專利名稱：金屬配合物、高分子化合物及含有它們的器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬配合物以及一種含有所述金屬配合物的殘基的高分子化合物。本發(fā)明還涉及含有它們的器件。
背景技術(shù)：
作為電致發(fā)光器件的發(fā)光層中使用的發(fā)光材料，顯示來自三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬配合物可以被期待具有比顯示來自單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光的熒光材料更高的發(fā)光效率。例如，作為顯示來自三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬配合物，已經(jīng)提出了顯示綠色發(fā)光的以銥為中心金屬的鄰位金屬化配合物(Ir(ppy)3銥(III)與2-苯基吡啶的三-鄰位金屬化配合物)(非專利文件1)。
非專利文件1APPLIED PHYSICS LETTERS，第75卷，第4頁(1999)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題 然而，當(dāng)將上述金屬配合物用于電致發(fā)光器件等的制造時(shí)，得到的器件的發(fā)光效率不優(yōu)異。
因而，本發(fā)明的目的是提供在用于電致發(fā)光器件等的制造時(shí)提供具有優(yōu)異發(fā)光效率的器件的金屬配合物等。
解決問題的手段 本發(fā)明的第一方面提供一種由下式(1)表示的金屬配合物
其中，M為釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑的金屬原子；R1至R8各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；?、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基，或R3和R4或R5和R6可以結(jié)合以形成環(huán)，條件是R2和R7中的至少一個(gè)是由下式(2)表示的基團(tuán)
其中，m為1至3的整數(shù)，并且n為0至2的整數(shù)；Z1至Z5各自獨(dú)立地表示碳原子或氮原子，條件是Z1至Z5中的至少兩個(gè)是氮原子，并且當(dāng)Z1至Z5中的任何一個(gè)是碳原子時(shí)，結(jié)合到所述碳原子的氫原子可以被取代基取代；由下式(3)
表示的部分表示單陰離子二齒配體；并且Rx和Ry是結(jié)合到金屬原子M的原子，并且各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子。
本發(fā)明的第二方面提供一種用于制備所述金屬配合物的方法，所述方法包括在具有鹵素原子或烷基磺酸酯基的雜環(huán)芳族化合物和由下列式(A-1)至(A-3)中的任何一個(gè)表示的化合物之間進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)
(A-1)(A-2)
(A-3)， 其中，M表示釕、銠、鈀、鋨、銥和鉑中的任何一種金屬原子；R1、R3、R4、R5、R6、R8、L1和L2各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；ⅤＱ趸?、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基，或R3和R4或R5和R6可以通過它們之間的鍵形成環(huán)；m為1至3的整數(shù)，并且n為0至2的整數(shù)；由下式(3)
表示的部分表示單陰離子二齒配體；Rx和Ry是結(jié)合到金屬原子M的原子，并且各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子；并且J1和J2各自獨(dú)立為由下式(B-1)至(B-6)表示的基團(tuán)
(B-1) (B-2) (B-3) (B-4) (B-5) (B-6) 。
本發(fā)明的第三方面提供了由式(A-1)至(A-3)表示的化合物。
本發(fā)明的第四方面提供了一種高分子化合物，所述高分子化合物含有所述金屬配合物的殘基。
本發(fā)明的第五方面提供了一種組合物，所述組合物含有所述金屬配合物和/或所述高分子化合物以及電荷輸送材料和/或發(fā)光材料。
本發(fā)明的第六方面提供了一種液體組合物，所述液體組合物含有所述金屬配合物和/或所述高分子化合物以及溶劑或分散介質(zhì)。
本發(fā)明的第七方面提供了一種膜，所述膜含有所述金屬配合物和/或所述高分子化合物。
本發(fā)明的第八方面提供了一種器件，所述器件含有所述金屬配合物和/或所述高分子化合物。
本發(fā)明的第九方面提供了使用所述器件得到的面狀光源和照明。
發(fā)明效果 當(dāng)用于電致發(fā)光器件等的制造時(shí)，本發(fā)明的金屬配合物等提供了發(fā)光效率優(yōu)異(即，具有高量子產(chǎn)率)的器件。而且，本發(fā)明的金屬配合物等通常發(fā)射光。因而，本發(fā)明的金屬配合物等在器件例如發(fā)光器件(如電致發(fā)光器件)和光電器件的制造中特別有用。
實(shí)施本發(fā)明的最佳方式 以下，將詳細(xì)描述本發(fā)明。
<金屬配合物> 首先，將描述本發(fā)明的金屬配合物。
本發(fā)明的金屬配合物由式(1)表示。
在由式(2)表示的取代基中，Z1至Z5的至少2個(gè)，優(yōu)選2個(gè)或3個(gè)是氮原子。特別地，優(yōu)選應(yīng)當(dāng)將這些部分組合，使得這樣的多個(gè)氮原子不相鄰(即，不位于連位的位置)。具體地，Z1至Z5的2個(gè)或3個(gè)是氮原子，并且這些氮原子不相鄰。當(dāng)取代基中的Z1至Z5中的任何一個(gè)是碳原子時(shí)，結(jié)合到所述碳原子的氫原子可以被取代基取代。
由式(2)表示的取代基的具體結(jié)構(gòu)由以下示出的結(jié)構(gòu)示例。在它們中，由式(4-1)和(4-7)表示的那些是優(yōu)選的。
(4-1) (4-2) (4-3) (4-4)
(4-5)(4-6) (4-7) (4-8) 其中，R′為氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；?、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基，并且多個(gè)R′可以相同或不同。
在所述式中，由R′表示的鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；?、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基和氰基具有與由后述R表示的那些相同的定義以及相同的具體實(shí)例。
由式(1)表示的金屬配合物包含由M表示的金屬原子、其數(shù)量由下標(biāo)m定義的配體(以下，也稱為“二齒螯合配體”)和其數(shù)量由下標(biāo)n定義的由式(3)表示的單陰離子二齒配體(以下，也稱為“單陰離子二齒配體”)。在此上下文中，以下描述中的“配體”僅指二齒螯合配體和單陰離子二齒配體兩種。
在式(1)中，m為1至3的整數(shù)，并且n為0至2，優(yōu)選0或1，更優(yōu)選0的整數(shù)，條件是m+n是能夠結(jié)合到中心金屬M(fèi)的配體的總數(shù)；例如，當(dāng)中心金屬為銥時(shí)，m＝1并且n＝2、m＝2并且n＝1，或m＝3并且n＝0，優(yōu)選m＝3并且n＝0或m＝2并且m＝1，更優(yōu)選m＝3并且n＝0。
由式(1)表示的金屬配合物優(yōu)選由下式(1a)表示
其中，M、R1至R8和m與以上定義相同(即，n＝0)。由R1至R8表示的原子或基團(tuán)具體地與作為后述R所描述和示例的那些相同。
構(gòu)成金屬配合物的配體影響金屬配合物的發(fā)光顏色、發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光效率等。因而，優(yōu)選金屬配合物應(yīng)當(dāng)包含具有使配體內(nèi)的能量失活過程最低化的結(jié)構(gòu)的配體。此外，配體中的取代基的類型和/或取代位置影響配體的電子性質(zhì)，并且因此影響金屬配合物的性質(zhì)?？紤]到這些，據(jù)推測由式(1)表示的本發(fā)明的金屬配合物的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)金屬配合物的發(fā)光效率、穩(wěn)定性等的提高。
在本發(fā)明的金屬配合物中，式(1)或(1a)中的R2和R7中的至少一個(gè)是由式(2)表示的基團(tuán)。優(yōu)選R7應(yīng)當(dāng)是由式(2)表示的基團(tuán)。而且，還優(yōu)選的是，本發(fā)明的金屬配合物應(yīng)當(dāng)具有其中R2和R7各自獨(dú)立地是由式(2)表示的基團(tuán)的結(jié)構(gòu)。更優(yōu)選的是，R7應(yīng)當(dāng)由式(4-1)表示并且R2應(yīng)當(dāng)是氫原子，R7應(yīng)當(dāng)由式(4-7)表示并且R2應(yīng)當(dāng)是氫原子，或R2和R7應(yīng)當(dāng)各自獨(dú)立地是由式(4-1)或(4-7)表示的基團(tuán)。本發(fā)明的金屬配合物在PL(光致發(fā)光)發(fā)射光譜(磷光發(fā)射光譜)中的峰波長優(yōu)選為550nm至800nm，更優(yōu)選為570nm至750nm，還更優(yōu)選為570nm至700nm，特別優(yōu)選為600nm至700nm。
在本發(fā)明的金屬配合物中作為中心金屬的金屬原子M是釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑中的任何一種金屬原子。這些金屬原子能夠引起金屬配合物中的自旋-軌道相互作用并且引起單重態(tài)和三重態(tài)之間的系間竄越。金屬原子M優(yōu)選為鋨、銥或鉑，更優(yōu)選為銥或鉑，特別優(yōu)選為銥。
在由式(1)或(1a)表示的金屬配合物中，二齒螯合配體的具體實(shí)例包括由下式表示的結(jié)構(gòu)
其中，R為氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；ⅤＱ趸?、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基；*表示結(jié)合到金屬原子M的部位；并且多個(gè)R可以相同或不同。
由R表示的鹵素原子由氟、氯、溴和碘原子示例。
由R表示的烷基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的。此烷基通常具有約1至10個(gè)碳原子。烷基的具體實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基和全氟辛基。優(yōu)選叔丁基、戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基和3，7-二甲基辛基。
由R表示的烷氧基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的。此烷氧基通常具有約1至10個(gè)碳原子。烷氧基的具體實(shí)例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基和2-甲氧基乙基氧基。優(yōu)選戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基和3，7-二甲基辛氧基。
由R表示的烷硫基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的。此烷硫基通常具有約1至10個(gè)碳原子。烷硫基的具體實(shí)例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、月桂硫基和三氟甲硫基。優(yōu)選戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基和3，7-二甲基辛硫基。
由R表示的芳基通常具有約6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述芳基示例為苯基、C1至C12烷氧基苯基(術(shù)語“C1至C12烷氧基”是指烷氧基部分具有1至12個(gè)碳原子；同樣適用下列描述)、C1至C12烷基苯基(術(shù)語“C1至C12烷基”是指烷基部分具有1至12個(gè)碳原子；同樣適用下列描述)、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基和五氟苯基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯基和C1至C12烷基苯基。在此上下文中，芳基是指通過移除一個(gè)氫原子而由芳族烴衍生的原子團(tuán)。此芳族烴包括具有稠環(huán)的那些，以及包含兩個(gè)以上直接結(jié)合或經(jīng)由基團(tuán)例如1，2-亞乙烯基結(jié)合的獨(dú)立苯環(huán)或稠環(huán)的那些。此外，該芳基可以具有取代基。取代基的實(shí)例包括C1至C12烷氧基苯基、C1至C12烷基苯基。
所述C1至C12烷氧基示例為甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。
所述C1至C12烷氧基苯基示例為甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、
基、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基苯基、異丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基和十二烷基苯基。
由R表示的芳氧基通常具有約6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述芳氧基示例為苯基、C1至C12烷氧基苯氧基、C1至C12烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基和五氟苯基氧基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯氧基和C1至C12烷基苯氧基。
所述C1至C12烷氧基示例為甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。
所述C1至C12烷基苯氧基示例為甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基和十二烷基苯氧基。
芳硫基通常具有約6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述芳硫基示例為苯硫基、C1至C12烷氧基苯硫基、C1至C12烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基和五氟苯硫基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯硫基和C1至C12烷基苯硫基。
由R表示的芳基烷基通常具有約7至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述芳基烷基示例為苯基-C1至C12烷基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基、C1至C12-烷基苯基-C1至C12烷基、1-萘基-C1至C12烷基和2-萘基-C1至C12烷基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基和C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基。
由R表示的芳基烷氧基通常具有約7至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述芳基烷氧基示例為苯基-C1至C12烷氧基(例如，苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基和苯基辛氧基)、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷氧基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷氧基、1-萘基-C1至C12烷氧基和2-萘基-C1至C12烷氧基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷氧基和C1至C12烷基苯基-C1至C12烷氧基。
由R表示的芳基烷硫基通常具有約7至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述芳基烷硫基示例為苯基-C1至C12烷硫基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷硫基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷硫基、1-萘基-C1至C12烷硫基和2-萘基-C1至C12烷硫基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷硫基和C1至C12烷基苯基-C1至C12烷硫基。
由R表示的?；ǔ＞哂屑s2至20個(gè)碳原子，優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。所述?；纠秊橐阴；?、丙?；⒍□；?、異丁?；?、新戊?；⒈郊柞；?、三氟乙酰基和五氟苯甲?；?br>
由R表示的酰氧基通常具有約2至20個(gè)碳原子，優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。所述酰氧基示例為乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基和五氟苯甲酰氧基。
由R表示的酰胺基通常具有約2至20個(gè)碳原子，優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。所述酰胺基示例為甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、雙三氟乙酰胺基和雙五氟苯甲酰胺基。
由R表示的酰亞胺基是指通過移除結(jié)合到氮原子的一個(gè)氫原子而由酰亞胺衍生的一價(jià)殘基。該酰亞胺基通常具有約2至60個(gè)碳原子，優(yōu)選2至48個(gè)碳原子。酰亞胺基由下列結(jié)構(gòu)式表示的基團(tuán)示例
其中，出自氮原子的線表示鍵；Me表示甲基；Et表示乙基；并且n-Pr表示正丙基；同樣適用下列描述。
由R表示的亞胺殘基是指通過移除一個(gè)氫原子而由亞胺化合物(即，分子中具有-N＝C-的有機(jī)化合物；其實(shí)例包括醛亞胺、酮亞胺、以及這些分子中的氮原子上結(jié)合的氫原子被烷基等取代的化合物)衍生的一價(jià)殘基。此亞胺殘基通常具有約2至20個(gè)碳原子，優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。具體地，亞胺殘基由下列結(jié)構(gòu)式表示的基團(tuán)示例
其中，i-Pr表示異丙基；n-Bu表示正丁基；t-Bu表示叔丁基；并且由波線表示的鍵是指“楔形鍵(wedge-shaped bond)”和/或“虛線鍵(dashed bond)”，并且在此上下文中，所述“楔形鍵”是指朝觀察者伸出的鍵，而所述“虛線鍵”是指遠(yuǎn)離觀察者伸出的鍵。
由R表示的取代氨基是指被選自由烷基、芳基、芳基烷基和一價(jià)雜環(huán)基團(tuán)組成的組中的一種或兩種基團(tuán)取代的氨基。所述烷基、芳基、芳基烷基或一價(jià)雜環(huán)基團(tuán)可以具有取代基。除取代基的碳原子數(shù)量以外，取代氨基通常具有約1至60個(gè)碳原子，優(yōu)選2至48個(gè)碳原子。所述取代氨基示例為甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、異丙基氨基、二異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、環(huán)己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、月桂基氨基、環(huán)戊基氨基、二環(huán)戊基氨基、環(huán)己基氨基、二環(huán)己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、雙三氟甲基氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C1至C12烷氧基苯基氨基、二(C1至C12烷氧基苯基)氨基、二(C1至C12烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基-C1至C12烷基氨基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基氨基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基氨基、二(C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基)氨基、二(C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基)氨基、1-萘基-C1至C12烷基氨基和2-萘基-C1至C12烷基氨基。
由R表示的取代甲硅烷基是指被選自由烷基、芳基、芳基烷基和一價(jià)雜環(huán)基組成的組中的一種、兩種或三種基團(tuán)取代的甲硅烷基。取代甲硅烷基通常具有約1至60個(gè)碳原子，優(yōu)選3至48個(gè)碳原子。在此上下文中，所述烷基、芳基、芳基烷基或一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。所述取代甲硅烷基示例為三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、二甲基-異丙基甲硅烷基、二乙基-異丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C1至C12烷基甲硅烷基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基甲硅烷基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基甲硅烷基、1-萘基-C1至C12烷基甲硅烷基、2-萘基-C1至C12烷基甲硅烷基、苯基-C1至C12烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-對二甲苯基甲硅烷基、三芐基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基和二甲基苯基甲硅烷基。
由R表示的取代甲硅烷氧基是指被選自由烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基和一價(jià)雜環(huán)氧基組成的組中的一種、兩種或三種基團(tuán)取代的甲硅烷氧基。取代甲硅烷氧基通常具有約1至60個(gè)碳原子，優(yōu)選3至48個(gè)碳原子。所述烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基和一價(jià)雜環(huán)氧基可以具有取代基。所述取代甲硅烷氧基示例為三甲基甲硅烷氧基、三乙基甲硅烷氧基、三丙基甲硅烷氧基、三異丙基甲硅烷氧基、二甲基-異丙基甲硅烷氧基、二乙基-異丙基甲硅烷氧基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷氧基、戊基二甲基甲硅烷氧基、己基二甲基甲硅烷氧基、庚基二甲基甲硅烷氧基、辛基二甲基甲硅烷氧基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷氧基、壬基二甲基甲硅烷氧基、癸基二甲基甲硅烷氧基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷氧基、月桂基二甲基甲硅烷氧基、苯基-C1至C12烷基甲硅烷氧基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基甲硅烷氧基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基甲硅烷氧基、1-萘基-C1至C12烷基甲硅烷氧基、2-萘基-C1至C12烷基甲硅烷氧基、苯基-C1至C12烷基二甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基、三-對二甲苯基甲硅烷氧基、三芐基甲硅烷氧基、二苯基甲基甲硅烷氧基、叔丁基二苯基甲硅烷氧基和二甲基苯基甲硅烷氧基。
由R表示的取代甲硅烷硫基是指被選自由烷硫基、芳硫基、芳基烷硫基和一價(jià)雜環(huán)硫基組成的組中的一種、兩種或三種基團(tuán)取代的甲硅烷硫基。取代甲硅烷硫基通常具有約1至60個(gè)碳原子，優(yōu)選3至48個(gè)碳原子。所述烷氧基、芳硫基、芳基烷硫基或一價(jià)雜環(huán)硫基可以具有取代基。所述取代甲硅烷硫基示例為三甲基甲硅烷硫基、三乙基甲硅烷硫基、三丙基甲硅烷硫基、三異丙基甲硅烷硫基、二甲基-異丙基甲硅烷硫基、二乙基-異丙基甲硅烷硫基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷硫基、戊基二甲基甲硅烷硫基、己基二甲基甲硅烷硫基、庚基二甲基甲硅烷硫基、辛基二甲基甲硅烷硫基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷硫基、壬基二甲基甲硅烷硫基、癸基二甲基甲硅烷硫基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷硫基、月桂基二甲基甲硅烷硫基、苯基-C1至C12烷基甲硅烷硫基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基甲硅烷硫基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基甲硅烷硫基、1-萘基-C1至C12烷基甲硅烷硫基、2-萘基-C1至C12烷基甲硅烷硫基、苯基-C1至C12烷基二甲基甲硅烷硫基、三苯基甲硅烷硫基、三-對二甲苯基甲硅烷硫基、三芐基甲硅烷硫基、二苯基甲基甲硅烷硫基、叔丁基二苯基甲硅烷硫基和二甲基苯基甲硅烷硫基。
由R表示的取代甲硅烷氨基是指被選自由烷基氨基、芳基氨基、芳基烷基氨基和一價(jià)雜環(huán)氨基組成的組中的一種、兩種或三種基團(tuán)取代的甲硅烷氨基。取代甲硅烷氨基通常具有約1至60個(gè)碳原子，優(yōu)選3至48個(gè)碳原子。所述烷氧基、芳基氨基、芳基烷基氨基或一價(jià)雜環(huán)氨基可以具有取代基。所述取代甲硅烷氨基示例為三甲基甲硅烷氨基、三乙基甲硅烷氨基、三丙基甲硅烷氨基、三異丙基甲硅烷氨基、二甲基-異丙基甲硅烷氨基、二乙基-異丙基甲硅烷氨基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷氨基、戊基二甲基甲硅烷氨基、己基二甲基甲硅烷氨基、庚基二甲基甲硅烷氨基、辛基二甲基甲硅烷氨基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷氨基、壬基二甲基甲硅烷氨基、癸基二甲基甲硅烷氨基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷氨基、月桂基二甲基甲硅烷氨基、苯基-C1至C12烷基甲硅烷氧基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基甲硅烷氨基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基甲硅烷氨基、1-萘基-C1至C12烷基甲硅烷氨基、2-萘基-C1至C12烷基甲硅烷氨基、苯基-C1至C12烷基二甲基甲硅烷氨基、三苯基甲硅烷氨基、三-對二甲苯基甲硅烷氨基、三芐基甲硅烷氨基、二苯基甲基甲硅烷氨基、叔丁基二苯基甲硅烷氨基和二甲基苯基甲硅烷氨基。
由R表示的一價(jià)雜環(huán)基是指通過移除一個(gè)氫原子而由雜環(huán)化合物衍生的原子團(tuán)。一價(jià)雜環(huán)基通常具有約3至60個(gè)碳原子，優(yōu)選3至20個(gè)碳原子。在此上下文中，從所述一價(jià)雜環(huán)基的碳數(shù)排除了取代基的碳數(shù)。在此上下文中，雜環(huán)化合物是指，具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物中，橋環(huán)式地(endocyclically)不僅含有碳原子，而且含有雜原子例如氧、硫、氮、磷和硼作為構(gòu)成環(huán)的元素的那些。所述一價(jià)雜環(huán)基示例為噻吩基、C1至C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C1至C12烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基和異喹啉基。優(yōu)選噻吩基、C1至C12烷基噻吩基、吡啶基和C1至C12烷基吡啶基。而且，所述一價(jià)雜環(huán)基優(yōu)選是一價(jià)芳族雜環(huán)基。
由R表示的雜芳氧基通常具有約6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述雜芳氧基示例為噻吩基、C1至C12烷氧基噻吩基、C1至C12烷基噻吩基、吡啶基氧基、吡啶基氧基和異喹啉基氧基。優(yōu)選C1至C12烷氧基吡啶基和C1至C12烷基吡啶基。
所述C1至C12烷氧基示例為甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。
所述C1至C12烷基吡啶基氧基示例為甲基吡啶基氧基、乙基吡啶基氧基、二甲基吡啶基氧基、丙基吡啶基氧基、1，3，5-三甲基吡啶基氧基、甲基乙基吡啶基氧基、異丙基吡啶基氧基、丁基吡啶基氧基、異丁基吡啶基氧基、叔丁基吡啶基氧基、戊基吡啶基氧基、異戊基吡啶基氧基、己基吡啶基氧基、庚基吡啶基氧基、辛基吡啶基氧基、壬基吡啶基氧基、癸基吡啶基氧基和十二烷基吡啶基氧基。
由R表示的雜芳硫基通常具有約6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。所述雜芳硫基示例為吡啶基硫基、C1至C12烷氧基吡啶基硫基、C1至C12烷基吡啶基硫基和異喹啉基硫基。優(yōu)選C1至C12烷氧基吡啶基硫基和C1至C12烷基吡啶基硫基。
由R表示的芳基烯基通常具有約8至60個(gè)碳原子，優(yōu)選8至48個(gè)碳原子。所述芳基烯基示例為苯基-C2至C12烯基(術(shù)語“C2至C12烯基”是指烯基部分具有2至12個(gè)碳原子；同樣適用下列描述)、C1至C12烷氧基苯基-C2至C12烯基、C1至C12烷基苯基-C2至C12烯基、1-萘基-C2至C12烯基和2-萘基-C2至C12烯基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯基-C2至C12烯基和C2至C12烷基苯基-C1至C12烯基。
由R表示的芳基炔基具有約8至60個(gè)碳原子，優(yōu)選8至48個(gè)碳原子。所述芳基炔基示例為苯基-C2至C12炔基(術(shù)語“C2至C12炔基”是指炔基部分具有2至12個(gè)碳原子；同樣適用下列描述)、C1至C12烷氧基苯基-C2至C12炔基、C1至C12烷基苯基-C2至C12炔基、1-萘基-C2至C12炔基和2-萘基-C2至C12炔基。優(yōu)選C1至C12烷氧基苯基-C2至C12炔基和C1至C12烷基苯基-C2至C12炔基。
由R表示的取代羧基通常是指具有約2至60個(gè)碳原子，優(yōu)選2至48個(gè)碳原子，并且被烷基、芳基、芳基烷基或一價(jià)雜環(huán)基取代的羧基。取代羧基的實(shí)例包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環(huán)己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、吡啶基氧基羰基、萘氧基羰基和吡啶基氧基羰基。所述烷基、芳基、芳基烷基或一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。該取代基的碳數(shù)從取代羧基的碳數(shù)中被排除。
在式(3)中，優(yōu)選的是，連接Rx和Ry的拱(arc)狀部分應(yīng)當(dāng)是除氫原子以外具有3至30個(gè)原子的二價(jià)基團(tuán)。對單陰離子二齒配體沒有特殊限制，只要它是單陰離子二齒配體即可。它的實(shí)例包括下列結(jié)構(gòu)
其中，*表示結(jié)合至金屬原子M的部位。
本發(fā)明的金屬配合物的實(shí)例包括以下
考慮到具有高效率的穩(wěn)定發(fā)光，本發(fā)明的金屬配合物優(yōu)選是其三重激發(fā)態(tài)具有短的壽命的金屬配合物，其有效地允許禁阻躍遷。
-用于制備金屬配合物的方法- 接著，將描述用于制備本發(fā)明的金屬配合物的方法。
本發(fā)明的金屬配合物可以通過例如將作為配體的化合物與金屬化合物在溶液中反應(yīng)而合成。必要時(shí)，反應(yīng)體系可以含有堿、氯化銀等。備選地，本發(fā)明的金屬配合物可以通過在具有2-苯基吡啶衍生物作為配體的金屬配合物和雜環(huán)芳族化合物之間進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)而合成。
配位方法(即，用于將作為配體的化合物與金屬化合物在溶液中反應(yīng)的方法)示例為對于銥配合物，方法描述于例如美國化學(xué)會(huì)志(J.Am.Chem.Soc.)1984，106，6647；無機(jī)化學(xué)(Inorg.Chem.)1991，30，1685；無機(jī)化學(xué)(Inorg.Chem.)1994，33，545；無機(jī)化學(xué)(Inorg.Chem.)2001，40，1704；和化學(xué)通訊(Chem.Lett.)，2003，32，252；對于鉑配合物，方法描述于例如無機(jī)化學(xué)(Inorg.Chem.)，1984，23，4249；化學(xué)材料(Chem.Mater.)1999，11，3709；和有機(jī)金屬化合物(Organometallics)，1999，18，1801；并且對于鈀配合物，方法描述于例如有機(jī)化學(xué)雜志(J.Org.Chem.)，1987，52，73。
對配位反應(yīng)溫度沒有特別限制，并且該反應(yīng)通常可以在溶劑的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)之間，優(yōu)選-78℃至溶劑沸點(diǎn)的溫度進(jìn)行。反應(yīng)時(shí)間沒有特別限制，并且通常為約30分鐘至30小時(shí)。然而，當(dāng)將微波反應(yīng)器用于配位反應(yīng)時(shí)，該反應(yīng)甚至可以在等于或高于溶劑的沸點(diǎn)的溫度進(jìn)行，反應(yīng)時(shí)間為，但不具體限于約幾分鐘至幾小時(shí)。
作為配體的化合物可以通過例如在2-苯基吡啶衍生物和雜環(huán)芳族化合物之間進(jìn)行Suzuki偶聯(lián)、Grignard偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)等合成。必要時(shí)，可以將這些材料溶解在有機(jī)溶劑中，并且使用例如堿和適當(dāng)催化劑在該有機(jī)溶劑的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)之間(包括熔點(diǎn)和沸點(diǎn))的溫度反應(yīng)，以合成作為配體的化合物。在此合成中，可以使用以下文獻(xiàn)中描述的方法例如“有機(jī)合成(Organic Syntheses)”，合集第6卷(Collective Volume VI)，第407-411頁，John Wiley & Sons，Inc.，1988；化學(xué)評(píng)論(Chem.Rev.)，第106卷，第2651頁，(2006)；化學(xué)評(píng)論(Chem.Rev.)，第102卷，第1359頁，(2002)；化學(xué)評(píng)論(Chem.Rev.)，第95卷，第2457頁，(1995)；有機(jī)金屬化學(xué)雜志(J.Organomet.Chem.)，第576卷，第147頁，(1999)。
雜環(huán)芳族化合物可以通過以下文獻(xiàn)所述的方法合成例如，“有機(jī)化學(xué)第四版的HOUBEN-WEYL方法(HOUBEN-WEYL METHODS OFORGANIC CHEMISTRY 4TH EDITION)”，第E9b卷，第1頁，GEORGTHIEME VERLAG STUTTGART；和“有機(jī)化學(xué)第四版的HOUBEN-WEYL方法(HOUBEN-WEYL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY 4THEDITION)”，第E9c卷，第667頁，GEORG THIEME VERLAGSTUTTGART。
而且，還優(yōu)選的是，本發(fā)明的金屬配合物應(yīng)當(dāng)通過包括下列步驟的方法合成在具有鹵素原子或烷基磺酸酯基的雜環(huán)芳族化合物和由式(A-1)至(A-3)中的任何一個(gè)表示的化合物之間進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)。
在式(A-1)至(A-3)中，M、R1、R3、R4、R5、R6、R8、m、n、Rx和Ry與以上定義相同。L1和L2具有與作為R1所描述和示例的那些相同的定義。
偶聯(lián)反應(yīng)中使用的催化劑沒有特別限制，并且優(yōu)選為鈀催化劑。所述鈀催化劑示例為乙酸鈀、二氯化雙(三苯基膦)鈀(II)、四(三苯基膦)鈀(0)、[1，1′-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)和三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)。優(yōu)選四(三苯基膦)鈀(0)、[1，1′-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)和三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)。必要時(shí)，鈀催化劑可以含有磷配體。所述磷配體示例為三苯基膦、三(鄰-甲苯基)膦、三(叔丁基)膦、三環(huán)己基膦和1，1′-雙(二苯基膦基)二茂鐵。
相對于由式(A-1)至(A-3)中的任何一個(gè)表示的化合物，偶聯(lián)反應(yīng)中使用的催化劑的量沒有特別限制，并且優(yōu)選為1摩爾％以上，更優(yōu)選為10摩爾％以上，特別優(yōu)選為30摩爾％以上。
由式(A-1)至(A-3)中的任何一個(gè)表示的化合物可以通過例如將由下列式(C-1)至(C-3)中的任何一個(gè)表示的化合物硼酸化或硼酸-酯化來合成
(C-1)(C-2)
(C-3) 其中，M、R1、R3至R6、R8、L1、L2、Rx、Ry、m和n與以上定義相同；并且J3和J4各自獨(dú)立地表示鹵素原子。
備選地，本發(fā)明的金屬配合物可以通過由式(C-1)至(C-3)中的任何一個(gè)表示的化合物與雜環(huán)芳族化合物之間的Suzuki偶聯(lián)、Grignard偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)等合成。
得到的金屬配合物可以通過CHN元素分析、NMR分析和MS分析來鑒定和分析。
<高分子化合物> 本發(fā)明的高分子化合物含有本發(fā)明的金屬配合物的殘基，并且考慮到導(dǎo)電性，優(yōu)選是共軛高分子。含有所述金屬配合物的殘基的分子的實(shí)例包括用作后述的電荷輸送材料的高分子有機(jī)化合物。共軛高分子有機(jī)化合物是優(yōu)選的，原因在于擴(kuò)展的共軛增強(qiáng)了載流子(電子或空穴)遷移率。
當(dāng)高分子有機(jī)化合物含有本發(fā)明的金屬配合物時(shí)，在一個(gè)分子中具有高分子有機(jī)化合物結(jié)構(gòu)和所述金屬配合物的殘基的高分子化合物的實(shí)例包括 1.在高分子有機(jī)化合物的主鏈中具有所述金屬配合物的殘基的高分子化合物； 2.在高分子有機(jī)化合物的末端中具有所述金屬配合物的殘基的高分子化合物；和 3.在高分子有機(jī)化合物的側(cè)鏈中具有所述金屬配合物的殘基的高分子化合物。
在主鏈中含有所述金屬配合物的殘基的高分子化合物包括含有結(jié)合到線型聚合物的主鏈中的金屬配合物的那些，以及含有三個(gè)以上結(jié)合到金屬配合物的聚合物鏈的那些。
高分子化合物的實(shí)例包括在其側(cè)鏈、主鏈或末端，或它們的兩種以上中含具有由式(1)等表示的結(jié)構(gòu)的金屬配合物的殘基，并且基于聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)均分子量為1×103至1×108的那些。
在高分子有機(jī)化合物的主鏈中具有金屬配合物的殘基的高分子化合物由例如下式表示
其中，M1和M2表示其鍵由金屬配合物中配體占有的金屬配合物的殘基， 并且M1和M2經(jīng)由所述鍵結(jié)合到構(gòu)成聚合物主鏈的重復(fù)單元。
在高分子有機(jī)化合物的末端中具有金屬配合物的殘基的高分子化合物由例如下式表示 ——X——M3 其中，M3表示其鍵由金屬配合物中配體占有的金屬配合物的一價(jià)殘基，并且M3結(jié)構(gòu)經(jīng)由所述鍵結(jié)合到X；并且X表示單鍵，可以被取代的亞烯基、可以被取代的亞炔基、可以被取代的亞芳基或可以被取代的二價(jià)雜環(huán)基。
在高分子有機(jī)化合物的側(cè)鏈中具有金屬配合物的殘基的高分子化合物由例如式-Ar′-表示，其中Ar′表示具有選自由氧原子、硅原子、鍺原子、錫原子、磷原子、硼原子、硫原子、硒原子和碲原子組成的組中的一種或多種原子的二價(jià)芳族基團(tuán)或二價(jià)雜環(huán)基，并且Ar′具有1至4個(gè)由-L-X表示的基團(tuán)；X表示金屬配合物的一價(jià)殘基；L表示單鍵、-O-、-S-、-C(＝O)-、-C(＝O)O-、-S(＝O)-、-S(＝O2)-、-Si(R68)(R69)-、N(R70)-、-B(R71)-、-P(R72)-、-P(＝O)(R73)-、可以被取代的亞烷基、可以被取代的亞烯基、可以被取代的亞炔基、可以被取代的亞芳基、或可以被取代的二價(jià)雜環(huán)基，并且當(dāng)所述亞烷基、亞烯基和亞炔基含有-CH2-基時(shí)，包含在亞烷基中的一個(gè)或多個(gè)-CH2-基、包含在亞烯基中的一個(gè)或多個(gè)-CH2-基，以及包含在亞炔基中的一個(gè)或多個(gè)-CH2-基可以分別被選自由-O-、-S-、-C(＝O)-、-C(＝O)O-、-S(＝O)-、-S(＝O2)-、-Si(R74)(R75)-、N(R76)-、-B(R77)-、-P(R78)-和-P(＝O)(R79)-組成的組中的基團(tuán)取代；R68至R79分別獨(dú)立地表示選自由氫原子、烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基和氰基中組成的組中的基團(tuán)；并且Ar除具有由-L-X表示的基團(tuán)之外，還可以具有選自由以下基團(tuán)組成的組中的取代基烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基和氰基；并且當(dāng)Ar′具有多個(gè)取代基時(shí)，它們可以相同或不同。
在所述式中，由R68至R79表示的烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基和氰基，以及作為取代基可以被包含在Ar′中的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基，與作為由R表示的取代基所描述和示例的那些相同。
在所述式中，所述二價(jià)芳族基團(tuán)的實(shí)例包括亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞萘基。
在所述式中，所述二價(jià)雜環(huán)基是指通過移除兩個(gè)氫原子而由雜環(huán)化合物衍生的原子團(tuán)。二價(jià)雜環(huán)基通常具有約4至60個(gè)碳原子，優(yōu)選4至20個(gè)碳原子。在此上下文中，從所述二價(jià)雜環(huán)基的碳數(shù)排除了取代基的碳數(shù)。所述雜環(huán)化合物與作為一價(jià)雜環(huán)基描述和示例的那些相同。而且，二價(jià)雜環(huán)基優(yōu)選是二價(jià)芳族雜環(huán)基。
對本發(fā)明的高分子化合物沒有特別限制，只要它具有本發(fā)明的金屬配合物的殘基即可。優(yōu)選的是，該高分子化合物應(yīng)當(dāng)不大大損害電荷輸送性質(zhì)、電荷注入性質(zhì)等。具體地，該高分子化合物優(yōu)選是具有優(yōu)異的載流子(電子或空穴)輸送性質(zhì)的共軛高分子。
優(yōu)選的是，本發(fā)明的高分子化合物應(yīng)當(dāng)含有由下式(I)表示的基團(tuán) -Ar-(I) 其中Ar表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基或二價(jià)芳族胺基，并且這些基團(tuán)可以具有取代基。
在式(I)中，由Ar表示的亞芳基示例為可以具有取代基的亞苯基、可以具有取代基的亞萘基，以及由下式(3a)表示的基團(tuán)
其中P環(huán)，其可以不存在，和Q環(huán)各自獨(dú)立地表示芳族環(huán)，其中在P環(huán)存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于P環(huán)或Q環(huán)上，而在P環(huán)不存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于含Y1的5元或6元環(huán)、或Q環(huán)上；P環(huán)、Q環(huán)以及含Y1的5元或6元環(huán)可以各自獨(dú)立地具有選自由以下基團(tuán)組成的組中的至少一種取代基烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基；Y1表示-C(R11)(R12)-、-C(R14)(R15)-C(R16)(R17)-或-C(R32)＝C(R33)-；并且R11、R12、R14至R17、R32和R33各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵素原子。
在式(I)中，可以作為取代基被包含在P環(huán)、Q環(huán)以及含Y1的5元或6元環(huán)中的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基與作為由R表示的基團(tuán)所描述和示例的那些相同。
在式(I)中，由R11、R12、R14至R17、R32和R33表示的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基和鹵素原子與作為由R表示的基團(tuán)所描述和示例的那些相同。
在式(I)中，由Ar表示的二價(jià)雜環(huán)基是指通過移除兩個(gè)氫原子而由雜環(huán)化合物衍生的原子團(tuán)。該基團(tuán)可以具有取代基。雜環(huán)化合物是指，具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物中，不僅含有碳原子，而且含有選自由氧原子、氮原子、硅原子、鍺原子、錫原子、磷原子、硼原子、硫原子、硒原子和碲原子組成的組中的一種或多種原子作為構(gòu)成環(huán)的元素的那些。而且，所述二價(jià)雜環(huán)基優(yōu)選是二價(jià)芳族雜環(huán)基。該二價(jià)雜環(huán)基在除取代基以外的部分中通常具有約3至60個(gè)碳原子。二價(jià)雜環(huán)基通常具有包括取代基在內(nèi)總計(jì)約3至100個(gè)的碳原子。
在式(I)中，由Ar表示的二價(jià)雜環(huán)基由下式(3b)表示的基團(tuán)示例
其中P′環(huán)，其可以不存在，和Q′環(huán)各自獨(dú)立地表示芳族環(huán)，其中在P′環(huán)存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于P′環(huán)或Q′環(huán)上，而在P′環(huán)不存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于含Y2的5元或6元環(huán)、或Q′環(huán)上；P′環(huán)、Q′環(huán)以及含Y2的5元或6元環(huán)可以各自獨(dú)立地具有選自由以下基團(tuán)組成的組中的至少一種取代基烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基；Y2表示-O-、-S-、-Se-、-B(R6)-、-Si(R7)(R8)-、-P(R9)-、-PR10(＝O)-、-N(R13)-、-O-C(R18)(R19)-、-S-C(R20)(R21)-、-N-C(R22)(R23)-、-Si(R24)(R25)-C(R26)(R27)-、-Si(R28)(R29)-Si(R30)(R31)-、-N＝C(R34)-或-Si(R35)＝C(R36)-；并且R6至R10、R13、R18至R31和R34至R36各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵素原子。
在所述式中，作為取代基可以被包含在P′環(huán)、Q′環(huán)以及含Y2的5元或6元環(huán)中的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基與作為由R表示的基團(tuán)所描述和示例的那些相同。
在所述式中，由R6至R10、R13、R18至R31和R34至R36表示的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基和鹵素原子與作為由R表示的基團(tuán)所描述和示例的那些相同。
在式(1)中，由Ar表示的二價(jià)芳族胺基是指通過移除兩個(gè)氫原子而由芳族胺衍生的原子團(tuán)。二價(jià)芳族胺基通常具有約5至100個(gè)碳原子，優(yōu)選15至60個(gè)碳原子。在此上下文中，從所述二價(jià)芳族胺基的碳數(shù)排除了取代基的碳數(shù)。
在式(I)中，由Ar表示的二價(jià)芳族胺基由下式(7)表示的基團(tuán)示例
其中，Ar6、Ar7、Ar8和Ar9各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基；Ar10、Ar11和Ar12各自獨(dú)立地表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基；Ar6至Ar12可具有取代基；并且x和y各自獨(dú)立地為0或1，其中0≤x+Y≤1。
在式(7)中，由Ar6至Ar9表示的亞芳基是指通過移除兩個(gè)氫原子而由芳族烴衍生的原子團(tuán)。此芳族烴包括具有稠環(huán)的那些，以及包含兩個(gè)以上直接結(jié)合或經(jīng)由基團(tuán)例如1，2-亞乙烯基結(jié)合的獨(dú)立苯環(huán)或稠環(huán)的那些。該亞芳基可以具有取代基。該亞芳基在除取代基以外的部分中通常具有約6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選6至20個(gè)碳原子。該亞芳基通常具有包括取代基在內(nèi)總計(jì)約6至100個(gè)的碳原子。
在式(7)中，由Ar6至Ar9表示的二價(jià)雜環(huán)基與作為由Ar表示的二價(jià)雜環(huán)基所描述和示例的那些相同。
在式(7)中，由Ar10至Ar12表示的芳基和一價(jià)雜環(huán)基與作為由R表示的芳基和一價(jià)雜環(huán)基所描述和示例的那些相同。
在式(7)中，可以被包含在亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、芳基和一價(jià)雜環(huán)基中的取代基的實(shí)例包括烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基、氰基以及硝基。這些取代基具體地與作為可以被包含在構(gòu)成本發(fā)明的金屬配合物的配體中的取代基所描述和示例的那些相同。
在式(3a)中，由式(3b)表示的基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(3-1)、(3-2)或(3-3)表示的基團(tuán)
式(3-1) 式(3-2) 式(3-3) 其中，A環(huán)、B環(huán)以及C環(huán)各自獨(dú)立地表示芳族環(huán)；式(3-1)、式(3-2)和(3-3)可分別具有選自由以下基團(tuán)組成的組中的一個(gè)以上的取代基烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基；并且Y與由Y1或Y2表示的那些相同；以及由下式(3-4)或(3-5)表示的基團(tuán)
式(3-4) 式(3-5) 其中，D環(huán)、E環(huán)、F環(huán)和G環(huán)各自獨(dú)立地表示可以分別具有選自由以下基團(tuán)組成的組中的一個(gè)以上取代基的芳族環(huán)烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基；并且Y與以上定義相同。
由(3-4)或(3-5)表示的基團(tuán)是優(yōu)選的。
考慮到高發(fā)光效率，在所述式中，Y優(yōu)選為-S-、-O-或-C(R11)(R12)-，更優(yōu)選為-S-或-O-。在此上下文中，R11和R12與以上定義相同。
式(3-1)至(3-5)中的芳環(huán)的實(shí)例包括芳族烴環(huán)，例如苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、并四苯(tetracene)環(huán)、并五苯(pentacene)環(huán)、芘環(huán)和菲環(huán)；以及雜環(huán)芳族環(huán)，例如吡啶環(huán)、聯(lián)吡啶環(huán)、菲咯啉環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)和吡咯環(huán)。
可以被包含在由式(3-1)至(3-5)表示的基團(tuán)中的取代基優(yōu)選為烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基或取代羧基。
<組合物> 本發(fā)明的組合物含有所述金屬配合物和/或所述高分子化合物，并且優(yōu)選進(jìn)一步含有電荷輸送材料和/或發(fā)光材料。
電荷輸送材料被分類為空穴輸送材料和電子輸送材料。具體地，可使用有機(jī)化合物(低分子有機(jī)化合物和/或高分子有機(jī)化合物)。
空穴輸送材料的實(shí)例包括本領(lǐng)域中已知作為用于有機(jī)EL器件的空穴輸送材料的那些，例如芳族胺、咔唑衍生物和聚對亞苯基衍生物。電子輸送材料的實(shí)例包括本領(lǐng)域中已知作為用于有機(jī)EL器件的電子輸送材料的那些，例如噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物，和8-羥基喹啉及其衍生物的金屬配合物。作為電荷輸送材料的低分子有機(jī)化合物是指低分子有機(jī)EL器件中使用的主體化合物和電荷注入/輸送化合物。它們的具體實(shí)例包括在例如“有機(jī)EL顯示器(Organic EL Display)”(S.Tokito，C.Adachi和H.Murata，Ohmsha，Ltd.)，第107頁，月刊顯示器(MonthlyDisplay)，第9卷，第9期，2003，第26-30頁；JP-A-2004-244400；和JP-A-2004-277377中所述的化合物。取決于這些電荷輸送材料的類型，為了獲得來自金屬配合物的有利發(fā)光，通常優(yōu)選這些電荷輸送材料的最低三重態(tài)激發(fā)能應(yīng)當(dāng)大于所述金屬配合物的最低三重態(tài)激發(fā)能。
作為電荷輸送材料的低分子有機(jī)化合物的實(shí)例可以包括下列化合物
作為電荷輸送材料的高分子有機(jī)化合物的實(shí)例包括非共軛高分子和共軛高分子。非共軛高分子的實(shí)例包括聚乙烯基咔唑。共軛高分子的實(shí)例包括在主鏈中含有芳族環(huán)的聚合物。它們的實(shí)例包括在主鏈中含有可以具有取代基的亞苯基、可以具有取代基的芴、可以具有取代基的二苯并噻吩、可以具有取代基的二苯并呋喃或可以具有取代基的二苯并矽咯(dibenzosilole)作為重復(fù)單元的那些，以及具有這些單元的共聚物。它們的具體實(shí)例包括其特征在于具有可以含取代基的苯環(huán)作為部分結(jié)構(gòu)的高分子化合物。它們的更具體實(shí)例包括在以下文獻(xiàn)中所述的聚合物例如，JP-A-2003-231741、JP-A-2004-059899、JP-A-2004-002654、JP-A-2004-292546、US5708130、WO99/54385、WO00/46321、WO02/077060、“有機(jī)EL顯示器(Organic EL Display)”(S.Tokito，C.Adachi和H.Murata，Ohmsha，Ltd.)，第111頁，以及月刊顯示器(Monthly Display)，第9卷，第9期，2002，第47-51頁。
作為電荷輸送材料的高分子有機(jī)化合物的其它實(shí)例包括含有由式(3a)或(3b)表示的重復(fù)單元的高分子。它們的實(shí)例包括含有下列基團(tuán)(即，以下示例的基團(tuán)，括號(hào)在內(nèi)部分除外)的那些以及含有作為重復(fù)單元的下列結(jié)構(gòu)的那些
優(yōu)選的是，作為電荷輸送材料的低分子有機(jī)化合物或高分子有機(jī)化合物應(yīng)當(dāng)具有最低三重態(tài)激發(fā)能(TH)，所述最低三重態(tài)激發(fā)能(TH)與金屬配合物的最低三重態(tài)激發(fā)能(TM)滿足關(guān)系 TH＞TM-0.2(eV)。
當(dāng)將高分子有機(jī)化合物用作電荷輸送材料時(shí)，基于聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)，該高分子有機(jī)化合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為103至108，更優(yōu)選為104至106。而且，基于聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)，該聚合物的重均分子量優(yōu)選為103至108，更優(yōu)選為5×104至5×106。
可以將本領(lǐng)域中已知的材料用作發(fā)光材料。它們的實(shí)例包括低分子發(fā)光材料，例如萘衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、染料(多次甲基、呫噸、香豆素和花青)、8-羥基喹啉及其衍生物的金屬配合物、芳族胺、四苯基環(huán)戊二烯及其衍生物和四苯基丁二烯及其衍生物。
配制到本發(fā)明的組合物中的本發(fā)明的金屬配合物的量根據(jù)與其結(jié)合的有機(jī)化合物的類型以及要優(yōu)化的性質(zhì)而不同，因此不受具體限制。相對于總計(jì)為100重量份的本發(fā)明的組合物，該量通常為0.01至80重量份，優(yōu)選為0.1至60重量份。金屬配合物可以單獨(dú)或以它們的兩種以上的組合使用。
<器件> 本發(fā)明的器件含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物，并且具有例如包括陽極(正電極)和陰極(負(fù)電極)的電極以及被設(shè)置在所述電極之間的層，所述層含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物。以下，將描述作為本發(fā)明的器件的典型實(shí)例的發(fā)光器件。
本發(fā)明的發(fā)光器件包含包括陽極(正電極)和陰極(負(fù)電極)的一對電極以及夾在所述電極之間的薄膜，所述薄膜包含至少具有發(fā)光層的一層(單獨(dú)層化)或多層(多層化)。薄膜層中的至少一層含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物。相對于發(fā)光層的總重，本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物在薄膜中的總含量通常為0.1至100重量％，優(yōu)選為0.1至30重量％，更優(yōu)選為0.5至15重量％，特別優(yōu)選為1至10重量％。對于本發(fā)明的發(fā)光器件，優(yōu)選的是，發(fā)光層應(yīng)當(dāng)含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物作為發(fā)光材料。
當(dāng)本發(fā)明的發(fā)光器件采取單層化形式時(shí)，薄膜為發(fā)光層，并且此發(fā)光層含有本發(fā)明的金屬配合物。備選地，當(dāng)本發(fā)明的發(fā)光器件采取多層化形式時(shí)，它具有例如下列層結(jié)構(gòu) (a)陽極/空穴注入層(空穴輸送層)/發(fā)光層/陰極； (b)陽極/發(fā)光層/電子注入層(電子輸送層)/陰極；和 (c)陽極/空穴注入層(空穴輸送層)/發(fā)光層/電子注入層(電子輸送層)/陰極。
本發(fā)明的發(fā)光器件的陽極將空穴供給至空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層等，并且有效地具有4.5eV以上的功函。可以將金屬、合金、金屬氧化物、導(dǎo)電化合物及其混合物等用作陽極用材料。它們的具體實(shí)例包括導(dǎo)電金屬氧化物，例如氧化錫、氧化鋅、氧化銦和氧化錫銦(ITO)；金屬，例如金、銀、鉻和鎳；具有這些導(dǎo)電金屬氧化物和金屬的混合物或?qū)訅后w；無機(jī)導(dǎo)電物質(zhì)，例如碘化銅和硫化銅；有機(jī)導(dǎo)電材料，例如聚苯胺、聚噻吩(PEDOT，等)和聚吡咯；以及這些導(dǎo)電材料與ITO的層壓體。
本發(fā)明的發(fā)光器件中的陰極將電子供給至電子注入層、電子輸送層、發(fā)光層等?？梢詫⒔饘?、合金、金屬鹵化物、金屬氧化物、導(dǎo)電化合物及其混合物等用作陰極用材料。陰極用材料的具體實(shí)例包括堿金屬(鋰、鈉、鉀等)及其氟化物和氧化物、堿土金屬(鎂、鈣、鋇、銫等)及其氟化物和氧化物、金、銀、鉛、鋁、合金和混合金屬(鈉-鉀合金、鈉-鉀混合金屬、鋰-鋁合金、鋰-鋁混合金屬、鎂-銀合金、鎂-銀混合金屬等)以及稀土金屬(銦、鐿等)。
本發(fā)明的發(fā)光器件中的空穴注入層和空穴輸送層僅需要具有從陽極注入空穴的功能、輸送空穴的功能以及阻擋從陰極注入的電子的功能中的任何一種?？梢赃m當(dāng)?shù)剡x擇本領(lǐng)域中已知的材料并且將其用作用于這些層的材料。它們的具體實(shí)例包括咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基-取代的查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氮烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族二次甲基化合物、卟啉化合物、聚硅烷化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、有機(jī)硅烷衍生物、本發(fā)明的金屬配合物以及含有它們的聚合物。它們的其它實(shí)例包括導(dǎo)電高分子低聚物例如苯胺共聚物、噻吩低聚物和聚噻吩。這些材料可以單獨(dú)包含單一組分或以組合形式包含多種組分。而且，該空穴注入層和空穴輸送層可以具有包含所述材料的一種或兩種以上的單層化結(jié)構(gòu)，或可以具有包含具有相同或不同組成的多個(gè)層的多層化結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的發(fā)光器件中的電子注入層和電子輸送層僅需要具有從陰極注入電子的功能、輸送電子的功能以及阻擋從陽極注入的空穴的功能中的任何一種?？梢赃m當(dāng)?shù)剡x擇本領(lǐng)域中已知的材料并且將其用于這些層。它們的具體實(shí)例包括三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物(thiopyran dioxide)衍生物、碳二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、具有芳族環(huán)(例如，萘和苝)的四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羥基喹啉衍生物的金屬配合物或典型為具有金屬酞菁、苯并噁唑或苯并噻唑作為配體的金屬配合物的各種金屬配合物、有機(jī)硅烷衍生物，以及本發(fā)明的金屬配合物化合物。而且，該電子注入層和電子輸送層可以具有包含所述材料的一種或兩種以上的單層化結(jié)構(gòu)，或可以具有包含具有相同或不同組成的多個(gè)層的多層化結(jié)構(gòu)。
而且，在本發(fā)明的發(fā)光器件中，還可以將作為絕緣體或半導(dǎo)體的無機(jī)化合物用作用于電子注入層和電子輸送層的材料。構(gòu)成電子注入層或電子輸送層的絕緣體或半導(dǎo)體可以有效地防止電流泄漏，并且提高電子注入性質(zhì)?？梢詫⑦x自由堿金屬硫?qū)倩?、堿土金屬硫?qū)倩?、堿金屬鹵化物和堿土金屬鹵化物組成的組中的至少一種金屬化合物用作這種絕緣體。優(yōu)選的堿金屬硫?qū)倩锏木唧w實(shí)例包括CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。而且，構(gòu)成電子注入層或電子輸送層的半導(dǎo)體的實(shí)例包括含有選自由Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn組成的組中的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧氮化物。這些氧化物、氮化物或氧氮化物可以單獨(dú)使用，或以它們的兩種以上的組合使用。
在本發(fā)明中，可以向陰極和薄膜之間的界面區(qū)域加入還原摻雜劑。該還原摻雜劑優(yōu)選為選自由以下物質(zhì)組成的組中的至少一種化合物堿金屬、堿土金屬氧化物、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬氧化物、堿金屬鹵化物、堿土金屬氧化物、堿土金屬鹵化物、稀土金屬氧化物、稀土金屬鹵化物、堿金屬配合物、堿土金屬配合物和稀土金屬配合物。
本發(fā)明的發(fā)光器件中的發(fā)光層具有能夠在施加電壓時(shí)從陽極或空穴注入層注入空穴并且從陰極或電子注入層注入電子的功能；能夠通過電場的力移動(dòng)注入的電荷(電子和空穴)的功能；以及提供用于導(dǎo)致發(fā)光的電子和空穴的復(fù)合的場所的功能。優(yōu)選本發(fā)明的發(fā)光器件中的發(fā)光層應(yīng)當(dāng)至少含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物。發(fā)光層可以含有主體材料，并且所述金屬配合物和/或高分子化合物作為客體材料。主體材料的實(shí)例包括具有芴骨架的那些、具有咔唑骨架的那些、具有二芳基胺骨架的那些、具有吡啶骨架的那些、具有吡嗪骨架的那些、具有三嗪骨架的那些和具有芳基硅烷骨架的那些。優(yōu)選的是，主體材料的T1(最低三重激發(fā)態(tài)的能級(jí))應(yīng)當(dāng)高于客體材料的T1。更優(yōu)選它們之間的差別應(yīng)當(dāng)大于0.2eV。主體材料可以是低分子化合物或高分子化合物。而且，包含摻雜到主體材料中的發(fā)光材料的發(fā)光層可以通過例如涂敷或共沉積主體材料和發(fā)光材料如金屬配合物的混合物來形成。
在本發(fā)明的發(fā)光器件中，對用于形成每一個(gè)層的方法沒有特別限制，并且可以使用本領(lǐng)域中已知的方法。它們的具體實(shí)例包括真空沉積(電阻加熱沉積、電子束等)、濺射、LB、分子層疊或涂敷(流延、旋涂、棒涂、刮涂、輥涂、凹印、絲網(wǎng)印刷、噴墨等)方法。在它們中，根據(jù)簡化的制造工藝，優(yōu)選將涂敷用于成膜。在涂敷方法中，將本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物溶解在溶劑中以形成涂布溶液，所述涂布溶液轉(zhuǎn)而可以被涂敷到所需的層(或電極)上并且干燥，以形成薄膜。該涂布溶液可以含有主體材料和/或作為粘合劑的樹脂。該樹脂可以在溶劑中處于溶解或分散的狀態(tài)?？梢詫⒎枪曹椄叻肿?例如，聚乙烯基咔唑)和共軛高分子(例如，聚烯烴聚合物)用作該樹脂。更具體地，該樹脂可以根據(jù)目的而選自例如聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚丁二烯、聚(N-乙烯基咔唑)、烴樹脂、酮樹脂、苯氧樹脂、聚酰胺、乙基纖維素、乙酸乙烯酯、ABS樹脂、聚氨酯、蜜胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環(huán)氧樹脂和硅樹脂。該溶液可以根據(jù)目的而含有作為任選組分的抗氧化劑、粘度調(diào)節(jié)劑等。
-光電器件- 本發(fā)明的金屬配合物和高分子化合物可以用于光電器件的制造。
光電器件為例如光電轉(zhuǎn)換器件。其具體實(shí)例包括包含被設(shè)置在兩個(gè)電極之間的層的器件，所述兩個(gè)電極中的至少一個(gè)是透明的或半透明的，所述層含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物；和具有形成在層上的梳狀電極的器件，所述層形成在基板上，含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物。為了提高性質(zhì)，可以將富勒烯、碳納米管等混合于其中。
用于制造光電轉(zhuǎn)換器件的方法由日本專利3146296中所述的方法示例。具體地，用于制造光電轉(zhuǎn)換器件的方法由下列方法示例包括在具有第一電極的基板上形成含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物的層(薄膜)以及在其上形成第二電極的方法；和包括在一組形成在基板上的梳狀電極上形成含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物的層(薄膜)的方法。第一和第二電極中的一個(gè)是透明或半透明的。
對用于形成含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物的層(薄膜)的方法、或用于將富勒烯或碳納米管混合于其中的方法沒有特別限制，并且可以優(yōu)選使用對發(fā)光器件示例的那些。
<液體組合物> 本發(fā)明的液體組合物含有本發(fā)明的金屬配合物和/或本發(fā)明的高分子化合物以及溶劑或分散介質(zhì)。甚至在將薄膜的組分均勻溶解或分散在其中也穩(wěn)定的溶劑，可以從本領(lǐng)域中已知的溶劑適當(dāng)?shù)剡x擇并且被用作本發(fā)明的液體組合物中所用的溶劑或分散介質(zhì)。這種溶劑的實(shí)例包括氯溶劑(氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等)、醚溶劑(四氫呋喃、二噁烷等)、芳族烴溶劑(苯、甲苯、二甲苯等)、脂族烴溶劑(環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等)、酮溶劑(丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮等)、酯溶劑(乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等)、多元醇及其衍生物(乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇單乙醚、丙三醇、1，2-己二醇等)、醇溶劑(甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等)、亞砜溶劑(二甲亞砜等)以及酰胺溶劑(N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等)。這些溶劑可以單獨(dú)使用或以它們的兩種以上組合使用。
當(dāng)將液體組合物應(yīng)用于噴墨方法時(shí)，該液體組合物可以含有本領(lǐng)域中已知用于提高液體組合物的排出性質(zhì)和它們的再現(xiàn)性的添加劑。本領(lǐng)域中已知的此添加劑的實(shí)例包括用于減少從噴嘴蒸發(fā)的高沸點(diǎn)溶劑(苯甲醚、雙環(huán)己基苯等)。另外，優(yōu)選的是，含有本領(lǐng)域中已知的此添加劑的液體組合物在25℃的粘度應(yīng)當(dāng)為1至100mPa·s。
本發(fā)明的發(fā)光器件中的每一層的優(yōu)選膜厚度根據(jù)材料的類型和層結(jié)構(gòu)而不同，并且沒有特別限制。通常，過薄的膜厚度趨于導(dǎo)致缺陷例如針孔，而過厚的膜厚度需要高的施加電壓，從而導(dǎo)致差的發(fā)光效率。因此，膜厚度優(yōu)選為幾nm至1μm。
對本發(fā)明的發(fā)光器件的用途沒有特別限制。其實(shí)例包括面狀光源、照明用光源(或光源)、信號(hào)用光源、背光用光源、顯示裝置和打印機(jī)頭。顯示裝置可以具有選自使用本領(lǐng)域中已知的驅(qū)動(dòng)技術(shù)、驅(qū)動(dòng)電路等的段式結(jié)構(gòu)、點(diǎn)矩陣結(jié)構(gòu)等的結(jié)構(gòu)。
<其它用途> 本發(fā)明的金屬配合物和本發(fā)明的高分子化合物不僅可用于制備器件，還可以用作半導(dǎo)體材料(例如，有機(jī)半導(dǎo)體材料)、發(fā)光材料、光學(xué)材料、導(dǎo)電材料(例如，其通過摻雜而應(yīng)用)等。因而，該金屬配合物和高分子化合物可以用于制備膜例如發(fā)光膜、導(dǎo)電膜和有機(jī)半導(dǎo)體膜(即，含有該金屬配合物和/或高分子化合物的膜)。
本發(fā)明的金屬配合物和本發(fā)明的高分子化合物可以用于形成導(dǎo)電薄膜和半導(dǎo)體薄膜，并且以與用于制備用作發(fā)光器件中的發(fā)光層的發(fā)光膜的方法中相同的方式，將它們制成器件。關(guān)于半導(dǎo)體薄膜，優(yōu)選在電子遷移率和空穴遷移率中，較大者應(yīng)當(dāng)具有10-5cm2/V/s以上。而且，該有機(jī)半導(dǎo)體膜可以用于有機(jī)太陽能電池、有機(jī)晶體管等。
實(shí)施例 以下，將參考實(shí)施例更具體地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不意欲受限于它們。
<實(shí)施例1>(金屬配合物(MC-1)的合成) 制備含有金屬配合物(MC-1)和有機(jī)溶劑的溶液，并且測量它的光致發(fā)光。結(jié)果，觀察到發(fā)光。
(MC-1) <實(shí)施例2>(金屬配合物(MC-2)的合成) ·5-溴-2-苯基吡啶
向反應(yīng)容器中量取2，5-二溴吡啶(7.11g，30mmol)、甲苯(130mL)、苯基硼酸(4.57g，37.5mmol)和四(三苯基膦)鈀(0)(1.73g，1.5mmol)，并且在氮?dú)饬髦?，將反?yīng)混合物在50℃通過攪拌溶解。向該溶液中加入2M碳酸鈉水溶液(30mL)，并且將混合物在80℃攪拌6小時(shí)。收集得到的反應(yīng)溶液的有機(jī)層并且用碳酸鈉水溶液和飽和鹽水清洗。將該有機(jī)層在硫酸鈉上干燥、過濾并且蒸發(fā)至干燥。通過硅膠柱色譜(己烷/甲苯)純化此剩余物。將洗脫液蒸發(fā)，以得到5-溴-2-苯基吡啶(6.21g，26.5mmol)。
·金屬配合物(配合物1和2)的合成
向反應(yīng)容器中量取5-溴-2-苯基吡啶(7.39g，30mmol)、三水合氯化銥(4.76g，13.5mmol)、2-乙氧基乙醇(58mL)和水(19mL)，并且在氮?dú)饬髦?，?40℃加熱16小時(shí)。在空氣冷卻以后，將得到的反應(yīng)混合物過濾，并且將固體用水、甲醇和己烷以這種順序清洗，以黃色固體形式得到由所述式表示的金屬配合物(配合物1，9.10g，6.58mmol)。
向反應(yīng)容器中量取金屬配合物(配合物1，6.94g，5.0mmol)、5-溴-2-苯基吡啶(7.32g，30.0mmol)和二甘醇二甲醚(43mL)。向其中加入三氟甲磺酸銀(2.57g，10.0mmol)，并且將混合物在130℃攪拌14小時(shí)。將得到的反應(yīng)混合物過濾，并且將固體溶解在二氯甲烷(1.3L)中。將此溶液過濾，并且將濾液濃縮至約150mL。通過過濾收集沉淀的固體并且用己烷清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(配合物2，6.35g，7.1mmol)。
LC-MS(正)m/z890([M+H]+) 1H NMR(300MHz，DMSO-d6) δ6.51(d，J＝7.8Hz，3H)，δ6.72(m，3H)，δ6.84(m，3H)，δ7.66(d，J＝2.0Hz，3H)，δ7.80(d，J＝7.8Hz，3H)，δ8.05(dd，J＝2.0，8.8Hz，3H)，δ8.14(d，J＝8.8Hz，3H) ·金屬配合物(配合物3)的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物2，3.27g，3.7mmol)、乙酸鉀(3.27g，33.3mmol)、雙(頻哪醇合(pinacolato))二硼(3.38g，13.3mmol)、1，1′-雙(二苯基膦基)二茂鐵(245mg，0.44mmol)、[1，1′-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)(361mg，0.44mmol)和四氫呋喃(400mL)，并且回流30小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液濃縮并且通過加入二氯甲烷(150mL)溶解。然后，過濾溶液。將該濾液通過硅膠色譜(二氯甲烷)純化。將洗脫液蒸發(fā)，并且用乙醚清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(配合物3，2.55g，2.47mmol)。
LC-MS(正)m/z1072([M+K]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.21(s，36H)，δ6.87(m，9H)，δ7.69(d，J＝7.7Hz，3H)，δ7.82(s，3H)，δ7.86(m，6H) ·2-氯-4，6-二(4′-叔丁基)苯基嘧啶的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中裝入氰尿酰氯(1.83g，10mmol)、4-叔丁基苯基硼酸(3.73g，21mmol)、碳酸鈉(6.57g，62mmol)、乙酸鈀(89mg，0.40mmol)、三苯基膦(0.21g，0.80mmol)、甘醇二甲醚(50mL)和水(20mL)，并且回流8.5小時(shí)。將得到的反應(yīng)混合物蒸發(fā)，然后加入氯仿(50mL)。將有機(jī)層萃取，在硫酸鎂上干燥并且過濾。將濾液蒸發(fā)至干燥。通過硅膠色譜(己烷/甲苯)將此剩余物純化兩次。將洗脫液蒸發(fā)，以得到2-氯-4，6-二(4′-叔丁基)苯基嘧啶(2.64g，7.0mmol)。
LC-MS(APPI，正)m/z379.2([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.38(s，18H)，δ7.55(d，J＝6.9Hz，4H)，δ7.97(s，1H)，δ8.07(d，J＝6.9Hz，4H) ·金屬配合物(MC-2)的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中量取由所述式表示的金屬配合物(配合物3，103mg，0.10mmol)、2-氯-4，6-二(4′-叔丁基)苯基嘧啶(125mg，0.33mmol)、氟化鉀(58mg，1.0mmol)、三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(13.7mg，0.015mmol)和四氫呋喃(10mL)。向其中加入三-叔丁基膦(7.3μL)，將混合物回流6小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液濃縮，溶解在甲苯中，并且在硫酸鈉上干燥。通過硅膠色譜(甲苯)純化此有機(jī)層，并且將洗脫液蒸發(fā)至干燥。將剩余物用甲醇清洗，以得到由下式表示的金屬配合物(MC-2)
(MC-2) (69.8mg，0.042mmol)。
LC-MS(APCI，正)m/z1683([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.19(s，54H)，δ6.93(m，9H)，δ7.41(d，J＝8.4Hz，12H)，δ7.79(d，J＝7.5Hz，3H)，δ7.82(s，3H)，δ7.90(d，J＝8.4Hz，12H)，δ8.12(d，J＝8.4Hz，3H)，δ9.12(d，J＝8.4Hz，3H)，δ9.34(s，3H) ·金屬配合物(MC-2)的物理性質(zhì)測量 將金屬配合物(MC-2)和聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(由Sigma-Aldrich，Inc.生產(chǎn))(以下，稱為“PMMA”)以2∶98的重量比混合并且制成10重量％的氯仿溶液。將該溶液滴加到石英基板上并且干燥，以在石英基板上形成金屬配合物(MC-2)-摻雜的PMMA膜。得到的基板用于測量光致發(fā)光。結(jié)果，觀察到具有在575nm的峰的發(fā)光，并且量子產(chǎn)率為80％。該光致發(fā)光量子產(chǎn)率是使用有機(jī)EL發(fā)射性質(zhì)評(píng)價(jià)設(shè)備(由OPTEL Co.，Ltd.制造，商品名IES-150)在325nm的激發(fā)波長測量的。
<實(shí)施例3>(金屬配合物(MC-3)的合成) ·2，4-二氯-6-(4-叔丁基)苯基嘧啶
在氮?dú)饬髦校蚍磻?yīng)容器中裝入2，4，6-三氯嘧啶(18.3g，100mmol)、4-叔丁基苯基硼酸(37.4g，210mmol)、碳酸鈉(65.7g，620mmol)、乙酸鈀(0.56g，2.5mmol)、三苯基膦(1.31g，5.0mmol)和甘醇二甲醚(500mL)，并且在80℃回流20小時(shí)。將得到的反應(yīng)混合物蒸發(fā)，然后加入乙酸乙酯(200mL)和水(200mL)。將有機(jī)層萃取，在硫酸鎂上干燥并且過濾。將濾液蒸發(fā)至干燥。通過硅膠色譜(己烷/乙酸乙酯)純化此剩余物，并且將洗脫液蒸發(fā)至干燥。將此剩余物從己烷重結(jié)晶，以得到2，4-二氯-6-(4-叔丁基)苯基嘧啶(2.0g，7.1mmol)。
LC-MS(正)m/z281([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.36(s，9H)，δ7.54(d，J＝6.9Hz，2H)，δ7.64(s，1H)，δ8.01(d，J＝6.9Hz，2H) ·金屬配合物(MC-3)的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物3，341mg，0.33mmol)、2，4-二氯-6-(4-叔丁基)苯基嘧啶(540mg，1.7mmol)、碳酸鉀(547mg，3.9mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(97mg，0.084mmol)、四氫呋喃(60mL)和乙醇(10mL)，并且回流7小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液過濾。將濾液濃縮，并且將甲醇(50mL)加入其中。將形成的沉淀物通過過濾收集、溶解在二氯甲烷中，并且將溶液在硫酸鈉上干燥。將溶液過濾。然后，通過硅膠色譜將此濾液純化兩次(第一次二氯甲烷，第二次甲苯)，并且將洗脫液蒸發(fā)至干燥。將剩余物用甲醇和己烷清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(MC-3，56.0mg，0.040mmol)。
LC-MS(正)m/z1388([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.31(s，27H)，δ6.99(m，6H)，δ7.08(m，3H)，δ7.42(d，J＝6.8Hz，6H)，δ7.55(s，3H)，δ7.80(m，9H)，δ8.05(d，J＝8.4Hz，3H)，δ8.40(m，6H) ·金屬配合物(MC-3)的物理性質(zhì)測量 將金屬配合物(MC-3)以2重量％的濃度溶解在聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(由Sigma-Aldrich，Inc.生產(chǎn))的10重量％甲苯溶液中，以制備溶液。將該溶液滴加到石英基板上并且干燥，以在石英基板上形成金屬配合物(MC-3)-摻雜的PMMA膜。得到的基板用于測量光致發(fā)光。結(jié)果，觀察到具有在630nm的峰的發(fā)光，并且量子產(chǎn)率為65％。該光致發(fā)光量子產(chǎn)率是使用有機(jī)EL發(fā)射性質(zhì)評(píng)價(jià)設(shè)備(由OPTEL Co.，Ltd.制造，商品名IES-150)在325nm的激發(fā)波長測量的。
<實(shí)施例4>(金屬配合物(MC-4)的合成)
在氮?dú)饬髦校蚍磻?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物3，929mg，0.90mmol)、2-氯-4，6-二(4′-己基苯基)-1，3，5-三嗪(1.29g，3.0mmol)、碳酸銫(2.93g，9.0mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(312mg，0.27mmol)和四氫呋喃(90mL)，并且回流8小時(shí)。向得到的反應(yīng)混合物中加入甲苯。將溶液過濾，并且將濾液濃縮。通過硅膠色譜將該甲苯溶液純化3次(在第一次試驗(yàn)中的展開劑甲苯/在第二和第三次試驗(yàn)中的洗脫液己烷/甲苯＝1/1)，并且將洗脫液蒸發(fā)至干燥。用甲醇清洗此剩余物，以得到由所述式表示的金屬配合物(MC-4)(227mg，0.12mmol)。
LC-MS(APCI，正)m/z1854([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ0.88(t，J＝6.6Hz，18H)，δ1.22(m，36H)，δ1.49(m，12H)，δ2.48(m，12H)，δ6.96(m，9H)，δ7.22(d，J＝7.8Hz，12H)，δ7.83(d，J＝7.5Hz，3H)，δ8.18(d，J＝8.4Hz，3H)，δ8.35(d，J＝7.8Hz，12H)，δ9.19(d，J＝8.4Hz，3H)，δ9.31(s，3H) ·金屬配合物(MC-4)的物理性質(zhì)測量 將金屬配合物(MC-4)和PMMA以2∶98的重量比混合并且制備成10重量％的氯仿溶液。將該溶液滴加到石英基板上并且干燥，以在石英基板上形成金屬配合物(MC-4)-摻雜的PMMA膜。得到的基板用于測量光致發(fā)光。結(jié)果，觀察到具有在605nm的峰的發(fā)光，并且量子產(chǎn)率為88％。
·化合物(P-1)的合成 向連接有Dimroth冷凝器的200mL可拆式燒瓶中，加入9，9-二辛基芴-2，7-二硼酸乙二醇酯(3.18g，6.0mmol)、9，9-二辛基-2，7-二溴芴(3.06g，5.4mmol)、N，N′-雙(4-溴苯基)-N，N′-雙(2，6-二溴-4-叔丁基苯基)-1，4-苯二胺(0.44g，0.6mmol)、氯化甲基三辛基銨(商品名Aliquat 336，由Sigma-Aldrich，Inc.生產(chǎn)，0.82g)和甲苯(60mL)。在氮?dú)鈿夥障孪蚱渲屑尤腚p(三苯基膦)二氯鈀(4.2mg)，并且將混合物加熱至85℃。向得到的溶液中，逐滴加入17.5重量％的碳酸鈉水溶液(16.3mL)，同時(shí)將混合物加熱到105℃，然后攪拌1.5小時(shí)。接著，向其中加入苯基硼酸(0.74g)、二氯化雙(三苯基膦)鈀(4.2mg)和甲苯(30mL)，并且將混合物在105℃攪拌17小時(shí)。
在從得到的溶液移除水性層以后，向該溶液中加入三水合N，N-二乙基二硫代氨基甲酸鈉(3.65g)和離子交換水(36mL)，并且將混合物在85℃攪拌2小時(shí)。將有機(jī)層與水性層分離，然后用離子交換水(80mL，兩次)、3重量％乙酸水溶液(80mL，兩次)和離子交換水(80mL，兩次)以這種順序清洗。
將有機(jī)層逐滴加入到甲醇(930mL)中，以沉淀出聚合物。將沉淀物通過過濾收集，然后干燥以得到固體。將該固體溶解在甲苯(190mL)中，并且使該溶液通過甲苯在其中預(yù)先流動(dòng)的硅膠/氧化鋁柱。將該溶液逐滴加入到甲醇(930mL)中，以沉淀出聚合物。將沉淀物通過過濾收集，然后干燥，以得到由下式
表示的化合物(P-1，4.17g)。該化合物(P-1)基于聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)均分子量Mn為2.7×105并且基于聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)的重均分子量Mw為7.1×105。
將金屬配合物(MC-4)以5重量％的比例加入到化合物(P-1)中，并且將混合物制備成1.0重量％的二甲苯溶液。另外，將下列聚合物(TFB)制成0.5重量％的溶液
在通過濺射法以150nm的厚度涂布有ITO膜的玻璃基板上，通過旋涂以50nm的厚度形成聚(亞乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸溶液(Bayer AG，商品名Baytron P)的膜。將該膜在電熱板上于200℃干燥10分鐘。接著，通過旋涂以2000rpm的旋轉(zhuǎn)速度在其上形成這樣制備的TFB的二甲苯溶液的膜，并且在氮?dú)鈿夥罩杏?80℃干燥15分鐘。將該基板冷卻至室溫。然后，通過旋涂以2000rpm的旋轉(zhuǎn)速度在其上形成這樣制備的金屬配合物(MC-4)和所述化合物(P-1)的混合二甲苯溶液的膜。得到的膜的平均膜厚度為約100nm。將該膜在氮?dú)鈿夥罩杏?30℃干燥10分鐘。然后，在其上沉積鋇(約5nm)以及隨后沉積鋁(約80nm)作為陰極，以制備EL器件。在此上下文中，在真空度達(dá)到1×10-4Pa以下后開始金屬沉積。對得到的器件施加電壓以得到具有在605nm的峰的紅色EL發(fā)射。發(fā)光效率最大為7.8cd/A。
另外，在初始亮度設(shè)定到4000cd/m2的情況下，以恒定電流驅(qū)動(dòng)該器件50小時(shí)。結(jié)果，相對于初始亮度，該器件保持了70％的亮度，因而具有長的壽命。
<實(shí)施例5>(金屬配合物(MC-5)的合成) ·2，4-二(4′-叔丁基苯基)-6-氯-1，3，5-三嗪的合成
在氬氣流中，向反應(yīng)容器中裝入1-溴-4-叔丁基苯(125g，587mmol)和四氫呋喃(470mL)并且冷卻至-70℃。在-70℃，向其中逐滴加入正丁基鋰/己烷溶液(1.6M，367mL，587mmol)，歷時(shí)90分鐘。在逐滴加入完成以后，將混合物在-70℃攪拌2小時(shí)，以得到4-叔丁基苯基鋰/THF溶液。在氬氣流中，向另一個(gè)反應(yīng)容器中裝入氰尿酰氯(50.8g，276mmol)和四氫呋喃(463mL)，并且冷卻至-70℃。將這樣制備的4-叔丁基苯基鋰/THF溶液逐漸滴加到其中，同時(shí)冷卻，以將反應(yīng)溫度保持到-60℃以下。在逐滴加入完成以后，將反應(yīng)溶液在-40℃攪拌4小時(shí)并且在室溫?cái)嚢?小時(shí)。通過加入水(50mL)猝滅混合物，并且蒸發(fā)四氫呋喃。通過加入水(1L)和氯仿(2L)從此剩余物萃取有機(jī)層，并且將有機(jī)層用水(1L)清洗并且蒸發(fā)至干燥。將此剩余物溶解在乙腈(600mL)中，將不溶固體熱過濾掉。將得到的濾液濃縮至約100mL并且冷卻至-70℃，并且通過過濾收集沉淀的固體。將收集的固體溶解在氯仿(200mL)/己烷(600mL)混合溶劑中并且通過硅膠柱色譜(洗脫液氯仿/己烷)純化。將洗脫液蒸發(fā)至干燥并且從乙腈重結(jié)晶出此剩余物，以得到2，4-二(4′-叔丁基苯基)-6-氯-1，3，5-三嗪(41.3g，109mmol)。
LC-MS(APPI，正)m/z380([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.39(s，18H)，δ7.56(d，J＝8.4Hz，4H)，δ8.54(d，J＝8.4Hz，4H) ·金屬配合物(MC-5)的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物3，546mg，0.53mmol)、2，4-二(4′-叔丁基苯基)-6-氯-1，3，5-三嗪(702mg，1.85mmol)、碳酸銫(1.73g、5.31mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(196mg，0.17mmol)和四氫呋喃(53mL)，并且回流9小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液濃縮并且通過加入甲苯溶解。將該溶液過濾，并且通過硅膠色譜將濾液純化兩次(在第一次試驗(yàn)中的洗脫液甲苯，在第二次中的洗脫液己烷/甲苯＝1/1)。將洗脫液蒸發(fā)至干燥，并且用甲醇清洗此剩余物，以得到由所述式表示的金屬配合物(MC-5，257mg，0.15mmol)。
LC-MS(APCI，正)m/z1686([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.14(s，54H)，δ6.96(m，9H)，δ7.39(d，J＝8.4Hz，12H)，δ7.83(d，J＝7.5Hz，3H)，δ8.18(d，J＝8.4Hz，3H)，δ8.36(d，J＝8.4Hz，12H)，δ9.14(d，J＝8.4Hz，3H)，δ9.33(s，3H) ·金屬配合物(MC-5)的物理性質(zhì)測量 將金屬配合物(MC-5)以2重量％的濃度溶解在聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(由Sigma-Aldrich，Inc.生產(chǎn))的10重量％甲苯溶液中，以制備溶液。將該溶液滴加到石英基板上并且干燥，以在石英基板上形成金屬配合物(MC-5)-摻雜的PMMA膜。得到的基板用于測量光致發(fā)光。結(jié)果，觀察到具有在610nm的峰的發(fā)光，并且量子產(chǎn)率為89％。
除用金屬配合物(MC-5)代替實(shí)施例4中的金屬配合物(MC-4)以外，以與實(shí)施例4中相同的方式制備EL器件。
對得到的器件施加電壓以得到具有在620nm的峰的紅色EL發(fā)射。發(fā)光效率最大為6.9cd/A。在初始亮度設(shè)定到4000cd/m2的情況下，驅(qū)動(dòng)該器件50小時(shí)。結(jié)果，相對于初始亮度，該器件保持了73％的亮度，因而具有長的壽命。
<實(shí)施例6>(金屬配合物(MC-6)的合成) ·2-(4′-苯甲?；交?-5-溴吡啶的合成
在氬氣流中，向反應(yīng)容器中量取2，5-二溴吡啶(15.85g，66.0mmol)，并且通過加入甲苯(300mL)制成溶液。向其中加入4-苯甲?；交鹚?18.86g，83.0mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(3.05g，2.6mmol)和1.41M碳酸鈉水溶液(100mL)，并且將混合物在90℃攪拌8小時(shí)。通過過濾從得到的反應(yīng)混合物收集固體。用冷的甲苯和冷的乙醚以這種順序清洗該固體。將該固體溶解在甲苯/氯仿混合溶劑(體積比2/1)中，并且通過硅膠柱色譜純化。將洗脫液蒸發(fā)至干燥，并且將得到的剩余物溶解在氯仿/乙醇混合溶劑(體積比9/2)中并且重結(jié)晶幾次，以黃色固體形式得到2-(4′-苯甲?；交?-5-溴吡啶(3.00g，8.87mmol)。
1H NMR(300MHz，CDCl3) δ7.49-7.92(m，9H)，δ8.08(d，J＝7.8Hz，2H)，δ8.77(s，1H) 13C NMR(75MHz，CDCl3) δ120.5，d 122.9，δ126.9，δ128.6，δ130.3，δ130.9，δ132.8，δ137.7，δ138.3，δ139.8，δ142.0，δ151.2，δ154.9，δ196.5 ·金屬配合物(配合物4和5)的合成
向反應(yīng)容器中量取2-(4′-苯甲?；交?-5-溴吡啶(1.01g，3.0mmol)、三水合氯化銥(0.48g，1.4mmol)、2-乙氧基乙醇(12mL)和水(4mL)，并且在氮?dú)饬髦杏?40℃加熱9小時(shí)。在空氣冷卻以后，將得到的反應(yīng)混合物過濾，并且將固體用甲醇和己烷以這種順序清洗，以橙色固體形式得到由所述式表示的金屬配合物(配合物4，1.23g，0.68mmol)。
向反應(yīng)容器中量取金屬配合物(配合物4，1.23g，0.68mmol)、2-(4′-苯甲?；交?-5-溴吡啶(1.38g，4.1mmol)和二甘醇二甲醚(12mL)。向其中加入三氟甲磺酸銀(0.35g，1.4mmol)，并且將混合物在150℃攪拌35小時(shí)。將得到的反應(yīng)混合物過濾，并且將固體溶解在二氯甲烷(100mL)中。將此溶液過濾，并且從濾液蒸餾掉溶劑。將此剩余物用甲醇和己烷以這種順序清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(配合物5，1.26g，1.05mmol)。
LC-MS(APPI，正)m/z1203.9([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ7.02(s，3H)，δ7.19(dd，J＝7.1，7.5Hz，6H)，δ7.35(m，12H)，δ7.64(s，3H)，δ7.67(d，J＝8.1Hz，3H)，δ7.89(dd，J＝6.9，8.8Hz，6H) 13C NMR(75MHz，CDCl3) δ119.1，δ121.3，δ123.0，δ124.5，δ128.1，δ130.1，δ132.1，δ137.9，δ138.3，δ138.9，δ140.3，δ146.5，δ148.6，δ157.6，δ164.3，δ197.4 ·金屬配合物(配合物6)的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物5，1.21g，1.0mmol)、乙酸鉀(1.10g，11.2mmol)、雙(頻哪醇合)二硼(1.19g，4.2mmol)、[1，1′-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)(0.32g，0.35mmol)和四氫呋喃(100mL)，并且回流8小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液濃縮并且通過加入二氯甲烷溶解。然后，將溶液過濾。將此濾液通過硅膠色譜(二氯甲烷/甲醇＝10/1)純化，并且將洗脫液蒸發(fā)至干燥。將此剩余物用甲醇和己烷以這種順序清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(配合物6，0.62g，0.46mmol)。
LC-MS(APPI，正)m/z1346.4([M+H]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.24(s，36H)，δ7.17(m，9H)，δ7.34(m，12H)，δ7.73(d，J＝8.1Hz，3H)，δ7.84(s，3H)，δ7.95(d，J＝8.1Hz，3H)，δ8.02(d，J＝8.1Hz，3H) ·金屬配合物(MC-6)的合成
在氮?dú)饬髦校蚍磻?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物6，460mg，0.342mmol)、2，4-二(4′-叔丁基苯基)-6-氯-1，3，5-三嗪(456mg，1.20mmol)、碳酸銫(1.11g，3.40mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(121mg，0.105mmol)和四氫呋喃(34mL)，并且回流20小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液濃縮并且通過加入二氯甲烷溶解。然后，將溶液過濾。將此濾液通過硅膠色譜(二氯甲烷/甲醇20/1)純化3次，并且將洗脫液蒸發(fā)至干燥。將剩余物用甲醇清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(MC-6，121mg，0.060mmol)。
ESI-MS(正)m/z2036([M+K]+) 1H NMR(300MHz，CDCl3) δ1.20(s，54H)，δ7.18-7.45(m，33H)，δ7.87(d，J＝8.2Hz，3H)，δ8.30(d，J＝8.6Hz，3H)，δ8.38(d，J＝8.4Hz，12H)，δ9.25(d，J＝8.6Hz，3H)，δ9.39(s，3H) ·金屬配合物(MC-6)的物理性質(zhì)測量 將金屬配合物(MC-6)以2重量％的濃度溶解在聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(由Sigma-Aldrich，Inc.生產(chǎn))的10重量％甲苯溶液中，以制備溶液。將該溶液滴加到石英基板上并且干燥，以在石英基板上形成金屬配合物(MC-6)-摻雜的PMMA膜。得到的基板用于測量光致發(fā)光。結(jié)果，觀察到具有在620nm的峰的發(fā)光。在此上下文中，該光致發(fā)光是使用PL量子產(chǎn)率測量設(shè)備(由濱松光子學(xué)株式會(huì)社(Hamamatsu Photonics K.K.)制造，商品名C9920-02)在325nm的激發(fā)波長測量的。
<實(shí)施例7>(金屬配合物(MC-7)的合成) ·2-(4′-聯(lián)苯基)-5-溴吡啶
在氬氣流中，向反應(yīng)容器中量取2，5-二溴吡啶(2.37g，10mmol)，并且通過加入甲苯(100mL)制成溶液。向其中加入4-聯(lián)苯基硼酸(2.47g，12.5mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(0.46g，0.4mmol)和2M碳酸鈉水溶液(10mL)，并且將混合物在90℃攪拌8小時(shí)。通過過濾從得到的反應(yīng)混合物收集固體。將該固體用冷的甲苯清洗。將該固體溶解在氯仿/乙醇混合溶劑(體積比1/1)中并且重結(jié)晶幾次，以黃色固體形式得到2-(4′-聯(lián)苯基)-5-溴吡啶(1.10g，3.55mmol)。
1H NMR(300MHz，CDCl3) δ7.72-7.28(m，8H)，δ7.88(d，J＝10.5Hz，1H)，δ8.05(d，J＝6.6Hz，2H)，δ8.75(s，1H) ·金屬配合物(配合物7和8)的合成
向反應(yīng)容器中量取2-(4′-聯(lián)苯基)-5-溴吡啶(463mg，1.5mmol)、三水合氯化銥(241mg，0.68mmol)、2-乙氧基乙醇(6mL)和水(2mL)，并且在氮?dú)饬髦杏?40℃加熱14小時(shí)。在空氣冷卻以后，將得到的反應(yīng)混合物過濾，并且用甲醇和己烷以這種順序清洗固體，以黃色固體形式得到由所述式表示的金屬配合物(配合物7，539mg，0.32mmol)。
向反應(yīng)容器中量取金屬配合物(配合物7，539mg，0.32mmol)、2-(4′-聯(lián)苯基)-5-溴吡啶(609mg，0.20mmol)和二甘醇二甲醚(12mL)。向其中加入三氟甲磺酸銀(175mg，0.68mmol)，并且將混合物在150℃攪拌11小時(shí)。將得到的反應(yīng)混合物過濾，并且將固體溶解在二氯甲烷中。將溶液過濾，并且將溶劑從濾液蒸餾掉。將該剩余物用甲醇和己烷以這種順序清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(配合物8，580mg，0.52mmol)。
·金屬配合物(配合物9)的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物8，580mg，0.52mmol)、乙酸鉀(468mg，4.8mmol)、雙(頻哪醇合)二硼(538mg，2.1mmol)、[1，1′-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)(130mg，0.16mmol)和四氫呋喃(60mL)，并且回流18小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液濃縮并且溶解在二氯甲烷中。將溶液過濾。將此濾液通過硅膠色譜(二氯甲烷/甲醇＝20/1)純化，并且將洗脫液蒸發(fā)至干燥。將此剩余物用甲醇清洗，以得到由所述式表示的金屬配合物(配合物9，483mg，0.38mmol)。
·金屬配合物(MC-7)的合成
在氮?dú)饬髦?，向反?yīng)容器中量取金屬配合物(配合物9)、2，4-二(4′-叔丁基苯基)-6-氯-1，3，5-三嗪、碳酸銫、四(三苯基膦)鈀(0)和四氫呋喃，并且回流。將得到的反應(yīng)溶液濃縮并且通過加入甲苯溶液溶解。將該溶液過濾，并且將濾液通過硅膠色譜純化。將洗脫液蒸發(fā)至干燥，并且清洗剩余物，以得到由所述式表示的金屬配合物(MC-7)。
<比較例1> 通過WO03/040256A2中所述的方法合成由下式表示的金屬配合物
以與實(shí)施例3中相同的方式測量該金屬配合物的光致發(fā)光量子產(chǎn)率。觀察到具有在634nm的峰的發(fā)光，并且量子產(chǎn)率為51％。
隨后，除用由該式表示的金屬配合物代替實(shí)施例4中的金屬配合物(MC-4)以外，以與實(shí)施例4中相同的方式制備EL器件。
對得到的器件施加電壓，以得到具有在620nm的峰的紅色EL發(fā)射。發(fā)光效率最大為5.6cd/A。在將初始亮度設(shè)定到4000cd/m2的情況下，將該器件驅(qū)動(dòng)50小時(shí)。結(jié)果，相對于初始亮度，該器件保持在45％的亮度。
權(quán)利要求
1.一種由下式(1)表示的金屬配合物
其中，M為釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑的金屬原子；R1至R8各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；ⅤＱ趸?、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基，或者R3和R4或R5和R6可以結(jié)合以形成環(huán)，條件是R2和R7中的至少一個(gè)是由下式(2)表示的基團(tuán)
其中，m為1至3的整數(shù)，并且n為0至2的整數(shù)；Z1至Z5各自獨(dú)立地表示碳原子或氮原子，條件是Z1至Z5中的至少兩個(gè)是氮原子，并且當(dāng)Z1至Z5中的任何一個(gè)是碳原子時(shí)，結(jié)合到所述碳原子的氫原子可以被取代基取代；由下式(3)
表示的部分表示單陰離子二齒配體；并且Rx和Ry是結(jié)合到所述金屬原子M的原子，并且各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配合物，其中所述式(1)由下式(1a)
表示，其中M、R1至R8和m與以上定義相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬配合物，其中所述R7是由所述式(2)表示的基團(tuán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的金屬配合物，其中所述R2和所述R7各自獨(dú)立地為由所述式(2)表示的基團(tuán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的金屬配合物，其中在由所述式(2)表示的所述基團(tuán)中的所述Z1至所述Z5進(jìn)行組合，使得多個(gè)氮原子不相鄰。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的金屬配合物，其中由所述式(2)表示的所述基團(tuán)由下式(4-1)或(4-7)
表示，其中各個(gè)R′獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；?、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基，并且各個(gè)R′可以相同或不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬配合物，其中所述R2和所述R7各自獨(dú)立地為由所述式(4-1)或(4-7)表示的基團(tuán)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬配合物，其中所述R7是由所述式(4-1)表示的基團(tuán)，并且所述R2是氫原子。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬配合物，其中所述R7是由所述式(4-7)表示的基團(tuán)，并且所述R2是氫原子。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的金屬配合物，其中所述M是鉑原子或銥原子。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的金屬配合物，其中所述金屬配合物在PL發(fā)射光譜中顯示出峰波長為550nm至800nm的磷光發(fā)射。
12.一種用于生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)的金屬配合物的方法，所述方法包括在具有鹵素原子或烷基磺酸酯基的雜環(huán)芳族化合物和由下列式(A-1)至(A-3)中的任何一個(gè)表示的化合物之間進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)
其中，M表示釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑的金屬原子；R1、R3、R4、R5、R6、R8、L1和L2各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；?、酰氧基、酰胺基、酰亞胺基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷氨基、一價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基，或者R3和R4或R5和R6可以結(jié)合以形成環(huán)；m為1至3的整數(shù)，并且n為0至2的整數(shù)；由下式(3)
表示的部分表示單陰離子二齒配體；Rx和Ry是結(jié)合到所述金屬原子M的原子，并且各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子；并且J1和J2各自獨(dú)立地為由下式(B-1)至(B-6)表示的基團(tuán)
13.一種由所述式(A-1)表示的化合物。
14.一種由所述式(A-2)表示的化合物。
15.一種由所述式(A-3)表示的化合物。
16.一種高分子化合物，所述高分子化合物含有根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)的金屬配合物的殘基。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物是共軛高分子。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物含有由下式(I)
-Ar- (I)
表示的基團(tuán)，其中Ar表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基或二價(jià)芳族胺基，并且這些基團(tuán)可以具有取代基。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的高分子化合物，其中所述亞芳基是可以具有取代基的亞苯基、可以具有取代基的亞萘基，或由下式(3a)
表示的基團(tuán)，其中P環(huán)，其可以不存在，和Q環(huán)各自獨(dú)立地表示芳族環(huán)，
其中在所述P環(huán)存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于所述P環(huán)或所述Q環(huán)上，
而在所述P環(huán)不存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于含Y1的5元或6元環(huán)、或所述Q環(huán)上；所述P環(huán)、所述Q環(huán)以及所述含Y1的5元或6元環(huán)可以各自獨(dú)立地具有選自由以下基團(tuán)組成的組中的至少一種取代基烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基；Y1表示-C(R11)(R12)-、-C(R14)(R15)-C(R16)(R17)-或-C(R32)＝C(R33)-；并且R11、R12、R14至R17、R32和R33各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵素原子。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的高分子化合物，其中所述二價(jià)雜環(huán)基是由下式(3b)
表示的基團(tuán)，其中P′環(huán)，其可以不存在，和Q′環(huán)各自獨(dú)立地表示芳族環(huán)，其中在所述P′環(huán)存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于所述P′環(huán)或所述Q′環(huán)上，而在所述P′環(huán)不存在的情況下，2個(gè)鍵分別存在于含Y2的5元或6元環(huán)、或所述Q′環(huán)上；所述P′環(huán)、所述Q′環(huán)以及所述含Y2的5元或6元環(huán)可以各自獨(dú)立地具有選自由以下基團(tuán)組成的組中的至少一種取代基烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、鹵素原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)雜環(huán)基、羧基、取代羧基以及氰基；Y2表示-O-、-S-、-Se-、-B(R6)-、-Si(R7)(R8)-、-P(R9)-、-PR10(＝O)-、-N(R13)-、-O-C(R18)(R19)-、-S-C(R20)(R21)-、-N-C(R22)(R23)-、-Si(R24)(R25)-C(R26)(R27)-、-Si(R28)(R29)-Si(R30)(R31)-、-N＝C(R34)-或-Si(R35)＝C(R36)-；并且R6至R10、R13、R18至R31和R34至R36各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、一價(jià)雜環(huán)基或鹵素原子。
21.一種組合物，所述組合物包含根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)的金屬配合物和/或根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項(xiàng)的高分子化合物。
22.一種液體組合物，所述液體組合物包含根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)的金屬配合物和/或根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項(xiàng)的高分子化合物以及溶劑或者分散介質(zhì)。
23.一種膜，所述膜包含根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)的金屬配合物和/或根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項(xiàng)的高分子化合物。
24.一種器件，所述器件包含根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)的金屬配合物和/或根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項(xiàng)的高分子化合物。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的器件，其中所述器件具有包括陽極和陰極的電極以及被設(shè)置在所述電極之間的層，所述層包含根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)的金屬配合物和/或根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項(xiàng)的高分子化合物。
26.根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的器件，其中所述器件為發(fā)光器件。
27.一種通過使用根據(jù)權(quán)利要求26的器件得到的面狀光源。
28.使用根據(jù)權(quán)利要求26的器件得到的照明。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種由式(1)表示的金屬配合物。(在所述式中，M表示金屬原子；R1至R8分別表示氫原子、鹵素原子或一價(jià)基團(tuán)；或備選地，R3和R4，或R5和R6可以結(jié)合在一起以形成環(huán)。在這方面，R2和R7中的至少一個(gè)是由式(2)表示的基團(tuán)其中，m表示1-3的整數(shù)；n表示0-2的整數(shù)；并且Z1-Z5分別表示碳原子或氮原子，條件是Z1-Z5中的至少兩個(gè)是氮原子。當(dāng)Z1-Z5中的一個(gè)是碳原子時(shí)，結(jié)合到所述碳原子的氫原子可以被取代基取代。由式(3)表示的部分表示單陰離子二齒配體。在所述式(3)中，Rx和Ry分別表示結(jié)合到所述金屬原子M的原子，即碳原子、氧原子或氮原子)。
文檔編號(hào)C09K11/06GK101611045SQ20078004802
公開日2009年12月23日 申請日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日
發(fā)明者秋野喜彥, 岡村玲 申請人:住友化學(xué)株式會(huì)社, 薩美甚株式會(huì)社