專利名稱：有機el材料、使用該材料的有機el元件及有機el元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通式(1) L1Al(L2)2(1) (式中，L1表示酚鹽配位基，L2表示至少在2位有取代基的8-羥基喹啉鹽配位基)表示的鋁螯合配位化合物構(gòu)成的有機EL材料中，通式(2) Al(L2)3 (2) (式中，L2表示至少在2位有取代基的8-羥基喹啉鹽配位基)所示配位化合物含量為0.6mol％以下的有機EL材料。
另外，本發(fā)明涉及制造前述有機EL材料時，使烷氧基鋁與羥基喹啉衍生物反應，接著與酚性化合物反應，對得到的鋁螯合配位化合物進行精制，制造通式(2)所示配位化合物的含量為0.6mol％以下的有機EL材料的方法。
此外，本發(fā)明涉及具有含前述的有機EL材料的材料升華蒸鍍得到的層的有機EL元件。
另外，本發(fā)明涉及包含1)合成通式(1)表示的鋁螯合配位化合物，2)前述鋁螯合配位化合物升華精制成前述的有機EL材料，3)將前述有機EL材料蒸鍍成膜、的各工序的有機EL元件的制造方法。
以下，詳細地說明本發(fā)明。
本發(fā)明的有機EL材料是由上述通式(1)表示的鋁螯合配位化合物構(gòu)成的材料，可以含有微量的雜質(zhì)，但特定的雜質(zhì)的含量必須是一定值以下。
該鋁螯合配位化合物可以與AlQ2OR對應。即，Q與L2表示至少在2位有取代基的8-羥基喹啉配位基，OR與L1表示可以有取代基的酚鹽配位基。
這里，至少在2位有取代基的取代8-羥基喹啉配位基，具有對鋁立體地阻礙3以上的結(jié)合的2位的取代基。例如，可舉出2位的甲基、乙基等。該8-羥基喹啉配位基除2位以外，也可以有1個以上的取代基，作為該取代基，可舉出甲基、乙基、丙基、苯基、氰基、三氟甲基等。
作為酚鹽配位基，除了酚鹽、萘鹽、菲鹽等未取代的酚鹽配位基以外，還有，有1個以上取代基的取代酚鹽配位置。
作為該取代基，可舉出苯基、萘基、菲基、烷基、烷基苯基等。取代位置沒有限制，最好在2位沒有取代基。作為取代酚鹽配位基，可舉出苯基酚鹽、萘基酚鹽、苯基萘鹽、菲基酚鹽、苯基菲鹽、萘基萘鹽等的配位基。再者，烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選1-6的范圍。
本發(fā)明的有機EL材料(本鋁螯合配位化合物)由羥基喹啉衍生物與酚性化合物構(gòu)成。鋁螯合配位化合物構(gòu)成的有機EL材料在有機EL元件中使用，但優(yōu)選作為發(fā)光層中的主體材料或空穴阻止材料使用。有關(guān)通式(1)表示鋁螯合配位化合物的制造方法，如專利文獻1所述，眾知在乙醇溶劑中使異丙氧基鋁與羥基喹啉衍生物、酚性化合物順序反應進行配位化合物化的方法等。
通式(1)表示的鋁螯合配位化合物，是2種的配位基按2∶1的摩爾比進行配位的鋁配位化合物。作為羥基喹啉衍生物如2-甲基-8-羥基喹啉那樣的在2位有取代基的場合，由于空間位阻的效果，如通式(2)所示的單一的配位基僅防止進行3個配位，特開平6-172751號公報有不能形成作為通式(2)所示化合物一種的鋁的2-甲基-8-羥基喹啉三配位化合物的描述。
因此，迄今合成通式(1)表示的鋁螯合配位化合物時，使用在2位有取代基的8-羥基喹啉作為配位基的場合，估計不生成通式(2)表示的配位化合物。因此，對混入通式(2)所示配位化合物中的場合的具體不良影響并不清楚。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)采用通常的方法制備通式(1)所示鋁螯合配位化合物的場合，副產(chǎn)通式(2)表示的配位化合物，如果鋁螯合配位化合物中含有通式(2)表示的配位化合物，則在有機EL元件制造時的蒸鍍工序中成膜室內(nèi)的減壓度不穩(wěn)定，并且發(fā)現(xiàn)使用通式(2)表示的配位化合物的含量是0.6mol％以下的本鋁螯合配位化合物制造有機EL元件時，不發(fā)生其蒸鍍工序中成膜室內(nèi)的減壓度紊亂的問題。
考慮到通式(2)表示的配位化合物容易分解，有機EL材料中微量地存在該配位化合物時，在蒸鍍工序時，隨著分解產(chǎn)生揮發(fā)性氣體，估計對成膜室內(nèi)的減壓度明顯地帶來不良影響。已發(fā)現(xiàn)采用通常的方法制備的場合，通式(2)表示的配位化合物的含量是2.0mol％以上，即使是進行通常的精制(再結(jié)晶與升華精制)也是1.0mol％以上。通常通式(1)表示的鋁螯合配位化合物的制造，在合成反應后采用升華精制(精制工序)后，作為有機EL材料使用，但根據(jù)發(fā)明人的研究，只通過一次的升華精制很難除去能達到減壓度不亂程度的通式(2)表示的配位化合物。通過反復多次升華精制，可得到使通式(2)所示雜質(zhì)的含量為0.6mol％以下的本鋁螯合配位化合物，本發(fā)明中的精制工序進行2次以上的升華精制，優(yōu)選進行3次以上。即，宜于采用下述方法使烷氧基鋁與羥基喹啉衍生物反應，接著與酚性化合物反應，合成通式(1)表示的鋁螯合配位化合物后，根據(jù)需要進行通常的精制，然后通過進行多次的升華精制，制得本鋁螯合配位化合物。
一般的有機EL元件的制造方法，由在玻璃等的基板上形成有機EL元件驅(qū)動用TFT、濾色器、下部電極、絕緣膜等的前處理工序，在下部電極上使有機EL材料、上部電極成膜的成膜工序、通過封堵間隙或封堵膜封裝有機EL元件隔絕外界氣體的封裝工序等構(gòu)成。其中的成膜工序中的有機EL材料的成膜，在形成真空環(huán)境氣氛的成膜室內(nèi)完成進行真空蒸鍍的蒸鍍工序。此時，如果成膜室的減壓度不穩(wěn)定，則不能進行有機EL材料的均質(zhì)的薄膜成型。本發(fā)明通過使用實施前述精制工序的有機EL材料，可以不發(fā)生成膜室內(nèi)的減壓度亂的問題，進行均勻的有機EL材料的薄膜形成。



圖1表示本發(fā)明的有機EL元件的一例的結(jié)構(gòu)圖； 圖2表示蒸鍍工序中成膜室的結(jié)構(gòu)圖； 圖3表示精制工序中升華精制裝置的結(jié)構(gòu)圖。
符號說明 11基板 12下部電極(陽極) 13有機空穴傳輸層 14發(fā)光層 15電子傳輸層 16上部電極(陰極) 21成膜室 22基板保持機構(gòu) 23閥 25成膜源 31玻璃制外筒 32玻璃制內(nèi)筒 37粗原料 33套筒加熱器 實施發(fā)明的最佳方式 以下舉出適合作為本發(fā)明的有機EL材料用的鋁螯合配位化合物的鋁螯合配位化合物的例子，但不限于此。由舉出的鋁螯合配位化合物可理解本發(fā)明的鋁螯合配位化合物合成中使用的喹啉鹽類及酚鹽類。而且合成的鋁螯合配位化合物只要不進行特別高度的精制或特種精制處理，則通式(2)表示的雜質(zhì)含量便超出0-0.6mol％的范圍。
(3)-(13)


本發(fā)明的鋁螯合配位化合物作為有機EL材料使用。該有機EL材料可在有機EL元件的電子傳輸層、空穴阻止層、發(fā)光層等中使用，但優(yōu)選在發(fā)光層或空穴阻止層中使用。在有主體材料和客體材料的發(fā)光層的主體材料中使用是有利的。該場合，作為客體材料，優(yōu)選使用選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑或金的磷光性有機貴金屬配位化合物。發(fā)光層含有這樣的主體材料和客體材料的有機EL元件，經(jīng)時的發(fā)光強度劣化少，并且可靠性也好。不限于前述，也可以使用熒光材料等的發(fā)光材料作為客體材料。
以下舉出上述客體材料的磷光性有機貴金屬配位化合物，但不限于此。

以下，邊參照表示有機EL元件層結(jié)構(gòu)的圖1，邊對本發(fā)明的有機EL元件的一例進行說明。
圖1表示的有機EL元件由基板11、下部電極12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層15及上部電極16構(gòu)成。該有機EL元件在玻璃等的基板11上復合下部電極12，有機化合物構(gòu)成的空穴傳輸層13，發(fā)光層14，電子傳輸層15及上部電極16制得。作為其一例，有作為下部電極2的陽極使用銦錫氧化物(以下，稱ITO)，空穴傳輸層使用4，4’-雙(N-萘基-N-苯基-氨基)聯(lián)苯(以下，稱NPB)(Ip＝5.4eV)，發(fā)光層使用通式(1)表示的本發(fā)明的有機EL材料，電子傳輸層使用Alq3，上部電極的陰極使用鋁的構(gòu)成。
另外，還可優(yōu)選舉出在電子傳輸層15及上部電極16間復合Li2O、LiF等的電子注入層作為薄膜、成膜的構(gòu)成。又可優(yōu)選舉出在下部電極12及空穴傳輸層13間復合銅酞菁(以下，稱CuPc)等的卟啉化合物等的空穴注入層作為薄膜、成膜的構(gòu)成。空穴傳輸層13中含的成分只要是有空穴傳輸能力的物質(zhì)即可。
下部電極12、上部電極16可以將任何一方設(shè)定成陽極、陰極。陽極使用功函數(shù)比陰極高的材料形成，可以使用厚度600-5000左右的材料，優(yōu)選ITO、IZO等的金屬氧化物的透明導電膜，銀、鉻、鎂、鎳、鉑、鋁、金等的金屬膜或合金膜，摻雜的聚苯胺，或摻雜的聚對苯乙炔(polyphenylenevinylene)等的非晶半導體等按單層膜或多個復合膜形成，下部電極12使用陰極的場合，有機材料層的構(gòu)成相反。例如按照下部電極12、電子傳輸層15、發(fā)光層14、空穴傳輸層13、上部電極16形成。
本發(fā)明中的有機EL元件的光的取出方向，也可適用于來自基板11側(cè)的底部發(fā)射型有機EL元件或在其對置例取出光的頂部發(fā)射型有機EL元件。
構(gòu)成發(fā)光層的有機EL材料不僅是單一的材料，而且也可以是主體材料與客體材料組合的有機層。作為主體材料使用的有機EL材料，有前述的本鋁螯合配位化合物，作為此時組合的客體材料使用的有機材料，有磷光性有機貴金屬配位化合物作為優(yōu)選材料。該磷光性有機貴金屬配位化合物，有前述的有機貴金屬配位化合物。但，也可根據(jù)需要在不破壞本發(fā)明效果的范圍內(nèi)少量配合其他的材料。再者，客體材料相對于主體材料的使用比例(重量)可為99.99∶0.01-60∶40左右。
作為構(gòu)成電子傳輸層15的材料，可使用Alq3等的各種公知的材料。還可使用本發(fā)明的鋁螯合配位化合物。
另外，也可設(shè)空穴阻止層，作為構(gòu)成空穴阻止層的材料可使用Alq3等的各種公知的材料。也可使用本發(fā)明的鋁螯合配位化合物。
以下邊參照表示成膜室結(jié)構(gòu)的圖2，邊對本發(fā)明的有機EL元件制造方法的一例進行說明，再者，圖1中使用的符號相同的部位可直接使用圖1的符號。
把已進行下部電極12等的成膜、制圖的前處理工序后的基板11送到圖2表示的成膜室21內(nèi)，利用基板保持機構(gòu)22固定該基板11，成膜室21與閥23相連，利用閥23把成膜室21內(nèi)的環(huán)境氣氛設(shè)定成減壓狀態(tài)。把使用后述圖3所示升華精制裝置實施精制工序的有機EL材料24填充在成膜源25中。成膜源25利用采用電阻加熱法等的加熱手段26進行加熱，通過使有機EL材料升華或蒸發(fā)成為氣體。通過使成為氣體的成膜材料27在基板11上進行成膜，作為空穴傳輸層13，發(fā)光層14，電子傳輸層15及上部電極16，進行成膜工序。利用這種成膜室21的成膜工序?qū)τ袡CEL元件使用的其他的有機材料或電極材料均可以使用。
考慮到前述通式(2)表示的配位化合物容易分解，有機EL材料中存在一定量以上這種配位化合物時，對成膜室21內(nèi)的減壓度明顯地帶來不良影響。然而，通過使用本發(fā)明的有機EL材料，可以排除所述不良影響，形成均勻的薄膜。
實施例 以下，根據(jù)實施例更詳細地說明本發(fā)明。
合成例1 在裝著冷卻管、溫度計、攪拌電機的500ml三口燒瓶中，加入2-甲基-8-羥基喹啉(市售品純度98.0％以上，以下相同)8.3g，異丙氧基鋁10.7g，脫水乙醇290ml，在氮氣流下加熱到回流溫度，加熱攪拌1小時。把反應液冷卻到室溫，用塞里塑料(Celite)過濾除去不溶分。把含反應中間體的母液移到裝著攪拌電機的500ml三口燒瓶中，邊在室溫下攪拌邊慢慢加入對羥基聯(lián)苯8.9g與2-甲基-8-羥基喹啉8.3g溶解于脫水乙醇75ml中的溶液，攪拌1小時。濾出生成的沉淀，用乙醇再用甲醇洗凈后，在70℃進行減壓干燥5小時，得到式(5)表示的化合物(5)22.5g。含有作為通式(2)表示的化合物的三(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁(以下，稱雜質(zhì)A)2.0mol％以上。
合成例2 在裝著冷卻管、溫度計、攪拌電機的200ml三口燒瓶中，加入2-甲基-8-羥基喹啉6.4g，異丙氧基鋁4.1g，脫水乙醇100ml，在氮氣流下加熱到回流溫度，進行加熱攪拌1小時。把反應液冷卻到室溫，使用塞里塑料過濾除去不溶分。把含反應中間體的母液移到裝著攪拌電機的200ml三口燒瓶中，在室溫下邊攪拌邊慢慢加入2-甲基-8-羥基喹啉3.2g溶解于脫水乙醇40ml中的溶液，進行1小時攪拌。濾出生成的沉淀，用乙醇、再用甲醇洗滌后，在70℃進行減壓干燥5小時，得到固體8.6g。NMR分析的結(jié)果，確認是作為通式(2)表示的化合物的三(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁(雜質(zhì)A)。
精制例1 將合成例1制得的化合物(5)反復進行4次升華精制。升華精制，使用圖3所示升華精制裝置對合成例1制得的化合物10.0g進行精制(精制工序)。升華精制裝置由玻璃制外筒31與玻璃制內(nèi)筒32構(gòu)成，作為加熱部的玻璃制外筒被套筒加熱器33加熱，作為捕集部的玻璃制內(nèi)筒32被由管34供給、從管35排出的氮氣冷卻。由與真空泵相連的管36將系統(tǒng)內(nèi)減壓到2.0乇，加熱部溫度為360℃，在捕集部的玻璃制內(nèi)筒32的外壁捕集化合物(5)作為精制化合物。再者，作為粗原料37的化合物(5)裝入玻璃制外筒31的底部。對被捕集部捕集的精制化合物重復4次同樣的操作。最終被捕集的精制化合物A是1.35g。通過NMR分析確認精制化合物A中不含有通式(2)表示的配位化合物(雜質(zhì)A)。精制化合物A作為本發(fā)明的鋁螯合配位化合物(有機EL材料)使用。
實施例1-3及比較例1-2 使用上述精制例1得到的精制化合物A，配成以下的樣品1-5。
樣品1精制化合物A 樣品2在精制化合物A中配合合成例2得到的雜質(zhì)A0.4mol％。
樣品3在精制化合物A中配合合成例2得到的雜質(zhì)A0.6mol％。
樣品4在精制化合物A中配合合成例2得到的雜質(zhì)A0.8mol％。
樣品5在精制化合物A中配合合成例2得到的雜質(zhì)A1.omol％。
再者，樣品4-5是比較用的樣品。
樣品1-5作為有機EL材料，送往蒸鍍源(成膜源)的蒸鍍原料(有機EL材料)的加入量為20g，在成膜室進行1×10-4Pa以下的高真空化蒸鍍，制成有機EL元件，有機EL元件按以下的順序制成。在玻璃基板上采用濺射法形成110nm的ITO膜作為下部電極。接著對ITO蝕刻制圖，形成2mm的條紋的下部電極。然后，在下部電極上形成光致抗蝕劑AZ6112(東京應化工業(yè)制)圖形。接著對玻璃基板使用表面活性劑洗滌，用純水洗滌后，在低濕度下充分干燥。然后UV臭氧洗滌10分鐘(前處理工序)。
然后，把洗凈的玻璃基板投入成膜室。成膜室的真空度設(shè)定成1×10-4Pa后，使用電阻加熱蒸鍍，按每秒0.5nm的成膜速度將CuPc形成25nm厚的膜，形成空穴注入層。同樣按每秒0.5nm的成膜速度將NPB進行電阻加熱真空成膜，形成空穴傳輸層。再把上述樣品1-5分別按每秒0.5nm的成膜速度進行50nm電阻加熱真空成膜，作為發(fā)光層。此外，把Alq3按每秒0.5nm的成膜速度進行電阻加熱真空成膜，成為30nm的厚度作為電子傳輸層。接著，把LiF按每秒0.01nm的成膜速度進行電阻加熱真空成膜成為0.3nm的厚度，作為電子注入層。最后實施陰極用的蔭罩，使與下部電極的條紋正交的2mm寬的條紋狀鋁按每秒1nm的速度進行電阻加熱真空成膜，成為100nm的厚度，作為上部電極(成膜工序)。有機EL發(fā)光部利用下部電極的ITO與上部電極的鋁的交叉部確定，有機EL發(fā)光部的尺寸是2mm×2mm。
調(diào)查蒸鍍工序中成膜室內(nèi)減壓度的變動及此時制成的有機EL元件性能的差別狀況。元件性能的偏差由使用各樣品制成的有機EL元件的電壓-輝度特性等特性的偏差來判斷。把結(jié)果示于表1。
再者，表1中，◎、○、×、××表示以下的水平。
[減壓度變動] ◎完全沒有減壓度的變動 ○減壓度略亂 ×減壓變亂 ××減壓度明顯亂 [元件性能的偏差] ◎基本上無偏差 ○雖然略產(chǎn)生偏差但不影響實用 ×產(chǎn)生明顯的偏差，由于元件的合格率降低，故難實用 ××明顯地產(chǎn)生偏差，且由于元件性能也明顯降低，故不能實用。
[表1] 合成例3 在裝著冷卻管、溫度計、攪拌電機的500ml三口燒瓶中，加入6-溴-2-萘酚26.8g，四(三苯基膦)鈀4.6g，甲苯100ml，在50℃進行攪拌。在固體分大致溶解的時刻，加入苯基硼酸14.6g溶解在乙醇100ml中的溶液，進行攪拌。在溶液混合的時刻加入碳酸鈉30g的100ml水溶液，加熱到回流溫度，進行1小時加熱攪拌。反應結(jié)束后，加入稀鹽酸直到水層變成弱酸性?；厥沼袡C層，減壓蒸餾除去溶劑。在得到的粗生成物中加入甲苯50ml進行再結(jié)晶，用甲苯洗滌濾出的結(jié)晶，在80℃進行減壓干燥，得到11.9g的6-苯基-2-萘酚。
合成例4 在裝著冷卻管、溫度計、攪拌電機的500ml三口燒瓶中，加入2-甲基-8-羥基喹啉(市售品純度98.0％以上)8.3g，異丙氧基鋁10.7g，脫水乙醇290ml，在氮氣流下加熱到回流溫度，進行1小時加熱攪拌。把反應液冷卻到室溫，使用塞里塑料過濾除去不溶分。把含反應中間體的母液移到裝著攪拌電機的500ml三口燒瓶中，在室溫下邊攪拌邊慢慢加入合成例3制得的6-苯基-2-萘酚11.5g和2-甲基-8-羥基喹啉8.3g溶解于脫水乙醇75ml中的溶液，攪拌1小時，濾出生成的沉淀，用乙醇洗滌，接著用甲醇洗滌后，在70℃減壓干燥5小時，得到化合物(6)27.9g，含有雜質(zhì)A2.0mol％以上。
精制例2 將合成例4制得的化合物(6)重復4次進行升華精制。升華精制中，對該化合物6.0g使用精制例1使用的裝置，將系統(tǒng)內(nèi)減壓到2.0乇，加熱部溫度為360℃進行，對捕集部捕集的精制化合物重復4次同樣的操作。最終捕集的精制化合物B是1.10g。沒檢測出雜質(zhì)A。
實施例4-6及比較例3-4 使用上述精制例2得到的精制化合物B，配成樣品6-10。再者，樣品9-10是比較用的樣品。
樣品6精制化合物B 樣品7精制化合物B中配合合成例2得到的雜質(zhì)A0.4mol％。
樣品8精制化合物B中配合合成例2得到的雜質(zhì)A0.6mol％。
樣品9精制化合物B中配合合成例2得到的雜質(zhì)A0.8mol％。
樣品10精制化合物B中配合合成例2得到的雜質(zhì)A1.0mol％。
樣品6-10為有機EL材料，采用實施例1同樣的方法，制成在發(fā)光層上使用上述樣品6-10的有機EL元件。調(diào)查蒸鍍工序中成膜室減壓度的變動及此時制成的元件性能的偏差狀況。元件性能的偏差根據(jù)使用各樣品制成的元件的電壓-輝度特性等的特性偏差進行判斷。把結(jié)果示于表2。
再者，表2中，◎、○、×、××表示與表1的場合同樣的結(jié)果。
表2 由表1-2看出，通式(2)所示配位化合物含量與蒸鍍工序時減壓度的變動及制造的有機EL元件性能的偏差顯示出強的相關(guān)關(guān)系，通式(2)表示的配位化合物的含量在0.6mol％以下的范圍時，減壓度變動與元件性能偏差明顯得到改善。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性 通過使用本發(fā)明的鋁螯合配位化合物，可制得蒸鍍工序時成膜室的減壓度十分穩(wěn)定、生產(chǎn)效率高而且可靠性也好、可耐實用水平的高質(zhì)量的有機EL元件。該有機EL元件的制造方法可提高生產(chǎn)效率，降低制造成本，進行高的質(zhì)量管理。
權(quán)利要求
1.有機EL材料，其特征在于，含有通式(1)表示的鋁螯合配位化合物的有機EL材料中，通式(2)所示配位化合物含量為0.6mol％以下，
L1Al(L2)2(1)
式中，L1表示酚鹽配位基，L2表示至少在2位有取代基的8-羥基喹啉鹽配位基，
Al(L2)3(2)
式中，L2表示至少在2位有取代基的8-羥基喹啉鹽配位基。
2.權(quán)利要求1所述的有機EL材料的制造方法，其特征在于，制造有機EL材料時，使烷氧基鋁與羥基喹啉衍生物反應，接著與酚性化合物反應，對得到的鋁螯合配位化合物進行精制后，通式(2)表示的配位化合物的含量為0.6mol％以下。
3.有機EL元件，其特征在于，具有將含權(quán)利要求1所述的有機EL材料的材料升華蒸鍍得到的層。
4.有機EL元件，其特征在于，在陽極與陰極之間有含空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層的有機層，作為發(fā)光層設(shè)有將含權(quán)利要求1所述的有機EL材料的材料升華蒸鍍得到的層。
5.有機EL元件的制造方法，其特征在于，包括下述工序
1)合成通式(1)表示的鋁螯合配位化合物，
2)把前述鋁螯合配位化合物升華精制成權(quán)利要求1所述的有機EL材料，
3)將前述有機EL材料進行蒸鍍成膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了蒸鍍工序時成膜室的減壓度穩(wěn)定、生產(chǎn)效率高并且可得到可靠性好的可耐實用水平的高品質(zhì)有機EL元件的鋁螯合配位化合物及使用該化合物的有機EL元件。該有機EL材料是L1Al(L2)2表示的鋁螯合配位化合物，是Al(L2)3表示的配位化合物的含量為0.6mol％以下的有機EL材料。該配位化合物通過使烷氧基鋁與羥基喹啉衍生物反應，接著與酚性化合物反應配位化，然后高度地進行精制得到。式中，L1表示酚鹽配位基，L2表示取代8-羥基喹啉鹽配位基。
文檔編號C09K11/06GK101151345SQ200680010700
公開日2008年3月26日 申請日期2006年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者松尾真嗣, 古海英之, 宮崎浩, 石井和男, 結(jié)城敏尚, 內(nèi)城強 申請人:新日鐵化學株式會社, 日本東北先鋒公司