專利名稱：熒光體及含有該熒光體的等離子體顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種熒光體以及含有該熒光體的等離子體顯示面板(PDP)。具體地，本發(fā)明涉及一種顯示性能和壽命都得到提高的熒光體。
背景技術：
通常，熒光體指的是暴露于能量下能發(fā)光的材料。具體地，常規(guī)的熒光體可以吸收光、達到激發(fā)態(tài)并且以預定的波長發(fā)光。熒光體可以表現(xiàn)出電流飽和性、劣化性、亮度特性以及預定的色純度。因此，熒光體可以用于各種光源，如汞熒光燈、無汞熒光燈、電子發(fā)射裝置和等離子體顯示面板(PDP)等等。
在常規(guī)的PDP中，熒光體層可被使用和經(jīng)受如氙(Xe)氣引發(fā)的諸如約147nm至約200nm波長的真空紫外(VUV)光。所述VUV光可以激發(fā)熒光體層以預定的亮度發(fā)光。
特別是常規(guī)的熒光體諸如Zn2SiO4:Mn或Zn2SiO4:Mn、YBO3:Tb和(Ba，Sr)MgAl10O19:Mn的混合物可以發(fā)綠光。與諸如BaAl12O19:Mn或YBO3:Tb等其他綠色熒光體相比，Zn2SiO4:Mn在熒光體中的常規(guī)使用可以提供良好的亮度、色坐標和壽命。但是，Zn2SiO4:Mn熒光體的表面可具有高的負極性，因而需要高的放電電壓。所述高放電電壓可引發(fā)增加的離子發(fā)射，因而會導致熒光體劣化。為了降低放電電壓，已經(jīng)嘗試將Zn2SiO4:Mn熒光體與其他綠色熒光體結合。但是，這樣的熒光體混合物表現(xiàn)出降低的顯示性能。
因此，需要一種壽命增加而同時保持良好的亮度和色坐標的熒光體。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種熒光體和等離子體顯示面板(PDP)，其實質上克服了相關技術中的一種或多種缺點。
因此，本發(fā)明的一個實施方案的特性是提供一種壽命增加且亮度和色坐標良好的熒光體。
本發(fā)明的一個實施方案的另一個特性是提供一種含有壽命增加且同時保持亮度和色坐標良好的熒光體的PDP。
本發(fā)明的至少一個上述和其他特性與優(yōu)點可通過提供具有無定形層的熒光體來實現(xiàn)，所述熒光體包含熒光體核心和厚度為約1nm至約30nm的無定形氧化物層，其中具有無定形層的熒光體顯示出約10mV至約50mV的ζ電位。所述具有無定形層的熒光體的平均顆粒直徑可為約1μm至約10μm。
所述熒光體核心可為Mn活化的硅酸鋅、CaMgSi2O6:Eu、(Y，Gd)VPO4:Eu、(Y，Gd)BO3:Eu、Y2O3:Eu、(Y，Gd)2O3:Eu、(Ba，Mg，Sr)Al12O19:Mn或者BaAl12O19:Mn。所述Mn活化的硅酸鋅可表示為Zn2SiO4:Mn。
所述無定形氧化物層可包含金屬氧化物。所述金屬氧化物可為氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)?；?00重量份的熒光體核心，具有無定形層的熒光體中金屬氧化物的量可為約0.01至約10重量份。
在本發(fā)明的另一個方面，提供一種形成具有無定形層的熒光體的方法，其包括合成表示為Zn2SiO4:Mn的Mn活化的硅酸鋅，然后在該Mn活化的硅酸鋅的表面吸附金屬氧化物前體，從而形成ζ電位為約10mV至約50mV的具有無定形金屬氧化物層的熒光體。
吸附金屬氧化物前體可包括進行離子吸附。吸附金屬氧化物前體可包括吸附氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)的前體。另外，添加金屬氧化物前體可包括形成厚度為約1nm至約30nm的無定形氧化物層。
在本發(fā)明的另一個方面中，提供一種PDP，其包括與后面板平行的前面板、在前面板和后面板之間的多個電極、電極之間的多個放電單元(emission cell)以及具有熒光體核心和厚度約1nm至約30nm的無定形金屬氧化物層的熒光體，使得所述熒光體顯示出的ζ電位為約10mV至約50mV。所述無定形金屬氧化物層可包括氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)。


參照附圖，通過對示例性的實施方案的具體描述，本發(fā)明的上述和其他特性與優(yōu)點對本領域普通技術人員來說將變得更加明顯，其中圖1表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的等離子體顯示面板(PDP)的透視圖；圖2表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的熒光體表面的氧化鋁層的透射電子顯微鏡(TEM)的圖象；圖3表示圖2的放大圖象；圖4表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的具有氧化鋁層的熒光體的能量色散光譜儀(EDS)數(shù)據(jù)圖；圖5表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的熒光體表面的氧化鑭層的TEM圖象；圖6表示圖5的放大圖象；圖7表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的具有氧化鑭層的熒光體的EDS數(shù)據(jù)圖；圖8表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的熒光體表面的氧化釔層的TEM圖象；圖9表示圖8的放大圖象；圖10表示根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的具有氧化釔層的熒光體的EDS數(shù)據(jù)圖；圖11表示具有根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的熒光體層的PDP與常規(guī)PDP中亮度保持的比較圖。
具體實施例方式
2006年4月26日在韓國知識產(chǎn)權局提交的、發(fā)明名稱為“用于等離子體顯示面板的熒光體以及含有由該熒光體形成的熒光體層的等離子體顯示面板(Phosphor for Plasma Display Panel and Plasma Display Panel IncludingPhosphor Layer Formed of the Phosphor)”的韓國專利申請No.10-2006-0037715在此全文引入作為參考。
下文本發(fā)明將會參照附圖進行更充分地描述，其中舉例說明了本發(fā)明的示例性的實施方案。但是，本發(fā)明可以不同的形式被具體化，而不被解釋為限定于在此給出的實施方案。而提供這些實施方案的目的是使公開徹底和完整并且將發(fā)明的范圍充分地傳達給本領域技術人員。
在圖中，為了清楚地說明，層和區(qū)域的尺寸可被放大。還需要明白的是當層或元件被認為是在另一層或基板“上”時，其可直接在另一層或基板上，或者也可以存在插入層。此外，需要明白的是當層被認為是在另一層之“下”時，它可以是直接在該層下，并且也可以存在一個或多個插入層。此外，還需要明白的是當層被認為是在兩層“之間”時，它可以是該兩層之間的唯一的層，或者也可以存在一個或多個插入層。相同的參考數(shù)字始終指的是相同的元件。
根據(jù)本發(fā)明的具有無定形層的熒光體的一個示例性實施方案將在下文中具體描述。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的具有無定形層的熒光體可包括熒光體核心和具有正極性的無定形氧化物層。特別地，該熒光體核心可包括表示為Zn2SiO4:Mn的Mn活化的硅酸鋅，該無定形氧化物層可包括諸如氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)的金屬氧化物，該金屬氧化物吸附在熒光體核心的表面形成具有無定形層的熒光體，與熒光體核心相比，具有無定形層的熒光體具有改善的放電性能、耐等離子沖擊性和壽命。
所述無定形氧化物層可在熒光體核心上形成約1nm至約30nm的厚度，使得被吸附在熒光體核心的金屬氧化物的量可以被控制，從而形成具有預定ζ電位的具有無定形層的熒光體。基于100重量份的熒光體核心，被吸附在熒光體核心的金屬氧化物的量可為約0.01-10重量份，優(yōu)選約0.03-2.0重量份。基于100重量份的熒光體核心，如果金屬氧化物的量低于約0.01重量份，則不足以改變熒光體核心的表面極性，因而不能降低放電電壓。另一方面，基于100重量份的熒光體核心，如果金屬氧化物的量超過約10重量份，則其可以吸收真空紫外(VUV)光和/或產(chǎn)生自熒光體核心的可見光，因此會降低熒光體核心的亮度。
盡管不希望受理論的約束，但還是認為金屬氧化物可具有正電荷，因此一旦吸附在負極性的熒光體核心的表面，則降低了該熒光體核心整個表面極性。所以，具有無定形層的熒光體即吸附有無定形氧化物層的熒光體核心的放電電壓可降低。此外，與熒光體核心相比，認為金屬氧化物可具有降低的反應性，因此在濺射過程中提供能使熒光體核心和發(fā)射離子的接觸最少化的屏蔽來減少具有無定形層的熒光體的劣化。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，具有無定形層的熒光體可用作單一的熒光體組分或者作為諸如YBO3:Tb、BaAl12O19:Mn等熒光體混合物中的主要組分。但是，當具有無定形層的熒光體用于熒光體混合物中時，為了提高PDP的光性能，其他熒光體可以少量使用。
具有無定形層的熒光體的ζ電位可為約10mV至約50mV，優(yōu)選約20mV至約40mV。具有無定形層的熒光體的平均顆粒直徑可為約1μm至約10μm。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，下文將具體描述制備具有無定形層的熒光體的方法。
在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中，熒光體核心可在還原氣氛中高溫合成，從而促使具有正表面電荷的材料通過吸附法吸附在熒光體核心的表面，因而賦予了熒光體核心表面正極性。
特別地，可以通過常規(guī)的固態(tài)反應、隨后在約1,000℃至約1,400℃下熱處理約10小時或更少，用本領域普通技術人員決定的任何形成熒光體的組分合成熒光體核心。結果，可形成熒光體核心。接著，諸如氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)的金屬氧化物可通過離子吸附法以預定的比率吸附在已形成的熒光體核心的表面上，從而在其上形成無定形氧化物層。
離子吸附法可包括以預定的比率混合熒光體核心與純水來形成第一混合物，將第一混合物攪拌約30分鐘，加入預定量的待吸附原子的硝酸鹽化合物如Al(NO3)3、La(NO3)3或Y(NO3)3的水溶液來形成第二混合物，將第二混合物攪拌約30分鐘。盡管不希望受理論的束縛，但仍然認為諸如Al3+、La3+或Y3+離子的金屬陽離子在水溶液即第二混合物中易于被吸附至熒光體核心的帶負電表面。接著，由于該水溶液酸性較高即pH值為約4至約5，可將足以使水溶液的整個pH值為約7的量的氨溶液(NH3OH)加入到水溶液中。氨溶液加入至所述水溶液中可引發(fā)水溶液中的金屬離子與氨溶液中的氫氧根之間的相互作用，如反應式1所示，這促進了金屬離子被吸附在熒光體核心表面以形成中間體熒光體。
M3++3(OH-)M(OH)3(反應式1)所述中間體熒光體可在約400℃至約600℃的溫度下熱處理來促進該中間體熒光體表面上的無定形氧化物層的形成，從而完成具有無定形層的熒光體的形成。所述熱處理可在惰性氣氛，即在氫氣(H2)、氮氣(N2)或它們的混合物存在下進行。如果具有無定形層的熒光體的亮度在熱處理中由于氧化而降低，則可通過在還原氣氛中熱處理調節(jié)亮度。
所述無定形氧化物層的厚度可為約1nm至約30nm。厚度低于約1nm可能不足以保護具有無定形層的熒光體不受離子發(fā)射的影響，因而不能增加壽命。另一方面，厚度超過約30nm，則可能吸收真空紫外(VUV)光和/或產(chǎn)生自具有無定形層的熒光體的可見光，因而會降低具有無定形層的熒光體的亮度。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案制備的具有無定形層的熒光體的顆粒直徑可為平均直徑約1μm至約10μm。平均顆粒直徑小于約1μm，可使亮度不足且引起顆粒團聚。另一方面，如果平均顆粒直徑大于約10μm，則會妨礙所述具有無定形層的熒光體在施涂到PDP放電單元上的過程中的絲網(wǎng)印刷，因此降低了PDP的精細度(fineness)和精密度。
根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性的實施方案，將參照圖1對具有熒光體層的PDP進行具體描述。如圖1所示，PDP可包括前面板210、后面板220、多個電極和多個電極之間的放電單元226。放電單元226可包括多個熒光體層225，即分別為紅、綠和藍色熒光體層225a、225b和225c。然而，應當注意其他的PDP結構也不排除在本發(fā)明的范圍之外。
所述綠色熒光體層225b可由前述的具有無定形層的熒光體形成。所述具有無定形層的熒光體可根據(jù)前述的實施方案來制備。接著，具有無定形層的熒光體可與粘合劑和溶劑混合形成糊狀組合物。該糊狀組合物可用篩網(wǎng)絲網(wǎng)印刷在放電單元226上。隨后，經(jīng)絲網(wǎng)印刷的組合物可被干燥并燒結形成放電單元226中的熒光體層。干燥溫度可為約100℃至約150℃。為了從該糊狀組合物中去除有機物質，燒結溫度可為約350℃至約600℃，優(yōu)選約450℃。
用于形成熒光體層的粘合劑可為乙基纖維素，基于100重量份的具有無定形層的熒光體，粘合劑的量可為約10至約30重量份?；?00重量份的具有無定形層的熒光體，粘合劑的量低于約10重量份可導致對熒光體層的粘合力不足。另一方面，基于100重量份的具有無定形層的熒光體，粘合劑的量超過約30重量份可降低所述具有無定形層的熒光體的相對量，從而會降低發(fā)出光的色純度。
用于形成熒光體層的溶劑可為丁基卡必醇(BCA)或松油醇，且基于100重量份的具有無定形層的熒光體，溶劑的量可為約70-300重量份?；?00重量份的具有無定形層的熒光體，溶劑的量低于約70重量份可使具有無定形層的熒光體不能充分分散并且大大增加了糊狀組合物的粘度，因而分別導致亮度的非均一性和引起印刷困難。另一方面，基于100重量份的具有無定形層的熒光體，溶劑的量超過約300重量份可使每單位面積的具有無定形層的熒光體的量較低，因而降低了PDP的亮度。
所述糊狀組合物的粘度可為約5,000cps至約50,000cps，優(yōu)選約20,000cps。當糊狀組合物的粘度低于約5,000cps時，印刷溶液可在印刷過程中從放電單元泄漏，從而提供厚度和位置精度不均勻的印刷的熒光體層。另一方面，當糊狀組合物的粘度大于約50,000cps時，糊劑的粘度會太高，從而使印刷困難。
PDP的紅色和藍色熒光體層225a和225c可為本領域普通技術人員確定的任何紅色和藍色熒光體。例如，紅色熒光體可為(Y，Gd)BO3:Eu或Y(V，P)O4:Eu，藍色熒光體可為BaMgAl10O17:Eu或CaMgSi2O6:Eu。
PDP的前面板210可包括透明前基板211(諸如玻璃基板)，布置在前基板211下表面211a上并沿著放電單元226放置的多對維持電極214，在前基板211上的前介電層215，使得多對維持電極214位于前介電層215和前基板211之間，以及保護層216。前基板211可具有高透光率。
后面板220可包括平行于前基板211的透明后基板221(諸如玻璃基板)，位于后基板221的上表面221a上并與多對維持電極214垂直的多個尋址電極222，覆蓋于尋址電極222上的后介電層223，以及位于后介電層223上的多個障肋224，這些障肋限定了多個放電單元226。
后面板220的尋址電極222可由具有高電導率的金屬形成，如鋁(Al)。尋址電極222可與維持電極212一起使用從而產(chǎn)生尋址放電。所述尋址放電可為用來選擇待通過維持放電活化(即發(fā)光)的放電單元226的放電，這將在下文中具體描述。
后面板220的后介電層223可位于尋址電極222上，以使尋址電極222與尋址放電中產(chǎn)生的帶電顆粒之間的碰撞最小化。后介電層223可由能誘導帶電顆粒的介電材料制成，如氧化鉛(PbO)、氧化鉍(B2O3)、氧化硅(SiO2)等。
可布置后面板220的障肋224以限定其間的放電單元226。因此，障肋224可插入前基板211和后基板221之間的放電空間。障肋224可使相鄰的放電單元226之間的接觸最小化并且增大了涂覆在放電單元226內(nèi)部的熒光體層225的表面積。障肋224可由含有任何適宜性能增強材料、填料和/或顏料的玻璃形成，所述增強材料例如為鉛(Pb)、硼(B)、硅(Si)、鋁(Al)或氧(O)，所述填料例如為氧化鋯(ZrO2)、氧化鈦(TiO2)或氧化鋁(Al2O3)，所述顏料例如為鉻(Cr)、銅(Cu)、鈷(Co)、鐵(Fe)或氧化鈦(TiO2)。
前面板210的維持電極對214可沿著放電單元226延伸并垂直于尋址電極222。所述維持電極對214可包括第一(即Y)電極和第二(即X)電極，維持電極212和213的間隔相等，這樣每個第二維持電極213可位于兩個第一維持電極212之間并與它們平行。在第一和第二電極212和213上施加的電壓可在它們之間產(chǎn)生電位差，從而引發(fā)了維持放電。
第一和第二電極212和213可分別包括第一和第二透明電極212b和213b，以及第一和第二匯流電極212a和213a。所述第一和第二匯流電極212a和213a可分別在沒有第一和第二透明電極212b和213b下使用，從而形成掃描電極和公共電極(common electrode)。
第一和第二透明電極212b和213b可由諸如氧化錫銦(ITO)的透明導電材料形成，使得從熒光體發(fā)出的光可在沒有阻擋下傳送到前基板211。但是，由透明導電材料(如ITO)形成第一和第二透明電極212b和213b可給其帶來高電阻，從而引發(fā)了透明電極212b和213b在縱向上大的電壓降，增加了PDP的功率消耗，并降低了圖象的響應速度。因此，第一和第二匯流電極212a和213a可分別用諸如銀(Ag)的高導電金屬在第一和第二透明電極212b和213b外邊緣形成。
前面板210的前介電層215可布置在維持電極對214上來防止第一和第二電極212和213之間的直接電連接，以及防止在維持放電過程中帶電顆粒與維持電極214之間的碰撞。該前介電層215可由具有高透光性的介電材料形成，如氧化鉛(PbO)、氧化鉍(B2O3)、氧化硅(SiO2)等。
前面板210的保護層216可形成在前介電層215上。該保護層216可保護前介電層215不受在維持放電中電子碰撞和二次電子的影響。該保護層216可由氧化鎂(MgO)形成。
PDP的放電單元226可被填充放電氣體，如氖(Ne)、氙(Xe)或它們的混合物。例如，如果使用氖和氙的混合氣體，氙氣在混合氣體中的用量可為約5％-10％。此外，氖氣的部分可被氦(He)氣替換。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的PDP的衰減時間可小于約1ms，優(yōu)選為約400μs至約1ms。PDP的色溫可為約8500K，且基于CIE(CommissionInternationale de l’Eclairage)色系，該PDP的白色坐標為(x＝0.285，y＝0.300)。
本發(fā)明將參照下述實施例進行更具體的描述。這些實施例僅僅用于舉例說明而不用于限定本發(fā)明的范圍。
實施例實施例1鋅(Zn)、硅(Si)和錳(Mn)以2∶1∶0.11的摩爾比混合并研磨形成熒光體混合物。將該熒光體混合物放置在坩鍋中并且在電爐中、空氣氣氛下在1550℃下熱處理5小時。該熱處理后的熒光體混合物在5％的H2和95％的N2氣氛下于1200℃進一步熱處理10小時，從而形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
隨后，通過離子吸附法將0.05重量份的氧化鋁(Al2O3)吸附在100重量份的Zn2SiO4:Mn熒光體表面，從而形成平均顆粒直徑為3.0μm的具有無定形層的Zn2SiO4:Mn熒光體，所述無定形氧化物層的平均厚度為約2-5nm。
接著，將40％重量的具有無定形層的Zn2SiO4:Mn熒光體、8％重量的乙基纖維素和52％重量的松油醇混合形成熒光體層組合物。
將所述熒光體層組合物絲網(wǎng)印刷在PDP的放電單元上、干燥并在480℃下燒結形成綠色熒光體層。該PDP包括具有93％重量的Ne和7％重量的Xe的混合物的放電氣體。
實施例2用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.05重量份的氧化鑭(La2O3)而非氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
實施例3用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.5重量份的氧化釔(Y2O3)而非氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
實施例4用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.03重量份的氧化鋁(Al2O3)而非0.05重量份的氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
實施例5用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.3重量份的氧化釔(Y2O3)而非氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
實施例6用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.1重量份的氧化鑭(La2O3)而非氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
實施例7用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用1重量份的氧化釔(Y2O3)而非氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
對比實施例1用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于無定形氧化物層即氧化鋁(Al2O3)沒有吸附于Zn2SiO4:Mn熒光體。
對比實施例2用與實施例1的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.005重量份的氧化鋁(Al2O3)而非0.05重量份的氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
對比實施例3用與對比實施例2的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.005重量份的氧化鑭(La2O3)而非0.005重量份的氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
對比實施例4用與對比實施例2的綠色熒光體層相同的方法制備綠色熒光體層，不同之處在于用0.005重量份的氧化釔(Y2O3)而非0.005重量份的氧化鋁(Al2O3)形成Zn2SiO4:Mn熒光體。
測定從實施例1-7和對比實施例1-4得到的所有綠色熒光體層的ζ電位和相對亮度。實施例1-7中的各無定形氧化物層的厚度通過透射電子顯微鏡(TEM)圖象測定。
按如下方法確定ζ電位。將由實施例1-7和對比實施例1-4制備的各熒光體層分散在純水(pH5.8)中并用超聲波處理約2分鐘。接著，將各樣品裝載在Zetamaster裝置(MALVERN Co.)中以測量ζ電位。各樣品的ζ電位被測量5次，計算平均ζ電位并記錄。
各樣品的相對亮度使用CA100CRT色分析器(MINOLTA Co.)測量。
實施例1-7得到的綠色熒光體層如圖2-10中所示，實施例1-7和對比實施例1-4得到的綠色熒光體層的ζ電位和相對亮度的測試結果見下表1和圖11所示。實施例1-7形成的各熒光體的無定形氧化物層的厚度也記錄于表1中。
圖2-3示出了在由實施例1和4制得的綠色熒光體層表面上的氧化鋁涂層的透射電子顯微鏡(TEM)圖象。圖3為圖2的放大圖。圖4示出了實施例1和4的綠色熒光體層的能量色散光譜儀(EDS)數(shù)據(jù)圖。
圖5-6示出了在由實施例2和6制得的綠色熒光體層表面上的氧化鑭涂層的TEM圖象。圖6為圖5的放大圖。圖7示出了實施例2和6的綠色熒光體層的EDS數(shù)據(jù)圖。
圖8-9示出了在由實施例3、5和7制得的綠色熒光體層表面上的氧化釔涂層的TEM圖象。圖9為圖8的放大圖。圖10示出了實施例3、5和7的綠色熒光體層的EDS數(shù)據(jù)圖。
表1

從表1可以看出，由實施例1-7制備的綠色熒光體層表現(xiàn)出正的ζ電位值，而對比實施例1-4制備的綠色熒光體層表現(xiàn)出負的ζ電位值。因此，由本發(fā)明的實施方案如實施例1-7制備的綠色熒光體層可提供改善的亮度、最小的永久余象和增加的壽命。
此外，從圖11示出的亮度與時間的關系可以看出，與根據(jù)常規(guī)方法即對比實施例1制得的綠色熒光體層相比，根據(jù)本發(fā)明的實施方案如實施例1-3制得的綠色熒光體層可以更長時間保持亮度。例如，經(jīng)過1000小時時期，根據(jù)本發(fā)明的實施方案制得的綠色熒光體層比根據(jù)常規(guī)方法制得的綠色熒光體層的相對亮度比率高至少10％。
因此，含有根據(jù)本發(fā)明實施方案制備的綠色熒光體層的PDP除了PDP的整個壽命增加以外，還可表現(xiàn)出增強的和均勻的亮度。特別地，根據(jù)本發(fā)明實施方案的綠色熒光體層可含有無定形氧化物層來改善放電和發(fā)光性能并且使熒光體由于離子轟擊而產(chǎn)生的劣化最小化。
通過使用根據(jù)本發(fā)明實施方案制備的具有無定形層的熒光體，PDP中綠色熒光體層的表面電荷性能可得到改善，因而，面板放電電壓可以得到控制，從而提供紅光和綠光的均一亮度，即最小化或消除低灰度和低放電問題。此外，吸附于熒光體核心的無定形氧化物層可以保護得到的具有無定形層的熒光體，因此使具有無定形層的熒光體由于離子轟擊而產(chǎn)生的劣化最小化。使熒光體的劣化最小化可提供高亮度保持率的PDP，因而增加了壽命。特別地，PDP的永久余象起始時間可被延長。
本發(fā)明示例性的實施方案在本文中已被公開，盡管應用了具體的術語，但是它們僅僅用于一般性和描述性的解釋而不用于限定本發(fā)明。因此，對本領域普通技術人員來說應當理解的是，在不偏離下述權利要求給出的本發(fā)明的精神和范圍下，可以做出形式和細節(jié)的各種變化。
權利要求
1.一種具有無定形層的熒光體，所述熒光體包括熒光體核心；和吸附于所述熒光體核心的無定形層，所述無定形層包括金屬氧化物并具有約1nm至約30nm的厚度，其中具有無定形層的熒光體顯示的ζ電位為約10mV至約50mV。
2.權利要求1的具有無定形層的熒光體，其中所述金屬氧化物為氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)。
3.權利要求1的具有無定形層的熒光體，其中所述熒光體核心為Mn活化的硅酸鋅、CaMgSi2O6:Eu、(Y，Gd)VPO4:Eu、(Y，Gd)BO3:Eu、Y2O3:Eu、(Y，Gd)2O3:Eu、(Ba，Mg，Sr)Al12O19:Mn或者BaAl12O19:Mn。
4.權利要求3的具有無定形層的熒光體，其中所述Mn活化的硅酸鋅表示為Zn2SiO4:Mn。
5.權利要求1的具有無定形層的熒光體，其中基于100重量份的熒光體核心，所述具有無定形層的熒光體中金屬氧化物的量為約0.01至約10重量份。
6.權利要求1的具有無定形層的熒光體，其中具有無定形層的熒光體的平均顆粒直徑為約1μm至約10μm。
7.一種形成具有無定形層的熒光體的方法，所述方法包括合成表示為Zn2SiO4:Mn的Mn活化的硅酸鋅；和通過離子吸附，在所述Mn活化的硅酸鋅的表面吸附金屬氧化物前體，從而形成具有厚度為約1nm至約30nm的無定形氧化物層的熒光體，其中所述具有無定形氧化物層的熒光體的ζ電位為約10mV至約50mV。
8.權利要求7的方法，其中吸附金屬氧化物前體包括吸附氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)的前體。
9.一種等離子體顯示面板(PDP)，所述等離子體顯示面板包括與后面板平行的前面板；在所述前面板和所述后面板之間的多個電極；所述電極之間的多個放電單元；以及包含熒光體核心和厚度約1nm至約30nm的無定形金屬氧化物層的具有無定形層的熒光體，其中所述具有無定形層的熒光體顯示的ζ電位為約10mV至約50mV。
10.權利要求9的PDP，其中所述無定形金屬氧化物層包括氧化鋁(Al2O3)、氧化鑭(La2O3)或氧化釔(Y2O3)。
11.權利要求9的PDP，其中所述熒光體核心為Mn活化的硅酸鋅、CaMgSi2O6:Eu、(Y，Gd)VPO4:Eu、(Y，Gd)BO3:Eu、Y2O3:Eu、(Y，Gd)2O3:Eu、(Ba，Mg，Sr)Al12O19:Mn或者BaAl12O19:Mn。
12.權利要求11的PDP，其中所述Mn活化的硅酸鋅表示為Zn2SiO4:Mn。
13.權利要求9的PDP，其中基于100重量份的熒光體核心，所述具有無定形層的熒光體中金屬氧化物的量為約0.01至約10重量份。
14.權利要求9的PDP，其中具有無定形層的熒光體的平均顆粒直徑為約1μm至約10μm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有無定形層的熒光體及含有該熒光體的等離子體顯示面板(PDP)，所述熒光體包括熒光體核心和在該熒光體核心上的厚度為約1至約30nm的無定形氧化物層，所述氧化物為氧化鋁(Al
文檔編號C09K11/83GK101077975SQ20071012926
公開日2007年11月28日 申請日期2007年4月26日 優(yōu)先權日2006年4月26日
發(fā)明者崔益圭, 劉永喆, 李賢德, 張東植, 金志賢, 樸規(guī)鉆, 宋美蘭, 宋有美, 許京宰 申請人:三星Sdi株式會社