而適當決定種類、組合、使用量等。
作為丙烯酸類單體，可以列舉(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯等。這些物質可以單獨使用或將2種以上組合使用。
此外，還可以將這些丙烯酸類單體與以下單體共聚，該單體為乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、馬來酸的單或二酯、及其衍生物、N-羥甲基丙烯酰胺、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、N，N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙基甲基丙烯酰胺、2-羥丙基丙烯酸酯、丙烯?；鶈徇?、N，N-二甲基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、酰亞胺丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮、低聚酯丙烯酸酯、ε-己內(nèi)酯丙烯酸酯、二環(huán)戊烷基(甲基)丙烯酸酯、二環(huán)戊烯基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基化環(huán)十二碳三烯丙烯酸酯、甲氧基乙基丙烯酸酯等。另外，這些被共聚的單體的種類和使用量可以考慮復合薄膜的特性等而適當決定。
此外，在不損害特性的范圍內(nèi)，還可以添加其它的多官能單體。作為多官能單體，可以列舉乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等。
相對于100重量份乙烯基類單體，多官能單體優(yōu)選占1重量份以上20重量份以下，如果多官能單體的含量為1重量份以上的話，則中間層的內(nèi)聚力充分、且不會引起切削碎屑的增加。此外，如果為20重量份以下，則彈性模量不會過高，可以追隨晶圓表面的圖案凹凸。
在本發(fā)明中的復合薄膜的形成中，根據(jù)需要，還可以使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等多官能單體作為交聯(lián)劑。
在復合薄膜中，可以在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，添加通常使用的添加劑，例如紫外線吸收劑、抗老化劑、填充劑、顏料、著色劑、阻燃劑、防帶電劑等。這些添加劑可以根據(jù)其種類，以通常的量使用。這些添加劑可以在多異氰酸酯和多元醇的聚合反應前預先添加，也可以在使聚氨酯聚合物與反應性單體聚合前添加。
此外，為了調整涂布的粘度，還可以添加少量的溶劑。作為溶劑，可以從通常使用的溶劑中適當選擇，可以列舉例如，乙酸乙酯、甲苯、三氯甲烷、二甲基甲酰胺等。
本發(fā)明中，復合薄膜可以如下形成例如以自由基聚合性單體作為稀釋劑，在該自由基聚合性單體中進行多元醇與異氰酸酯的反應，形成聚氨酯聚合物，將包含自由基聚合性單體和聚氨酯聚合物作為主要成分的混合物涂布到基材上，相應于光聚合引發(fā)劑的種類等照射α射線、β射線、γ射線、中子射線、電子射線等電離性輻射線或紫外線等輻射線，可見光等使之固化而形成。
具體地說，可以在丙烯酸類單體中溶解多元醇后，通過添加二異氰酸酯等使其與多元醇反應從而進行粘度調整，將其涂布到基材等后，通過使用低壓汞燈等使之固化，從而可以得到復合薄膜。在該方法中，可以在聚氨酯合成中一次添加丙烯酸類單體，也可以分多次添加。此外，還可以將多異氰酸酯溶解在丙烯酸類單體中后，再與多元醇反應。根據(jù)該方法，分子量不受限制，還可以生成高分子量的聚氨酯，因此可以將最終得到的聚氨酯的分子量設計為任意大小。
此時，為了避免由于氧氣引起的阻聚，在已涂布到基板等上的聚氨酯聚合物和自由基聚合性單體的混合物上放置剝離處理過的薄片，從而可以遮斷氧氣，也可以在填充了惰性氣體的容器內(nèi)放入基材，從而降低氧氣濃度。
在本發(fā)明中，輻射線等的種類和照射中使用的燈的種類等可以適當選擇，可以使用熒光化學燈、黑光燈、殺菌燈等低壓燈，金屬鹵化物燈、高壓汞燈等高壓燈等。
紫外線等的照射量可以根據(jù)所要求的薄膜特性任意設定，通常，紫外線的照射量優(yōu)選為100～5000mJ/cm2，優(yōu)選為1000～4000mJ/cm2，更優(yōu)選為2000～3000mJ/cm2。如果紫外線的照射量少于100mJ/cm2，則無法獲得足夠的聚合率，如果多于5000mJ/cm2，則成為劣化的原因。
此外，對于照射紫外線時的溫度沒有特別的限定，可以任意的設定，但如果溫度過高，就容易發(fā)生由聚合熱引起的終止反應，容易成為特性降低的原因，因此通常為70℃以下，優(yōu)選為50℃以下，更優(yōu)選為30℃以下。
在以聚氨酯聚合物和自由基聚合性單體為主要成分的混合物中，包含光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，優(yōu)選使用苯偶姻甲醚、苯偶姻丙醚等苯偶姻醚類化合物；茴香醚甲醚等取代的苯偶姻醚、2，2-二乙氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等取代的苯乙酮、1-羥基-環(huán)己基-苯基-酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮等取代的α-酮；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯、1-苯基-1，1-丙二醇-2-(O-乙氧基羧基)-肟等光活性肟。
本發(fā)明粘合片中的中間層的厚度可以根據(jù)目的適當選擇。特別是在用于精密部件的加工的情況下，中間層的厚度優(yōu)選為30μm～300μm，進一步優(yōu)選為50～250μm左右，特別優(yōu)選為50～200μm。
本發(fā)明的粘合片在中間層上具有粘合劑層。粘合劑層需要這樣的粘合力在加工半導體晶圓等制品時具有適當?shù)恼澈狭σ岳喂痰乇３种破?，在加工后可以容易地剝離而不會給制品等帶來負荷。
作為構成該粘合劑層的粘合劑組成，并沒有特別限定，可以使用在半導體晶圓等的粘接固定中所用的公知的粘合劑等，例如以天然橡膠、苯乙烯類共聚物等橡膠類聚合物作為基礎聚合物的橡膠類粘合劑；硅酮類粘合劑；丙烯酸類粘合劑；聚乙烯醚類粘合劑等。在這些粘合劑中，從對半導體晶圓的粘接性、剝離后半導體晶圓用超純水或醇等有機溶劑清潔洗凈的性能等的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用以丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸類粘合劑。
作為丙烯酸類聚合物，可以列舉例如以(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子數(shù)為1～30、特別是碳原子數(shù)為4～18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)中的1種或2種以上作為單體成分，將其聚合得到的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯、在本發(fā)明中如“(甲基)”這樣表示的情況下，全都是同樣的意思。
以改善內(nèi)聚力、耐熱性等為目的，丙烯酸類聚合物可以包含可與(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯共聚的其它單體成分所對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基(甲基)丙烯酸酯、羧戊基(甲基)丙烯酸酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(4-羥甲基環(huán)己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、硫代丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的單體；2-羥乙基丙烯?；姿狨サ群辛姿峄膯误w；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚的單體成分可以使用1種或2種以上。這些可共聚的單體成分的使用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。
此外，在丙烯酸類聚合物中，為了進行交聯(lián)，還可以含有多官能性單體等。作為這樣的多官能性單體，可以列舉例如，己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用1種或2種以上。從粘合特性等的觀點出發(fā)，多官能性單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。
作為形成丙烯酸類聚合物的聚合方法，可以是溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等中的任一種方法。粘合劑層優(yōu)選低分子量物質的含量較小，以使不會污染半導體晶圓等制品的粘附面。從該觀點出發(fā)，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為30萬以上，更優(yōu)選為40萬～300萬左右。
此外，為了提高丙烯酸類聚合物等的重均分子量，可以添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、密胺類交聯(lián)劑等。其使用量根據(jù)其與應交聯(lián)的基礎聚合物的平衡，進一步根據(jù)作為粘合劑的使用用途而適當決定。通常，相對于100重量份基礎聚合物，優(yōu)選混合1～5重量份左右。此外，除了上述成分以外，在粘合劑中還可以根據(jù)需要使用目前公知的各種賦粘劑、抗老化劑等添加劑。
在本發(fā)明中，優(yōu)選使用輻射線固化型粘合劑作為粘合劑。輻射線固化型粘合劑例如是在粘合性物質中混合可通過照射輻射線等而固化形成低粘接性物質的低聚物成分而得到的。如果使用輻射線固化型的粘合劑形成粘合劑層，則在貼附薄片時，由于低聚物成分對粘合劑賦予塑性流動性，因此可以容易地貼附；在剝離薄片時，照射輻射線就會形成低粘接性物質，因此可以從半導體晶圓等制品上容易地剝離。
作為輻射線固化型粘合劑，可以使用在分子內(nèi)具有碳-碳雙鍵等輻射線固化性官能團、且顯示出粘合性的粘合劑。例如，可以使用在通常的粘合劑中混合了輻射線固化性單體成分或低聚物成分的添加型輻射線固化型粘合劑，或者可以使用基礎聚合物在其聚合物側鏈或主鏈中或在主鏈末端具有碳-碳雙鍵的內(nèi)在型輻射線固化型粘合劑等。另外，作為用于使粘合劑層固化的輻射線，可以列舉例如，X射線、電子射線、紫外線等，從操作容易性出發(fā)，優(yōu)選使用紫外線，但對其沒有特別的限定。
作為構成添加型輻射線固化型粘合劑的通常的粘合劑，可以使用上述的丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等壓敏性粘合劑。
作為具有輻射線固化性官能團的單體，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。此外，作為輻射線固化性低聚物成分，可以列舉聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量適合在100～30000左右的范圍內(nèi)。相對于100重量份構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物，具有輻射線固化性官能團的單體成分或低聚物成分的混合量優(yōu)選例如為5～500重量份，更優(yōu)選為40～150重量份左右。
內(nèi)在型的輻射線固化型粘合劑不必含有或不大量含有作為低聚成分的低聚物成分等，因此不會出現(xiàn)低聚物成分等隨時間在粘合劑中移動的情況，可以形成穩(wěn)定的層結構的粘合劑層。
在內(nèi)在型的輻射線固化型粘合劑中，可以無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、并且顯示出粘合性的聚合物作為基礎聚合物，這樣的基礎聚合物優(yōu)選其基本骨架是丙烯酸類聚合物。作為這里使用的丙烯酸類聚合物，可以列舉與在丙烯酸類粘合劑的說明中已經(jīng)例示的丙烯酸類聚合物相同的物質。
向作為基本骨架的丙烯酸類聚合物導入碳-碳雙鍵的方法，沒有特別的限制，可以采用各種方法。在本發(fā)明中，由于分子設計容易，因此優(yōu)選通過在丙烯酸類聚合物的側鏈導入碳-碳雙鍵而形成具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物。具體地說，例如可以先使丙烯酸類聚合物與具有官能團的單體共聚，然后再與具有能與該官能團反應的官能團和碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的輻射線固化性的狀態(tài)下進行縮合或加成反應，從而在丙烯酸類聚合物的側鏈導入碳-碳雙鍵。
與丙烯酸類聚合物共聚的單體的官能團和能與該官能團反應的官能團的組合例在以下示出?？梢粤信e例如，羧基和環(huán)氧基，羧基和氮丙啶基，羥基和異氰酸酯基等。在這些官能團的組合中，從反應跟蹤容易的觀點出發(fā)，羥基和異氰酸酯基的組合是適合的。此外，在這些官能團的組合中，任何一個官能團在基本骨架的丙烯酸類聚合物一側皆可，但例如在羥基和異氰酸酯基的組合中，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基，含有能與官能團反應的官能團的化合物具有異氰酸酯基。在這種情況下，作為具有異氰酸酯基的上述化合物，可以列舉例如甲基丙烯?；惽杷狨?、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。此外，作為具有官能團(在這里是羥基)的丙烯酸類聚合物，可以列舉將在丙烯酸類粘合劑的說明中例示的含有羥基的單體、2-羥乙基乙烯基醚類化合物、4-羥丁基乙烯基醚類化合物、二乙二醇單乙烯基醚類化合物等與丙烯酸類聚合物共聚而得到的聚合物。
內(nèi)在型的輻射線固化型粘合劑可以單獨使用具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物，也可以在不惡化特性的范圍內(nèi)混合上述輻射線固化性的單體成分或低聚物成分。相對于100重量份基礎聚合物，輻射線固化性低聚物成分等的混合量通常為30重量份以下，優(yōu)選在0～10重量份的范圍內(nèi)。
在通過紫外線使之固化的情況下，上述輻射線固化型粘合劑中含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如，4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α′-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α-醇酮類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；苯偶酰二甲縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲酰安息香酸、3，3′-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；?；⒒酰货；姿狨サ取?br> 相對于100重量份的構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物，光聚合引發(fā)劑的混合量例如為1重量份～10重量份，優(yōu)選為3重量份～5重量份左右。
本發(fā)明中的粘合劑層可以通過根據(jù)需要使用溶劑而將上述粘合劑直接涂布到中間層上而形成，也可以將粘合劑涂布于剝離襯墊等上而預先形成粘合劑層后，將該粘合劑層貼合到中間層上而形成。
關于本發(fā)明中粘合劑層的厚度沒有特別的限定，可以適當決定，通常優(yōu)選為3～100μm左右，進一步優(yōu)選為10～50μm左右，特別優(yōu)選為10～30μm左右。
使用圖1對本發(fā)明粘合片的實施方式進行具體的說明。圖1是表示本發(fā)明的第1實施方式的粘合片的層結構的圖，在基材1上具有復合薄膜2，在該復合薄膜2上形成有粘合劑層3。另外，雖然在圖1中沒有圖示，但可以在該粘合劑層3上設置剝離片。
本發(fā)明的粘合片例如按照加工半導體晶圓等制品時的常規(guī)方法使用。在這里給出在對半導體晶圓的背面進行磨削加工時使用的例子。首先，使IC電路等圖案面朝上地將半導體晶圓放置到工作臺上，在該圖案面上疊放本發(fā)明的粘合片并使其粘合劑層與圖案面相接觸，通過壓輥等擠壓裝置邊擠壓邊進行貼付?；蛘?，還可以在可加壓的容器(例如高壓釜)內(nèi)，放置如上述那樣疊放的半導體晶圓和粘合片，然后對容器內(nèi)部加壓而粘貼半導體晶圓和粘合片，也可以在其中并用擠壓裝置。此外，可以在真空室內(nèi)粘貼半導體晶圓和粘合片，也可以通過加熱至粘合片基材的熔點以下的溫度而進行粘貼。
作為半導體晶圓的背面磨削加工方法，可以采用通常的磨削方法，例如，使用磨削機(背面磨削)、CMP(化學機械研磨)用襯墊等作為用于磨削的加工機械，對如上所述地粘貼了粘合片的半導體晶圓的背面進行磨削直至達到期望的厚度。在使用由輻射線固化型粘合劑形成粘合劑層的粘合片的情況下，在磨削結束時照射輻射線等，降低粘合劑層的粘合力之后進行剝離。
本發(fā)明的粘合片，由于構成中間層的復合薄膜含有聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物，并且聚氨酯聚合物中分子量為1萬以下的成分的含量不足10％，因此即使在對晶圓等制品進行磨削加工等時在制品表面粘貼本發(fā)明的粘合片，也不會被復合薄膜中所含的聚氨酯聚合物污染，因此，在晶圓加工后，晶圓表面殘存的有機成分的量較少，可以實現(xiàn)低污染，不會產(chǎn)生引線接合不佳或密封樹脂的破損。
此外，本發(fā)明的粘合片由于具有由復合薄膜構成的中間層，因此可以追隨半導體晶圓表面的凹凸，此外，例如在半導體晶圓上粘貼本發(fā)明的粘合片并對半導體晶圓進行薄型研磨時，半導體晶圓也不會產(chǎn)生破損。此外，由于可以減小由粘合片的殘留應力引起的晶圓的翹曲，因此也可以放入通常使用的專用收容盒中。
實施例以下，使用實施例對本發(fā)明進行詳細說明，但本發(fā)明并不限定于此。另外，在以下的實施例中，份是指重量份。
實施例1在具有冷凝管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中，作為丙烯酸類單體加入35份丙烯酸叔丁酯、24.5份丙烯酸正丁酯，作為多元醇加入23.1份聚氧四亞甲基二醇(數(shù)均分子量650，三菱化學(株)制造)，作為光聚合引發(fā)劑加入0.14份2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮(商標名“イルガキュア651”，チバ·スペシヤルテイ·ケミカルズ(株)制造)，作為聚氨酯反應催化劑加入0.03份二月桂酸二丁基錫，攪拌并滴入6.9份苯二甲基二異氰酸酯，在75℃下使其反應2小時。冷卻至室溫后，添加10.5份丙烯酸和0.7份作為多官能單體的三羥甲基丙烷三丙烯酸酯的混合物，得到聚氨酯聚合物和丙烯酸類單體的混合物。另外，多異氰酸酯成分與多元醇成分的使用量為NCO/OH(當量比)＝1.1。此外，根據(jù)后述的分子量測定法測定聚氨酯聚合物的分子量的結果，聚氨酯聚合物的重均分子量為21.5萬，在微分分子量曲線中分子量為1萬以下的成分的含量為5.45％。
將該聚氨酯聚合物和丙烯酸類單體的混合物涂布在厚度為75μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上，并使固化后的厚度為100μm。在其上層疊覆蓋作為隔離層的經(jīng)剝離處理的PET薄膜(厚度為38μm)后，對該覆蓋的PET薄膜面，使用高壓汞燈照射紫外線(照度200mW/cm2，光量3500mJ/cm2)，進行固化，在PET薄膜上形成作為中間層的復合薄膜。此后，剝離經(jīng)剝離處理的PET薄膜，從而得到PET薄膜/復合薄膜的疊層片(支撐體)。
然后，在甲苯溶液中使由78份丙烯酸乙酯、100份丙烯酸丁酯、40份丙烯酸-2-羥乙酯組成的混合物進行共聚，得到數(shù)均分子量為300000的丙烯酸類共聚物。接著，使該丙烯酸類共聚物與43份2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯進行加成反應，在丙烯酸類共聚物的聚合物分子內(nèi)導入碳-碳雙鍵。相對于100份該聚合物，進一步混合1份多異氰酸酯類交聯(lián)劑和3份苯乙酮類光聚合引發(fā)劑，將所得到的混合物涂布到上述得到的疊層片(支撐體)的復合薄膜面上，形成厚為30μm的粘合劑層，制備粘合片。
對所得到的粘合片進行污染性、翹曲、下垂量、裂紋的評價。結果在表1中示出。
實施例2在實施例1中，將多元醇與多異氰酸酯的混合量改成23.6份聚氧四亞甲基二醇、6.4份苯二甲基二異氰酸酯，除此以外與實施例1同樣地形成疊層片(支撐體)。此外，使用所得到的疊層片，與實施例1同樣地在復合薄膜面上形成粘合劑層，制備粘合片。
另外，多異氰酸酯成分與多元醇成分的使用量為NCO/OH(當量比)＝1.0。此外，根據(jù)后述的分子量測定法對聚氨酯聚合物的分子量進行測定的結果，聚氨酯聚合物的重均分子量為14.2萬，在微分分子量曲線中分子量為1萬以下的成分的含量為9.13％。
對所得到的粘合片進行污染性、翹曲、下垂量、裂紋的評價。結果在表1中示出。
實施例3在實施例1中，將多元醇與多異氰酸酯的混合量改成22.8份聚氧四亞甲基二醇、7.2份苯二甲基二異氰酸酯，除此以外與實施例1同樣地形成疊層片(支撐體)。此外，使用所得到的疊層片，與實施例1同樣地在復合薄膜面上形成粘合劑層，制備粘合片。
另外，多異氰酸酯成分與多元醇成分的使用量為NCO/OH(當量比)＝1.15。此外，根據(jù)后述的分子量測定法對聚氨酯聚合物的分子量進行測定的結果，聚氨酯聚合物的重均分子量為17.6萬，在微分分子量曲線中分子量為1萬以下的成分的含量為7.88％。
對所得到的粘合片進行污染性、翹曲、下垂量、裂紋的評價。結果在表1中示出。
比較例1在實施例1中，將多元醇與多異氰酸酯的混合量改成22.1份聚氧四亞甲基二醇、7.9份苯二甲基二異氰酸酯，除此以外與實施例1同樣地形成疊層片(支撐體)。此外，使用所得到的疊層片，與實施例1同樣地在復合薄膜面上形成粘合劑層，制備粘合片。
另外，多異氰酸酯成分與多元醇成分的使用量為NCO/OH(當量比)＝1.25。此外，根據(jù)后述的分子量測定法對聚氨酯聚合物的分子量進行測定的結果，聚氨酯聚合物的重均分子量為9.8萬，微分分子量曲線中分子量為1萬以下的成分的含量為12.51％。
對所得到的粘合片進行污染性、翹曲、下垂量、裂紋的評價。
結果在表1中示出。
比較例2在實施例1中，將多元醇與多異氰酸酯的混合量改成24.7份聚氧四亞甲基二醇、5.3份苯二甲基二異氰酸酯，除此以外與實施例1同樣形成疊層片(支撐體)。此外，使用得到的疊層片，與實施例1同樣地在復合薄膜面上形成粘合劑層，制備粘合片。
另外，多異氰酸酯成分與多元醇成分的使用量為NCO/OH(當量比)＝0.75。此外，根據(jù)后述的分子量測定法對聚氨酯聚合物的分子量進行測定的結果，聚氨酯聚合物的重均分子量為3.7萬，微分分子量曲線中分子量為1萬以下的成分的含量為19.86％。
對所得到的粘合片進行污染性、翹曲、下垂量、裂紋的評價。結果在表1中示出。
參考例為了排除中間層中所含的聚氨酯聚合物引起的污染的影響，制備未設置中間層的粘合片作為參考例。即，使用厚度為75μm的PET薄膜作為基材，在該PET薄膜上，涂布與實施例1同樣地制作的粘合劑，形成厚度為30μm的粘合劑層，從而得到在PET薄膜上具有粘合劑層的粘合片。
《評價試驗》(1)分子量的測定使聚氨酯聚合物充分風干，對于該聚氨酯聚合物(固體成分)，根據(jù)以下的條件，使用凝膠滲透色譜法進行測定。其中，測定溶液是，將聚氨酯聚合物溶解在洗脫液中后，以0.45μm的膜過濾器過濾而得到的濾液。另外，算出“TSK標準聚苯乙烯”換算值，由所得到的微分分子量曲線的面積比求出中間層中分子量為10萬以下的成分的含量。
GPC裝置TOSOH制的HLC-8120GPC
柱TSKgel SuperHZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000柱尺寸6.0mm I.D.X 150mm洗脫液THF流量0.6ml/min濃度0.1wt％注入量20μl柱溫度40℃(2)污染性的評價對所得到的粘合片，基于下述評價方法對污染性進行評價。
使用日東精機(株)制造的帶貼合機“DR8500”，將所得到的粘合片(粘貼壓力為2MPa，粘貼速度為12m/分)粘貼到硅晶圓上，在25℃中放置24小時之后，使用日東精機(株)制造的帶剝離機“HR8500”剝離粘合片(剝離速度為12m/分，剝離角度為180度)，使用如下所示的X射線光電子分光分析(XPS)裝置測定轉移到晶圓上的有機物。對完全沒有粘貼過粘合片的晶圓也進行同樣的分析，根據(jù)檢測出的碳原子的原子％的增加量來評價有機物的轉移量。另外，碳原子的原子％由碳、氮、氧、硅等各元素比例(總量100％)算出。
XPS裝置アルバツクフアイ公司制造的ESCA“Quantum2000”X射線設置200μm直徑[30W(15kV)]的點分析X射線源單色Alkα光電子出射角45度真空度5×10-9托中和條件同時使用中和槍和離子槍(中和模式)另外，對于窄掃描光譜，將由Cls的C-C鍵引起的峰校正為285.0eV。
(3)翹曲量，下垂量，裂紋的評價準備20片厚度為625μm的8inch的硅晶圓，使用日東精機(株)制造的“DR-8500III”，將所得到的粘合片貼合到該硅晶圓上后，用デイスコ(株)制造的硅晶圓磨削機進行磨削至厚度成為50μm。對其進行以下所示的評價。
(i)翹曲量在粘貼著粘合片的狀態(tài)下，使粘合片面朝上地將磨削后的硅晶圓靜置在平板上。測定從平板最凸出的硅晶圓部分(通常是晶圓端部)到平板表面的距離。求得翹曲量的平均值。其中，以20片晶圓的測定值取平均的平均值表示。
(ii)下垂量在粘貼著粘合片的狀態(tài)下，使晶圓面朝上地將磨削后的硅晶圓放入8inch晶圓收容用盒中。對于由于自重而彎曲的晶圓，將最高部分的位置與最下垂的最低部分的位置之間的距離作為下垂量。其中，以20片晶圓測定值取平均的平均值示出。
(iii)裂紋統(tǒng)計在磨削中硅晶圓產(chǎn)生裂紋的片數(shù)。其中，以晶圓的磨削片數(shù)5片來進行評價。
表1

由表1所示可知，使用本發(fā)明實施例1～3的粘合片進行加工的晶圓，其翹曲量為5mm以下，下垂量也小于10mm，在搬送至后續(xù)的工序時完全沒有問題。此外，使用實施例1～3的粘合片即使對晶圓進行磨削加工直至厚度達到50μm，1片都不會產(chǎn)生裂紋，此外，可以知道實施例1～3的粘合片對晶圓的污染較少，可以實現(xiàn)低污染性。另外，由于可以實現(xiàn)低污染性，因此也不產(chǎn)生引線接合的不佳和密封樹脂的破損。
此外，發(fā)現(xiàn)可以實現(xiàn)與未設置作為中間層的復合薄膜的參考例的污染性相同程度的污染性。即，發(fā)現(xiàn)在目前公知的粘合片中，由于構成中間層的聚氨酯聚合物而使晶圓表面的污染量增加，但在本發(fā)明實施例1～3的粘合片中，不會由于中間層中存在的聚氨酯聚合物而產(chǎn)生污染。
另一方面，可知聚氨酯聚合物的分子量為1萬以下的含量為10％以上的比較例1和2對晶圓的污染較大。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種在加工半導體制品或光學類制品等制品時，可以防止制品的破損等、追隨晶圓等制品的表面凹凸、且可以實現(xiàn)低污染性的粘合片和該粘合片的制造方法。
工業(yè)上的實用性本發(fā)明的粘合片可以適合用作在半導體晶圓的背面磨削時或切割時使用的半導體晶圓加工用粘合片。此外，在制造半導體芯片時進行的引線接合中，不會在鋁表面和金線之間產(chǎn)生界面破壞，可維持高的抗剪強度。此外，發(fā)揮低污染性的特征，可以在使用時或使用結束后伴隨著粘合片的剝離的各種用途中、例如在各種工業(yè)部件尤其是半導體、電路、各種印刷基板、各種掩模、引線框等微細加工部件的制造時，作為用于表面保護或防止破損的粘合片而廣泛地使用。
權利要求
1.一種粘合片，是依次具有基材、中間層和粘合劑層的粘合片，其特征在于，所述中間層由含有聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物作為有效成分的復合薄膜形成，所述聚氨酯聚合物，其在微分分子量曲線中的分子量為1萬以下的成分的含量不足10％。
2.根據(jù)權利要求1所述的粘合片，其特征在于，所述乙烯基類聚合物是丙烯酸類聚合物。
3.根據(jù)權利要求1所述的粘合片，其特征在于，所述復合薄膜是如下形成的在自由基聚合性單體中，使多元醇與多異氰酸酯反應形成聚氨酯聚合物，在基材上涂布包含該聚氨酯聚合物和該自由基聚合性單體的混合物，通過照射輻射線使之固化而形成。
4.根據(jù)權利要求3所述的粘合片，其特征在于，所述自由基聚合性單體是丙烯酸類單體。
5.根據(jù)權利要求3所述的粘合片，其特征在于，所述多元醇的使用量相對于多異氰酸酯，其NCO/OH(當量比)為0.8以上1.20以下。
6.根據(jù)權利要求3所述的粘合片，其特征在于，所述輻射線是紫外線，該紫外線的照射量為100mJ/cm2以上5000mJ/cm2以下。
7.根據(jù)權利要求3所述的粘合片，其特征在于，所述復合薄膜進一步含有多官能單體。
8.根據(jù)權利要求1所述的粘合片，其特征在于，所述復合薄膜進一步含有多官能單體。
9.一種粘合片的制造方法，其特征在于，在基材上涂布包含聚氨酯聚合物和自由基聚合性單體的混合物，通過照射輻射線使之固化而形成復合薄膜，在該復合薄膜上設置粘合劑層。
10.根據(jù)權利要求9所述的粘合片的制造方法，其特征在于，所述混合物是通過在自由基聚合性單體中使多元醇與多異氰酸酯反應形成聚氨酯聚合物而制造的。
11.根據(jù)權利要求9所述的粘合片的制造方法，其特征在于，所述自由基聚合性單體是丙烯酸類單體。
12.根據(jù)權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述聚氨酯聚合物，其在微分分子量曲線中的分子量為1萬以下的成分的含量不足10％。
13.根據(jù)權利要求10所述的粘合片的制造方法，其特征在于，所述自由基聚合性單體是丙烯酸類單體。
14.一種制品的加工方法，其特征在于，是在將粘合片粘貼到被精密加工的制品上以保持和/或保護制品的狀態(tài)下進行精密加工的方法，所述粘合片是依次具有基材、中間層和粘合劑層的粘合片，所述中間層是由含有聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物作為有效成分的復合薄膜形成的，所述聚氨酯聚合物，其在微分分子量曲線中的分子量為1萬以下的成分的含量不足10％。
15.根據(jù)權利要求14所述的制品的加工方法，其特征在于，所述復合薄膜是如下形成的在自由基聚合性單體中，使多元醇與多異氰酸酯反應形成聚氨酯聚合物，在基材上涂布包含該聚氨酯聚合物和該自由基聚合性單體的混合物，通過照射輻射線使之固化而形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在加工半導體晶圓等制品時使用的粘合片，其在加工中不會污染或破壞半導體晶圓等，本發(fā)明的粘合片是依次具有基材、中間層和粘合劑層的粘合片，上述中間層由含有聚氨酯聚合物和乙烯基類聚合物作為有效成分的復合薄膜形成，所述聚氨酯聚合物，其在微分分子量曲線中重均分子量為1萬以下的成分的含量不足10％。
文檔編號C09J7/02GK1935922SQ20061015222
公開日2007年3月28日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權日2005年9月22日
發(fā)明者紺谷友廣, 赤澤光治, 矢野浩平, 吉田良德 申請人:日東電工株式會社