專利名稱：：導(dǎo)電性接合材料及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及導(dǎo)電性接合材料及電子裝置，具體而言是涉及將各種片狀電子部件及印刷電路布線板等電結(jié)構(gòu)物彼此接合的導(dǎo)電性接合材料、及經(jīng)由所述導(dǎo)電性接合材料接合多個(gè)電結(jié)構(gòu)物而成的電子裝置。
背景技術(shù)：
：以往，公知使用含有熱固性樹(shù)脂和金屬粉末的導(dǎo)電性接合劑對(duì)多個(gè)電結(jié)構(gòu)物接合而成的電子裝置。例如，如圖6所示，專利文獻(xiàn)1提出一種連接結(jié)構(gòu)體，在基板101上形成有第一電極102，并且，在電子器件103上形成有第二電極104，第一電極102及第二電極104連接于通過(guò)金屬微粒子的熔敷而確保導(dǎo)通的電極連接部105，并且，電極連接部105間設(shè)有由導(dǎo)電性接合劑構(gòu)成的中間連接部106，且所述金屬微粒子在所述導(dǎo)電性接合劑的熱固化溫度以下進(jìn)行熔敷，所述導(dǎo)電性接合劑含有在該導(dǎo)電性接合劑的熱固化溫度以下不發(fā)生熔敷的粒徑的導(dǎo)電性填料。在該專利文獻(xiàn)中，電極連接部105由導(dǎo)電性接合劑構(gòu)成，該導(dǎo)電性接合劑包括在導(dǎo)電性接合劑的熱固化溫度以下發(fā)生熔敷的Ag等金屬微粒子、在導(dǎo)電性接合劑的熱固化溫度以下不發(fā)生熔敷的粒徑的導(dǎo)電性填料、接合劑。另外，在專利文獻(xiàn)1中，通過(guò)加熱固化處理經(jīng)由包含于電極連接部105的金屬微粒子使第一及第二電極102、104和導(dǎo)電性填料熔敷，再經(jīng)由所述金屬微粒子使各導(dǎo)電性填料熔敷，由此，提高了在界面的粘著力。另外，如圖7所示，專利文獻(xiàn)2提出了一種由熱傳導(dǎo)性材料109接合第一基板107和第二基板108的熱傳導(dǎo)性接合體。專利文獻(xiàn)2的熱傳導(dǎo)性材料109包括含有有機(jī)酸的熱固性樹(shù)脂110和熱傳導(dǎo)性填料，所述熱傳導(dǎo)性填料的組成包括具有熔點(diǎn)比熱固性樹(shù)脂110的熱固化溫度高的第一填料111、具有熔點(diǎn)比熱固性樹(shù)脂110的熱固化溫度低的第二填料112。另外，專利文獻(xiàn)2公示的實(shí)施例為，調(diào)整熱傳導(dǎo)性填料(第一及第二填料)相對(duì)于熱固性樹(shù)脂110及熱傳導(dǎo)性填料111、112的總量的體積比率，使其為50體積％(相當(dāng)于89重量％)。在專利文獻(xiàn)2中，熱傳導(dǎo)性填料含有熔點(diǎn)比熱固性樹(shù)脂110的熱固化溫度低的第二填料112，因此，在熱固性樹(shù)脂110熱固化之前第二填料112熔融，第一填料111和第二填料112熔敷。另外，熱傳導(dǎo)性填料含有比熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度高的熔點(diǎn)的第一填料111，因此，在熱固性樹(shù)脂110熱固化之后第一填料111也能保持其形態(tài)，由此可抑制熱阻力的增加。此外，熱傳導(dǎo)性材料由于含有熱固性樹(shù)脂110和熱傳導(dǎo)性填料，因而可降低接合溫度，且由于將樹(shù)脂系材料做成基底因而降低了彈性率，進(jìn)而可以降低熱應(yīng)力。由此，得到了具有高的熱傳導(dǎo)性且連接可靠性也優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性材料。專利文獻(xiàn)l:(日本)特開(kāi)2005—93826號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1、6)專利文獻(xiàn)2:(日本)特開(kāi)2004—335872號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1、第自然段等)但是，專利文獻(xiàn)1中，雖然電極連接部105對(duì)在導(dǎo)電性接合劑的熱固化溫度以下熔融的金屬微粒子進(jìn)行熔敷以確保導(dǎo)通性，但是由于中間連接部106只是通過(guò)各導(dǎo)電性填料的接觸確保導(dǎo)通性，因而該中間連接部106存在導(dǎo)通性差的問(wèn)題。因此，為了避免該問(wèn)題，應(yīng)考慮使導(dǎo)電性接合劑含有以導(dǎo)電性接合劑的熱固化溫度熔融的低熔點(diǎn)的金屬粉末的方法。但是，在將接合有多個(gè)電結(jié)構(gòu)物的接合構(gòu)造體安裝于母板等的情況下，有可能因反復(fù)進(jìn)行回流加熱處理而承受與劇烈溫度變化相伴隨的熱沖擊，連接結(jié)構(gòu)體長(zhǎng)時(shí)間暴露于高溫氛圍下。因此，產(chǎn)生致使所述低熔點(diǎn)金屬粉末再熔融，而不能得到充分的接合強(qiáng)度的問(wèn)題。而且，該情況下，若熱沖擊而反復(fù)進(jìn)行瑢融混入固化，則有可能使電極連接部105和中間連接部106的接合界面剝離。特別是在回流加熱處理中，基于對(duì)環(huán)境的考慮一般使用無(wú)Pb焊料，但該無(wú)Pb焊料是烙融溫度高達(dá)27(TC28(rC的高溫，因此，致使固化的金屬再熔融進(jìn)而更容易引起在接合界面的剝離。另外，專利文獻(xiàn)2中，根本沒(méi)有考慮熱傳導(dǎo)性填料的含量及第一填料以及第二填料的粒徑?！熠?，這些熱傳導(dǎo)性填料的含量及第一填料以及第二填料的粒徑有可能降低對(duì)加熱固化后的接合面的接合強(qiáng)度，另外長(zhǎng)時(shí)間暴露于高溫潮濕環(huán)境下則有可能使連接電阻變高而招致導(dǎo)電性的降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于這樣的情況而設(shè)立的，其目的在于提供一種即使在反復(fù)進(jìn)行回流加熱處理或承受伴隨劇烈的溫度變化的熱沖擊的情況下也具有良好的導(dǎo)通性和高連接強(qiáng)度的導(dǎo)電性接合材料以及使用了該導(dǎo)電性接合材料的電子裝置。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，含有-熱固性樹(shù)脂、在該熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度熔融的第一金屬粉末、在所述熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度不熔融且在所述樹(shù)脂熱固性樹(shù)脂的加熱固化時(shí)與所述第一金屬粉末發(fā)生反應(yīng)生成具有300°C以上的高熔點(diǎn)的反應(yīng)物的第二金屬粉末、除去形成于該第二金屬粉末的表面上的氧化物的還原性物質(zhì)，所述第一金屬粉末及所述第二金屬粉末的含量總計(jì)為7588重量％，并且，所述第一金屬粉末的平均粒徑D1和所述第二金屬粉末的平均粒徑D2的粒徑比D1/D2為0.56.0。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第一金屬粉末相對(duì)于所述第一金屬粉末和所述第二金屬粉末的總量的體積比率為2575體積％。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第二金屬粉末被對(duì)所述第一金屬粉末的潤(rùn)濕性比對(duì)所述第二金屬粉末的潤(rùn)濕性高、且在所述熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度熔融的低熔點(diǎn)金屬覆蓋，另一特征在于，所述第二金屬粉末是以Cu為主成分的金屬粉末，所述低熔點(diǎn)金屬是含Sn的金屬。再者，本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，優(yōu)選所述第二金屬粉末被對(duì)所述第一金屬粉末的潤(rùn)濕性比對(duì)該第二金屬粉末的潤(rùn)濕性高的金屬覆蓋，而另一特征在于，所述潤(rùn)濕性高的金屬是貴金屬。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第一金屬粉末是Sn—Bi合金粉末。另外，本發(fā)明的電子裝置，其包括具有第一電極的第一電結(jié)構(gòu)物、具有第二電極的第二電結(jié)構(gòu)物，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極經(jīng)上述的導(dǎo)電性接合材料被電連接，并且，所述第一金屬粉末和所述第二金屬粉末的界面、所述第一金屬粉末和所述第一電極的界面及所述第一金屬粉末和所述第二電極的界面中的至少一個(gè)界面由具有30(TC以上的高熔點(diǎn)的反應(yīng)物結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料，由于其含有熱固性樹(shù)脂、以該熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度熔融的第一金屬粉末(例如Sn—Bi合金粉末)、在所述熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度不熔融且在所述樹(shù)脂熱固性樹(shù)脂的加熱固化時(shí)與所述第一金屬粉末發(fā)生反應(yīng)生成具有300°C以上的高熔點(diǎn)的反應(yīng)物的第二金屬粉末(例如Cu粉末)、除去形成于該第二金屬粉末的表面的氧化物的還原性物質(zhì)，所述第一金屬粉末及所述第二金屬粉末的含量總計(jì)為7588重量％，并且，所述第一金屬粉末的平均粒徑Dl和所述第二金屬粉末的平均粒徑D2的粒徑比Dl/D2為0.56.0，因此，在加熱固化時(shí)第一金屬粉末因潤(rùn)濕擴(kuò)散與第二金屬粉末電連接，從而形成導(dǎo)電通道。而且，第一金屬粉末與第二金屬粉末發(fā)生反應(yīng)生成在300'C不熔融的高熔點(diǎn)反應(yīng)物。這樣，可得到導(dǎo)通性優(yōu)良且具有牢固的接合力的連接可靠性優(yōu)良的導(dǎo)電性接合材料。特別是在第一金屬粉末像Sn—Bi合金粉末那樣含有熔融時(shí)體積膨脹率小的Bi的情況下，例如即使第一金屬粉末向第二金屬粉末的潤(rùn)濕擴(kuò)散不足而不能充分形成高熔點(diǎn)反應(yīng)物的情況下，也難以發(fā)生隨著熔融時(shí)的體積膨脹的接合面的破損，進(jìn)而可確保良好的接合強(qiáng)度。另外，由于所述第一金屬粉末相對(duì)于所述第一金屬粉末及所述第二金屬粉末的總量的體積比率為2575體積％，因而，可將第一金屬粉末所占的體積比率保持在適當(dāng)范圍，進(jìn)而能夠很容易形成多個(gè)導(dǎo)電通道。即，可以抑制諸如第一金屬粉末不足或者殘留沒(méi)有與第二金屬粉末發(fā)生反應(yīng)的未反應(yīng)的第一金屬粉末，進(jìn)而可得到能夠確保所期望的導(dǎo)通性和連接可靠性的導(dǎo)電性接合材料。另外，由于所述第二金屬粉末由對(duì)所述第一金屬粉末的潤(rùn)濕性比對(duì)所述第二金屬粉末的潤(rùn)濕性高、且以所述熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度熔融的低熔點(diǎn)金屬(例如Sn)覆蓋，因而在熱固性樹(shù)脂的加熱固化時(shí)第一金屬粉末易于潤(rùn)濕擴(kuò)散到第二金屬粉末的表面。而其結(jié)果是，可以促進(jìn)熔點(diǎn)為30(TC以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物的生成，進(jìn)而不僅可以形成具有更良好的導(dǎo)通性的導(dǎo)電通道，還可以進(jìn)一步提高接合面的接合強(qiáng)度。再者，即使在所述第二金屬粉末由對(duì)第一金屬粉末的潤(rùn)濕性比對(duì)該第二金屬粉末的潤(rùn)濕性高的金屬(例如Au等貴金屬)覆蓋的情況下，也可以達(dá)到與所述同樣的作用效果。另外，根據(jù)本發(fā)明的電子裝置，由于具有第一電極的第一電結(jié)構(gòu)物和具有第二電極的第二電結(jié)構(gòu)物經(jīng)由所述的導(dǎo)電性接合材料電連接，并且，所述第一金屬粉末和所述第二金屬粉末的界面、所述第一金屬粉末和所述第一電極的界面、及所述第一金屬粉末和所述第二電極的界面中的至少一個(gè)界面由具有30(TC以上的高瑢點(diǎn)的反應(yīng)物接合，因而可形成具有良好的導(dǎo)通性的導(dǎo)電通道，由高熔點(diǎn)反應(yīng)物粘合這些接合界面。因此，在將第一電結(jié)構(gòu)物和第二電結(jié)構(gòu)物接合之后，即使是承受回流加熱處理及熱沖擊且長(zhǎng)時(shí)間暴露于高溫氛圍中的情況，也可以避免發(fā)生金屬的再熔融，而不會(huì)使接合界面剝離，進(jìn)而可得到具有良好的導(dǎo)通性和牢固的界面接合力的機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)良的電子裝置。圖1是表示使用本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料制造的電子裝置的一實(shí)施方式的概略剖面圖2是圖1的加熱固化前的A部放大圖；圖3是圖1的加熱固化后的A部放大圖4是示意性表示低熔點(diǎn)金屬的平均粒徑相對(duì)于高熔點(diǎn)金屬的平均粒徑過(guò)小時(shí)的導(dǎo)電性材料的固化狀態(tài)的剖面圖5是示意性表示低熔點(diǎn)金屬的平均粒徑相對(duì)于高熔點(diǎn)金屬的平均粒徑過(guò)大時(shí)的導(dǎo)電性材料的固化狀態(tài)的剖面8圖6是專利文獻(xiàn)1記載的連接結(jié)構(gòu)體的示意圖7是表示專利文獻(xiàn)2記載的熱傳導(dǎo)接合體固化前的狀態(tài)的示意圖。符號(hào)說(shuō)明la、lb:焊盤電極(第一電極)2:基板(第一電結(jié)構(gòu)體)3:片狀電子部件(第二電結(jié)構(gòu)體)5a、5b:外部電極(第二電極)6a、6b:導(dǎo)電性接合材料7:熱固性樹(shù)脂8:低熔點(diǎn)金屬粉末(第一金屬粉末)9:高熔點(diǎn)金屬粉末(第二金屬粉末)具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)闡述本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是示意性表示使用本發(fā)明的導(dǎo)電性接合材料制造的電子裝置的一實(shí)施方式的剖面圖。艮P，本電子裝置在形成有焊盤電極(第一電極)la、lb的印刷線路板等基板(第一電結(jié)構(gòu)體)2上搭載有陶瓷電容器等片狀電子部件(第二電結(jié)構(gòu)體)3。該片狀電子部件3在以陶瓷為主成分的電子部件主體4的兩端形成有外部電極(第二電極)5a、5b，該外部電極5a、5b和焊盤電極la、lb由導(dǎo)電性接合材料6a、6b電連接。圖2是圖1的加熱固化前的A部放大圖。導(dǎo)電性接合材料6a含有熱固化溫度例如為200'C左右的熱固性樹(shù)脂7、在該熱固性樹(shù)脂7的熱固化溫度以下的溫度熔融的低熔點(diǎn)金屬粉末(第一金屬粉末)8、在所述熱固性樹(shù)脂7的熱固化溫度以下的溫度不熔融且在所述熱固性樹(shù)脂7的加熱固化時(shí)與所述低熔點(diǎn)金屬粉末8發(fā)生反應(yīng)生成熔點(diǎn)為30(TC以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物的高熔點(diǎn)金屬粉末(第二金屬粉末)9、除去形成于該高熔點(diǎn)金屬粉末9的表面的氧化物的還原性物質(zhì)(未圖示)。即，該導(dǎo)電性接合材料6a在熱固性樹(shù)脂7中分散有低熔點(diǎn)金屬粉末8、高熔點(diǎn)金屬粉末9、及還原性物質(zhì)(未圖示)。另外，如上所述，將所述反應(yīng)物稱為低熔點(diǎn)金屬粉末和高熔點(diǎn)金屬粉末發(fā)生反應(yīng)而生成的熔點(diǎn)為30(TC以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物，具體而言，所述反應(yīng)物是指金屬間化合物或者固溶體。圖3是圖1的加熱固化后的A部放大圖。在將導(dǎo)電性接合材料6a涂敷于外部電極5a及焊盤電極la上，在熱固化溫度以上的溫度進(jìn)行加熱處理時(shí)，低熔點(diǎn)金屬粉末熔融潤(rùn)濕擴(kuò)散。而且，高熔點(diǎn)金屬粉末9、9間經(jīng)由低熔點(diǎn)金屬粉末8連接，形成多個(gè)導(dǎo)電通道11。即，由于所述高熔點(diǎn)金屬粉末9在熱固性樹(shù)脂7的熱固化溫度不熔融，因而即使只有高熔點(diǎn)金屬粉末9分散于熱固性樹(shù)脂7中，也難以形成導(dǎo)電通道11。于是，在本實(shí)施方式中，熱固性樹(shù)脂7中分散有以該熱固性樹(shù)脂7的熱固化溫度以下的溫度熔融的低熔點(diǎn)金屬粉末8，在加熱固化時(shí)通過(guò)以熱固化溫度以上的溫度加熱，由此，使低熔點(diǎn)金屬粉末8熔融且潤(rùn)濕擴(kuò)散。由此，高熔點(diǎn)金屬粉末9、9間由低熔點(diǎn)金屬粉末8連接，生成具有良好的導(dǎo)電性的多個(gè)導(dǎo)電通道ll。由于該低烙點(diǎn)金屬粉末8與高熔點(diǎn)金屬粉末9發(fā)生反應(yīng)生成熔點(diǎn)為300'C以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物，因此，即使在使用無(wú)Pb焊料進(jìn)行回流加熱處理或反復(fù)承受熱沖擊等在高溫潮濕環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間暴露的情況下，接合界面的金屬也不會(huì)再熔融，可得到具有良好的接合強(qiáng)度的電子裝置。另外，由于熔融的低熔點(diǎn)金屬粉末潤(rùn)濕擴(kuò)散到焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b，因而在與包含于這些焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b的Ag—Pb及Sn等金屬之間也生成高熔點(diǎn)反應(yīng)物，從而形成導(dǎo)電通道11。因此，由此可得到與焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b間的接合力更牢固且機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)良的電子裝置。另外，本導(dǎo)電性接合材料中含有還原性物質(zhì)，由此，可以除去高熔點(diǎn)金屬粉末9的表面生成的氧化物。即，通過(guò)除去表面生成的氧化物，在熱固性樹(shù)脂7的加熱固化時(shí)易于使低熔點(diǎn)金屬粉末8潤(rùn)濕擴(kuò)散到高熔點(diǎn)金屬10粉末9的表面，從而形成導(dǎo)通性更高的導(dǎo)電通道ll，并且，可促進(jìn)高熔點(diǎn)反應(yīng)物的生成。因此，由此也可得到焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b之間具有更牢固的接合力的電子裝置。而且，作為這樣的還原性物質(zhì)可優(yōu)選使用具有還原性的物質(zhì)，例如琥珀酸、醋酸等有機(jī)酸、鹽酸、溴酸等，但只要是具有還原性也可以使用酸以外的物質(zhì)。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，可得到既確保良好的導(dǎo)通性又以牢固的接合力接合焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b的接合界面的電子裝置。另外，在本實(shí)施方式中，將導(dǎo)電性材料6a、6b中的低熔點(diǎn)金屬粉末8及高熔點(diǎn)金屬粉末9的含量即金屬粉末的總含量設(shè)為7588重量％。艮口，在導(dǎo)電性材料6a、6b中的金屬粉末的總含量不足75重量Q/。時(shí)，由于導(dǎo)電性材料6a、6b中的金屬粉末過(guò)少，在加熱固化時(shí)即使低熔點(diǎn)金屬粉末8潤(rùn)濕擴(kuò)散也不會(huì)與高熔點(diǎn)金屬粉末9連接，從而難以生成導(dǎo)電通道ll，而不能充分地生成熔點(diǎn)為300'C以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物。其結(jié)果是，將會(huì)招致導(dǎo)電性的下降，特別是在長(zhǎng)時(shí)間放置于高溫潮濕環(huán)境中時(shí)將助長(zhǎng)導(dǎo)通性降低。另一方面，在導(dǎo)電性材料6a、6b中的金屬粉末的總含量超過(guò)88重量%時(shí)，由于導(dǎo)電性材料6a、6b中的熱固性樹(shù)脂7的含量過(guò)少，而有可能降低焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b間的接合強(qiáng)度。因此，在本實(shí)施方式中，將導(dǎo)電性材料6a、6b中的金屬粉末的總含量設(shè)為7588重量％。另外，將低熔點(diǎn)金屬粉末8的平均粒徑Dl和高熔點(diǎn)金屬粉末9的平均粒徑D2的粒徑比Dl/D2設(shè)為0.56.0。艮卩，在粒徑比D1/D2不足0.5時(shí)，由于低熔點(diǎn)金屬粉末8的平均粒徑Dl相對(duì)于高熔點(diǎn)金屬粉末9的平均粒徑D2過(guò)小，因而相對(duì)于低熔點(diǎn)金屬粉末8的平均粒徑Dl使高熔點(diǎn)金屬粉末9間的間隔擴(kuò)大，如圖4所示，即使進(jìn)行加熱固化處理低熔點(diǎn)金屬粉末8也不能和高熔點(diǎn)金屬粉末9連接而產(chǎn)生不能生成導(dǎo)電通道11的部分。因此，產(chǎn)生不能由高熔點(diǎn)反應(yīng)物牢固地連接焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b的部分，在長(zhǎng)時(shí)間暴露于高溫潮濕環(huán)境中時(shí)有可能使連接電阻劣化。另一方面，在粒徑比D1/D2超過(guò)6.0時(shí)，低熔點(diǎn)金屬粉末8的平均粒徑Dl相對(duì)于高熔點(diǎn)金屬粉末9的平均粒徑D2過(guò)大而使導(dǎo)電性接合材料中的低熔點(diǎn)金屬粉末8和高熔點(diǎn)金屬粉末9的分散狀態(tài)惡化，如圖5所示，在加熱固化時(shí)易于使低熔點(diǎn)金屬粉末8彼此熔敷。因此，將造成連接在高熔點(diǎn)金屬粉末9間的導(dǎo)電通道11的形成不充分。另外，還不能充分得到高熔點(diǎn)反應(yīng)物，使焊盤電極la、lb及外部電極6a、6b的接合力劣化，還有可能因回流加熱處理使低熔點(diǎn)金屬粉末8再熔融而招致導(dǎo)通性的降低。因此，在本實(shí)施方式中，將低熔點(diǎn)金屬粉末8的平均粒徑D1和高熔點(diǎn)金屬粉末9的平均粒徑D2的粒徑比D1/D2設(shè)為0.56.0。另外，作為熱固性樹(shù)脂7，只要通過(guò)解熱固化處理而具有良好的接合性、焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b之間具有充分的接合強(qiáng)度，就無(wú)特別限制，可使用環(huán)氧系、苯酚系、丙烯酸系熱固性樹(shù)脂及聚酰亞胺系、聚氨基甲酸乙酯系、三聚氰胺系及尿素系熱固性樹(shù)脂，但優(yōu)選使用環(huán)氧系的熱固性樹(shù)脂。例如，可優(yōu)選使用雙酚F型、雙酚A型、加氫雙酚型、可溶酚醛型、縮水甘油胺型、萘型、環(huán)戊二烯型、環(huán)己烷型、四羥基苯乙烷型、乙內(nèi)酰脲系、聚乙二醇型、醚型的環(huán)氧樹(shù)脂及用硅酮、橡膠、甲酸乙酯、螯合物等對(duì)這些環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行了改性的改性環(huán)氧樹(shù)脂。特別是在環(huán)氧系的熱固性樹(shù)脂中，由于雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂及雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂等的液態(tài)形態(tài)不需要用于確保操作性的有機(jī)溶劑，因此基于環(huán)境及操作方面的考慮而優(yōu)選之，另外，更優(yōu)選在對(duì)熱固性樹(shù)脂進(jìn)行加熱固化時(shí)，使有機(jī)溶劑揮發(fā)而不會(huì)在接合界面形成中空(空隙)。另外，作為低熔點(diǎn)金屬粉末8，只要在熱固化樹(shù)脂7的熱固化溫度不熔融就無(wú)特別限制，可以使用Sn、In、Sn—Bi、Sn—In、Sn—In—Bi、Sn一Pb等，而優(yōu)選使用熔融時(shí)的體積膨脹小的Bi系合金，例如Sn—Bi。通過(guò)使用含有熔融時(shí)體積膨脹小的Bi的低熔點(diǎn)金屬粉末8，就難以產(chǎn)生伴隨體積膨脹的接合界面的破損，可得到優(yōu)良的接合強(qiáng)度。艮P，在考慮到對(duì)搭載于母板等的其它電子部件的影響而不能以低溫進(jìn)行加熱處理的情況下，有可能造成低熔點(diǎn)金屬粉末8向高熔點(diǎn)金屬粉末9的潤(rùn)濕擴(kuò)散不足而不能充分形成高熔點(diǎn)反應(yīng)物。但是，即使在這樣的情況下，通過(guò)使用含有熔融時(shí)體積膨脹小的Bi的低熔點(diǎn)金屬粉末8，難以產(chǎn)生伴隨體積膨脹的接合界面的破損，從而可以確保焊盤電極la、lb及外部電極5a、5b之間的接合力。另外，作為高熔點(diǎn)金屬粉末9，只要在熱固性樹(shù)脂7的熱固化溫度以下的溫度不熔融且在熱固性樹(shù)脂7的解熱固化時(shí)與低熔點(diǎn)金屬粉末8發(fā)生反應(yīng)生成熔點(diǎn)為30(TC以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物就無(wú)特別限制，可以使用Ti、Cr、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Bi、Zn、Pd、Pb、Mo、Sn及它們的合金，而如果考慮成本、導(dǎo)電性、腐蝕性、與所述低熔點(diǎn)金屬粉末8的反應(yīng)性，則優(yōu)選使用Cu。而且，在作為低熔點(diǎn)金屬粉末8使用Sn—Bi等Sn合金、作為高熔點(diǎn)金屬粉末9使用Cu的情況下，在加熱固化時(shí)使包含于低熔點(diǎn)金屬粉末8的Sn成分與Cu發(fā)生反應(yīng)而生成Qi6Sri5及Cu3Sn等金屬間化合物。另外，在將Sn—Bi等Sn合金用作低熔點(diǎn)金屬粉末8，作為高熔點(diǎn)金屬粉末9使用Au的情況下生成由AuSri4構(gòu)成的金屬間化合物，在使用Ag的情況下生成由AgSii3構(gòu)成的金屬間化合物，在使用Ni的情況下生成由Ni3Sn構(gòu)成的金屬間化合物。而且，由于這些金屬間化合物是熔點(diǎn)為30(TC以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物，因此即使反復(fù)進(jìn)行回流加熱處理、反復(fù)承受與劇烈的溫度變化相伴隨的熱沖擊等，也不會(huì)使接合界面再熔融，進(jìn)而可確保牢固的接合力。另外，本發(fā)明不限于所述實(shí)施方式，而是可以進(jìn)行各種變形。例如，優(yōu)選低熔點(diǎn)金屬粉末8相對(duì)于金屬粉末(低熔點(diǎn)金屬粉末8及高熔點(diǎn)金屬粉末9)的總量的體積比率為2575體積％。這是因?yàn)椋诘腿埸c(diǎn)金屬粉末8的體積比率相對(duì)于金屬粉末的總量不足25體積％時(shí)，低熔點(diǎn)金屬粉末占的體積比率小，從而妨礙導(dǎo)電通道ll的形成，存在招致導(dǎo)電性降低的趨勢(shì)，另一方面，在低熔點(diǎn)金屬粉末8相對(duì)于金屬粉末的總量的體積比率超過(guò)75體積％時(shí)，將殘留沒(méi)有與高熔點(diǎn)金屬粉末9發(fā)生反應(yīng)的未反應(yīng)的低熔點(diǎn)金屬粉末，將招致導(dǎo)通性下降，存在在高溫下的連接可靠性降低的趨勢(shì)。另外，優(yōu)選高熔點(diǎn)金屬粉末9由對(duì)低熔點(diǎn)金屬粉末8的潤(rùn)濕性比對(duì)該高熔點(diǎn)金屬粉末9的潤(rùn)濕性高的金屬覆蓋。這樣，通過(guò)用對(duì)低熔點(diǎn)金屬粉末8的潤(rùn)濕性比對(duì)該高熔點(diǎn)金屬粉末9的潤(rùn)濕性高的金屬覆蓋高熔點(diǎn)金屬粉末9，在熱固性樹(shù)脂7的加熱固化時(shí)易于使低熔點(diǎn)金屬粉末潤(rùn)濕擴(kuò)散到高熔點(diǎn)金屬粉末9的表面。其結(jié)果是，可促進(jìn)熔點(diǎn)為30(TC以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物的生成，進(jìn)而可形成導(dǎo)通性更高的導(dǎo)電通道ll，從而得到更牢固的界面接合力。而且，作為這樣的潤(rùn)濕性高的金屬，可使用以Sn、Sn—Bi、Sn—In、Sn—Bi—In等熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下熔融的金屬及Au、Ag、Pt、Pd等貴金屬，但若考慮成本及高熔點(diǎn)反應(yīng)物的強(qiáng)度、耐久性，則優(yōu)選使用Sn、Sn—In。另外，作為潤(rùn)濕性高的金屬，還可以使用在熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度不烙融且通過(guò)與低熔點(diǎn)金屬粉末8發(fā)生反應(yīng)以熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度熔融的金屬材料。下面，具體說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。實(shí)施例1導(dǎo)電性金屬材料的調(diào)制作為熱固性樹(shù)脂準(zhǔn)備雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂，作為反應(yīng)性稀釋材料準(zhǔn)備叔丁基縮水甘油醚，作為固化劑準(zhǔn)備氨絡(luò)物，作為所述固化劑的反應(yīng)抑制劑準(zhǔn)備硼化物和環(huán)氧樹(shù)脂的混合物，作為還原性物質(zhì)準(zhǔn)備琥珀酸。另外，準(zhǔn)備平均粒徑D1為10um、熔點(diǎn)為139'C的Sn—58Bi粉末(比重8.93)(低熔點(diǎn)金屬粉末)，再準(zhǔn)備平均粒徑D2為5um、熔點(diǎn)為約1080。C的Cu粉末(比重8.75)(高熔點(diǎn)金屬粉末)。另外，Sn—58Bi粉末的平均粒徑和Cu粉末的平均粒徑D2的粒徑比Dl/D2為2.0。然后，相對(duì)于雙酚F型液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂100重量份，分別稱量叔丁基縮水甘油醚和氨絡(luò)物25重量份，稱量硼化物和環(huán)氧樹(shù)脂的混合物12.5重量份，稱量琥珀酸15重量份，再以金屬粉末(Sn—58Bi粉末及Cu粉末)的總含量達(dá)到7093重量％)且Sn—58Bi粉末相對(duì)于所述金屬粉末的總量的體積比率達(dá)到50體積％的方式稱量，將這些稱量物投入乳缽，用乳棒攪拌15分鐘進(jìn)行混合，制作了試樣編號(hào)為16的導(dǎo)電性接合材料。評(píng)價(jià)試樣的制作在厚0.7mm的氧化鋁基板上的規(guī)定位置涂敷Ag—Pd糊劑，實(shí)施燒結(jié)處理，在氧化鋁基板上形成間隔為0.8mm的一對(duì)焊盤電極。接著，使用厚度50pm的金屬掩膜將所述導(dǎo)電性接合材料涂覆于焊盤電極上。然后，將外部電極為由Sn構(gòu)成的長(zhǎng)1.6mm、寬0.8mm、厚0.8mm的片狀電阻部件載置于所述導(dǎo)電性接合材料上，以溫度20(TC下、30分鐘、在空氣烘箱中進(jìn)行解熱處理，得到了試樣編號(hào)為16的試樣。特性評(píng)價(jià)對(duì)試樣編號(hào)為16的各試樣，使用毫歐高靈敏萬(wàn)用表(HIOKI社制3224型)測(cè)定焊盤電極間的連接電阻的初始值Ro，另外，使用粘合試驗(yàn)機(jī)(DAGE社制系列號(hào)4000)測(cè)定了接合強(qiáng)度的初始值So。接著，在溫度為105'C、濕度為100%的高溫潮濕環(huán)境中進(jìn)行48個(gè)小時(shí)PCT(壓力蒸煮試驗(yàn))，測(cè)定了PCT后的電阻值R,及接合強(qiáng)度S,，再根據(jù)下述數(shù)學(xué)公式(1)計(jì)算了PCT后的電阻變化率AR,。AR!二(R!—Ro)/RoX100…(1)然后，使試樣編號(hào)為16的各試樣5次穿過(guò)將最高溫度調(diào)整到270°。的反射爐進(jìn)行回流加熱處理。而且，對(duì)回流加熱處理后的電阻值R2及接合強(qiáng)度S2進(jìn)行了測(cè)定，根據(jù)數(shù)學(xué)公式(2)計(jì)算了回流后的電阻變化率AR2?！鱎2=(R2—Ro)/RoX100…(2)表1表示試樣編號(hào)為16的導(dǎo)電性接合材料的規(guī)格參數(shù)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。15<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>作為評(píng)價(jià)基準(zhǔn)，將全部滿足下述條件連接電阻的初始值R。為200mQ以下、電阻變化率AR!、AR2為士200。/。以下、以及各接合強(qiáng)度為10N/mn^以上的試樣判定為合格品，將不滿足這些評(píng)價(jià)基準(zhǔn)中任何一條的試樣判定為不合格品。再者，在這些合格品中，將全部滿足下述條件連接電阻的初始值Ro為100mQ以下、電阻變化率AR,、AR2為土100。/。以下、各接合強(qiáng)度為20N/mi^以上的試樣判定為優(yōu)秀品。表1中，在判定一欄用符號(hào)表示優(yōu)秀品、用符號(hào)O表示合格品、用符號(hào)X表示不合格品。如由該表1表明的那樣，1號(hào)試樣由于金屬粉末(Sn—58Bi粉末及Cu粉末)的總含量為70重量％低于75重量％，因而連接電阻的初始值Ro為470mQ超過(guò)200mQ，另夕卜，PCT后的電阻變化率AR,也高達(dá)390%超過(guò)了200%，而且PCT后的接合強(qiáng)度也只有14N/mm2在20N/mm2以下。這可以看作是，由于導(dǎo)電性接合材料中的金屬粉末的含量少，因而在加熱固化時(shí)Sn—58Bi粉末的潤(rùn)濕擴(kuò)散不足，因此，由于未進(jìn)行充分的導(dǎo)電通道的生成而不能充分得到熔點(diǎn)為30(TC以上的高熔點(diǎn)反應(yīng)物，因而PCT后的導(dǎo)通性及接合強(qiáng)度低，招致耐濕性劣化。另外，6號(hào)試樣由于金屬粉末(Sn—58Bi粉末及Cu粉末)的總含量為93重量％超過(guò)了88重量％，因而接合強(qiáng)度初始值S。也低至7N/mm2，PCT后及回流處理后更是分別降低到4N/mm2、2N/mm2。這可以看作是，由于接合界面的用于確保機(jī)械接合性的數(shù)值成分相對(duì)較少，因而招致接合強(qiáng)度的降低。與此相對(duì)，25號(hào)試樣由于金屬粉末的總含量為7588重量％，并且Sn—58Bi粉末的平均粒徑Dl和Cu粉末的平均粒徑D2的粒徑比D1/D2為2.0在本發(fā)明范圍內(nèi)，Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末的總量的體積比率為50體積％屬于優(yōu)選的范圍，因此，連接電阻的初始值Ro為21130mQ，PCT后的電阻變化率八R!為216%，回流后的電阻變化率AR2為5^~—25%，接合強(qiáng)度初始值為1531N/mm2，PCT后為1025N/mm2，回流后為1622N/mr^都得到了良好的結(jié)果。特別是金屬粉末的總含量為8386重量％的3、4號(hào)試樣，連接電阻的初始值Ro為2158mQ，PCT后的電阻變化率A&為38%，回流后的電阻變化率AR2為5—25%，接合強(qiáng)度初始值為2931N/mm2，PCT后為2125N/mm2，回流后為20N/mn^得到了極為良好的結(jié)果。另外，將試樣編號(hào)為2的試樣埋入樹(shù)脂之后進(jìn)行研磨，在對(duì)焊盤電極和外部電極的界面的剖面進(jìn)行觀察，確認(rèn)了，分散于導(dǎo)電性接合材料中的Sn—58Bi粉末，在形成外部電極的Sn及形成焊盤電極的Ag—Pd，進(jìn)而在在與Cu粉末之間形成高熔點(diǎn)反應(yīng)物，由此，得到了良好的連接可靠性。實(shí)施例2作為高熔點(diǎn)金屬粉末替代了實(shí)施例1的Cn粉末而使用由膜厚為0.05pm的Sn覆蓋的Cu粉末(比重8.86)(以下稱為"Sn涂層Cu粉末")，除此之外，用與實(shí)施例1同樣的方法制作了試樣編號(hào)為1116的導(dǎo)電性接合材料。而且，使用與實(shí)施例1同樣的方法'工序?qū)B接電阻的初始值Ro及接合強(qiáng)度的初始值S。進(jìn)行了測(cè)定，另外還計(jì)算了PCT后及回流處理后的各電阻變化率AR,、AR2及接合強(qiáng)度Si、S2。表2表示試樣編號(hào)為1116的導(dǎo)電性接合材料的規(guī)格參數(shù)及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>如由該表2所表明的那樣，1116號(hào)試樣得到了與16號(hào)試樣大致同樣的趨勢(shì)。艮P，ll號(hào)試樣由于金屬粉末(Sn—58Bi粉末及Sn涂層Cu粉末)的總含量為70重量％低于75重量％，因而由于與1號(hào)試樣大致同樣的原因，連接電阻的初始值Ro為330mQ超過(guò)200mQ，另夕卜，PCT后的電阻變化率AR!達(dá)到260%超過(guò)了200%，而且PCT后的接合強(qiáng)度也只有15N/mm2在20N/mm2以下。另外，16號(hào)試樣由于金屬粉末的總含量為93重量％超過(guò)了88重量％，因而由于與6號(hào)試樣大致同樣的原因，接合強(qiáng)度初始值So也低至16N/mm2，PCT后及回流處理后更是分別降低到3N/mm2、8N/mm2。與此相對(duì)，1215號(hào)試樣由于金屬粉末的總含量為7588重量％，并且Sn—58Bi粉末的平均粒徑Dl和Sn涂層Cu粉末的平均粒徑D2的粒徑比Dl/D2為2.0在本發(fā)明范圍內(nèi)，Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末的總量的體積比率為50體積％在優(yōu)選的范圍，因此，連接電阻的初始值Ro為33102mQ，PCT后的電阻變化率AI^為214。/。，回流后的電阻變化率AR2為4一18%，接合強(qiáng)度初始值So為1733N/mm2，PCT后為1428N/mm2，回流后為1521N/mr^都得到了良好的結(jié)果。特別是金屬粉末的總含量為8386重量％的13、14號(hào)試樣，連接電阻的初始值Ro為3336mQ，PCT后的電阻變化率ARi為24。/0，回流后的電阻變化率AR2為4一18%，接合強(qiáng)度初始值為3031N/mm2，PCT后為2128N/mm2，回流后為2021N/mm2因而得到了極為良好的結(jié)果。另外，在與實(shí)施例l的對(duì)比中得知，總體而言在連接電阻及接合強(qiáng)度兩方面都得到了提高。這可以看作是，由于由對(duì)Sn-58Bi粉末的潤(rùn)濕性高的Sn覆蓋Cu粉末，因而促進(jìn)了導(dǎo)電通道的形成及高熔點(diǎn)反應(yīng)物的生成。實(shí)施例3作為低熔點(diǎn)金屬粉末使用Sn—58Bi粉末(比重8.93)，作為高熔點(diǎn)金屬粉末使用Sn涂層Cu粉末(比重8.86)，使用與實(shí)施例1同樣的方法，制作了在粒徑比Dl/D2為0.210.0的范圍不同的試樣編號(hào)2125的導(dǎo)電性接合材料。而且，使用與實(shí)施例1同樣的方法'工序?qū)B接電阻的初始值Ro及接合強(qiáng)度的初始值So進(jìn)行了測(cè)定，另外還計(jì)算了PCT后及回流處理后的各電阻變化率AR,、八R2及接合強(qiáng)度S,、S2。表3表示試樣編號(hào)為2125的導(dǎo)電性接合材料的規(guī)格參數(shù)及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>圍外如由該表3表明的那樣，21號(hào)試樣由于粒徑比Dl/D2為0.2不足0.5，因而PCT后的電阻變化率AR!為210。/。超過(guò)了200%。這可以作如下考慮，由于相對(duì)于Sn涂層Cu粉末彼此的間隔Sn—58Bi粉末的平均粒徑Dl過(guò)小，因而在加熱固化時(shí)即使Sn—58Bi粉末潤(rùn)濕擴(kuò)散也會(huì)產(chǎn)生不能用Sn—58Bi粉末巧妙連接各Sn涂層Cu粉末的部位，因此，不能充分形成導(dǎo)電性良好的導(dǎo)電通道，其結(jié)果是長(zhǎng)時(shí)間暴露在高溫潮濕環(huán)境中時(shí)將使連接電阻上升而使導(dǎo)通性降低。另外，25號(hào)試樣由于粒徑比D1/D2為10.0超過(guò)了6.0，因而回流后的電阻變化率AR2為1070%大大超過(guò)200%。另外，接合強(qiáng)度初始值So低至19N/mm2，PCT后及回流后更是分別降低到為18N/mm2、9N/mm2。這可以認(rèn)為是，由于Sn—58Bi的平均粒徑Dl相對(duì)于Sn涂層Cu粉末的平均粒徑D2過(guò)大，因而在加熱固化時(shí)使Sn—58Bi粉末彼此熔敷，或者使使Sn—58Bi粉末潤(rùn)濕擴(kuò)散到焊盤電極及外部電極，使連接Sn涂層Cu粉末間的導(dǎo)電通道的形成不足，因此，不能充分得到Sn涂層Cu粉末和焊盤電極及外部電極的接合強(qiáng)度而使接合力劣化進(jìn)而也使耐熱性劣化。與此相對(duì)，2124號(hào)試樣粒徑比D1/D2為0.56.0，而且金屬粉末(Sn—58Bi粉末及Sn涂層Cu粉末)的總含量為86體積％在本發(fā)明范圍內(nèi)，同時(shí)Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末的總量的體積比率為50體積％在本發(fā)明優(yōu)選的范圍內(nèi)，因此，連接電阻的初始值Ro為3671mQ，PCT后的電阻變化率為418%，回流后的電阻變化率AR2為_(kāi)5一22%，接合強(qiáng)度初始值為3039N/mm2，PCT后為1725N/mm2，回流后為2135N/mm2，都得到了良好的結(jié)果。特別是粒徑比Dl/D2為0.52.0的22、23號(hào)試樣，連接電阻的初始值Ro為3648mQ，PCT后的電阻變化率AP^為418y。，回流后的電阻變化率AR2為一5一18%，接合強(qiáng)度初始值為3039N/mm2，PCT后為23~25N/mm2，回流后為2133N/mn^得到了極為良好的結(jié)果。實(shí)施例4預(yù)備Sn—58Bi粉末和Sn涂層Cu粉末，使用與實(shí)施例1同樣的方法，使Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末(Sn—58Bi粉末及Sn涂層Cu粉末)的總量的體積比率為2080體積％的范圍，用與實(shí)施例1同樣的方法制作了互不相同的試樣編號(hào)為3136的導(dǎo)電性接合材料。接著，使用與實(shí)施例1同樣的方法'工序?qū)B接電阻的初始值Ro及接合強(qiáng)度的初始值So進(jìn)行了測(cè)定，另外還計(jì)算了PCT后及回流處理后的各電阻變化率ARi、AR2及接合強(qiáng)度S,、S2。表4表示試樣編號(hào)為3135的導(dǎo)電性接合材料的規(guī)格參數(shù)及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>如根據(jù)該表4表明的那樣，連接電阻的初始值Ro達(dá)到46200mQ、PCT后的電阻變化率ARi達(dá)到4180%，回流后的電阻變化率AR2達(dá)到一65150%、接合強(qiáng)度初始值為2136N/mm2、PCT后為1028N/mm2、回流后為1042N/mi^都得到了良好的結(jié)果。但是，可以看出，由于31號(hào)試樣Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末的總量的體積比率為20體積％，降低到25體積％以下，因而Sn—58Bi粉末所占的體積比率小而妨礙了導(dǎo)電通道的形成，因此，連接電阻的初始值Ro為110mQ、PCT后的電阻變化率ARi達(dá)到110%、而PCT后的接合強(qiáng)度達(dá)到10N/mm2，與3235號(hào)試樣相比為實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題的水平，但電性及機(jī)械強(qiáng)度比較差。另夕卜，36號(hào)試樣由于Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末的總量的體積比率為80體積％，超過(guò)了75體積％，因而沒(méi)有與Sn涂層Cu粉末發(fā)生反應(yīng)的Sn—58Bi粉末以未反應(yīng)狀態(tài)殘留，因此，連接電阻的初始值Ro為200mQ，PCT后的電阻變化率AR,為180%，回流后的電阻變化率AR2為150%，接合強(qiáng)度PCT后為17N/mm2，回流后為10N/mm2，該情況與3235號(hào)試樣相比實(shí)用方面為毫無(wú)問(wèn)題的水平，但致使導(dǎo)通性下降，在高溫下的連接可靠性低，表明電性及機(jī)械強(qiáng)度比較差。根據(jù)以上所述，確認(rèn)了，對(duì)于Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末的總量的體積比率而言，2575體積％為優(yōu)選的范圍。實(shí)施例5使用了除使用平均粒徑Dl為10nm的Sn—58Bi粉末和由膜厚0.02pm的Au覆蓋平均粒徑D2為5,的Cu粉末的Au涂層Cu粉末之外其它都與實(shí)施例1同樣的方法工序制作了試樣編號(hào)為41的導(dǎo)電性接合材料。另外，還使用了除了使用由膜厚0.01pm的In覆蓋平均粒徑D2為5pm的Cu粉末的In涂層Qi粉末取代所述Au涂層Cu粉末之外其它都與實(shí)施例1同樣的方法工序制作了試樣編號(hào)為42的導(dǎo)電性接合材料。另外，還使用除了在導(dǎo)電性接合材料的調(diào)制過(guò)程不添加還原性物質(zhì)之外其它都與42號(hào)試樣同樣的方法'工序制作了試樣編號(hào)為43的導(dǎo)電性接合材料。接著，使用與實(shí)施例1同樣的方法'工序?qū)B接電阻的初始值Ro及接合強(qiáng)度的初始值S。進(jìn)行了測(cè)定，另外還計(jì)算了PCT后及回流處理后的各電阻變化率AR,、AR2及接合強(qiáng)度Si、S2。表5表示試樣編號(hào)為4143的導(dǎo)電性接合材料的規(guī)格參數(shù)及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>※為本發(fā)明范圍外如由該表5表明的那樣，43號(hào)試樣因連接電阻的初始值Ro達(dá)到7300mQ因而導(dǎo)通性低，而PCT后的電阻變化率AR,高達(dá)790%，致使PCT后的接合強(qiáng)度降低至9N/mm2?？梢哉J(rèn)為這是因?yàn)椋捎趯?dǎo)電性接合材料中不含還原劑，因而在In涂層Cu粉末的表面氧化物未被除去而殘存，因此，在熱固性樹(shù)脂的加熱固化時(shí)Sn—58Bi粉末難以潤(rùn)濕擴(kuò)散到In涂層Cu粉末的表面，不能促進(jìn)高熔點(diǎn)反應(yīng)物的生成。與此相對(duì)，可以看出，43號(hào)及42號(hào)試樣導(dǎo)電性接合材料中含有作為還原性物質(zhì)的琥珀酸，并且金屬粉末的總含量為86重量％、粒徑比D1/D2為2.0都在本發(fā)明范圍內(nèi)，再者由于Sn—58Bi粉末相對(duì)于金屬粉末的總量為50體積％屬于優(yōu)選的范圍，因而連接電阻的初始值Ro達(dá)到2128mQ、PCT后的電阻變化率AR!達(dá)到46M，回流后的電阻變化率AR2達(dá)到35一10%、接合強(qiáng)度初始值為2833N/mm2、PCT后為2025N/mm2、回流后為2730N/mm2都得到了極為良好的結(jié)果。權(quán)利要求1、一種導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，含有熱固性樹(shù)脂、在該熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度熔融的第一金屬粉末、在所述熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度不熔融且在所述樹(shù)脂熱固性樹(shù)脂的加熱固化時(shí)與所述第一金屬粉末發(fā)生反應(yīng)生成具有300℃以上的高熔點(diǎn)的反應(yīng)物的第二金屬粉末、除去形成于該第二金屬粉末的表面上的氧化物的還原性物質(zhì)，所述第一金屬粉末及所述第二金屬粉末的含量總計(jì)為75～88重量％，并且，所述第一金屬粉末的平均粒徑D1和所述第二金屬粉末的平均粒徑D2的粒徑比D1/D2為0.5～6.0。2、如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第一金屬粉末相對(duì)于所述第一金屬粉末和所述第二金屬粉末的總量的體積比率為2575體積％。3、如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第二金屬粉末被對(duì)所述第一金屬粉末的潤(rùn)濕性比對(duì)所述第二金屬粉末的潤(rùn)濕性高、且在所述熱固性樹(shù)脂的熱固化溫度以下的溫度熔融的低熔點(diǎn)金屬4、如權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第二金屬粉末是以Cu為主成分的金屬粉末，所述低熔點(diǎn)金屬是含Sn的金屬。5、如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第二金屬粉末被對(duì)所述第一金屬粉末的潤(rùn)濕性比對(duì)該第二金屬粉末的潤(rùn)濕性高的金屬覆蓋。6、如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第二金屬粉末是以Cu為主成分的金屬粉末，所述潤(rùn)濕性高的金屬是貴金屬。7、如權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性接合材料，其特征在于，所述第一金屬粉末是Sn—Bi合金粉末。8、一種電子裝置，其包括具有第一電極的第一電結(jié)構(gòu)物、具有第二電極的第二電結(jié)構(gòu)物，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極經(jīng)權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性接合材料被電連接，并且，所述第一金屬粉末和所述第二金屬粉末的界面、所述第一金屬粉末和所述第一電極的界面及所述第一金屬粉末和所述第二電極的界面中的至少一個(gè)界面由具有30(TC以上的高熔點(diǎn)的反應(yīng)物結(jié)合。全文摘要本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性接合材料，含有熱固性樹(shù)脂(7)、以該熱固性樹(shù)脂(7)的熱固化溫度以下的溫度熔融的低熔點(diǎn)金屬粉末(8)、在所述熱固性樹(shù)脂(7)的熱固化溫度以下的溫度下不熔融且在熱固性樹(shù)脂(7)的加熱固化時(shí)與低熔點(diǎn)金屬粉末(8)發(fā)生反應(yīng)而生成具有300℃以上的高熔點(diǎn)的反應(yīng)物的高熔點(diǎn)金屬粉末(9)、除去形成于高熔點(diǎn)金屬粉末(9)的表面的氧化物的還原性物質(zhì)，低熔點(diǎn)金屬粉末(8)及高熔點(diǎn)金屬粉末(9)的總含量為75～88重量％，低熔點(diǎn)金屬粉末(8)的平均粒徑D1和高熔點(diǎn)金屬粉末(9)的平均粒徑D2的粒徑比D1/D2為0.5～6.0。由此，即使在反復(fù)進(jìn)行回流加熱處理而承受與劇烈的溫度變化相伴的熱沖擊的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)具有良好的導(dǎo)通性及高的連接強(qiáng)度的導(dǎo)電性接合材料及使用該導(dǎo)電性接合材料的電子裝置。文檔編號(hào)C09J201/00GK101506906SQ20078003182公開(kāi)日2009年8月12日申請(qǐng)日期2007年8月24日優(yōu)先權(quán)日2006年8月28日發(fā)明者中野公介,野村昭博,高岡英清申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所