專利名稱：：有機發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機發(fā)光元件。更詳細來說，本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光元件，其含有夾在陽極與陰極間的至少l層的有機層。
背景技術(shù)：
：作為有機發(fā)光元件，已知一種在空穴輸送層和電子輸送層之間設(shè)置有包含磷光性發(fā)光性低分子化合物的發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)的元件，在該空穴輸送層中，使用了三苯胺衍生物等的低分子化合物(參考專利文獻1)。但是，當使用低分子化合物來形成上述各層時，一般使用真空蒸鍍法，但是其中有需要真空設(shè)備、層的膜厚容易變得不均勻、難以大面積化等的問題。另外，使用了由這種磷光發(fā)光性低分子化合物得到的發(fā)光層的有機發(fā)光元件有耐久性差的問題。與此相對，還開發(fā)了一種磷光發(fā)光性高分子化合物，其是將磷光發(fā)光性的聚合性化合物和電荷輸送性的聚合性化合物進行共聚合而得的。當使用上述磷光發(fā)光性高分子化合物時，有可以利用旋涂等的涂布法來形成發(fā)光層的優(yōu)點。例如在專利文獻2中，公開了三苯胺衍生物與銥絡(luò)合物的共聚物。專利文獻l:特開2003-308978號公才艮專利文獻2:特開2003-97589號7>才艮
發(fā)明內(nèi)容但是，用專利文獻2中記述的共聚物，雖然可以得到高的發(fā)光效率，但是在最高到達輝度、壽命這方面仍有改善的余地。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種有機發(fā)光元件，其具有高發(fā)光效率、同時具有高輝度和長壽命。本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述課題，進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過使用含有由具有空穴輸送性的特定的聚合性化合物衍生的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物，可以得到具有高發(fā)光效率、同時具有高輝度和長壽命的有機發(fā)光元件，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的要點如下所示。如上述[1或者2所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上述高分子化合物進而具有由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元?；蛘遊2]所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上^光層進而含有磷光發(fā)光性的化合物。中任一項所述的有機發(fā)光元件。~[8中任一項所述的有機發(fā)光元件。如[11]或[12所述的高分子化合物，其特征在于，上述高分子化合物進而具有由下述通式(2-1)所示的磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元，(式(2-l)中，R"R"分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基，R"與R42、R"與R43、R"與R44、R"與R45、議45與議46、R恥與R47、R"與R48，可以相互鍵合而形成稠環(huán)，L表示選自下述通式(2-2)~(2-4)中的2齒配體)，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(式(2-2)中，R51~RS8中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R51~R58分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氛基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為610的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷1^代的氛基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基，R"與R52、R52與R53、RS3與R54、R"與R55、R5S與R56、R"與R57、R"與R58,可以相互鍵合而形成稠環(huán))，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(式(2-3)中，R61~R63中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R61R"分別獨立地表示選自氫原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基，R"與R62、R"與R63，可以相互鍵合而形成稠環(huán))，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(式(2-4)中，R"R"中的至少l者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R71R"分別獨立地表示選自氫原子、卣原子、l基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基，R"與R72、R72與R73、R73與R74，可以相互鍵合而形成稠環(huán))。本發(fā)明的有機發(fā)光元件具有高發(fā)光效率，同時具有高輝度和長壽命。圖II圖l是本發(fā)明的有機發(fā)光元件的例子的截面圖。符號的說明1:玻璃J4！2:陽極3:空穴輸送層4:發(fā)光層5:電子輸送層6:陰極具體實施例方式以下，對于本發(fā)明具體進行說明1.發(fā)光層本發(fā)明的有機發(fā)光元件含有夾在陽極與陰極間的至少1層的有機層，該有機層的至少1層為含有特定的高分子化合物的發(fā)光層。上述高分子化合物具有由上式(1)所示的空穴輸送性的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元，是一種新的高分子化合物。該高分子化合物進而也可以具有由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元和/或由電子輸送性的聚合性化合物(C)衍生的結(jié)構(gòu)單元。這些高分子化合物，通過將空穴輸送性的聚合性化合物(A)、與根據(jù)需要而添加的磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)和/或電子輸送性的聚合性化合物(C)進行聚合而得到。具體來說，上述高分子化合物可以是高分子化合物(I)，其是將上式(I)所示的聚合性化合物(A)與磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)進行聚合而得到的，并具有由空穴輸送性的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)元和由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元，也可以是高分子化合物(II),其是將上式(I)所示的聚合性化合物(A)、磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)和電子輸送性的聚合性化合物(C)進行聚合而得到的，并具有由空穴輸送性的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元、由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元和由電子輸送性的聚合性化合物(C)衍生的結(jié)構(gòu)單元，也可以是高分子化合物(III)，其是將上式(I)所示的聚合性化合物(A)進行聚合而得到的，并具有由空穴輸送性的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元，也可以是高分子化合物(IV)，其是將上式(I)所示的聚合性化合物(A)與電子輸送性的聚合性化合物(C)進行聚合而得到的，并具有由空穴輸送性的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元和由電子輸送性的聚合性化合物(C)衍生的結(jié)構(gòu)單元。當在具有由化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物中、還具有由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元時(例如高分子化合物(I)、(II)的情況)，該高分子化合物可以單獨形成發(fā)光層。另一方面，當在具有由化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物中、不具有由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元時(例如高分子化合物(III)、(IV)的情況)，將磷光發(fā)光性的低分子化合物與該高分子化合物一起使用來形成發(fā)光層。即，該情況下，上述發(fā)光層含有高分子化合物(III)和磷光發(fā)光性的低分子化合物，或者含有高分子化合物(IV)和磷光發(fā)光性的低分子化合物。如上述高分子化合物(I)~(IV)那樣，具有由化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元的新的高分子化合物由于空穴輸送性優(yōu)異，因此可以得到具有高發(fā)光效率、同時具有高輝度的有機發(fā)光元件。另外，上述高分子化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高，耐熱性優(yōu)異，因此通過該高分子化合物可以得到具有長壽命的有機發(fā)光元件。并且，在本說明書中，將空穴輸送性的聚合性化合物和電子輸送性的聚合性化合物一起稱作為"載體(carrier)輸送性的聚合性化合物"。在上式(1)所示的化合物(A)中，RiR"中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基。作為上述取代基，除了具有聚合性官能團以外，沒有特別地限定。具體來說，可以列舉碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷lL基、曱硅烷基等下述那樣的具有聚合性官能團的取代基。上述聚合性官能團可以是自由基聚合性、陽離子聚合性、陰離子聚合性、加成聚合性和縮聚性的官能團的任一種。在這些官能團中，自由基聚合性的官能團由于易于制備聚合物，從而是優(yōu)選的。作為上述聚合性官能團，可以列舉例如烯丙基、鏈烯基、丙烯酸酯基、曱基丙烯酸酯基、甲基丙烯酰氧基乙基氨基甲酸酯基等的尿烷(甲基)丙烯酸酯基、乙烯基酰胺基和它們的衍生物等。其中，優(yōu)選鏈烯基。當以上述聚合性官能團是鏈烯基的情況為例時，化合物(A)具體來說，更優(yōu)選具有下式(al)~(al2)所示的取代基作為鏈烯基。其中，進而優(yōu)選下式(al)、(a5)、U8)、(a12)所示的取代基，因為這樣使得官能團可以容易地引入化合物中。(a12)當上述聚合性官能團是鏈烯基以外的官能團時，優(yōu)選為上式(al)~(al2)中的鏈烯基替換成該官能團的基團。在化合物(A)中，優(yōu)選R"是具有聚合性官能團的取代基。不是上述具有聚合性官能團的取代基的R1~R33分別獨立地表示選自<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>氫原子、鹵原子、^Jl、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為610的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氬基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基。上述鹵原子可以列舉氟原子、氯原子、溴原子或者碘原子。上述碳原子數(shù)為1~10的烷基可以列舉例如，甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、辛基、癸基等。上述碳原子數(shù)為6~10的芳基可以列舉例如，苯基、甲苯基、二曱苯基、茶基、萘基等。作為上述可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氣基，可以列舉例如氨基、二甲基氛基、二乙基JL^、二丁基氨基等。上述碳原子數(shù)為1~10的烷氧基可以列舉例如，曱氡基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氡基、叔丁氧基、己氧基、2-乙基己氧基、癸氧基等。上述甲硅烷基可以列舉例如，三甲基曱硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二曱基曱硅烷基、三甲fL^甲硅烷基等。其中，從有機發(fā)光元件的壽命、發(fā)光效率的觀點出發(fā)，議26~113()中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，在R1~R5、R6~R1G、R11~R1S、R"R加和R"R"的各組中，至少l者優(yōu)選為選自離原子、M、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的炕氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基。這種化合物(A)優(yōu)選使用下述那樣的化合物，作為R11133，具體來說，R"為具有聚合性官能團的取代基，R4、R9、R"、R"和R22為上述除氫原子以外的原子或取代基，除R29、R4、R9、R"、R"和R22以外都為氫原子。另夕卜，在R!~R5、R6~R10、RU—R15、R16~R20、R21~R2S、R26~R鄧的各組中，與苯環(huán)上相鄰的碳原子鍵合的2個基團可以相互鍵合而形成稠環(huán)?；衔?A)可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。這種化合物(A)可以通過例如l，3，5-三氨基苯和卣化芳基化合物、或者二芳基胺和1，3，5-三面化苯的鈀催化取代反應來制造。對于取代反應的具體方法，例如記載在TetrahedronLetters、1998年、39巻、2367頁等中。作為在本發(fā)明中使用的化合物(B)，只要是具有具備聚合性官能團的取代基，在室溫可以得到來自三重激發(fā)狀態(tài)的發(fā)光的低分子化合物即可，沒有特別地限定，優(yōu)選是具有具備聚合性官能團的取代基的、鈀絡(luò)合物、鋨#物、銥*物、鉤^物和金^^物，更優(yōu)選銥^^物和柏絡(luò)合物，最優(yōu)選銥絡(luò)合物。上述具有聚合性官能團的取代基與化合物(A)中的具有聚合性官能團的取代基同義，優(yōu)選的范圍也相同?；衔?B)可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。作為上述銥#物，優(yōu)選使用上式(2-1)所示的*物。在上式(2-l)中，R"-R"分別獨立地表示選自氬原子、卣原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基。這些原子或者取代基的具體例子可以列舉上述原子或者取代基。作為R"R48，優(yōu)選為氫原子、氟原子、氰基、甲基、叔丁基、二甲基絲、丁錄、2-乙基己氧基。更優(yōu)選R"為叔丁基，除R"以外的R"R"為氫原子。R"與R42、R"與R43、R"與R44、R44與R45、R45與R"、與R4、R"與R48，可以相互鍵合而形成稠環(huán)。L表示選自上式(2-2)~(2-4)中的2齒配體。在上式(2-2)中，R"rS8中的至少l者表示具有聚合性官能團的取代基，該具有聚合性官能團的取代基與化合物(A)中的具有聚合性官能團的取代基同義，優(yōu)選的范圍也相同。優(yōu)選R"是具有聚合性官能團的取代基。不是上述具有聚合性官能團的取代基的R51~R58分別獨立地表示與R41同樣的原子或者取代基。作為這樣的RS1~R58，優(yōu)選為氫原子、氟原子、絲、曱基、叔丁基、二甲基絲、丁狄、2-乙基己M。R51與R52、R"與R53、只53與R54、RM與R55、R55與R56、R56與R57、R"與R58，可以相互鍵合而形成稠環(huán)。上式(2-3)中，R61~R63中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，該具有聚合性官能團的取代基與化合物(A)中的具有聚合性官能團的取代基同義，優(yōu)選的范圍也相同。優(yōu)選R^是具有聚合性官能團的取代基。不是上述具有聚合性官能團的取代基的R61~R63分別獨立地表示與R41同樣的原子或者取代基(其中卣原子除外)。作為這樣的R61~R63,優(yōu)選為甲基、叔丁基、二甲基M、甲lL&。R"與R62、R"與R63，可以相互鍵合而形成稠環(huán)。上式(2-4)中，R"R"中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，該具有聚合性官能團的取代基與化合物(A)中的具有聚合性官能團的取代基同義，優(yōu)選的范圍也相同。優(yōu)選R"是具有聚合性官能團的取代基。不是上述具有聚合性官能團的取代基的R71~R74分別獨立地表示與R41同樣的原子或者取代基。作為這樣的R71-R74，優(yōu)選為氫原子、氟原子、"、甲基、叔丁基、二曱基絲、丁氧基、2-乙基己氧基。對于R"與R72、R^與R73、R"與R74，分別可以相互鍵合而形成稠環(huán)。上式(2-1)所示的銥*物例如如下那樣來制造。首先，使特定的2齒配體與氯化銥等的銥化合物(0.5當量)在2-乙氧基乙醇等的溶劑中反應。接著，將得到的金屬^物和具有聚合性官能團的2齒配體，與碳酸鈉一起在2-乙氧基乙醇等的溶劑中加熱后，進行精制，得到上式(2-l)所示的銥*物。并且，具有聚合性官能團的2齒配體可以通過公知的方法得到。作為本發(fā)明中使用的化合物(C)，除了具備具有聚合性官能團的取代基之外，沒有特別地限定，可以使用公知的電子輸送性的化合物。上述具有聚合性官能團的取代基與化合物(A)中的具有聚合性官能團的取代基同義，優(yōu)選的范圍也相同。其中，可以優(yōu)選使用嗯二唑衍生物、三芳基硼烷衍生物?；衔?C)可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。這種化合物(C)可以利用公知的方法來制備。并且，在制造上述高分子化合物時，進而也可以使用其他的聚合性化合物。作為上述其他的聚合性化合物，可以列舉例如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等的(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯及其衍生物等不具有載體輸送性的化合物，但不限定于這些化合物。在上述高分子化合物中，由其他的聚合性化合物衍生的結(jié)構(gòu)單元的含量優(yōu)選為0~50mol%。上述高分子化合物的制造方法可以是自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合和加成聚合的任一種，優(yōu)選自由基聚合。上述高分子化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為100~250X:、更優(yōu)選150~200'C、進而優(yōu)選175200X:。如果玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在該范圍，則在制作有機發(fā)光元件時，或者在驅(qū)動時不易產(chǎn)生材料劣化，因此可以期待長壽命化，從而是優(yōu)選的。對于低分子化合物，100~150。C左右的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以通過引入例如叔丁基等體積大的取代基、萘基等剛直的取代基來實現(xiàn)。對于本發(fā)明的上述高分子化合物，通過具有星射(starburst)型的分子骨架，并且進行三苯胺的多聚化、即高分子量化，可以得到高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。優(yōu)選上述高分子化合物的重均分子量通常為1000~2000000，優(yōu)選5000~1000000。當重均分子量在該范圍時，上述高分子化合物可溶于有機溶劑，能夠得到均勻的薄膜，因此是優(yōu)選的。這里，重均分子量是利用凝膠滲透色i普法(GPC)、以四氫呋喃為溶劑、在40C測定的值。另外，在高分子化合物(I)和(II)中，當將由化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)記作m，將由載體輸送性的聚合性化合物衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)(在高分子化合物(I)中是由化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元的總數(shù)，在高分子化合物(II)中是由化合物(A)和化合物(C)衍生的結(jié)構(gòu)單元的總數(shù))記作n時(m、n表示1以上的整數(shù))，由化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)相對于全部結(jié)構(gòu)單元數(shù)的比例，即m/(m+n)的值優(yōu)選為0,001~O.5的范圍，更優(yōu)選0.001~0.2的范圍。當m/(m+n)的值在該范圍時，栽體移動度高，濃度猝滅的影響小，可以得到高的發(fā)光效率的有機發(fā)光元件。另外，在高分子化合物(II)和(IV)中，當將由化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)記作x，將由化合物(C)衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)記作y時(x、y表示l以上的整數(shù))，與上述n之間有n-x+y的關(guān)系成立。相對于由栽體輸送性化合物衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)，由化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)的比例x/n和由化合物(C)衍生的結(jié)構(gòu)單元數(shù)的比例y/n的最佳值，根據(jù)各結(jié)構(gòu)單元的電荷輸送能、濃度等來決定。當僅由該高分子化合物(II)來形成有機發(fā)光元件的發(fā)光層時，x/n和y/n的值分別優(yōu)選在0.05~0.95的范圍，更優(yōu)選0.20~0.80的范圍。另外，當使用高分子化合物(IV)和磷光發(fā)光性的低分子化合物來形成發(fā)光層時，x/n和y/n的值分別優(yōu)選在0.05~0.95的范圍，更優(yōu)選0.20~0.80的范圍。這里，x/n+y/n-l成立。另外，上述高分子化合物中各結(jié)構(gòu)單元的比例通過ICP元素分析和13C-NMR測定來估算。在上述范圍內(nèi)適當調(diào)節(jié)化合物(A)、根據(jù)需要使用的化合物(B)和化合物(C)的比例并進行聚合，可以得到期望的高分子化合物。并且，上述高分子化合物可以是無規(guī)共聚物、嵌段共聚物和交替共聚物的任一種。當使用化合物(A)和化合物(B)聚合而得到的高分子化合物(I)來形成發(fā)光層時，也可以另外設(shè)置電子輸送層，但優(yōu)選將電子輸送性的化合物與高分子化合物(I)一起使用來形成發(fā)光層。上述電子輸送性的化合物可以單獨使用，也可以將2種以上混合使用。上述電子輸送性的化合物可以使用下述公知的化合物，優(yōu)選使用嗯二唑衍生物或三芳基硼烷衍生物。此時，發(fā)光層優(yōu)選以下述的量含有上述電子輸送性的化合物，所述量是相對于100重量份高分子化合物(I)、優(yōu)選為5~95重量份、更優(yōu)選20~80重量份的量。另外，當使用化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)進行聚合而得的高分子化合物(II)來形成發(fā)光層時，可以單獨以該高分子化合物形成發(fā)光層。另一方面，當使用高分子化合物(III)來形成發(fā)光層時，可以將磷光發(fā)光性的低分子化合物與高分子化合物(III)一起使用來形成發(fā)光層。上述磷光發(fā)光性的低分子化合物可以單獨使用，也可以將2種以上混合使用。并且，可以另外設(shè)置電子輸送層，也可以將上述電子輸送性的化合物與高分子化合物(III)和上述磷光發(fā)光性的低分子化合物一起使用來形成發(fā)光層。上述磷光發(fā)光性的低分子化合物可以使用公知的化合物，優(yōu)選使用銥*物。具體來說，可以列舉以下那樣的^物(E-l)~(E-39)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>E-37E-38E-39該情況下發(fā)光層，優(yōu)選相對于ioo重量份高分子化合物(in)，以優(yōu)選1~50重量份、更優(yōu)選5~20重量份的量含有上述磷光發(fā)光性的低分子化合物。另外，當該發(fā)光層進而含有電子輸送性的化合物時，優(yōu)選相對于IOO重量份高分子化合物(III),以優(yōu)選5~95重量份、更優(yōu)選20~80重量份的量含有上述電子輸送性的化合物。另外，當使用化合物(A)和化合物(C)聚合所得的高分子化合物(IV)來形成發(fā)光層時，也與高分子化合物(III)同樣，將上述磷光發(fā)光性的低分子化合物與高分子化合物(IV)—起來形成發(fā)光層。此時發(fā)光層，優(yōu)選相對于100重量份高分子化合物(IV)，以優(yōu)選1~50重量份、更優(yōu)選5~20重量份的量含有上述磷光發(fā)光性的低分子化合物。當使用高分子化合物(I)來形成發(fā)光層時，發(fā)光層的制造方法沒有特別地限定，例如可以如以下那樣來制造。首先，調(diào)制將高分子化合物(I)和根據(jù)需要的上述電子輸送性的化合物溶解而成的溶液。作為在上述溶液的調(diào)制中使用的溶劑，沒有特別地限定，可以使用例如氯仿、二氯曱烷、二氯乙烷等的氯系溶劑、四氫呋喃、茴香酰等的醚系溶劑、甲苯、二甲苯等的芳香族烴系溶劑、丙酮、甲基乙基酮等的酮系溶劑、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等的酯系溶劑等。接著，在M上將這樣調(diào)制的溶液通過旋涂法、澆鑄法、孩史凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂法、浸涂法、噴涂法、篩網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等濕式成膜法等進行成膜。雖然依賴于使用的化合物和成膜條件等，但例如對于旋涂法、浸涂法的情況，上述溶液優(yōu)選相對于100重量份高分子化合物(I)，以1000-20000重量份的量含有溶劑。當還使用上述電子輸送性的化合物時，上述溶液優(yōu)選相對于IOO重量份高分子化合物(I)，進而以10~900重量份的量含有該化合物。另外，當使用高分子化合物(II)來形成發(fā)光層時，也可以與高分子化合物(I)同樣來形成發(fā)光層。例如對于旋涂法、浸涂法的情況，上述溶液優(yōu)選相對于100重量份高分子化合物(II)，以1000~20000重量份的量含有溶劑。另一方面，當使用高分子化合物(III)來形成發(fā)光層時，首先調(diào)制將高分子化合物(III)、磷光發(fā)光性的低分子化合物和根據(jù)需要的上述電子輸送性的化合物溶解而成的溶液。作為在上述溶液的調(diào)制中使用的溶劑，與上述同樣。接著，將這樣調(diào)制的溶液與上述同樣在基板上成膜。雖然依賴于使用的化合物和成膜條件等，但例如對于旋涂法、浸涂法的情況，上述溶液優(yōu)選相對于100重量份高分子化合物(III),以1~50重量份的量含有磷光發(fā)光性的低分子化合物，以1000~20000重量份的量含有溶劑。當還使用上述電子輸送性的化合物時，上述溶液優(yōu)選相對于100重量份高分子化合物(III)，進而以10~卯0重量份的量含有該化合物。另外，當使用高分子化合物(IV)來形成發(fā)光層時，也可以與高分子化合物(III)同樣來形成發(fā)光層。例如對于旋涂法、浸涂法的情況，上述溶液優(yōu)選相對于100重量份高分子化合物(IV)，以1~50重量份的量含有磷光發(fā)光性的低分子化合物，以1000~20000重量份的量含有溶劑。2.有機發(fā)光元件本發(fā)明的有機發(fā)光元件含有夾在陽極與陰極間的至少1層的有機層，在該有機層的至少1層中含有上述那樣的特定的發(fā)光層。在本發(fā)明中，可以用上述簡便的涂布法將發(fā)光層成膜，實現(xiàn)元件的大面積化。本發(fā)明的有機發(fā)光元件的構(gòu)成的一個例子示于圖1，但本發(fā)明的有機發(fā)光元件的構(gòu)成不限于此。在圖1中，在設(shè)置于透明基板(1)上的陽極(2)和陰極(6)之間，依次設(shè)置空穴輸送層(3)、上述發(fā)光層(4)和電子輸送層(5)。在上述有機發(fā)光元件中，例如在陽極(2)與陰極(6)之間，可以設(shè)置1)空穴輸送層/上述發(fā)光層、2)上ii^光層/電子輸送層的任一者，也可以設(shè)置僅一層的3)上述發(fā)光層。進而，也可以將2層以上的上M光層疊層。在上述的元件中，當上述發(fā)光層同時具有空穴輸送性、電子輸送性和磷光發(fā)光性時，即使不設(shè)置其他的有機材料的層，也可以制作具有高的發(fā)光效率和耐久性的有機發(fā)光元件。另外，可以使制造工序進而簡單化。上述各層也可以將作為粘合劑的高分子材料等混合來形成。作為上述高分子材料，可以列舉例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚酯、聚砜、聚笨琉醚等。另外，在上述空穴輸送層和電子輸送層中使用的空穴輸送性的化合物和電子輸送性的化合物，可以分別單獨形成各層，也可以將功能不同的材料混合來形成各層。在上述發(fā)光層中，除了本發(fā)明的高分子化合物以外，出于補充載體輸送性的目的，還可以含有上述電子輸送性的化合物，除此以外進而可以含有其他的空穴輸送性的化合物。作為這樣的化合物，可以是低分子化合物，也可以高分子化合物。作為形成上述空穴輸送層的空穴輸送性的化合物、或者在上述發(fā)光層中混合的空穴輸送性的化合物，可以列舉例如TPD(N，N，-二甲基-N，N，-(3-曱基苯基)-l,l，-聯(lián)苯-4，4，-二胺)、a-NPD(4，4，-雙[1\-(l-萘基)-N-苯基M聯(lián)苯)、m-MTDATA(4，4，，4，，-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)等的低分子三苯胺衍生物、聚乙烯基咔唑、在上述三苯胺衍生物中引入聚合性官能團并聚合而成的高分子化合物、聚對苯乙炔、聚二烷基芴等的熒光發(fā)光性高分子化合物等。作為上述高分子化合物，可以列舉例如在特開平8-157575號公報中公開的三苯胺骨架的高分子化合物等。上述空穴輸送性的化合物可以單獨使用l種，也可以將2種以上混合使用，還可以將不同的空穴輸送性的化合物疊層來使用?？昭ㄝ斔蛯拥暮穸纫蕾囉诳昭ㄝ斔蛯拥碾妼实?，但通常優(yōu)選為lnm5pm、更優(yōu)選5nmljam、特別優(yōu)選10腿~500nm。作為形成上述電子輸送層的電子輸送性的化合物、或者在上a光層中含有的電子輸送性的化合物，可以列舉例如Alq3(三(8-羥基會啉)鋁)等的羥基會啉衍生物金屬#物、嗯二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、三溱衍生物、三芳基硼烷衍生物等的低分子化合物；在上述低分子化合物中引入聚合性取代基并進行聚合而成的高分子化合物。作為上述高分子化合物，可以列舉例如在特開平10-1665號公報中公開的聚PBD等。上述電子輸送性的化合物可以1種單獨使用，也可以將2種以上混合使用，還可以將不同的電子輸送性的化合物進行疊層來使用。電子輸送層的厚度依賴于電子輸送層的電導率等，但通常優(yōu)選為lnm5pm、更優(yōu)選5nm~lHm、特另'J優(yōu)選10nm~500nm。另外，出于抑制空穴通it4L光層、并在發(fā)光層內(nèi)使空穴與電子有效率地再結(jié)合的目的，也可以與上述發(fā)光層的陰極側(cè)相鄰地設(shè)置空穴阻擋層。為了形成上述空穴阻擋層，可以使用三喳衍生物、聰、二峻衍生物、菲繞啉衍生物等公知的材料。在陽極和空穴輸送層之間、或者在陽極和與陽極相鄰地疊層的有機層之間，也可以為了在空穴注入中緩和注入障礙而設(shè)置緩沖層。為了形成上述緩沖層，可以使用酞菁銅、聚乙撐二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT:PSS)等公知的材料。在陰極與電子輸送層之間、或者在陰極和與陰極相鄰地疊層的有機層之間，也可以為了提高電子注入效率而設(shè)置厚度為0.1~10nm的絕緣層。為了形成上述絕緣層，可以使用氟化鋰、氟化鈉、氟化鎂、氧化鎂、氧化鋁等公知的材料。作為在本發(fā)明的有機發(fā)光元件中使用的陽極材料，優(yōu)選使用例如ITO(氧化銦錫)、氧化錫、氧化鋅、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等的導電性高分子等公知的透明導電材料。由該透明導電材料形成的電極的表面電阻優(yōu)選為l50Q/口(歐姆/square)。陽極的厚度優(yōu)選為50~300nm。作為在本發(fā)明的有機發(fā)光元件中使用的陰極材料，優(yōu)選使用例如Li、Na、K、Cs等的堿金屬；Mg、Ca、Ba等的堿土類金屬；Al;MgAg合金；AlLi、AlCa等Al與堿金屬或者與堿土類金屬的合金等、公知的陰極材料。陰極的厚度優(yōu)選為10nm~lMm、更優(yōu)選50500nm。當使用堿金屬、堿土類金屬等活性高的金屬時，陰極的厚度優(yōu)選為0.1~lOOnm、更優(yōu)選0.5~50nm。另外，該情況下，出于保護上述陰極金屬的目的，在該陰極上疊層對大氣穩(wěn)定的金屬層。作為形成上述金屬層的金屬，可以列舉例如Al、Ag、Au、Pt、Cu、Ni、Cr等。上述金屬層的厚度優(yōu)選為10nm~l|im、更優(yōu)選50500腿。作為本發(fā)明的有機發(fā)光元件的基板，優(yōu)選使用對上ii^光材料的發(fā)光波長透明的絕緣性基板，具體來說，除了玻璃以外，還可以使用PET(聚對苯二曱酸乙二酯)、聚碳酸酯等的透明塑料等。作為上述空穴輸送層和電子輸送層的成膜方法，可以使用例如電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、濺射法等的干式成膜法，除此以外還可以使用旋涂法、澆鑄法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂法、浸涂法、噴涂法、篩網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等的濕式成膜法等。對于低分子化合物的情況，優(yōu)選使用干式成膜法，對于高分子化合物的情況，優(yōu)選使用濕式成膜法。另外，作為上述陽極材料的成膜方法，可以使用例如電子束蒸鍍法、賊射法、化學反應法、涂層法等，作為上述陰極材料的成膜方法，可以使用例如電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等。3.用途本發(fā)明的有機發(fā)光元件優(yōu)選作為用公知的方法、以矩陣(matrix)方式或者片段(segment)方式所形成的像素而用于圖像顯示裝置。另外，上述有機發(fā)光元件也優(yōu)選不形成像素、而作為面發(fā)光光源使用。本發(fā)明的有機發(fā)光元件，具體來說可以優(yōu)選用于顯示器、背光源、電子照片、照明光源、記錄光源、曝光光源、讀取光源、標識、廣告牌、室內(nèi)裝飾、光通信等。實施例以下，基于實施例進而具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些實施例。并且，高分子化合物的分析用以下的方法進^f亍。(1)分子量利用凝膠滲透色i普法(GPC)裝置，以下述^進行。色譜柱ShodexKF-G+KF804L+KF802+KF801洗脫液四氫呋喃(THF)溫度40。C檢測器RI(ShodexRI-71)(2)組成解析13C-NMR測定使用以下a進行。裝置日本電子(JEOL)制JNMEX27067.5MHz溶劑氘代氯仿ICP元素分析使用以下條件進行。裝置島津制作所制ICPS8000(3)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)稱量約7mg的樣品，利用差示掃描熱量測定裝置(ir,3—,少7、乂^社制，SSC-5200)進行測定。測定以鋁盤為參照，并以10。C/分鐘的升溫速度進行。另外，所得元件的發(fā)光外部量子效率、最高輝度和輝度半衰壽命使用以下方法進行測定。(4)發(fā)光外部量子效率將制作的有機發(fā)光元件設(shè)置在暗處，在沿垂直于發(fā)光面的方向距離100cm的地方i殳置分iUi射輝度計(CS-1000T，^二力^/》夕社制)。對有機發(fā)光元件外加1秒鐘的規(guī)定電壓，使其發(fā)光，以0.2度的視野測定在元件中通電的電流值、從元件的陽極側(cè)觀察的正面輝度和發(fā)光光鐠。外加的電壓從OV以0.1V的幅度階段性增加，測定剛升高電壓后的電流值、輝度、發(fā)光光譜。由這些測定值計算發(fā)光外部量子效率，將其最高值作為元件的發(fā)光外部量子效率。(5)最高輝度除了外加電壓的上升幅度為0.5V以外，其他與上述發(fā)光外部量子效率的測定同樣來測定制作的有機發(fā)光元件的正面輝度，將測定值的最高值作為元件的最高輝度。(6)輝度半衰減壽命一邊與上述發(fā)光外部量子效率的測定同樣來測定制作的有機發(fā)光元件的正面輝度，一邊在元件中通電，以使輝度為100cd/m2。在該元件的陽極側(cè)粘附硅的光電二極管，一邊使一定的電流流過元件，一邊測定光電二極管的光電流，將該光電流的值變成一半的時間作為輝度半衰減壽命。[合成例1化合物(Al)的合成Scheme1(Al)將1.06g(5.0mmol)3-曱苯基畫3-苯乙烯基胺、1.65g(5.3mmol)1,3,5-三溴苯、22.5mg(O.lmmol)乙酸釔(II)、143mg(0.3mmol)2畫二環(huán)己基膦基-2，，4'，6'-三異丙基聯(lián)苯、1.06g(llmmol)叔丁M鈉和30mL甲苯的混合物進行2小時的加熱回流'在反應溶液中添加l.幼g(lO.lmmol)二曱苯基胺、2.114g(22mmol)叔丁狄鈉和15mL甲苯，進而加熱回流2小時。將得到的反應液恢復至室溫，用乙酸乙酯萃取。通過用硅膠色譜法進行精制，得到2.5g(3.7mmol)乙烯基單體?；衔?Al)的鑒定數(shù)據(jù)如下所示。元素分析計算值(C49H45N3)C，87.07;H，6.71;N，6.22.測定值C，87.15;H，6.81;N，6.04.質(zhì)量分析(EI):676(M+)[合成例2化合物(A2)的合成Scheme2(F)(A2)將20g(0.18mol)間苯二胺、81g(0.37mol)3-珙代曱苯、0.50g(2.2mmo1)乙酸把、1.4g(6.9mmo1)三叔丁基膦、45g(0.40mol)叔丁醇鉀和300mL二甲苯的混合物進行3小時的加熱回流。將得到的反應液冷卻至室溫，添加40g(0.18mol)3-碟代曱苯和52g(0.18mol)3-溴械苯，進而加熱回流3小時。在將得到的反應液過濾后，減壓餾去溶劑，并用珪膠柱色譜法進行精制，由此得到2.7g(5.1mmo1)化合物(F)。接著將2.0g(3.7mmo1)化合物(F)、1.3g(4.1mmo1)三正丁基(乙烯基)錫、0.10g(0.14mmo1)二氯雙(三苯基膦)鈀、0.17g(4.0mmo1)氯化鋰和30mL甲苯的混合物進行4小時的加熱回流。將得到的反應混合物過濾，除去不溶物，在減壓下餾去溶劑。通過用珪膠柱色譜法精制來得到1.5g(3.1mmo1)化合物(A2)?；衔?A2)的鑒定數(shù)據(jù)如下所示。元素分析計算值(C35H32N2)C，87.46;H，6.71;N，5.83.測定值C，87.59;H,6.91;N，5.50.質(zhì)量分析(EI):480(M+)[實施例1高分子化合物(1-1)的合成在密閉容器中，加入200mg化合物(Al)，并添加2.4mL脫水曱苯。接著，添加V-601(和光純藥工業(yè)(林)制)的甲苯溶液(0.1M，47pL)，重復進行5次冷凍脫氣操作。真空狀態(tài)下密閉，在60C的溫度下攪拌60小時。反應后，將反應液滴加在100mL丙酮中，得到沉淀。進而用曱苯-丙酮重復進行2次再沉淀精制后，在50t:真空干燥一晚，得到高分子化合物(1-1)。高分子化合物(1-1)的重均分子量(Mw)為30500，分子量分布指數(shù)(Mw/Mn)為1.71。高分子化合物(1-1)的Tg為180.2°C。[實施例2高分子化合物(2-1)的合成在密閉容器中，加入100mg化合物(Al)和100mg三芳基硼烷衍生物(化合物(G))，并添加2.4mL脫水甲苯。接著，添加V-601(和光純藥工業(yè)(林)制)的甲苯溶液(O.IM，47jiL)，重復進行5次冷凍脫氣操作。真空狀態(tài)下密閉，在60C的溫度下攪拌60小時。反應后，將反應液滴加在100mL丙酮中，得到沉淀。進而用甲苯-丙酮重復進行2次再沉淀精制后，在50t;真空干燥一晚，得到高分子化合物(2-1)。高分子化合物(2-1)的重均分子量(Mw)為64500，分子量分布指數(shù)(Mw/Mn)為2.01。由ICP元素分析和"C-NMR測定的結(jié)果，估計高分子化合物中的x/n的值為0.46，y/n的值為0.54。高分子化合物(2-1)的Tg為183.2x:。參考例lj高分子化合物(I-2)的合成除了使用化合物(A2)來代替化合物(Al)以外，其他與實施例1同樣來得到高分子化合物(1-2)。高分子化合物(1-2)的重均分子量(Mw)為41700，分子量分布指數(shù)(Mw/Mn)為1.74。高分子化合物(1-2)的Tg為159.7。C。參考例2高分子化合物(2-2)的合成除了使用化合物(A2)來代替化合物(Al)以夕卜，其他與實施例2同樣來得到高分子化合物(2-2)。高分子化合物(2-2)的重均分子量(Mw)為92000，分子量分布指數(shù)(Mw/Mn)為2.40。由ICP元素分析和13C-NMR測定的結(jié)果，估計高分子化合物中的x/n的值為0.44，y/n的值為0.56。高分子化合物(2-2)的Tg為170.0"C。[實施例3有機發(fā)光元件的制作和評價使用帶有ITO的M(二:y求電機(林)制)。該I^L是在邊長為25mm的正方形玻璃基板的一個面上，以條狀形成2根寬度為4mm的ITO(氧化銦錫)電極(陽極)而成的皿。首先，在上述帶有ITO的J41上，利用旋涂法在旋轉(zhuǎn)數(shù)為3500rpm、涂布時間為40秒的條件下涂布聚(3，4-乙撐二氧瘞吩).聚苯乙烯磺酸(A一工/k(林)制，商品名"/"Of卜口yP")。然后，在真空干燥器中在減壓下、6CTC的條件下干燥2小時，形成陽極緩沖層。所得的陽極緩沖層的膜厚為約50nm。接著，在2910mg甲苯(和光純藥工業(yè)(抹)制，特級)中溶解40.5mg高分子化合物(1-1)、9mg化合物(H)和40.5mg化合物(J)，將該溶液用孔徑為0.2jLim的過濾器過濾，調(diào)制涂布溶液。接著，在上述陽極緩沖層上，利用旋涂法在旋轉(zhuǎn)數(shù)為3000rpm、涂布時間為別秒的條件下涂布上述涂布溶液。涂布后在室溫(25X:)下干燥30分鐘，形成發(fā)光層。所得發(fā)光層的膜厚約為100nm。其次，將形成了發(fā)光層的基板裝載到蒸鍍裝置內(nèi)。接著將鋇和鋁以1:10的重量比進行共蒸鍍，按照垂直于陽極的延伸方向的方式，形成2根條狀的寬度為3mm的陰極。得到的陰極的膜厚約為50nm。最后，在氬氣氛中，在陽極和陰極安裝導線(配線)，制作4個縱向4mmx橫向3mm的有機EL元件。對于上述有機EL元件，使用可編程直流電壓/電流源(TR6143,(林)7PV^乂亍7卜社制)外加電壓，使其發(fā)光。制作的有機發(fā)光元件的最大外部量子效率、最高達到輝度、在初始輝度100cd/m2點亮并定電流驅(qū)動時的輝度半衰減壽命示于表1。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>(J)[實施例4有機發(fā)光元件的制作和評價除了代替40.5mg高分子化合物(1-1)、9mg化合物(H)、40.5mg化合物(J)和2910mg甲苯，而使用81.0mg高分子化合物(2-1)、9.0mg化合物(H)和2910mg甲苯來調(diào)制用于形成發(fā)光層的涂布溶液以外，其他與實施例3同樣來制作有機發(fā)光元件。制作的有機發(fā)光元件的最大外部量子效率、最高達到輝度、以初始輝度100cd/ii^點亮并定電流驅(qū)動時的輝度半衰減壽命示于表l。[參考例3有機發(fā)光元件的制作和評價除了代替40.5mg高分子化合物(1-1)、9mg化合物(H)、40.5mg化合物(J)和2910mg甲苯，而使用40.5mg高分子化合物(1-2)、9.0mg化合物(H)、40.5mg化合物(J)和2910mg曱苯來調(diào)制用于形成發(fā)光層的涂布溶液以外，其他與實施例3同樣來制作有機發(fā)光元件。制作的有機發(fā)光元件的最大外部量子效率、最高達到輝度、以初始輝度100cd/n^點亮并定電流驅(qū)動時的輝度半衰減壽命示于表1。[參考例4有機發(fā)光元件的制作和評價除了代替40.5mg高分子化合物(l畫l)、9mg化合物(H)、40.5mg化合物(J)和2910mg甲苯，而使用81.0mg高分子化合物(2-2)、9.0mg化合物(H)和2910mg甲苯來調(diào)制用于形成發(fā)光層的涂布溶液以外，其他與實施例3同樣來制作有機發(fā)光元件。制作的有機發(fā)光元件的最大外部量子效率、最高達到輝度、以初始輝度100cd/n^點亮并定電流驅(qū)動時的輝度半衰減壽命示于表l。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>權(quán)利要求1.一種有機發(fā)光元件，含有夾在陽極與陰極間的至少1層的有機層，其特征在于，上述有機層的至少1層是含有高分子化合物的發(fā)光層，所述高分子化合物具有由下述通式(1)所示的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元，式(1)中，R1～R33中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R1～R33分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氰基、碳原子數(shù)為1～10的烷基、碳原子數(shù)為6～10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1～10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1～10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基，在R1～R5、R6～R10、R11～R15、R16～R20、R21～R25、R26～R30的各組中，與苯環(huán)上相鄰的碳原子鍵合的2個基團可以相互鍵合而形成稠環(huán)。2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，R^R加中的至少l者表示具有聚合性官能團的取代基，在R^R5、R6~R1G、R"~R15、R"R"和R"R"的各組中，至少l者表示選自鹵原子、絲、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基。3.如權(quán)利要求1或者2所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上述高分子化合物進而具有由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元。4.如權(quán)利要求1或者2所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上述高分子化合物進而具有由磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元和由電子輸送性的聚合性化合物(C)衍生的結(jié)構(gòu)單元。5.如權(quán)利要求3或者4所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上述磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)是下述通式(2-1)所示的絡(luò)合物，式(2-l)中，R"-R"分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基，R"與R42、R42與R43、R"與R44、R"與R45、R45與R46、R"與R47、R"與R48,可以相互鍵合而形成稠環(huán)，L表示選自下述通式(2-2)~(2-4)中的2齒配體，式(2-2)中，R"rSS中的至少l者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R51~R58分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氛基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基，r"與r52、r"與r53、r"與r54、r54與r55、R5S與r56、R56與r57、r57與R58,可以相互鍵合而形成稠環(huán)，式(2-3)中，r61~r63中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的r61~r63分別獨立地表示選自氫原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基，r"與r62、r"與r63，可以相互鍵合而形成稠環(huán)，式(2-4)中，r71~r74中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的r71~r74分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、M、碳原子數(shù)為1~10的烷基、^f、子數(shù)為610的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷M和甲硅烷基中的原子或者取代基，r"與r72、r"與r73、R73與r74，可以相互鍵合而形成稠環(huán)。6.如權(quán)利要求1或者2所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上述發(fā)光層進而含有磷光發(fā)光性的化合物。7.如權(quán)利要求1或者2所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上述發(fā)光層進而含有磷光發(fā)光性的化合物，上述高分子化合物進而具有由電子輸送性的聚合性化合物(c)衍生的結(jié)構(gòu)單元。8.如權(quán)利要求4或者7所述的有機發(fā)光元件，其特征在于，上述電子輸送性的聚合性化合物(C)是嚼、二唑衍生物或三芳基硼烷衍生物。9.一種面發(fā)光光源，其特征在于，使用了權(quán)利要求18的任一項所述的有機發(fā)光元件。10.—種圖像顯示裝置，其特征在于，使用了權(quán)利要求1~8的任一項所述的有機發(fā)光元件。11.一種高分子化合物，其特征在于，具有由下述通式(1)所示的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元，式(1)中，R1~R33中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R1~R33分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的Jl基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基，在R^R5、R6~R1D、R"~R15、R16~R20、R2I~R25、R"R^的各組中，與苯環(huán)上相鄰的碳原子鍵合的2個基團可以相互鍵合而形成稠環(huán)。12.如權(quán)利要求ll所述的高分子化合物，其特征在于，R"R^中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，在Rl~R5、R6~R10、R"~R15、r"r2Q和r"-r25的各組中，至少l者表示選自鹵原子、絲、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以祐^碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基。13.如權(quán)利要求11或者12所述的高分子化合物，其特征在于，上述高分子化合物進而具有由下述通式(2-1)所示的磷光發(fā)光性的聚合性化合物(B)衍生的結(jié)構(gòu)單元，式(2-l)中，R"R"分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氨基、碳原子數(shù)為1~10的烷氡基和甲硅烷基中的原子或者取代基，R"與R42、R"與R43、R43與R44、R44與R45、R"與R氣R"與R47、R"與R48，可以相互鍵合而形成稠環(huán)，L表示選自下述通式(2-2)~(2-4)中的2齒配體，式(2-2)中，R51~R58中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基,不是該具有聚合性官能團的取代基的R51~R58分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氛基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和曱硅烷基中的原子或者取代基，R"與R52、R52與R53、R53與R54、R54與R55、RSS與R56、R"與R57、R"與R58，可以相互鍵合而形成稠環(huán)，式(2-3)中，R61~R63中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R61~R63分別獨立地表示選自氫原子、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷基取代的氬基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基和甲硅烷基中的原子或者取代基，R"與R62、R"與R63，可以相互鍵合而形成稠環(huán)，式(2-4)中，R"R"中的至少l者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R71~R74分別獨立地表示選自氫原子、卣原子、氛基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為6~10的芳基、可以被碳原子數(shù)為1~10的烷1^代的M、碳原子數(shù)為1~10的烷M和曱硅烷基中的原子或者取代基，R"與R72、R"與R73、R"與R74，可以相互鍵合而形成稠環(huán)。全文摘要本發(fā)明的有機發(fā)光元件含有夾在陽極與陰極間的至少1層的有機層，其特征在于，上述有機層的至少1層是含有高分子化合物的發(fā)光層，所述高分子化合物具有由右述通式(1)所示的聚合性化合物(A)衍生的結(jié)構(gòu)單元，式(1)中，R¹～R³³中的至少1者表示具有聚合性官能團的取代基，不是該具有聚合性官能團的取代基的R¹～R³³分別獨立地表示選自氫原子、鹵原子、碳原子數(shù)為1～10的烷基等。本發(fā)明的有機發(fā)光元件具有高發(fā)光效率，同時具有高輝度和長壽命。文檔編號C09K11/06GK101528890SQ200780038608公開日2009年9月9日申請日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月16日發(fā)明者鳥羽正彥申請人:昭和電工株式會社